CN102665321B - 发光二极管电路,驱动发光二极管电路的方法及显示器 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管电路，驱动发光二极管电路的方法及显示器，包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。第一晶体管用以接收第一控制信号，第二晶体管用以接收第二控制信号，第三晶体管电性耦接于该第二晶体管及该第一晶体管，第四晶体管用以接收数据信号及第三控制信号，储存电容电性耦接于该第二晶体管，第五晶体管用以接收第四控制信号，第六晶体管用以接收第五控制信号，发光二极管电性耦接于该第六晶体管及电源。
Description
技术领域
本发明关于一种发光二极管电路，尤指一种应用在有机发光二极管显示器的发光二极管电路。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)及发光二极管(light emitting diode，LED)显示器是目前最为普遍的显示器类型，其因具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，已逐渐取代传统桌上型电脑的CRT监视器，且被广泛地应用在笔记型电脑(notebook)、个人数字助理(PDA)等携带式资讯产品。
不同的是，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因具有自发光性、广视角、高对比、低操作电压、动态反应时间短、色彩鲜艳、制作过程简单面板体积小以及面板厚度薄等优点而有逐渐取代LCD的趋势。OLED外加一偏压，使内部的电子空穴分别经过空穴传输层(Hole Transport Layer)与电子传输层(Electron Transport Layer)后，加入一具有发光特性的有机物质，在其内再结合时，形成一″激发光子″(exciton)后，再将能量释放出来而回到基态(ground state)，而这些被释放出来的能量中，由于所选择的发光材料的不同，可使部份能量以不同颜色的光的形式释放出来，而形成发光现象。然而，相较于LCD显示器及LED显示器，现阶段的OLED显示器的使用寿命仍然相对短暂。
请参考图1，图1为公知的发光二极管电路100的示意图，如图1所示，发光二极管电路100包含第一晶体管M1、第二晶体管M2、储存电容Cst及发光二极管D1，第一晶体管M1的第一端电性耦接至数据线DATA，及控制端电性耦接至扫描线SCAN。第二晶体管M2的第一端电性耦接至第一电源VDD，及控制端电性耦接至第一晶体管M1的第二端。储存电容Cst第一端耦接至第一电源VDD，第二端耦接至第一晶体管M1的第二端。发光二极管D1的阳极电性耦接至第二晶体管M2的第二端，及阴极电性耦接至第二电源VSS。第一电源VDD 的电位是高电位，且第二电源VSS的电位是低电位。当第一晶体管M1被扫描线SCAN导通后，会自数据线DATA接收信号并将电压存入储存电容Cst，尔后在发光周期根据接收到的信号控制第二晶体管M2，使发光二极管D1开始工作。然而，在此设置下，发光二极管D1的阳极的电位将逐渐偏高，使自第一电源VDD流过发光二极管D1的电流ID下降，进而使影像残留(image retention)的情况更趋严重，若发光二极管D1以自发光二极管取代，则采用此种设计的自发光二极管显示器的使用寿命更将大幅缩短。
发明内容
本发明的一实施例关于一种发光二极管电路，该发光二极管电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。该第一晶体管具有一用以接收第一控制信号的控制端，用以电性耦接于第一电源的第一端，以及一第二端。该第二晶体管具有用以接收第二控制信号的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，以及一第二端。该第三晶体管具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，以及一第二端。该第四晶体管具有用以接收数据信号的第一端，用以接收第三控制信号的控制端，及电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端。该储存电容具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，以及一第二端。该第五晶体管具有电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，用以接收第四控制信号的控制端，及用以电性耦接于参考电压源的第二端。该第六晶体管具有电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，用以接收第五控制信号的控制端，及电性耦接于该储存电容的第二端的第二端。该发光二极管具有电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源的第二端。
