CN102594333A - 电平转移电路 - Google Patents
电平转移电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102594333A CN102594333A CN2012100489729A CN201210048972A CN102594333A CN 102594333 A CN102594333 A CN 102594333A CN 2012100489729 A CN2012100489729 A CN 2012100489729A CN 201210048972 A CN201210048972 A CN 201210048972A CN 102594333 A CN102594333 A CN 102594333A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- npn
- transistor
- transistor npn
- drain electrode
- connects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电平转移电路，
包括
P
型晶体管
P1
和
P
型晶体管
P2
，
P
型晶体管
P1
和
P
型晶体管
P2
的栅极之间设有反相器
INV
，所述
P
型晶体管
P1
的漏极连接
N
型晶体管
N1
的漏极和
N1
的栅极，且
N
型晶体管
N1
的栅极连接所述
N
型晶体管
N4
的栅极，
P
型晶体管
P2
的漏极连接
N
型晶体管
N2
的漏极和
N2
的栅极，且
N
型晶体管
N2
的栅极连接所述
N
型晶体管
N3
的栅极。本发明所述电路，
不但可
采用小型器件并且与工艺变化无关，而且可以改善电路速度；再者，本发明采用对称的结构布图，因此布图的速度将更快、更容易；而且设计者能够交替绘图，且不需要技术变化。
Description
技术领域
本发明涉及一种电路，尤其是一种可采用小型器件并且与工艺变化无关的电平转移电路。
背景技术
电平转移电路是一种对不同电平的电路进行信号振幅转换的电路，常用于低电源电压电路输出的控制信号和高电源电压电路之间的通信。
目前普遍使用的电平转移电路，在输入信号电平变化的过程中，极易产生贯穿电流，在有多个相同结构的电平转换电路的情况下，将导致电路耗电量的增加。如图1所示是一种现有的电平转移电路的电路图，其结构如下：以电源VDD的电势为高电平，以源极电源VSS的电势为低电平，由输出通道OUT1和输出通道OUT2之间输出输入引脚IN在该高电平和低电平之间变化的信号，同时，向P型晶体管P2的栅极输入由输入引脚IN输入到P型晶体管P1的栅极的反向信号。P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极；P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N2的栅极，N型晶体管N2的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N1的栅极，N型晶体管N1的源极连接源极电源VSS。
当输入引脚IN的电平从低电平变为高电平时，P型晶体管P1和N型晶体管N1以及P型晶体管P2和N型晶体管N2在一瞬态期间将同时导通，在电源VDD的高电势和源极电源VSS的低电势之间产生贯穿电流，增加了瞬态电流，同时降低了电路的转换速度。
发明内容
本发明实际所要解决的技术问题是如何提供一种可采用小型器件并且与工艺变化无关的电平转移电路。本发明所述的电平转移电路中，支路电流产生电路提供的支路释放电流可以改善电路速度。
为了实现本发明的上述目的，本发明提供了一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV，P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，所述P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。
本发明所述的电平转移电路，不但可采用小型器件并且与工艺变化无关，而且可以改善电路速度；再者，本发明采用对称的结构布图，因此布图的速度将更快、更容易；而且设计者能够交替绘图，且不需要技术变化。
附图说明
图1是根据本发明的一种实施例；
图2是根据本发明的另一种实施例。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
请参考图1所示的第一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV；P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。
本实施例的工作原理为：
静态时，如果输入引脚IN为高电平（VDD），P型晶体管P1截止，输入信号通过反相器INV产生互补信号打开P型晶体管P2。而P型晶体管P2的源极连接电源VDD，则节点W2输出高电平，节点W1输出低电平。
在输入引脚IN从高电平到低电平的转换过程中，P型晶体管P1可以引导电流并拉高节点W1的电平到与电源VDD相同的电平，同时在节点W2还是高电平时P型晶体管P2被截止。因此由N型晶体管N1和N型晶体管N2构成的电流镜以及由N型晶体管N3和N型晶体管N4构成的电流镜同时起作用。因为节点W1相对电源VDD是低阻抗，任何电流镜需要的电流不会改变节点W2高电平的状态。而节点W2相对电源VDD是高阻抗，可以释放到低电平。由N型晶体管N3和N型晶体管N4构成的电流镜将从P型晶体管P1释放最大电流。当节点W2的电平到达源极电源VSS的电平时，由N型晶体管N1和N型晶体管N2构成的电流镜将会降低电流。
在输入引脚IN从低电平到高电平的转换过程中，过程正好相反。此时相对电源VDD而言，P型晶体管P1是高阻抗，而P型晶体管P2是低阻抗。节点W2为高电平，由N型晶体管N1和N型晶体管N2构成的电流镜以及由N型晶体管N3和N型晶体管N4构成的电流镜同时起作用，直到节点W1到低电平时，由N型晶体管N3和N型晶体管N4构成的电流镜关闭。
请参考图2所示意的第二种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV；P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。
型晶体管P1的漏极和P型晶体管P2的漏极之间设有N型晶体管N5和N型晶体管N6，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N5的漏极，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N6的漏极，N型晶体管N5和N型晶体管N6的栅极连接偏置电压VBIAS。
通过静态小电流源可以提高节点W1或节点W2从高电平到低电平转换的动态速度。这可以预防节点W1或节点W2在低电平时的阻抗过高并且可以保证节点W1或节点W2的电压接近源极电源VSS。这种电路结构也能在P型晶体管P1和P型晶体管P2截止状态时消除关断泄漏电流。
本发明所述的两个实施例中的输出通道OUT1与输出通道OUT2连接支路电流产生电路的输入端。所述支路电流产生电路可以为由集成电路驱动的液晶显示驱动电路提供电流，且所述支路电流产生电路提供的支路释放电流可以改善电路速度。再者，本发明所述的两个实施例中，由于结构对称，与不对称的结构相比较而言，布图的速度将更快、更容易；而且设计者能够交替绘图，且不需要技术变化。
Claims (3)
1.一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV，P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，其特征在于：所述P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。
