CN102687284A - 太阳能电池单元的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种太阳能电池单元的制造方法，包括在半导体基板（1）的一个主面上涂布含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者的防反射膜形成用溶液（5a）的工序、和对涂布有防反射膜形成用溶液（5a）的半导体基板（1）进行加热的工序，在涂布防反射膜形成用溶液（5a）的工序中，防反射膜形成用溶液（5a）在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池单元的制造方法。
背景技术
近年来，特别从地球环境问题的观点考虑，将太阳光能直接转换成电能的太阳能电池单元作为下一代能源的期待急剧地增多起来。作为太阳能电池单元，有采用化合物半导体或者有机材料的电池单元等各种各样的种类，但现在主流的是采用硅晶体作为半导体基板的电池单元。
对于太阳能电池单元，利用pn接合分离由对半导体基板射入光而在半导体基板内部生成的电子和空穴，由此取得电流。在这样的太阳能电池单元中，通过使对半导体基板射入的光的反射率降低，能够使光电转换效率提高，因此进行在半导体基板的一个主面形成防反射膜。
例如，在专利文献1（日本特开昭53-146995号公报）中公开了通过将原钛酸正丁酯、乙酸以及乙醇混合而制成的涂布体组合物涂布在硅基板上并在空气中加热，由此在硅基板上形成由氧化钛薄膜构成的防反射膜的技术。
另外，在专利文献2（日本特开昭54-76629号公报）中公开以下技术：将乙醇、五氧化磷、钛酸异丙酯以及乙酸混合制成的涂布体组合物涂布在硅基板上并在大气中加热，由此在硅基板上形成含有磷作为杂质的氧化钛薄膜，之后，在氮环境中加热，由此使来自氧化钛薄膜的磷在硅基板上扩散，从而在硅基板上形成由氧化钛薄膜构成的防反射膜，并且在硅基板的内部形成pn接合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭53-146995号公报
专利文献2：日本特开昭54-76629号公报
发明内容
但是，如上述的专利文献1和专利文献2所记载，在通过在硅基板上涂布溶液和加热来在硅基板上形成防反射膜时，在硅基板上形成的防反射膜白浊，存在损害太阳能电池单元的外观这个问题。
鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法。
本发明是一种太阳能电池单元的制造方法，包括在半导体基板的一个主面上涂布含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者的防反射膜形成用溶液的工序、和对涂布有防反射膜形成用溶液的半导体基板进行加热的工序，在涂布防反射膜形成用溶液的工序中，防反射膜形成用溶液在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布。
在此，在本发明的太阳能电池单元的制造方法中，防反射膜形成用溶液优选含有用于在半导体基板上形成pn接合的掺杂剂。
而且，在本发明的太阳能电池单元的制造方法中，防反射膜形成用溶液优选含有用于在半导体基板上形成n型掺杂剂扩散层的掺杂剂。
而且，在本发明的太阳能电池单元的制造方法中，在涂布防反射膜形成用溶液的工序中，优选在含有干燥气体的环境下涂布防反射膜形成用溶液。
而且，在本发明的太阳能电池单元的制造方法中，优选一边向环境中导入干燥气体一边涂布防反射膜形成用溶液。
而且，在本发明的太阳能电池单元的制造方法中，干燥气体优选含有选自氧、氮、氦、氖、氩、氪、氙以及氡中的至少1种。
而且，在本发明的太阳能电池单元的制造方法中，防反射膜形成用溶液优选为含有烷氧基钛的溶液。
根据本发明，能够提供可以稳定地制造抑制防反射膜的白浊而具有优异外观的太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法。
附图说明
图1是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图2是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图3是对涂布防反射膜形成用溶液的工序的一例进行图解的模式图。
图4是对涂布防反射膜形成用溶液的工序的一例进行图解的模式图。
图5是对涂布防反射膜形成用溶液的工序的一例进行图解的模式图。
图6是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图7是对本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的模式截面图。