本发明的另一实施例关于一种发光二极管电路及其周边电路，包含第一控制信号线、第二控制信号线、第三控制信号线、第四控制信号线、第五控制信号线、第一电源线、第二电源线、参考电压源线、数据信号线、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。该第一晶体管具有电性耦接该第一控制信号线的控制端，用以电性耦接于第一电源线的第一端，及第二端。该第二晶体管具有电性耦接该第 二控制信号线的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第二端。该第三晶体管具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第二端。该第四晶体管具有电性耦接该数据信号线的第一端，电性耦接该第三控制信号线的控制端，及电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端。该储存电容具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及第二端。该第五晶体管具有电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，电性耦接该第四控制信号线的控制端，及用以电性耦接于参考电压源线的第二端。该第六晶体管具有电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，电性耦接该第五控制信号线的控制端，及电性耦接于该储存电容的第二端的第二端。该发光二极管具有电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源线的第二端。
上述的发光二极管电路，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管为薄膜晶体管。
上述的发光二极管电路，其中该发光二极管的第一端为阳极，该发光二极管的第二端为阴极。
本发明的另一实施例关于一种驱动发光二极管电路的方法，该发光二极管电路包含第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，第五晶体管，第六晶体管，储存电容及发光二极管，该第一晶体管的第一端电性耦接于第一电源，该第一晶体管的第二端电性耦接于该第二晶体管的第一端及该第三晶体管的第一端，该第二晶体管的第二端电性耦接于该储存电容的第一端及该第三晶体管的控制端，该第四晶体管的第一端电性耦接于数据源，该第三晶体管的第二端电性耦接于该第四晶体管的第二端及该第六晶体管的第一端，该储存电容的第二端电性耦接于该第六晶体管的第二端及该第五晶体管的第一端，该第五晶体管的第二端电性耦接于参考电压源，该发光二极管电性耦接于该第六晶体管的第二端及第二电源之间，该方法包含当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管，以重置该储存电容；当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管，以将该数据源输入的数据信号写入该储存电容；及当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管，以使该发光二极管根据该数据信号发光。
上述的驱动发光二极管电路的方法，其中当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管为：
当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，先导通该第五晶体管及截止该第六晶体管，再导通该第二晶体管。
上述的驱动发光二极管电路的方法，其中当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管为：
当重置该储存电容后，先截止该第一晶体管，再导通该第四晶体管。
上述的驱动发光二极管电路的方法，其中当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管，该第四晶体管及该第五晶体管为：
当将该数据信号写入该储存电容后，先截止该第四晶体管，再截止该第二晶体管，最后导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第五晶体管。
本发明的另一实施例关于一种显示器，该显示器包含电源供应器、参考电压源产生单元、扫描驱动器、数据驱动器、时序控制器及复数个发光二极管电路。该电源供应器用以提供第一电源及第二电源。该参考电压源产生单元用以提供参考电压源。该扫描驱动器用以提供第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号、第四控制信号及第五控制信号。该数据驱动器用以提供数据信号。该时序控制器电性耦接该扫描驱动器及该数据驱动器，用以控制该扫描驱动器及该数据驱动器。这些发光二极管电路电性耦接该电源供应器、该参考电压源产生单元、该扫描驱动器及该数据驱动器。每一发光二极管电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、储存电容、第五晶体管、第六晶体管及发光二极管。该第一晶体管具有用以接收该第一控制信号的控制端，及电性耦接于该第一电源的第一端，及第二端。