2.如权利要求1所述的电平转移电路，其特征在于：所述P型晶体管P1的漏极和P型晶体管P2的漏极之间设有N型晶体管N5和N型晶体管N6，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N5的漏极，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N6的漏极，N型晶体管N5和N型晶体管N6的栅极连接偏置电压VBIAS。
3.如权利要求1所述的电平转移电路，其特征在于：所述输出通道OUT1与输出通道OUT2连接支路电流产生电路的输入端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100489729A CN102594333A (zh) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 电平转移电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100489729A CN102594333A (zh) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 电平转移电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102594333A true CN102594333A (zh) | 2012-07-18 |
Family
ID=46482595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012100489729A Pending CN102594333A (zh) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 电平转移电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102594333A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103117740B (zh) * | 2013-01-15 | 2016-08-31 | 电子科技大学 | 低功耗电平位移电路 |
| CN117097324A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-11-21 | 中科赛飞(广州)半导体有限公司 | 一种电平转移电路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1734942A (zh) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | 三星电子株式会社 | 具有低漏电流的电平移位器 |
| CN101494450A (zh) * | 2009-02-25 | 2009-07-29 | 苏州瀚瑞微电子有限公司 | 电平转移电路 |
-
2012
- 2012-02-29 CN CN2012100489729A patent/CN102594333A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1734942A (zh) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | 三星电子株式会社 | 具有低漏电流的电平移位器 |
| US7248075B2 (en) * | 2004-08-09 | 2007-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level shifter with low leakage current |
| CN101494450A (zh) * | 2009-02-25 | 2009-07-29 | 苏州瀚瑞微电子有限公司 | 电平转移电路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103117740B (zh) * | 2013-01-15 | 2016-08-31 | 电子科技大学 | 低功耗电平位移电路 |
| CN117097324A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-11-21 | 中科赛飞(广州)半导体有限公司 | 一种电平转移电路 |
| CN117097324B (zh) * | 2023-09-04 | 2024-05-31 | 中科赛飞(广州)半导体有限公司 | 一种电平转移电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102324922B (zh) | 低压差分信号驱动电路与数字信号传输器 | |
| CN103996367A (zh) | 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置 | |
| CN102487240A (zh) | 电压转换速率控制电路和输出电路 | |
| CN105099173A (zh) | 充电泵 | |
| CN101494450B (zh) | 电平转移电路 | |
| CN110098830A (zh) | 一种晶体管的衬底切换电路和电平转换电路 | |
| CN100530965C (zh) | 低输入电压的高效能电压电位转换电路 | |
| CN103117740B (zh) | 低功耗电平位移电路 | |
| CN203910231U (zh) | 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置 | |
| CN101594136A (zh) | N沟道功率mos管驱动芯片中电流模式电平转换电路 | |
| CN102594333A (zh) | 电平转移电路 | |
| CN104158388B (zh) | 一种高端mosfet驱动电路 | |
| CN105375916A (zh) | 一种改进的异或门逻辑单元电路 | |
| CN103208988B (zh) | 电平移位电路及进行正、负压电平移位的方法 | |
| CN103501173A (zh) | 防止反向电流传输的上拉电阻电路与输入输出端口电路 | |
| CN102545560B (zh) | 一种功率开关驱动器、ic芯片及直流-直流转换器 | |
| CN101051835B (zh) | 电压位准移位电路 | |
| CN106341118B (zh) | 电平变换器电路 | |
| CN107528581A (zh) | 电平转换电路 | |
| CN104836438B (zh) | 一种开关电路装置及驱动电路 | |
| Jeong et al. | 0.37 mW/Gb/s low power SLVS transmitter for battery powered applications | |
| US9444436B2 (en) | Fully differential level conversion circuit | |
| CN102769458A (zh) | 一种低功耗驱动电路 | |
| CN202424492U (zh) | 一种功率开关驱动器、ic芯片及直流一直流转换器 | |
| CN206878802U (zh) | 高压差电平转换电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120718 |