CN102681361A - 光刻仿真的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光刻仿真的方法及装置。该方法包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；对若干区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。本发明光刻仿真方法及装置中，利用区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务，在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度。

Description

光刻仿真的方法及装置

技术领域

本发明涉及微电子行业集成电路可制造性设计和集成电路设计自动化领域，特别涉及一种光刻仿真的方法及装置。 

背景技术

光刻是集成电路制造工艺流程的重要步骤，随着集成电路制造工艺进入65-45nm工艺节点之后，由于曝光所用的光波长远远大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际光刻产生的为物理图形和物理版图设计的理想图形之间存在很大的差异，实际图形的形状和间距发生很大的变化，甚至影响电路的性能，对应的物理设计被称之为热点(hot spot)，该热点表示有问题，需要进行优化，降低对电路性能影响的点。在物理设计之后一般通过光刻仿真以检查这类热点存在与否，若存在，则修正对应的物理设计以消除这种热点。 

芯片设计在规模上呈现系统级芯片(SOC)和网络级芯片(NOC)趋势，片上器件数达到亿级、十亿级、甚至百亿量级，金属互联线的数量更在器件数量的几倍以上，其对应的物理版图数据达到几十Gb(10⁹比特)，甚至几百Gb，在如此规模的物理版图上进行光刻仿真是一个很费时间的任务，在物理设计-光刻仿真-修正-再仿真-再修正这样一个迭代过程中，光刻仿真的速度是影响集成电路设计周期的重要因素之一。 

在实现本发明的过程中，申请人意识到现有技术中存在技术问题：传统的串行和并行光刻仿真需要对集成电路版图的每一微小区域做出详细的复杂仿真计算，因此速度比较慢，从而影响到集成电路设计效率的提高。 

发明内容

(一)要解决的技术问题 

为解决上述的一个或多个问题，本发明提供了一种光刻仿真的方法及 装置，以提高光刻仿真的速度和集成电路的设计效率。 

(二)技术方案 

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻仿真的方法。该方法包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；对若干个所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。 

根据本发明的再一个方面，还提供了一种光刻仿真的装置，该装置包括：待仿真区域划分模块，用于将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；几何同构检测模块，与所述待仿真区域划分模块相连接，用于在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；仿真模块，与所述几何同构检测模块相连接，用于对若干所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。 

(三)有益效果 

本发明光刻仿真方法及装置通过物理版图区域划分、区域内图形几何同构、光刻仿真，三个步骤，具有以下有益效果： 

(1)区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务，在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度； 

(2)对不同区域以并行方式进行光刻仿真以提高对全芯片的光刻仿真速度，缩短对全芯片的光刻仿真时间。 

附图说明

图1为本发明实施例光刻仿真方法的流程图； 

图2a为本发明实施例光刻仿真方法中区域划分前某层的示意图； 

图2b为将图2a中某层版图划分为M行×N列个矩形的内区域的示意图； 

图2c为对如图2b所示内区域进行外延的示意图； 

图3为本发明实施例光刻仿真方法中根据位置划分待仿真区域步骤中 各阶段的流程示意图； 

图4为本发明实施例光刻仿真装置的示意图。 

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于所述值。 

在集成电路物理设计中，局部区域之间设计图形有很大的相同性，这种相同性决定了局部区域之间的光刻计算过程和计算结果的相同性。本发明正是基于上述发现的基础上，以图形同构方式合并光刻仿真任务，基于图形同构对相同的物理版图光刻仿真任务进行一次计算，复用其光刻仿真结果，从而通过减少光刻仿真任务数量来提高对全芯片的光刻仿真速度。 

以下结合附图及实施例，对本发明作详细说明如下： 

在本发明的一个示例性实施例中，提供了一种光刻仿真方法。图1为本发明实施例光刻仿真方法的流程图。参见图1，本实施例光刻仿真方法包括： 

步骤S101，将需要进行光刻的物理版图划分为若干个待仿真区域；该步骤又可以被分为多个子步骤： 

步骤S101a，层次划分： 

集成电路设计的版图包括多个掩膜层上的设计图形，层次划分是按照集成电路制造工艺中的掩膜层，按照掩膜层号对这些图形进行分类。对于单层金属层的设计版图，每个子区域内仅包括一个掩膜层的设计版图，即一个掩膜层号的设计版图。 