图8是采用本发明的太阳能电池单元的制造方法的一例制造的太阳能电池单元的一例的模式截面图。
图9是刚旋涂涂布实施例1中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
图10是刚旋涂涂布实施例2中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
图11是刚旋涂涂布实施例3中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
图12是刚旋涂涂布比较例1中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
图13是刚旋涂涂布比较例2中的防反射膜形成用溶液之后p型多晶硅基板主面的照片。
具体实施方式
下面，对于本发明的实施方式进行说明。此外，在本发明附图中，相同的参照符号表示相同部分或者相当部分。
首先，如图1的模式截面图所示，准备由p型硅晶体构成的p型硅基板1作为半导体基板。在此，p型硅基板1能够通过例如将p型硅晶体的原料在坩埚中溶解后进行重结晶，将得到的硅锭切割成硅块后，利用钢丝锯切割硅块来获得。
此外，p型硅基板1的表面可以由例如碱溶液或者酸溶液蚀刻来除去p型硅基板1切片时的损伤层。另外，可以通过调整此时的蚀刻条件来在p型硅基板1的表面形成微小的凹凸（没有图示出）。在p型硅基板1的表面形成这样的凹凸时，减少对p型硅基板1射入的光的反射，从而能够提高太阳能电池单元的光电转换效率。
接着，如图2的模式截面图所示，在作为p型硅基板1单侧表面的一个主面（以下称为“第1主面”）上涂布防反射膜形成用溶液5a。在此，防反射膜形成用溶液5a在溶剂中含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者。
在此，作为金属氧化物，例如能够使用氧化钛、氧化锡、氧化铝、二氧化硅、氧化硅、氧化镁等。
另外，作为金属氧化物前体，例如能够使用四异丙醇钛（Ti[OCH(CH3)2]4）等烷氧基钛等属于上述金属氧化物前体的材料。
另外，作为溶剂、例如能够使用含有异丙醇、乙醇等醇的溶剂等。
另外，除上述以外，防反射膜形成用溶液5a还优选含有用于在半导体基板上形成pn接合的掺杂剂。在这种情况下，通过涂布防反射膜形成用溶液5a而没有必要进行使用于在半导体基板上形成pn接合的掺杂剂扩散的工序，因此存在能够更高效地制造太阳能电池单元的趋势。例如，在本实施方式中，能够在防反射膜形成用溶液5a中含有包含属于n型掺杂剂磷的五氧化二磷等。此外，在半导体基板具有n型导电型时，能够在防反射膜形成用溶液5a中含有包含属于p型掺杂剂硼的化合物等。
在图3中示出了对涂布防反射膜形成用溶液5a的工序的一例进行图解的模式图。此外，作为防反射膜形成用溶液5a的涂布装置，能够使用旋涂涂布装置、喷墨涂布装置、或者网版印刷装置等以往以来公知的涂布装置，在本实施的方式中，对于利用旋涂涂布装置旋涂涂布防反射膜形成用溶液5a的方法进行说明。
首先，以p型硅基板1的第1主面朝向上方的方式在设置于涂布装置11内部的旋转板8上设置p型硅基板1。
然后，一边通过使旋转板8旋转来使p型硅基板1旋转，一边通过利用涂布喷嘴9在p型硅基板1的表面上涂布防反射膜形成用溶液5a来进行防反射膜形成用溶液5a的旋涂涂布。此时，从干燥气体供给装置10将干燥气体通过干燥气体导入管14导入到涂布装置11内部进行防反射膜形成用溶液5a旋涂涂布的环境中，由此在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下进行防反射膜形成用溶液5a的旋涂涂布。
本发明人发现，在使用烷氧基钛（例如Ti[OCH(CH3)2]4）溶液作为防反射膜形成用溶液的太阳能电池单元的制造中，由该防反射膜形成用溶液形成的防反射膜白浊，从而有时会损害太阳能电池单元的外观。而且发现，这样的防反射膜白浊在防反射膜形成用溶液中混合有作为n型掺杂剂材料的五氧化二磷来使用时比较显著地发生。
于是，本发明人深入研究，其结果发现防反射膜白浊的原因在于金属氧化物和/或金属氧化物前体的吸湿性。即，在防反射膜形成用溶液中使用的、一般的金属氧化物和金属氧化物前体分别吸湿性高，在湿度高的环境下进行涂布时，与环境中的水分进行反应，从而成为防反射膜白浊的原因。而且由于五氧化二磷的吸湿性也高，因此认为助长了该白浊。
于是，本发明人进一步深入研究，结果发现，如上所述，通过在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布防反射膜形成用溶液5a，能够抑制由防反射膜形成用溶液5a形成的防反射膜白浊，从而能够稳定地制造具有优异外观的太阳能电池单元，至此完成了本发明。
