CN102646618A - 用于二极管器件的解剖工艺 - Google Patents

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吴念博
滕有西
杨生成
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Abstract

本发明公开一种用于二极管器件的解剖工艺，包括：将烧杯中浓度为98%的浓硫酸持续加热到95℃；将二极管器件放置于其中，将经步骤三的二极管器件置于丙酮溶液中；硝酸和双氧水按照5：0.8~1.2比例在烧杯形成第一混合溶液，将二极管器件浸入此第一混合溶液；取硝酸和水按照5：1.8~2.2比例在烧杯形成第二混合溶液，再将经步骤五去铜后的二极管器件置于沸腾状态下的第二混合溶液，保持时间为5min~10min；将经二极管器件经水冲洗后，浸入丙铜溶液对此二极管器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得所述二极管芯片。本发明解剖工艺去除环氧层的同时不会对器件内部结构产生任何影响，极大的提高了分析数据的可靠性。

Description

用于二极管器件的解剖工艺
技术领域
本发明涉及一种电子元器件解剖方法，具体涉及一种用于二极管器件的解剖工艺。
背景技术
电子元器件在使用过程中，因使用方法或产品本身的设计与生产缺陷直接造成产品的损坏，也会产生该器件的测试参数发生变化，导致不符合客户的使用标准。如何尽最大可能减少客户损失和提升产品的可靠性，那么通过技术手段将成品进行逐步还原并最终找出造成产品失效源头是一项不可或缺的工作，目前对电子元器件的解剖方法主要采取机械与化学结合的手段，使用机械去除器件外围的环氧层，会造成产品内部结构承受不规则的硬拉伤，直接导致焊接层的脱落或芯片开裂，影响分析人员的判断力。对产品的内部进行解剖时，未对化学品进行合理的配对，以及对温度进行合理的控制。都严重的影响解剖进程，同时也会对产品芯片造成不必要的腐蚀，改变了芯片形状，容易对分析人员造成误导。
发明内容
本发明目的是提供一种用于二极管器件的解剖工艺，此解剖工艺去除环氧层的同时不会对器件内部结构产生任何影响，极大的提高了分析数据的可靠性。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种用于二极管器件的解剖工艺，所述二极管器件由被环氧树脂包覆的二极管芯片、2个铜引线和位于二极管芯片表面和铜引线之间焊锡层组成；其特征在于：所述解剖工艺包括以下步骤：
步骤一、将烧杯中浓度为98%的浓硫酸加热到至沸腾；
步骤二、将所述二极管器件放置于所述步骤一的烧杯中，持续加热，当此二极管器件裸露出所述芯片的侧面和铜引线部分区域后，则将该二极管器件从烧杯中移出；
步骤三、将经步骤二的二极管器件放置于清水中，随后进行超声波振荡清洗，当所述环氧树脂去除后，则将该二极管器件从清水中移出；
步骤四、将经步骤三的二极管器件置于丙酮溶液中；
步骤五、硝酸和双氧水按照5：0.8~1.2比例在烧杯形成第一混合溶液，将经步骤四的二极管器件浸入此第一混合溶液10~15分钟取出经水冲洗后，再取适量丙铜对器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得去铜后的二极管器件；
步骤六、取硝酸和水按照5：1.8~2.2比例在烧杯形成第二混合溶液，并将此第二混合溶液加热至沸腾状态，再将经步骤五去铜后的二极管器件置于沸腾状态下的第二混合溶液，保持时间为5 min~10min；
步骤七、将经步骤六的二极管器件经水冲洗后，浸入丙铜溶液对此二极管器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得所述二极管芯片。
上述技术方案中进一步改进方案如下：
1、上述方案中，所述第一混合溶液中硝酸和双氧水混合比例为5：1。
2、上述方案中，所述第二混合溶液中硝酸和双氧水混合比例为5：2。
3、上述方案中，所述步骤三清洗时间为30秒。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果： 
本发明解剖工艺在去除环氧过程中应选择98%浓硫酸，稀硫酸对树脂的腐蚀速度缓慢；硫酸温度逐步增加到95℃以上，保证了对环氧的均匀腐蚀；对残留环氧选择清水加超声振荡30秒的方法去除，避免了手工去除对芯片造成的损坏；对铜质连接引线进行化学分解选择硝酸和双氧水（比例为5：1）的混合物，因硝酸与铜能得到全面的反应，双氧水则是加快反应速度，避免硝酸长时间腐蚀对芯片侧面造成伤害；去除焊接层面时，使用适量的硝酸和水的混合物（比例为5：2）进行分解，实践证明稀硝酸与锡更容易发生化学反应。