该第二晶体管具有用以接收该第二控制信号的控制端，及电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第二端。该第三晶体管具有电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，及电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及第二端。该第四晶体管具有用以接收该数据信号的第一端，用以接收该第三控制信号的控制端，及电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端。该储存电容具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及第二端。该第五晶体管具有电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，用以接收该第四控制信号的控制端，及电性耦接于该参考电压源的 第二端。该第六晶体管具有电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，用以接收该第五控制信号的控制端，及电性耦接于该储存电容的第二端的第二端。该发光二极管具有电性耦接于该第六晶体管的第二端的阳极，及电性耦接于该第二电源的阴极，该发光二极管用以根据该第六晶体管的第二端的电位发光。
上述的显示器，其中该发光二极管的第一端为阳极，该发光二极管的第二端为阴极。
透过上述本发明诸实施例所揭示的装置及方法，可以降低显示器的影像残留的情况，同时显示器的使用寿命也大幅增加。此外发光二极管的亮度受到晶体管元件临界电压影响的程度，亦可以降低。
附图说明
图1为公知的发光二极管电路的示意图；
图2为本发明第一实施例发光二极管电路的示意图；
图3为本发明对图2的发光二极管电路进行操作的时序图；
图4为本发明第二实施例发光二极管电路的示意图；
图5为本发明第三实施例显示器的示意图。
其中，附图标记：
具体实施方式
在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区别元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区别的基准。在通篇说明书及权利要求书中所提及的“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。此外，“电性耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述一第一装置电性耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第二装置，或透过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。
下文依本发明移位暂存器电路特举实施例配合所附附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围。
请参照图2，图2为本发明第一实施例发光二极管电路200的示意图。发光二极管电路200包含第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、储存电容Cst、第五晶体管M5、第六晶体管M6及发光二极管D1。第一晶体管M1具有用以接收第一控制信号S1的控制端，用以电性耦接于第一电源VDD的第一端，及第二端。第二晶体管M2具有用以接收第二控制信号S2的控制端，电性耦接于第一晶体管M1的第二端的第一端，及第二端。第三晶体管M3具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的控制端，电性耦接于第一晶体管M1的第二端的第一端，及第二端；第四晶体管M4具有用以接收数据信号DATA的第一端，用以接收第三控制信号S3的控制端，及电性耦接于第三晶体管M3的第二端的第二端。储存电容Cst具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的第一端，及第二端。第五晶体管M5具有电性耦接于储存电容Cst的第二端的第一端，用以接收第四控制信号S4的控制端，及用以电性耦接于参考电压源VREF的第二端。第六晶体管M6具有电性耦接于第四晶体管M4的第二端的第一端，用以接收第五控制信号S5的控制端，及电性耦接于储存电容Cst的第二 端的第二端。发光二极管D1具有电性耦接于第六晶体管M6的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源VSS的第二端，且发光二极管D1的第一端为阳极，第二端为阴极。发光二极管D1用以根据第六晶体管M6的第二端的电位发光。此外，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5及第六晶体管M6可为N型金属氧化物半导体场效晶体管(N type zmetal oxide semiconductor transistor)、场效晶体管、薄膜晶体管、双极结型晶体管(Bipolar junction transistor)或薄膜场效晶体管，而本实施例中以N型场效晶体管为例，且发光二极管D1可以是有机发光二极管。又，第一电源VDD的电位是高电位，且第二电源VSS的电位是低电位。