在图4中示出了对涂布防反射膜形成用溶液5a的工序的另一例进行图解的模式图。在图4所示的例子中，其特征在于，将涂布装置11设置在干燥室12内，一边从干燥气体导入部13向干燥室12内部的环境中导入干燥气体7，一边在涂布装置11中进行防反射膜形成用溶液5a的涂布工序。在该例子中，利用由干燥气体导入部13导入到干燥室12内部的环境中的干燥气体，能够作为水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境涂布防反射膜形成用溶液5a。
在图5中示出了对涂布防反射膜形成用溶液5a的工序的另一例进行图解的模式图。在图5所示的例子中，其特征在于，并用图3所示的干燥气体供给装置10和图4所示的干燥气体导入部13。在该例子中，利用从干燥气体供给装置10通过干燥气体导入管14向涂布装置11导入的干燥气体、以及从干燥气体导入部13向干燥室12的内部环境导入的干燥气体7，能够形成水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境来涂布防反射膜形成用溶液5a。
此外，作为干燥气体，例如能够使用每1m3干燥气体水的含量为0g～9.4g的气体。另外，作为干燥气体，优选使用含有选自氧、氮、氦、氖、氩、氪、氙以及氡中的至少1种气体。在这种情况下，能够抑制防反射膜形成用溶液5a与干燥气体的反应，因此，存在能够稳定地制造进一步有效地抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元的趋势。
在如上所述地将防反射膜形成用溶液5a涂布在p型硅基板1的第1主面上后，对涂布有防反射膜形成用溶液5a的p型硅基板1进行加热。由此，例如如图6的模式截面图所示，在防反射膜形成用溶液5a含有n型掺杂剂时，在p型硅基板1的第1主面上加热防反射膜形成用溶液5a而形成防反射膜5，并且通过n型掺杂剂从防反射膜形成用溶液5a扩散到p型硅基板1的表面而在p型硅基板1的第1主面上形成n型掺杂剂扩散层4。在此，对涂布有防反射膜形成用溶液5a的p型硅基板1在例如800℃～950℃的温度下加热例如5～30分钟。
接着，如图7的模式截面图所示，通过网版印刷等在p型硅基板1的第1主面上的防反射膜5的表面上印刷含有例如银粉末、玻璃料、树脂以及有机溶剂的银糊剂2a，并且在通过网版印刷等在p型硅基板1的与第1主面相反侧的表面即第2主面上印刷含有例如铝粉末、玻璃料、树脂以及有机溶剂的铝糊剂3a后，在铝糊剂3a上印刷银糊剂（没有图示出）。
之后，通过对上述银糊剂和铝糊剂涂布后的p型硅基板1进行加热，如图8的模式截面图所示，p型硅基板1第1主面上的防反射膜5的表面上的银糊剂2a烧穿，从而在p型硅基板1第1主面的n型掺杂剂扩散层4上形成电连接的银电极2。另外，在p型硅基板1的第2主面上铝从铝糊剂3a中扩散而形成p型掺杂剂扩散层6，并且在p型掺杂剂扩散层6上形成电连接的铝电极3，进而，铝糊剂3a上的银糊剂由于煅烧而在铝电极3上形成银电极（没有图示出）。
在如上所述制成的图8所示的太阳能电池单元中，通过在p型硅基板1的第1主面上形成n型掺杂剂扩散层4，由p型硅基板1和n型掺杂剂扩散层4形成pn接合，在p型硅基板1的第1主面上分别形成防反射膜5和银电极2。另外，在p型硅基板1的第2主面上形成p型掺杂剂扩散层6，在p型掺杂剂扩散层6上形成铝电极3，在铝电极3上形成银电极（没有图示出）。
在本实施方式中，如上所述，于水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下在p型硅基板1的第1主面上涂布作为防反射膜5的前体的防反射膜形成用溶液5a。因此，图8所示的太阳能电池单元抑制在防反射膜5中发生白浊，从而即使批量生产时也能够稳定并具有优异的外观。
此外，对于如上所述制成的图8所示的太阳能电池单元，其多个串联连接而形成太阳能电池串后，通过利用密封材密封太阳能电池串，也能够形成太阳能电池模块。
实施例
＜实施例1＞
首先，制作具有2个1边为156mm的正方形的主面、且厚度为200μm的p型多晶硅基板。在此，p型多晶硅基板是在利用钢丝锯将p型多晶硅锭切片后通过利用碱溶液进行蚀刻而除去表面的损伤层来制作的。
接着，在p型多晶硅基板的一个主面上涂布含有5质量%的四异丙醇钛并且含有3质量%的五氧化二磷的异丙醇溶液作为防反射膜形成用溶液。在此，作为防反射膜形成用溶液的涂布装置，使用旋涂涂布装置。然后，向旋涂涂布装置的内部导入干燥空气使旋涂涂布装置内部的环境形成水含量为9.4g/m3、25℃的环境，于该环境中在p型多晶硅基板的主面上旋涂涂布上述组成的防反射膜形成用溶液。此外，对于旋涂涂布装置内部环境水含量的测定，采用佐藤计量器制作所制的湿度测定器（THERMO/HYGROMETER MODEL SK-140TRH）测定该环境的25℃时的相对湿度（%），由25℃时的饱和水蒸气量23.0（g/m3）与该相对湿度（%）的积计算出环境中水的含量。