附图说明
附图1为本发明二极管器件结构示意图；
附图2为本发明去除环氧树脂后二极管器件结构示意图；
附图3为本发明去除铜引线后的二极管器件结构示意图；
附图4为本发明裸露后二极管芯片结构示意图。
以上附图中：1、环氧树脂；2、二极管芯片；3、铜引线；4、焊锡层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例：一种用于二极管器件的解剖工艺，如附图1-4所示，所述二极管器件由被环氧树脂1包覆的二极管芯片2、2个铜引线3和位于二极管芯片2表面和铜引线3之间焊锡层4组成；其特征在于：所述解剖工艺包括以下步骤：
步骤一、将烧杯中浓度为98%的浓硫酸加热到至沸腾；
步骤二、将所述二极管器件放置于所述步骤一的烧杯中，持续加热，当此二极管器件裸露出所述芯片的侧面和铜引线部分区域后，则将该二极管器件从烧杯中移出；
步骤三、将经步骤二的二极管器件放置于清水中，随后进行超声波振荡清洗，当所述环氧树脂去除后，则将该二极管器件从清水中移出；
步骤四、将经步骤三的二极管器件置于丙酮溶液中，可带出残留在产品缝隙处的杂质，避免了水在自然风干或者加温烘烤后在器件的表面留有痕迹，有利提高检测的精确性；
步骤五、硝酸和双氧水按照5：0.8~1.2比例在烧杯形成第一混合溶液，将经步骤四的二极管器件浸入此第一混合溶液10~15分钟取出经水冲洗后，再取适量丙铜对器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得去铜后的二极管器件； 
步骤六、取硝酸和水按照5：1.8~2.2比例在烧杯形成第二混合溶液，并将此第二混合溶液加热至沸腾状态，再将经步骤五去铜后的二极管器件置于沸腾状态下的第二混合溶液，保持时间为5 min~10min；
步骤七、将经步骤六的二极管器件经水冲洗后，浸入丙铜溶液对此二极管器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得所述二极管芯片。
上述第一混合溶液中硝酸和双氧水混合比例为5：1。
上述第二混合溶液中硝酸和双氧水混合比例为5：2。
上述步骤三清洗时间为30秒。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种用于二极管器件的解剖工艺，所述二极管器件由被环氧树脂（1）包覆的二极管芯片（2）、2个铜引线（3）和位于二极管芯片（2）表面和铜引线（3）之间焊锡层（4）组成；其特征在于：所述解剖工艺包括以下步骤：
步骤一、将烧杯中浓度为98%的浓硫酸加热到至沸腾；
步骤二、将所述二极管器件放置于所述步骤一的烧杯中，持续加热，当此二极管器件裸露出所述芯片的侧面和铜引线部分区域后，则将该二极管器件从烧杯中移出；
步骤三、将经步骤二的二极管器件放置于清水中，随后进行超声波振荡清洗，当所述环氧树脂去除后，则将该二极管器件从清水中移出；
步骤四、将经步骤三的二极管器件置于丙酮溶液中；
步骤五、硝酸和双氧水按照5：0.8~1.2比例在烧杯形成第一混合溶液，将经步骤四的二极管器件浸入此第一混合溶液10~15分钟取出经水冲洗后，再取适量丙铜对器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得去铜后的二极管器件； 
步骤六、取硝酸和水按照5：1.8~2.2比例在烧杯形成第二混合溶液，并将此第二混合溶液加热至沸腾状态，再将经步骤五去铜后的二极管器件置于沸腾状态下的第二混合溶液，保持时间为5 min~10min；
步骤七、将经步骤六的二极管器件经水冲洗后，浸入丙铜溶液对此二极管器件进行振荡脱水，清洗时间为20~40秒，从而获得所述二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的解剖工艺，其特征在于：所述第一混合溶液中硝酸和双氧水混合比例为5：1。
3.根据权利要求1所述的解剖工艺，其特征在于：所述第二混合溶液中硝酸和双氧水混合比例为5：2。
4.根据权利要求1所述的解剖工艺，其特征在于：所述步骤三清洗时间为30秒。
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