CN102586834A - 一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备及应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法及应用。首先是将钛片一次阳极氧化,超声清洗后进行二次阳极氧化生长出二氧化钛纳米管阵列;将上述得到的二氧化钛纳米管阵列进行低温退火;通过高压阳极化,将二氧化钛纳米管阵列从钛基底上快速剥离,得到两端通透、形貌规整的二氧化钛纳米管自支撑薄膜。本发明制备方法简单、价格低廉、环境友好,有利于大规模应用;低温退火处理能够有效保护薄膜的强度和厚度,对薄膜的应用有着非常重要的作用。本发明利用二氧化钛纳米管薄膜模仿生物体中离子通道的智能响应功能,构筑了光响应性的人工离子通道,克服了传统人工离子通道中有机材料的不稳定性和生物材料应用的局限性。
Description
技术领域
本发明属于纳米技术领域,涉及二氧化钛纳米管阵列的制备,特别涉及两端通透二氧化钛纳米管自支撑薄膜的制备及其在人工离子通道中的应用。
背景技术
生物体中的离子通道能够智能控制离子的传输,从而维持了细胞正常的物质交换、信号传递和能量交换等功能活动。受离子通道的启发,外场智能响应的人工离子通道在微纳器件、药物运输和释放、生物传感器等方面具有潜在的应用价值。其中,光响应的人工离子通道能够将光信号转换成多种可检测信号,从而实现远程、无损的原位控制,受到广泛关注。传统的光响应人工离子通道均采用光响应性分子,如偶氮苯和螺吡喃,修饰无机纳米孔以及蛋白通道来达到光响应的目的,但是,其制备方法复杂、机械强度低、稳定性差,详见参考文献【1】~【4】,参考文献【1】:1.I.Vlassiouk;C.Park;S.A.Vail;D.Gust;S.Smirnov.NanoLett.2006,6,1013-1017.参考文献【2】:N.Liu;D.R.Dunphy;P.Atanassov;S.D.Bunge;Z.Chen;G.P.López;T.J.Boyle;C.Brinker Nano Lett.2004,4,551-554.参考文献【3】:Martin Walko;Wim Meijberg;Ben L.Feringa.Science 2005,309,755-758.参考文献【4】:Matthew Banghart;Katharine Borges;Ehud Isacoff,Dirk Trauner;Richard H Kramer NatureNeuroscience 2004,7,1381-1386。
TiO2纳米管是一种光响应材料,在紫外光照射下,受光激发产生光生电子和空穴对,而且TiO2具有高的稳定性以及生物兼容性等优点。因此TiO2纳米管是制备光响应离子通道的一种理想材料。文献调研表明,目前有三种方法能够制备两端通透二氧化钛纳米管自支撑薄膜。参考文献【5】(Sergiu P.Albu;Andrei Ghicov;Jan M.Macak;Robert Hahn;Patrik Schmuki.Nano Lett.2007,7,1286-1289)中,Schmuki等通过选择性腐蚀去除钛基底,然后用HF蒸汽刻蚀纳米管底将其底部打通,但无法控制纳米管的孔径。参考文献【6】(Jia Lin;Jingfei Chen;Xianfeng Chen Nanoscale ResearchLett.2011,6,475-479)中,常压阳极氧化脱膜不能保证薄膜的开孔率且脱膜时间过长,能耗高;参考文献【7】(Shiqi LI;Gengmin ZHANG Journal of theCeramic Society ofJapan 2010,118,291-294)中,高压阳极氧化脱膜加速溶解纳米管,减小了薄膜的厚度,二氧化钛薄膜自身易碎的性质使其完整性也得不到保证,同样限制了薄膜的应用。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明旨在提出一种简单的方法来制备出通透的二氧化钛纳米管薄膜,并将其应用在光响应人工离子通道中。