在图9中示出了上述刚旋涂涂布后p型多晶硅基板主面外观的照片。如图9所示，在水含量为9.4g/m3的环境下旋涂涂布防反射膜形成用溶液时，在防反射膜形成用溶液中没有产生白浊。
接着，将涂布防反射膜形成用溶液后的p型多晶硅基板于900℃下加热30分钟，由此在p型多晶硅基板的主面上形成由氧化钛膜构成的防反射膜，并且在p型多晶硅基板的主面上通过扩散磷而形成n型掺杂剂扩散层。在此，通过目视确认防反射膜的状态，结果在防反射膜上没有产生白浊。
接着，在p型多晶硅基板主面上的防反射膜的表面上印刷市售的银糊剂，并且在p型多晶硅基板的与形成有防反射膜的一侧相反侧的大致整个主面上印刷市售的铝糊剂，进一步在铝糊剂表面的一部分印刷银糊剂，并分别在150℃左右的温度环境下使银糊剂和铝糊剂干燥。
之后，将涂布在p型多晶硅基板的一个主面上的银糊剂、涂布在p型多晶硅基板的另一个主面上的铝糊剂以及银糊剂在空气中于860℃的温度下煅烧。
由此，在p型多晶硅基板的一个主面上，银糊剂由于烧穿而贯通防反射膜，从而形成与n型掺杂剂扩散层电连接的作为银糊剂煅烧物的银电极。另外，在p型多晶硅基板的另一个主面上，通过铝从铝糊剂中扩散而形成p型掺杂剂扩散层，并且形成作为铝糊剂煅烧物的铝电极和作为银糊剂煅烧物的银电极，从而制成实施例1的太阳能电池单元。
在实施例1中，能够制造没有在防反射膜中产生白浊、外观优异的太阳能电池单元，因此，在实施例1的制造方法中，能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
＜实施例2＞
使环境中的水含量为6.7g/m3，除此之外，与实施例1同样地进行，在p型多晶硅基板的一个主面上旋涂涂布防反射膜形成用溶液。
在图10中示出了上述刚旋涂涂布后p型多晶硅基板主面外观的照片。如图10所示，在水含量为6.7g/m3、25℃的环境中旋涂涂布防反射膜形成用溶液时，在防反射膜形成用溶液中也不产生白浊。
接着，与实施例1同样地进行，对涂布防反射膜形成用溶液后的p型多晶硅基板进行加热，由此在p型多晶硅基板的主面上形成由氧化钛膜构成的防反射膜，并且在p型多晶硅基板的主面上形成n型掺杂剂扩散层。在此，通过目视确认防反射膜的状态，结果在防反射膜上没有产生白浊。
之后，与实施例1同样地进行，制作实施例2的太阳能电池单元。在实施例2的太阳能电池单元中也能够制造在防反射膜中没有产生白浊、外观优异的太阳能电池单元，因此，在实施例2的制造方法中，也能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
＜实施例3＞
使环境中的水含量为6.4g/m3，除此之外，与实施例1同样地进行，在p型多晶硅基板的一个主面上旋涂涂布防反射膜形成用溶液。
在图11中示出了上述刚旋涂涂布后的p型多晶硅基板主面外观的照片。如图11所示，在水含量为6.4g/m3、25℃的环境中旋涂涂布防反射膜形成用溶液时，在防反射膜形成用溶液中也不产生白浊。
接着，与实施例1同样地进行，对涂布防反射膜形成用溶液后的p型多晶硅基板进行加热，由此在p型多晶硅基板的主面上形成由氧化钛膜构成的防反射膜，并且在p型多晶硅基板的主面上形成n型掺杂剂扩散层。在此，通过目视确认防反射膜的状态，结果在防反射膜上没有产生白浊。
之后，与实施例1同样地进行，制作实施例3的太阳能电池单元。在实施例3的太阳能电池单元中也能够制造在防反射膜中没有产生白浊、外观优异的太阳能电池单元，因此，在实施例3的制造方法中，也能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
＜实施例4＞
制作具有2个1边为156mm的大致正方形的主面、且厚度为120μm的n型单晶硅基板来代替实施例1～3中使用的p型多晶硅基板。在此，n型单晶硅基板是在利用钢丝锯将n型单晶硅锭切片后通过利用碱溶液进行蚀刻而除去表面的损伤层来制作的。
接着，在采用喷墨印刷法在n型单晶硅基板一个主面的一部分形成扩散掩模后，在没有被扩散掩模覆盖的n型单晶硅基板主面的位置形成n型掺杂剂扩散层，之后除去扩散掩模。
接着，采用喷墨印刷法在n型单晶硅基板的n型掺杂剂扩散层形成侧主面的其他部分形成扩散掩模后，在没有被扩散掩模覆盖的n型单晶硅基板主面的位置形成p型掺杂剂扩散层，之后除去扩散掩模。
通过以上方法，在n型单晶硅基板主面的一部分形成n型掺杂剂扩散层，并且在n型单晶硅基板主面的与n型掺杂剂扩散层不同的位置形成p型掺杂剂扩散层。