步骤S101b，将集成电路版图中同一掩模层上的版图划分为M行×N列个矩形的内区域。 

通常地，集成电路版图设计为一个矩形或方形的区域，在本实施例中，将该集成电路版图的区域用矩形方框框起来之后，参考图2a所示，将该方框进行行、列划分，这些行和列将该版图区域划分为M行×N列个矩形的内区域A(m，n)，1≤m≤M，1≤n≤N，参考图2b所示。一般情况下， 每一个矩形内区域的尺寸为50微米×50微米 

步骤S101c，对内区域进行调整：微调内区域边框，使在掩模图形宽度方向上横跨在原内边框上的掩模图形部分包括在内区域边框之内； 

步骤S101d，将内区域的边框向与其相邻的内区域延伸，延伸的部分构成外区域，将内区域外部附近直接临近的掩模图形部分包括在外区域之内，而外区域和内区域共同构成一待仿真区域。 

参考图2c所示，以其中一个内区域A(m，n)为例，在上述内区域划分的基础上，将内区域A(m，n)的边框向与该内边框相邻的内区域A(m-1，n)、A(m+1，n)、A(m，n-1)、A(m，n+1)延伸一部分，形成该内区域A(m，n)的外区域B(m，n)，从而形成了由内区域A(m，n)和外区域B(m，n)构成的同构区域C(m，n)。需要说明的是，光刻仿真时，一个设计图形的仿真结果不仅取决于该设计图形，还受到其邻近图形的形状以及邻近图形到本设计图形的间隔大小的影响，为了得到内区域设计图形的更为准确仿真结果，需要将内区域外围的图形引入，这样在分区仿真时才可以得到内区域设计图形的准确仿真结果。此处仅以中心的内区域为例进行说明本实施例子区域的划分方法，应当知道的是，对于其他周边的内区域部分，仅向相邻的内区域延伸，而不会超出版图的区域。 

为了更加清楚的说明本发明中划分区域的方法，以具体的掩膜图形为例进行说明。图3为本发明实施例光刻仿真方法中根据位置划分待仿真区域步骤中各阶段的流程示意图。如图3中3A所示，共有P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9九个掩膜图形，内区域完全覆盖了图形P3、P4；部分覆盖了P5；P1、P2、P6、P7、P8、P9在内区域边框之外。微调内区域边框，使横跨在内区域边框上的掩模图形P5包含在内区域边框之内，如图3中3B所示。继续向外延展得到外区域，使内区域边框直接邻近的图形P2、P6、P8、P9覆盖同样在外区域之内，而不与内区域直接邻近的图形P1和P7则在外区域之外，如图3中3C所示。 

步骤S102，检测该若干个待仿真区域之间是否存在几何同构关系，具有几何同构关系的待仿真区域被划入同一区域同构序列，称为同构区域；该步骤又可以被分为多个子步骤： 

步骤S102a，同构区域原点的确定； 

遍历待仿真区域内的掩膜图形，寻找图形坐标点的最小X坐标值x_min和最小Y坐标值y_min，以(x_min，y_min)作为该待仿真区域的原点； 

步骤S102b，待仿真区域内图形点的坐标变换； 

以(x_min，y_min)作为该同构区域的原点，对待仿真区域内的掩膜图形数据作相对位置变换，新坐标值的为(x_new＝x_old-x_min，y_new＝y_old-y_min)，x_old和y_old为原坐标值，记录变换T1； 

步骤S102c，待仿真区域内掩膜图形的排序； 

根据待仿真区域内掩膜图形新坐标值确定每一掩膜图形的最小X坐标值从小到大顺序排序，对最小X值相同的掩膜图形按照最小Y坐标值从小到大的顺序排序，对最小X坐标值和最小Y坐标值均相同的掩膜图形按照次最小X坐标值从小到大顺序排序，所述的次最小X坐标值即为掩膜图形上除上述坐标值相同的点之外掩膜图像上X坐标值最小的点。对最小X坐标值、最小Y坐标值和次最小X坐标值均相同的掩膜图形按照次最小Y坐标值从小到大顺序排序，所述的次最小Y坐标值即为掩膜图形上除上述坐标值相同的点之外掩膜图像上Y坐标值最小的点，以此类推，直至待仿真区域内的全部掩膜图形的顺序完全确定； 