本发明提供了一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法,根据应用的需要可以控制纳米管孔径的大小以及薄膜的厚度。该制备方法中首先是将清洗并干燥后的钛片在有机含氟电解液A中进行一次阳极氧化;然后依次在HCl和去离子水中超声清洗、干燥,再放入有机含氟电解液A中进行二次阳极氧化,生长出二氧化钛纳米管阵列;将其经过低温退火处理后再放入有机含氟电解液B中,通过高压阳极氧化,二氧化钛纳米管阵列从钛基底表面快速剥离,得到两端通透、形貌规整的二氧化钛纳米管自支撑薄膜。
上述制备方法中,所述有机含氟电解液通常是含氟离子的乙二醇溶液,如有机含氟电解液A为0.25g NH4F、2ml H2O和100ml乙二醇;有机含氟电解液B为0.56g NH4F、0.5ml H2O和100ml乙二醇。
一次阳极氧化和二次阳极氧化的电压为40~60V,阳极氧化时间根据具体应用情况而定,优选的,本发明中采用一次和二次阳极氧化电压60V,时间5h。
本发明采用100-300℃低温退火工艺使纳米管在高压脱膜过程中的溶解速度大大减缓,保证薄膜的厚度,这一过程同时也保护了薄膜表面形貌。
本发明中所使用的高压阳极氧化的电压至少比二次阳极氧化电压高40V,这样既保证薄膜通透,又使薄膜快速剥离,同时,薄膜脱落后钛基底能重复利用,更重要的一点是,薄膜底部开孔尺寸可通过所施加的高压来控制。
由上述内容可知,本发明制备简单,能快速获得通透的二氧化钛纳米管薄膜,而且施加不同的高压阳极氧化电压,得到底部不同开孔尺寸的二氧化钛纳米管薄膜。还有很重要的一点是,钛片阳极氧化低温退火后再经高电压脱膜使薄膜的表面形貌和厚度得到很好的保护,有利于薄膜应用于更广的领域。
本发明还提供这种通透二氧化钛纳米管薄膜在光响应人工离子通道中的应用。
传统的光响应人工离子通道采用光响应性分子修饰孔道来达到光响应目的,而这些孔道材料也表现出一些缺点,如生物材料的局限性、有机材料的不稳定性和复合材料的复杂性。本发明制备出的两端通透二氧化钛纳米管薄膜,不仅对紫外光具有自响应功能,而且还可作为离子通道中其他响应分子的模板材料,对其进一步修饰达到更好的响应性能。该薄膜制备方法简单,薄膜稳定性好,成本低廉,更是一种环境友好型材料。本发明利用二氧化钛纳米管薄膜模仿生物体中离子通道的智能响应功能,构筑了光响应性的人工离子通道,克服了传统人工离子通道中有机材料的不稳定性和生物材料应用的局限性。
附图说明
图1是实施例一制备的二氧化钛薄膜在未退火的情况下,高压脱膜后侧面的扫描电镜图片;
图2a和图2b是实施例二制备的二氧化钛薄膜在退火的情况下,高压脱膜后侧面的扫描电镜图和数码照片;
图3a~3c是实施例三制备的二氧化钛薄膜退火后,经100V、120V和140V高压脱膜后其底部的扫描电镜图片;
图4a~4c是实施例四制备的二氧化钛薄膜温度退火分别为100℃、200℃、300℃,同一高压脱膜后其底部的扫描电镜图片;
图5是实施例五对制备出的二氧化钛薄膜在紫外光照射下的离子电流-时间(i-t)测试图。
具体实施方式
下面通过实例进一步说明本发明,但是不以任何方式限制本发明的范围。
本发明提供一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法及其在光响应人工离子通道中的应用,所述的制备方法包括如下步骤:
第一步,一次阳极氧化:
将清洗并干燥后的钛片在有机含氟电解液A中阳极氧化,得到二氧化钛纳米管阵列。所述的有机含氟电解液A的组分为0.25g NH4F、2ml H2O和100ml乙二醇。阳极氧化以铂片为阴极,钛片为阳极,阳极氧化条件为20~30℃恒温水浴槽中,电压40~60V,1小时。所述的清洗是指依次用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗并吹干。
第二步,二次阳极氧化:
将经过一次阳极氧化后的钛片依次在HCl和去离子水中超声清洗、干燥,再放入原有机含氟电解液A中进行二次阳极氧化,得到二氧化钛纳米管薄膜。所述HCl浓度为0.5~2M,HCl和去离子水中清洗时间各5~10min,二次阳极氧化条件为在20~30℃恒温水浴槽中,时间5h,电压为60V。
第三步,低温退火:
将二次阳极氧化后的二氧化钛纳米管薄膜进行退火处理,低温退火工艺条件为100~300℃,低温退火保持3h。
第四步,高压阳极氧化:
将低温退火后的钛片用异丙醇清洗后再放入有机含氟电解液B中,通过高压阳极氧化,使二氧化钛纳米管薄膜从钛基底表面快速剥离,得到两端通透、形貌规整的二氧化钛纳米管自支撑薄膜。所述的有机含氟电解液B组分为0.56gNH4F、0.5ml H2O和100ml乙二醇。所述的高压阳极氧化的条件为100~140V,25~30℃恒温0.5-3min。
经过上述方法制备得到的二氧化钛纳米管薄膜的表面十分平整,管口也没有被腐蚀,而且膜的厚度达到24μm。上述的方法中可以通过控制脱膜电压,来控制薄膜底部孔径尺寸,工艺可控。
将上述得到的二氧化钛纳米管薄膜经过温度为450-500℃退火工艺处理,薄膜退火升温速率为1℃/min,保温3h,应用在光响应人工离子通道中,其对紫外光表现出响应性。
实施例一:两端通透二氧化钛自支撑薄膜的制备,具体步骤如下:
第一步,一次阳极氧化:将钛片依次用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗干净吹干,以铂片为阴极,钛片为阳极,电压40V,在有机含氟电解液A中,在20~30℃恒温水浴槽中,通过阳极氧化成长出二氧化钛纳米管薄膜。所述的有机含氟电解液A组分为0.25g NH4F、2mlH2O和100ml乙二醇。
第二步,二次阳极氧化:将经过一次阳极氧化的钛片依次在1M HCl溶液和去离子水中各超声清洗5-10min,干燥后将钛片继续放入有机含氟电解液A中,在20~30℃恒温水浴槽中阳极氧化5h,电压为60V。
第三步,高压阳极氧化:取出钛片用异丙醇清洗并吹干后放入有机含氟电解液B中,将电压快速升高到120V,25℃水浴恒温下,2min左右生长在钛片上的二氧化钛纳米管薄膜自动剥离,将薄膜放入异丙醇中清洗、干燥。所述的有机含氟电解液B的组分为0.56gNH4F、0.5ml H2O和100ml乙二醇。
剥离后的二氧化钛纳米管薄膜如图1所示,由图1可以看到薄膜的表面凸凹,管口被腐蚀,而且膜的厚度只有15μm。
实施例二:两端通透二氧化钛自支撑薄膜的制备;
本实施例中所实施的其他步骤与实施例一相同,所不同的是一次阳极氧化电压60V,在第二步和第三步之间还包括一个低温退火的步骤,具体为:钛片阳极氧化5h后,用异丙醇清洗,吹干,再经200℃低温退火保持3h,然后再进行第三步的高压阳极氧化脱膜。由图2a可以看到薄膜的表面十分平整,管口也没有被腐蚀,而且膜的厚度达到24μm;图2b是所得到的自支撑薄膜的照片,可以看出薄膜十分完整。
实施例三:两端通透二氧化钛自支撑薄膜的制备。
本实施例中所实施的其他步骤与实施例二相同,所不同的是:清洗用盐酸的浓度分别为0.5M、2M,高压阳极氧化步骤中,分别将脱膜电压突然升高到100V和140V,0.5-3min后膜自动剥离。薄膜越小,脱膜电压越大,其脱落钛片所需的时间越短,由图3a~3c可以看出随着脱膜电压增大,薄膜底部孔径尺寸越大。
实施例四:两端通透二氧化钛自支撑薄膜的制备。