在本案另一实施例中，发光二极管电路包含了一第一控制信号线；一第二控制信号线；一第三控制信号线；一第四控制信号线；一第五控制信号线；一第一电源线；一第二电源线；一参考电压源线；一数据信号线；一第一晶体管，具有一电性耦接该第一控制信号线的控制端，一用以电性耦接于一第一电源线的第一端，及一第二端；一第二晶体管，具有一电性耦接该第二控制信号线的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；一第四晶体管，具有一电性耦接该数据信号线的第一端，一电性耦接该第三控制信号线的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端；一储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端；一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一电性耦接该第四控制信号线的控制端，及一用以电性耦接于一参考电压源线的第二端；一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一电性耦接该第五控制信号线的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及一发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的第一端，及一用以电性耦接于一第二电源线的第二端。请一并参考图2及图3，图3为本发明对发光二极管电路200进行操作的时序图。如图3所示，在重置阶段下，当第一晶体管M1被第一控制信号S1导通且第四晶体管M4被第三控制信号S3截止时，第五控制信号S5会截止第六晶体管M6，第二控制信号S2会导通第二晶体管M2，及第四控制信号S4会导通第五晶体管M5，以重置储存电容Cst，因此储存电容Cst的第一端根据第一电源VDD 的电位被重置，而储存电容Cst的第二端根据参考电压源VREF的电位被重置。当重置储存电容Cst后，进入写入阶段时，第一控制信号S1会截止第一晶体管M1，且第三控制信号S3会导通第四晶体管M4，以将数据源输入的数据信号DATA写入储存电容Cst，详言之，储存电容Cst第一端的电压将会由重置后的电位经由第二晶体管M2、第三晶体管M3与第四晶体管M4放电而使准位下降直到第三晶体管M3截止。当将数据信号DATA写入储存电容Cst后，进入读取阶段时，第一控制信号S 1会导通第一晶体管M1，第五控制信号S5会导通第六晶体管M6，第二控制信号S2会截止第二晶体管M2、第三控制信号S3会截止第四晶体管M4，及第四控制信号S4会截止第五晶体管M5，以使发光二极管D1根据自第三晶体管M3流向发光二极管D1的电流发光。当读取阶段结束后，再进入重置阶段，据此对发光二极管电路200反复进行操作。
在重置阶段中，当第一晶体管M1导通且第四晶体管M4截止时，先导通第五晶体管M5及截止第六晶体管M6，再导通第二晶体管M2。此外，在写入阶段中，重置储存电容Cst后，先截止第一晶体管M1，再导通第四晶体管M4。又，在读取阶段中，数据信号写入储存电容Cst后，先截止第四晶体管M4，再截止第二晶体管M2，最后导通第一晶体管M1及第六晶体管M6，并截止第五晶体管M5。
在写入阶段时，当将数据信号DATA写入储存电容Cst后，此时储存电容Cst会储存到的电位(亦即储存电容Cst第一端与第二端的电位差)为数据信号DATA的电位VDATA加上晶体管的临界电压Vth再减去参考电压源VREF的电位VVREF，亦即(V-DATA+Vth-VVREF)，VVREF为偏负的电位。因此在读取阶段时，储存电容Cst所储存到的电位必然将第三晶体管M3导通，使第三晶体管M3工作在饱和区，此时自第三晶体管M3流向发光二极管D1的电流为(Vgs-Vth)2，Vgs是晶体管晶体管的栅极-源极电压。第三晶体管M3的栅极-源极电压Vgs是第三晶体管M3的控制端电位减去其第二端的电位，故第三晶体管M3的栅极-源极电压Vgs为(V-DATA+Vth-VVREF)，将(V-DATA+Vth-VVREF)代入(Vgs-Vth)2。因此，当发光二极管D1工作在饱和区，流向发光二极管D1的电流为(V-DATA-VVREF)2，亦即发光二极管D1的第一端所接收到的电流仅受到所提供的数据信号DATA的电位VDATA及参考电压源VREF的影响，而不受到发光二极管D1的阳极的电位的影响，因此可有效避免公知技术中，因流 至自发光二极管的电流的下降或呈现不稳定的状态而发生影像残留的问题，亦可增加采用此本发明实施例的设计的显示器的使用寿命。