接着，与实施例1～3同样地进行，在n型单晶硅基板的与n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层的形成侧相反侧的主面上旋涂涂布防反射膜形成用溶液。在此，使旋涂涂布防反射膜形成用溶液时旋涂涂布装置内部的环境是水含量为9.4g/m3、25℃的环境。通过目视确认刚旋涂涂布后n型单晶硅基板的表面，结果在防反射膜形成用溶液中没有产生白浊。
接着，将防反射膜形成用溶液涂布后的n型单晶硅基板于900℃下加热30分钟，由此在n型单晶硅基板的主面上形成由氧化钛膜构成的防反射膜，并且在n型单晶硅基板的该主面上通过扩散磷而形成n型掺杂剂扩散层。在此，通过目视确认防反射膜的状态，结果在防反射膜上没有产生白浊。
接着，在含有氧的环境中对n型单晶硅基板加热，由此在n型单晶硅基板的n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层形成侧的主面上形成氧化硅膜。
接着，采用喷墨印刷法在形成在n型单晶硅基板的一个主面上的氧化硅膜的一部分上形成蚀刻掩模，通过蚀刻除去没有被蚀刻掩模覆盖的氧化硅膜的部分并分别使n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层露出。之后，除去蚀刻掩模。此外，使氧化硅膜由蚀刻而产生的除去区域的面积小于n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层各自区域的面积。
接着，采用网版印刷法在n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层各自的露出区域印刷银糊剂，在约150℃的环境中使其干燥。使印刷有银糊剂的区域大于氧化硅膜除去区域的面积，且小于n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层各自区域的面积。即，银糊剂以覆盖氧化硅膜一部分的方式印刷到n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层各自的区域上。
之后，将印刷在n型单晶硅基板一个主面上的银糊剂在空气中于860℃的温度下煅烧，从而形成银电极。
通过以上制成实施例4的太阳能电池单元。在实施例4的太阳能电池单元的n型单晶硅基板的一个主面上形成有防反射膜，在防反射膜的正下方形成有n型掺杂剂扩散层。另外，在实施例4的太阳能电池单元的n型单晶硅基板的另一个主面上形成有氧化硅膜和银电极，在氧化硅膜和银电极各自的正下方形成有n型掺杂剂扩散层和p型掺杂剂扩散层。
在实施例4中，能够制造没有在防反射膜中产生白浊、外观优异的太阳能电池单元，因此，在实施例4的制造方法中，能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
另外，使旋涂涂布防反射膜形成用溶液时旋涂涂布装置内部环境中的水含量为6.7g/m3，除此之外，与实施例4同样地进行来制作太阳能电池单元时，防反射膜也没有产生白浊。
进而，使旋涂涂布防反射膜形成用溶液时旋涂涂布装置内部环境中的水含量为6.4g/m3，除此之外，与实施例4同样地进行来制作太阳能电池单元时，防反射膜也没有产生白浊。
＜比较例1＞
使环境中的水含量为11.2g/m3，除此之外，与实施例1同样地进行，在p型多晶硅基板的一个主面上旋涂涂布防反射膜形成用溶液。
在图12中示出了上述刚旋涂涂布后p型多晶硅基板主面外观的照片。如图12所示，在水含量为11.2g/m3、25℃的环境中旋涂涂布防反射膜形成用溶液时，在防反射膜形成用溶液中产生白浊。
接着，与实施例1同样地进行，通过对涂布防反射膜形成用溶液后的p型多晶硅基板加热，在p型多晶硅基板的主面上形成由氧化钛膜构成的防反射膜，并且在p型多晶硅基板的主面上形成n型掺杂剂扩散层。在此，通过目视确认防反射膜的状态，结果依然在防反射膜中产生白浊。
之后，与实施例1同样地进行，制成比较例1的太阳能电池单元。在比较例1的太阳能电池单元中，制造了在防反射膜中产生白浊、外观受到损害的太阳能电池单元，因此，在比较例1的制造方法中，不能稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
＜比较例2＞
使环境中的水含量为9.7g/m3，除此之外，与实施例1同样地进行，在p型多晶硅基板的一个主面上旋涂涂布防反射膜形成用溶液。
在图13中示出了上述刚旋涂涂布后p型多晶硅基板主面外观的照片。如图13所示，在水含量为9.7g/m3、25℃的环境中旋涂涂布防反射膜形成用溶液时，在防反射膜形成用溶液中产生白浊。
接着，与实施例1同样地进行，通过对涂布防反射膜形成用溶液后的p型多晶硅基板加热，在p型多晶硅基板的主面上形成由氧化钛膜构成的防反射膜，并且在p型多晶硅基板的主面上形成n型掺杂剂扩散层。在此，通过目视确认防反射膜的状态，结果依然在防反射膜中产生白浊。
之后，与实施例1同样地进行，制成比较例2的太阳能电池单元。在比较例2的太阳能电池单元中，制造了在防反射膜中产生白浊、外观受到损害的太阳能电池单元，因此，在比较例2的制造方法中，不能稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
＜总结＞
研究以上实施例1～3和比较例1～2的结果，在水含量为9.4g/m3以下的环境下在p型多晶硅基板的一个主面上涂布防反射膜形成用溶液时，能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元，即使水含量降低该趋势也没有变化，因此可以认为，如果在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布防反射膜形成用溶液，则能够稳定地制造抑制防反射膜白浊而具有优异外观的太阳能电池单元。
应当认为，这次公开的实施方式和实施例在全部方面进行例示，没有限制。本发明的范围不是上述的说明而由权利要求的范围示出，意图包括与权利要求的范围相等的意思和范围内的全部变更。
本发明能够很好地用于太阳能电池单元的制造方法。
符号说明
1p型硅基板、2银电极、2a银糊剂、3铝电极、3a铝糊剂、4n型掺杂剂扩散层、5防反射膜、5a 防反射膜形成用溶液、6p型掺杂剂扩散层、7干燥气体、8旋转板、9涂布喷嘴、10干燥气体供给装置、11涂布装置、12干燥室、13干燥气体导入部、14干燥气体导入管。
Claims (7)
1.一种太阳能电池单元的制造方法，包括在半导体基板（1）的一个主面上涂布含有金属氧化物和金属氧化物前体中的至少一者的防反射膜形成用溶液（5a）的工序、以及对涂布有所述防反射膜形成用溶液（5a）的所述半导体基板（1）进行加热的工序，在涂布所述防反射膜形成用溶液（5a）的工序中，所述防反射膜形成用溶液（5a）在水含量为0g/m3～9.4g/m3的环境下涂布。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述防反射膜形成用溶液（5a）含有用于在所述半导体基板（1）上形成pn接合的掺杂剂。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述防反射膜形成用溶液（5a）含有用于在所述半导体基板（1）上形成n型掺杂剂扩散层（4）的掺杂剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，在涂布所述防反射膜形成用溶液（5a）的工序中，所述防反射膜形成用溶液（5a）在所述环境含有干燥气体（7）的环境下涂布。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，在涂布所述防反射膜形成用溶液（5a）的工序中，一边向所述环境中导入干燥气体（7）一边涂布所述防反射膜形成用溶液（5a）。
6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述干燥气体（7）含有选自氧、氮、氦、氖、氩、氪、氙以及氡中的至少1种。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述防反射膜形成用溶液（5a）是含有烷氧基钛的溶液。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104810252A (zh) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 底部抗反射涂层的涂布方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6201131B2 (ja) * | 2013-07-25 | 2017-09-27 | 株式会社ユーテック | 膜の製造方法及びマルチチャンバー装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4251285A (en) * | 1979-08-14 | 1981-02-17 | Westinghouse Electric Corp. | Diffusion of dopant from optical coating and single step formation of PN junction in silicon solar cell and coating thereon |
| CN1450938A (zh) * | 2000-06-08 | 2003-10-22 | Q2100有限公司 | 形成抗反射涂层的方法 |