本实施例中所实施的其他步骤与实施例一相同,所不同的是将钛片二次阳极氧化后分别经过100℃、300℃退火3h后再高压120V脱膜,脱模时间分别为1~2min和1min内。退火温度越高,薄膜被腐蚀的程度越小,膜的厚度能得到保证,其强度也相应较高,但是由图4a~4c可以看出温度过高影响膜底部开孔,因此本发明中优选低温退火工艺的温度为100~300℃。
实施例五:紫外光照射下,通透二氧化钛纳米管薄膜的离子电流-时间(i-t)测试。
将制备出的薄膜经过温度为450-500℃退火工艺处理,薄膜退火升温速率为1℃/min,保温3h,用环氧树脂封粘覆盖在PVC板的孔上,将PVC板安装在两个小电解槽中间,电解液为1mM KCl,电极是Ag/Agcl电极,跨膜电压0.2V,用强度为6mW/cm2的紫外光照射薄膜的大孔端(base),利用皮安计进行离子电流-时间(i-t)测试,其中大孔端的曝光和遮光交替进行,各持续时间均为25s。
由图5可以看出在紫外光照射与遮光的瞬间,电流出现突变,随后趋于平稳,整条曲线呈现稳定的阶梯状变化,本发明制备出的通透二氧化钛纳米管薄膜作为离子通道,离子电流的变化反映其对紫外光的响应性。
Claims (6)
1.一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法,其特征在于:
第一步,一次阳极氧化:
将清洗并干燥后的钛片在有机含氟电解液A中进行一次阳极氧化,得到二氧化钛纳米管阵列;所述的有机含氟电解液A的组分为0.25g NH4F、2ml H2O和100ml乙二醇;一次阳极氧化以铂片为阴极,钛片为阳极,阳极氧化条件为20~30℃恒温水浴槽中,电压40~60V,时间1小时;
第二步,二次阳极氧化:
将一次阳极氧化后的钛片依次在HCl和去离子水中超声清洗、干燥;放入有机含氟电解液A中进行二次阳极氧化,得到二氧化钛纳米管薄膜;二次阳极氧化条件为在20~30℃恒温水浴槽中,时间5h,电压为60V;
第三步,低温退火:
将二次阳极氧化后的二氧化钛纳米管薄膜进行低温退火处理,低温退火工艺条件为100~300℃低温退火保持3h;
第四步,高压阳极氧化:
将低温退火后的钛片清洗后放入有机含氟电解液B中,通过高压阳极氧化,二氧化钛纳米管阵列从钛基底表面剥离,得到两端通透、形貌规整的二氧化钛纳米管自支撑薄膜;所述的有机含氟电解液B组分为0.56gNH4F、0.5ml H2O和100ml乙二醇;高压阳极氧化电压至少大于二次阳极氧化电压40V。
2.根据权利要求1所述的一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法,其特征在于:第一步中所述的清洗是指依次用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗并吹干。
3.根据权利要求1所述的一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法,其特征在于:第二步中所述HCl浓度为0.5~2M。
4.根据权利要求1所述的一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法,其特征在于:所述的高压阳极氧化的条件为100~140V,25~30℃恒温0.5-3min。
5.根据权利要求1或4所述的一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备方法,其特征在于:第三步中的低温退火工艺为温度200℃保持3h;第四步中高压阳极氧化电压为120V。
6.一种通透二氧化钛纳米管薄膜的应用,其特征在于:将通透二氧化钛纳米管薄膜经过温度为450-500℃退火工艺处理,薄膜退火升温速率为1℃/min,保温3h,然后应用在光响应人工离子通道中,对紫外光表现出响应性。
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