步骤S102d，构造区域同构序列，记录同构区域之间的几何变换关系； 

待仿真区域之间几何同构分为直接几何同构和变换之后的间接几何同构，若两个待仿真区域内的掩膜图形在步骤S102c之后掩膜图形按照排定的顺序对应匹配(对应几何点的坐标值相同)，则为直接几何同构，并记录同构区域之间匹配掩膜图形之间的坐标变换关系T2和匹配掩膜图形之间的映射关系。 

对直接几何同构失败的两个待仿真区域，对后一个待仿真区域进行变换(MN+R90，MN+R180，MN+R270，MX+R0，MX+R90，MX+R180，MX+R270，MY+R0，MY+R90，MY+R180，MY+R270，其中MN表示无镜像，MX表示X轴镜像，MY表示Y轴镜像，R0表示逆时针旋转0度，R90表示逆时针旋转90度，R180表示逆时针旋转180度，R270表示逆时针旋转270度)，并对该同构区域执行步骤S102a、步骤S102b、步骤S102c，然后判断变换之后的待仿真区域与前一个待仿真区域是否直接同构，若是，则原来的两个待仿真区域为间接几何同构，记录变换关系T3和匹配掩膜 图形之间的映射关系。 

将同构的区域置于同一个区域同构序列，区域不同构的区域置于不同区域同构序列，并记录同构区域之间的几何变换关系T2/T3。对于该步骤来讲，其具体过程包括： 

选取未被归属于已有区域同构序列的一待仿真区域作为当前区域同构序列的第一同构区域； 

对于未被归属于已有区域同构序列的第一同构区域之外的每一个待仿真区域，判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配： 

如果两者对应匹配，则该待仿真区域与第一同构区域构成直接同构关系，将该待仿真区域并入当前区域同构序列，并记录该待仿真区域与第一同构区域的坐标平移变换关系作为两者的几何同构关系，进而判断下一待仿真区域； 

否则，对该待仿真区域进行对称变换，该对称变换即为前面所说的对称变换中的一种；以对称变换后的待仿真区域的最小坐标值为原点，对该待仿真区域内的掩膜图形进行坐标平移变换；按照坐标平移变换后的坐标，对该待仿真区域内的掩膜图形进行排序；判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配： 

如果是，则该待仿真区域与第一同构区域构成间接同构关系，将该待仿真区域并入当前区域同构序列，并记录该待仿真区域与第一同构区域的对称变换和坐标平移变换关系作为两者的几何同构关系； 

否则，该该待仿真区域与第一同构区域不构成同构关系，进而判断下一待仿真区域。 

步骤S103，利用现有技术，对于每一区域同构序列中的第一个同构区域进行光刻仿真，获得光刻仿真结果。对于每一区域同构序列中的第一个同构区域，包括如下多个子步骤： 

步骤103a，获取同构区域内的物理版图数据； 

步骤103b，从物理版图数据获取掩模传输函数； 

根据同构区域内物理版图掩模的光学传输特性(与材料有关，掩模材料制造商提供相关数据)，对同构区域内的物理版图的掩模数据作Fourier变换，得到频域的掩模传输函数，进一步作反Fourier变换，得到空间域的掩模传输函数。 

步骤103c，通过同构区域内物理版图掩模数据对应的掩模传输函数计算光束通过光学系统之后的光强度分布，从而得到同构区域内物理版图掩模数据对应的光学图像； 

例如可以使用下面的相干成像方程计算得到光学图像，以下为相干成像的计算公式： 

$I(x,y)=\∫\∫\∫S(f,g)P(f+f_1,g+g_1)P*(f+f_2,g+g_2)\hat{m}(f_1,g_1)\hat{m}(f_1,g_1)\stackrel{^*}{m}(f_2,g_2\·\exp (-2\mathrm{\πi}(f_1-f_2)x+(g_1-g_2)y))d{f}_{1}d{g}_{1}d{g}_{21}\mathrm{dfdg}=$

$\∫S(f,g)|P(f+f_1,g+g_1)\hat{m}(f_1,g_1)\exp (-2\mathrm{\πi}(f_{1}x+g_{1}y))d{f}_{1}d{g}_1{|}^2\mathrm{dfdg}$