请参照图4，图4为本发明第二实施例发光二极管电路400的示意图。发光二极管电路400电性耦接第一控制信号线L1、第二控制信号线L2、第三控制信号线L3、第四控制信号线L4、第五控制信号线L5、第一电源线LV1、第二电源线LV2、参考电压源线LV3与数据信号线L-DATA，发光二极管电路400包含第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、储存电容Cst、第五晶体管M5、第六晶体管M6及发光二极管D1。第一晶体管M1具有电性耦接第一控制信号线L1的控制端，用以电性耦接于第一电源线LV1的第一端，及第二端。第二晶体管M2具有电性耦接第二控制信号线L2的控制端，电性耦接于第一晶体管M1的第二端的第一端，及第二端。第三晶体管M3具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的控制端，电性耦接于第一晶体管M1的第二端的第一端，及第二端。第四晶体管M4具有电性耦接数据信号线LDATA的第一端，电性耦接第三控制信号线L3的控制端，及电性耦接于第三晶体管M3的第二端的第二端。储存电容Cst具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的第一端，及第二端。第五晶体管M5具有电性耦接于储存电容Cst的第二端的第一端，电性耦接第四控制信号线L4的控制端，及用以电性耦接于参考电压源线LV3的第二端。第六晶体管M6具有电性耦接于第四晶体管M4的第二端的第一端，电性耦接第五控制信号线L5的控制端，及电性耦接于储存电容Cst的第二端的第二端。发光二极管D1具有电性耦接于第六晶体管M6的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源线LV2的第二端，且发光二极管D1的第一端为阳极，第二端为阴极。发光二极管D1用以根据第六晶体管M6的第二端的电位发光。此外，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5及第六晶体管M6可为N型金属氧化物半导体场效晶体管、场效晶体管、薄膜晶体管、双极结型晶体管(Bipolar junction transistor)或薄膜场效晶体管，而本实施例中以N型场效晶体管为例，且发光二极管D1可以例如是有机发光二极管。
第二实施例与第一实施例的差别在于，发光二极管电路400更包含：第一控制信号线L1、第二控制信号线L2、第二控制信号线L2第三控制信号线L3、第四控制信号线L4、第五控制信号线L5、数据信号线LDATA、第一电源线LV1、 第二电源线LV2以及参考电压源线LV3，此外，第一晶体管M1电性耦接至第一控制信号线L1、第二晶体管M2电性耦接至第二控制信号线L2、第四晶体管M4电性耦接至数据信号线LDATA、第五晶体管M5电性耦接至第四控制信号线L4、第六晶体管M6电性耦接至第五控制信号线L5，除此之外，第一控制信号线L1、第二控制信号线L2、第二控制信号线L2第三控制信号线L3、第四控制信号线L4、第五控制信号线L5、数据信号线LDATA、第一电源线LV1、第二电源线LV2以及参考电压源线LV3可以分别用来提供第一控制信号S1、第二控制信号S2、第二控制信号S3、第三控制信号S4、第四控制信号S5、第五控制信号S6、数据信号DATA、第一电源VDD、第二电源VSS以及参考电压源VREF。同样地，发光二极管电路400亦可根据如图3所示的时序进行操作。因此，当发光二极管D1工作在饱和区，流向发光二极管D1的电流为(V-DATA-VVREF)2，亦即发光二极管D1的第一端所接收到的电流仅受到所提供的数据信号DATA的电位VDATA及参考电压源VREF的影响，而不受到发光二极管D1的阳极端的电位的影响，因此可有效避免公知技术中，因流至自发光二极管的电流的下降或呈现不稳定的状态而发生影像残留的问题，亦可增加采用此本发明实施例的设计的显示器的使用寿命。
请参照图5，图5为本发明第三实施例显示器500的示意图。显示器500包含电源供应器520、参考电压源产生单元530、扫描驱动器540、数据驱动器560、时序控制器580及多个发光二极管电路200。电源供应器520用以提供第一电源VDD及第二电源VSS。参考电压源产生单元530用以提供参考电压源VREF。扫描驱动器540用以提供第一控制信号S1、第二控制信号S2、第三控制信号S3，第四控制信号S4及第五控制信号S5。数据驱动器560用以提供数据信号DATA。时序控制器580电性耦接扫描驱动器540及数据驱动器560，用以控制扫描驱动器540及数据驱动器560。发光二极管电路200电性耦接电源供应器520、参考电压源产生单元530、扫描驱动器540及数据驱动器560。此外，电源供应器520、参考电压源产生单元530可以是直流电源转换器、切换式直流电源转换器、电荷泵(charge pump)或是任何公知的直流电源产生方式以产生直流电压源；扫描驱动器540、数据驱动器560及时序控制器580可以是特殊应用集成电路(Application specific integrated circuit)、现场可编程门阵列(FPGA，Field Programmable Gate Array)或微控制单元(MCU)等可以产生信号输出的处理单 元。