| CN101490864A (zh) * | 2006-07-19 | 2009-07-22 | 日立化成工业株式会社 | 有机电子材料、有机电子元件和有机电致发光元件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53146995A (en) | 1977-05-27 | 1978-12-21 | Sharp Corp | Production of titanium oxide film |
| JPS5476629A (en) | 1977-11-30 | 1979-06-19 | Sharp Corp | Coating composition |
| US7193237B2 (en) * | 2002-03-27 | 2007-03-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic semiconductor material and organic electronic device |
| EP1569759B1 (en) * | 2002-12-05 | 2008-02-13 | OC Oerlikon Balzers AG | Method and apparatus for control of layer thicknesses |
| CN101560290A (zh) * | 2003-04-18 | 2009-10-21 | 日立化成工业株式会社 | 具有支链结构的聚喹啉共聚物的制造方法 |
| JP2005033063A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Sharp Corp | 太陽電池用反射防止膜およびその作製方法 |
| KR101256281B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2013-04-18 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 유기 일렉트로닉스용 재료, 유기 일렉트로닉스 소자 및 유기 일렉트로루미네센스 소자 |
| JP5640310B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2014-12-17 | 三菱化学株式会社 | 組成物、反射防止膜基板、並びに、太陽電池システム |
-
2010
- 2010-12-21 US US13/515,045 patent/US20120301998A1/en not_active Abandoned
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- 2010-12-21 EP EP10840911A patent/EP2521186A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4251285A (en) * | 1979-08-14 | 1981-02-17 | Westinghouse Electric Corp. | Diffusion of dopant from optical coating and single step formation of PN junction in silicon solar cell and coating thereon |
| CN1450938A (zh) * | 2000-06-08 | 2003-10-22 | Q2100有限公司 | 形成抗反射涂层的方法 |
| CN101490864A (zh) * | 2006-07-19 | 2009-07-22 | 日立化成工业株式会社 | 有机电子材料、有机电子元件和有机电致发光元件 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104810252A (zh) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 底部抗反射涂层的涂布方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2521186A1 (en) | 2012-11-07 |
| KR20120085333A (ko) | 2012-07-31 |
| JPWO2011081054A1 (ja) | 2013-05-09 |
| US20120301998A1 (en) | 2012-11-29 |
| WO2011081054A1 (ja) | 2011-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120919 |