其中，I(x，y)是同构区域内点(x，y)的光强度分布(光学图像)，S表示有效光源的光强度分布，P表示投影光学系统的瞳孔函数，*表示复关联，m^表示同构区域内物理版图掩模图形复透明度分布的Fourier变换。 

步骤103d，将一个预先确定的函数滤波器乘以同构区域内物理版图对应的掩模传输函数(步骤103b的结果)得到滤波过的函数，再与高斯函数卷积得到空间灵敏度； 

滤波过程一般可以通过上峰保持(UPH)滤波器实现，在掩模传输函数F上光学图像强度已知的起始点的左右方向跟踪掩模传输函数曲线。当垂直轴的值大于前一个最大值时，掩模传输函数曲线的值变为滤波值；当垂直轴的值小于前一个最大值时，前一个最大值变为滤波值，即UPH保持较高的那个强度值。 

作用于UPH滤波过程的函数UPH((M)，x，y)，与高斯函数G(σ)卷积，得到空间灵敏度 

SSI＝G(σ)UPH((M)，x，y)。 

步骤103e，校正光学图像； 

基于掩模薄膜近似模型得到的光刻仿真结果和基于掩模形貌效应的精确计算得到的光刻仿真结果之间存在很大的差异。为了执行高精度的仿真，必须采用基于掩模形貌效应的精确计算，即应基于掩模附近的电磁场 求解实现精确计算。但在基于掩模形貌效应的实现精确计算时，计算工作量巨大无比，不可接受，因此采用基于掩模形貌效应的简单方法实现高精度的光刻仿真很困难。随着掩模图形的缩小，基于掩模浸没式的光刻仿真变得很重要，但对应的高精度光刻仿真很困难，为此引入光学图像修正。 

基于掩模薄膜近似模型的光刻仿真没有考虑掩模形貌效应，这导致了光学仿真之间的偏差，偏差描述如下 

offset＝C₀+C₁×SSI+C₂×SSI²+C₃×SSI³+... 

其中，SSI为空间灵敏度，C₀为空间灵敏度无关的固定偏差，C₁为空间灵敏度引起偏差的一阶效应系数，C₂为空间灵敏度引起偏差的二阶效应系数，C₃为为空间灵敏度引起偏差的三阶效应系数。 

修正之后的光学图像为 

I(x，y)＝I(x，y)+offset 

其中I(x，y)为步骤103c计算得到的光强度分布，offset考虑掩模形貌效应与不考虑掩模形貌效应之间的仿真偏差。 

需要特别注意的事，步骤S103以“外区域”内的全部物理版图掩模图形为仿真目标，但最终仅生成“内区域”内的全部物理版图掩模图形的光学仿真结果，因为“内区域”之外的物理版图掩模图形的光学仿真还受到“外区域”之外物理版图掩模图形的影响。 

本发明中，可以对不同区域以并行方式进行光刻仿真以提高对全芯片的光刻仿真速度，从而缩短对全芯片的光刻仿真时间。 

步骤S104，将第一同构区域光刻仿真结果进行分割，获得其对应内区域的光刻仿真结果； 

仅复用“内区域”内的全部物理版图掩模图形的光学仿真结果，因为“内区域”之外的物理版图掩模图形的光学仿真还受到“外区域”之外物理版图掩模图形的影响。当然，如果不只是复用“内区域”的光刻仿真结果也是可以的，只是复用的精度会受到影响。 

步骤S105，利用几何同构关系，将第一同构区域的内区域的光刻仿真结果应用于该同构序列中的其他同构区域的内区域。 

本步骤中，应用于对每一区域同构序列，从第2个区域开始，根据该区域与序列内第一个区域的几何变换关系T2/T3，复用第一个区域的光刻 仿真结果，其中，对第一个区域的仿真得到的图形进行以下步骤的几何变换， 

步骤105a，旋转变换(根据T3中的MN/MX/MY)； 

步骤105b，轴对称变换(根据T3中的R0/R90/R180/R270)； 

步骤105c，平移变化(根据T1和T1’)。 

从而得到该区域的光刻仿真图形。具体几何变换的公式可参考有关解析几何方面的教学参考书，在此不作详细描述。 

步骤S106，对未包含于任一区域同构序列的待仿真区域，按照步骤103逐一进行光刻仿真，获得其光刻仿真结果。当然，如果该集成电路板的所有待仿真区域均被划入相应的区域同构序列，则该步骤可以省略。 

本发明实施还提供了一种基于区域几何同构加速光刻仿真的装置。图4为本发明实施例光刻仿真装置的示意图。如图4所示，该装置包括：待仿真区域划分模块U101，用于将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；几何同构检测模块U102，与所述待仿真区域划分模块U101相连接，用于在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；仿真模块U103，与所述几何同构检测模块U102相连接，用于对若干所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。 

其中，所述仿真模块包括：光刻仿真子模块，对当前区域同构序列中的第一同构区域进行光刻仿真，获得其光刻仿真结果；仿真结果复用子模块，与所述光刻仿真模块相连接，仿真对当前区域同构序列中除所述第一同构区域外的其他同构区域：按照该同构区域与所述第一同构区域之间的几何同构关系，对所述第一同构区域的光刻仿真结果进行变换；并将所述变换后的光刻仿真结果应用于该同构区域，从而获得该同构区域的光刻仿真结果。 

其中，所述几何同构检测模块包括：相对坐标变换子模块，用于对于所述若干个待仿真区域序列中的每一个待仿真区域，以其最小坐标值为原点，对待仿真区域内的掩膜图形进行相对坐标变换；掩膜图形排序子模块，与所述相对坐标变换子模块相连接，按照相对坐标变换后的坐标，对待仿 真区域内的掩膜图形进行排序；区域同构序列形成子模块，与所述掩膜图形排序子模块相连接，用于搜索出掩膜图形顺序存在对应关系的多个待仿真区域构成区域同构序列，并记录区域同构序列中同构区域间的几何同构关系。 

综上所述，本发明光刻仿真方法及装置通过物理版图区域划分、区域内掩膜图形几何同构、光刻仿真，三个步骤，具有以下有益效果： 

(1)区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务，在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度； 

(2)对不同区域以并行方式进行光刻仿真以提高对全芯片的光刻仿真速度，缩短对全芯片的光刻仿真时间。 

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。 

Claims (13)

1.一种光刻仿真的方法，其特征在于，包括：

将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；

在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；

对若干个所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。

2.根据权利要求1所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述对若干区域同构序列中的每一区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果的步骤包括：

对当前区域同构序列中的第一同构区域进行光刻仿真，获得其光刻仿真结果；

对当前区域同构序列中除所述第一同构区域外的其他同构区域：按照该同构区域与所述第一同构区域之间的几何同构关系，对所述第一同构区域的光刻仿真结果进行变换；并将所述变换后的光刻仿真结果应用于该同构区域，从而获得该同构区域的光刻仿真结果。

3.根据权利要求2所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成若干区域同构序列的步骤包括：

对于所述若干个待仿真区域中的每一个待仿真区域：以其最小坐标值为原点，对该待仿真区域内的掩膜图形进行坐标平移变换；按照坐标变换后的坐标，对该待仿真区域内的掩膜图形进行排序；

搜索掩膜图形顺序对应匹配的多个待仿真区域构成区域同构序列，并记录该区域同构序列中同构区域间的几何同构关系。

4.根据权利要求3所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述搜索掩膜图形顺序存在对应关系的多个待仿真区域构成区域同构序列，并记录该区域同构序列中同构区域间的几何同构关系的步骤包括：

选取未被归属于已有区域同构序列的一待仿真区域作为当前区域同构序列的第一同构区域；

对于未被归属于已有区域同构序列的第一同构区域之外的每一个待仿真区域：

判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配；

如果两者对应匹配，则该待仿真区域与所述第一同构区域构成直接同构关系，将该待仿真区域并入当前区域同构序列，并记录该待仿真区域与第一同构区域的坐标平移变换关系作为两者的几何同构关系。

5.根据权利要求4所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配的步骤之后还包括：如果两者不对应匹配，则