发光二极管电路200包含第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、储存电容Cst、第五晶体管M5、第六晶体管M6及发光二极管D1。第一晶体管M1具有用以接收第一控制信号S1的控制端，用以电性耦接于第一电源VDD的第一端，及第二端。第二晶体管M2具有用以接收第二控制信号S2的控制端，电性耦接于第一晶体管M1的第二端的第一端，及第二端。第三晶体管M3具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的控制端，电性耦接于第一晶体管M1的第二端的第一端，及第二端；第四晶体管M4具有用以接收数据信号DATA的第一端，用以接收第三控制信号S3的控制端，及电性耦接于第三晶体管M3的第二端的第二端。储存电容Cst具有电性耦接于第二晶体管M2的第二端的第一端，及第二端。第五晶体管M5具有电性耦接于储存电容Cst的第二端的第一端，用以接收第四控制信号S4的控制端，及用以电性耦接于参考电压源VREF的第二端。第六晶体管M6具有电性耦接于第四晶体管M4的第二端的第一端，用以接收第五控制信号S5的控制端，及电性耦接于储存电容Cst的第二端的第二端。发光二极管D1具有电性耦接于第六晶体管M6的第二端的第一端，及用以电性耦接于第二电源VSS的第二端，且发光二极管D1的第一端为阳极，第二端为阴极。发光二极管D1用以根据第六晶体管M6的第二端的电位发光。此外，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5及第六晶体管M6可为N型金属氧化物半导体场效晶体管、场效晶体管、薄膜晶体管、双极结型晶体管(Bipolar junction transistor)或薄膜场效晶体管，而本实施例中以N型场效晶体管为例，且发光二极管D1可以是有机发光二极管。
第三实施例与第一实施例的差别在于，显示器500更包含电源供应器520、参考电压源产生单元530、扫描驱动器540、数据驱动器560、时序控制器580耦接于第一实施例的发光二极管电路200，使发光二极管电路200可根据接收到的第一控制信号S1、第二控制信号S2、第三控制信号S3、第四控制信号S4及第五控制信号S5，而对发光二极管电路200进行如第一实施例中所述的操作。因此，当发光二极管D1工作在饱和区，流向发光二极管D1的电流为(V-DATA-VVREF)2，亦即发光二极管D1的第一端所接收到的电流仅受到所提供的数据信号DATA的电位VDATA及参考电压源VREF的影响，而不受到发光二极管 D1的阳极的电位的影响，因此可有效避免公知技术中，因流到自发光二极管的电流的下降或呈现不稳定的状态而发生影像残留的问题，亦可增加采用此本发明实施例的设计的显示器的使用寿命。
透过上述本发明诸实施例所揭示的装置及方法，显示器不会有严重的影像残留的情况，同时显示器的使用寿命也大幅增加。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求书所做的均等变化，皆应属本发明的涵盖范围。因此本发明的保护范围当视权利要求书所要求的为准。
Claims (8)
1.一种发光二极管电路，其特征在于，包含：
一第一晶体管，具有一用以接收一第一控制信号的控制端，一用以电性耦接于一第一电源的第一端，及一第二端；
一第二晶体管，具有一用以接收一第二控制信号的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第四晶体管，具有一用以接收一数据信号的第一端，一用以接收一第三控制信号的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端；
一储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一用以接收一第四控制信号的控制端，及一用以电性耦接于一参考电压源的第二端；
一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一用以接收一第五控制信号的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及
一发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的阳极，及一用以电性耦接于一第二电源的第二端。
2.一种发光二极管电路，其特征在于，包含：
一第一控制信号线；
一第二控制信号线；
一第三控制信号线；
一第四控制信号线；
一第五控制信号线；
一第一电源线；
一第二电源线；
一参考电压源线；
一数据信号线；
一第一晶体管，具有一电性耦接该第一控制信号线的控制端，一用以电性耦接于一第一电源线的第一端，及一第二端；
一第二晶体管，具有一电性耦接该第二控制信号线的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第四晶体管，具有一电性耦接该数据信号线的第一端，一电性耦接该第三控制信号线的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端；
一储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一电性耦接该第四控制信号线的控制端，及一用以电性耦接于一参考电压源线的第二端；