对该待仿真区域进行对称变换；

以对称变换后的待仿真区域的最小坐标值为原点，对该待仿真区域内的掩膜图形进行坐标平移变换；

按照坐标平移变换后的坐标，对该待仿真区域内的掩膜图形进行排序；

判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配，如果是，则该待仿真区域与所述第一同构区域构成间接同构关系，将该待仿真区域并入当前区域同构序列，并记录该待仿真区域与第一同构区域的对称变换和坐标平移变换关系作为两者的几何同构关系。

6.根据权利要求5所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述对称变换为以下变换中的一种或两种的组合：

镜像变换：X轴镜像或Y轴镜像；

旋转变换：逆时针旋转90度、180度或270度。

7.根据权利要求2所述的光刻仿真方法，其特征在于，

所述将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域的步骤包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个内区域；将每一个所述内区域直接相邻的掩模图形作为所述内区域对应的外区域；将所述内区域和其对应的外区域共同构成一待仿真区域；

所述对第一同构区域的光刻仿真结果进行变换的步骤之前还包括：将所述第一同构区域光刻仿真结果进行分割，获得其对应内区域的光刻仿真结果；所述对第一同构区域的光刻仿真结果进行变换的步骤包括：对第一同构区域内区域的光刻仿真结果进行变换；所述将变换后的光刻仿真结果应用于所述其他同构区域的步骤包括：将所述将变换后的第一同构区域的内区域的光刻仿真结果应用于所述其他同构区域的内区域。

8.根据权利要求7所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述将物理版图内的掩膜图形划分为若干个内区域的步骤包括：

将所述物理版图内的掩膜图形根据所处的层进行划分；

对处于同一层的物理版图，划分为M×N个矩形的内区域；

将所述内区域的边框向与其相邻的区域延伸，将横跨在所述内区域的边框上的掩模图形并入所述内区域以内。

9.根据权利要求7所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述对区域同构序列中的第一同构区域进行光刻仿真，获得其光刻仿真结果的步骤包括：

根据区域划分结果获取第一同构区域内的物理版图数据；

根据第一同构区域内物理版图数据的光学传输特性，对内、外区域的物理版图数据作傅里叶变换，得到频域的掩模传输函数；

通过所述掩模传输函数计算光束通过物理版图掩膜之后的光强度分布，该物理版图掩膜对应于所述物理版图数据，从而得到第一同构区域内物理版图掩模数据对应的光学图像；

再将一个预设的函数滤波器乘以所述掩模传输函数得到滤波过的函数，再与高斯函数卷积得到空间灵敏度；

利用所述空间灵敏度对所述光学图像进行偏差校正，得到所述第一同构区域的光刻仿真结果。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光刻仿真方法，其特征在于，所述对若干所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果的步骤之后还包括：

对未包含于任一区域同构序列的待仿真区域，逐一进行光刻仿真，获得其光刻仿真结果。

11.一种光刻仿真的装置，其特征在于，包括：

待仿真区域划分模块，用于将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；

几何同构检测模块，与所述待仿真区域划分模块相连接，用于在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；

仿真模块，与所述几何同构检测模块相连接，用于对若干所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。

12.根据权利要求11所述的光刻仿真装置，其特征在于，所述仿真模块包括：

光刻仿真子模块，对当前区域同构序列中的第一同构区域进行光刻仿真，获得其光刻仿真结果；

仿真结果复用子模块，与所述光刻仿真模块相连接，仿真对当前区域同构序列中除所述第一同构区域外的其他同构区域：按照该同构区域与所述第一同构区域之间的几何同构关系，对所述第一同构区域的光刻仿真结果进行变换；并将所述变换后的光刻仿真结果应用于该同构区域，从而获得该同构区域的光刻仿真结果。

13.根据权利要求12所述的光刻仿真装置，其特征在于，所述几何同构检测模块包括：

相对坐标变换子模块，用于对于所述若干个待仿真区域序列中的每一个待仿真区域，以其最小坐标值为原点，对待仿真区域内的掩膜图形进行相对坐标变换；

掩膜图形排序子模块，与所述相对坐标变换子模块相连接，按照相对坐标变换后的坐标，对待仿真区域内的掩膜图形进行排序；

区域同构序列形成子模块，与所述掩膜图形排序子模块相连接，用于搜索出掩膜图形顺序存在对应关系的多个待仿真区域构成区域同构序列，并记录区域同构序列中同构区域间的几何同构关系。

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