一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一电性耦接该第五控制信号线的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及
一发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的阳极，及一用以电性耦接于一第二电源线的第二端。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管电路，其特征在于，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管为薄膜晶体管。
4.一种驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，该发光二极管电路包含一第一晶体管，一第二晶体管，一第三晶体管，一第四晶体管，一第五晶体管，一第六晶体管，一储存电容及一发光二极管，该第一晶体管的第一端电性耦接于一第一电源，该第一晶体管的第二端电性耦接于该第二晶体管的第一端及该第三晶体管的第一端，该第二晶体管的第二端电性耦接于该储存电容的第一端及该第三晶体管的控制端，该第四晶体管的第一端电性耦接于一数据源，该第三晶体管的第二端电性耦接于该第四晶体管的第二端及该第六晶体管的第一端，该储存电容的第二端电性耦接于该第六晶体管的第二端及该第五晶体管的第一端，该第五晶体管的第二端电性耦接于一参考电压源，该发光二极管的阳极电性耦接于该第六晶体管的第二端，且该发光二极管的阴极电性耦接于一第二电源，该方法包含：
当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管，以重置该储存电容；
当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管，以将该数据源输入的数据信号写入该储存电容；及
当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管，以使该发光二极管根据该数据信号发光。
5.如权利要求4所述的驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，其中当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，截止该第六晶体管，并导通该第二晶体管及该第五晶体管为：
当该第一晶体管导通且该第四晶体管截止时，先导通该第五晶体管及截止该第六晶体管，再导通该第二晶体管。
6.如权利要求4所述的驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，其中当重置该储存电容后，截止该第一晶体管，并导通该第四晶体管为：
当重置该储存电容后，先截止该第一晶体管，再导通该第四晶体管。
7.如权利要求4所述的驱动发光二极管电路的方法，其特征在于，其中当将该数据信号写入该储存电容后，导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第二晶体管，该第四晶体管及该第五晶体管为：
当将该数据信号写入该储存电容后，先截止该第四晶体管，再截止该第二晶体管，最后导通该第一晶体管及该第六晶体管，并截止该第五晶体管。
8.一种显示器，包含：
一电源供应器，用以提供一第一电源及一第二电源；
一参考电压源产生单元，用以提供一参考电压源；
一扫描驱动器，用以提供一第一控制信号，一第二控制信号，一第三控制信号，一第四控制信号及一第五控制信号；
一数据驱动器，用以提供一数据信号；
一时序控制器，电性耦接该扫描驱动器及该数据驱动器，用以控制该扫描驱动器及该数据驱动器；及
复数个发光二极管电路，电性耦接该电源供应器、该参考电压源产生单元、该扫描驱动器及该数据驱动器，每一发光二极管电路包含：
一第一晶体管，具有一用以接收该第一控制信号的控制端，一电性耦接于该第一电源的第一端，及一第二端；
一第二晶体管，具有一用以接收该第二控制信号的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第三晶体管，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的控制端，一电性耦接于该第一晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第四晶体管，具有一用以接收该数据信号的第一端，一用以接收该第三控制信号的控制端，及一电性耦接于该第三晶体管的第二端的第二端；
一储存电容，具有一电性耦接于该第二晶体管的第二端的第一端，及一第二端；
一第五晶体管，具有一电性耦接于该储存电容的第二端的第一端，一用以接收该第四控制信号的控制端，及一电性耦接于该参考电压源的第二端；
一第六晶体管，具有一电性耦接于该第四晶体管的第二端的第一端，一用以接收该第五控制信号的控制端，及一电性耦接于该储存电容的第二端的第二端；及
一发光二极管，具有一电性耦接于该第六晶体管的第二端的阳极，及一电性耦接于该第二电源的阴极，该发光二极管用以根据该第六晶体管的第二端的电位发光。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |