CN102566844A - Ito图形显性消除工艺 - Google Patents
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Abstract
一种ITO图形显性消除工艺，其特征在于它包括如下的步骤：使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗基板，喷淋压力设置：1～1.8kg，带速：1.5～3m/min；采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式涂胶，旋涂速度：700～800转，旋涂时间：8～10S，膜厚控制在1.8～2.2um；光学膜层的材料为：有机高透明绝缘材料，其折射率为1.65～1.75；采用遂道式紫外线热板烘烤，IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100-120秒；采用平行光曝光，可控波长I线365nm，工艺参数为：曝光量：150～300mj，基板和掩膜板的间隙为：150-300um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90-110秒；固化温度为220-240℃：固化时间为：40-60分钟。
Description
技术领域：
本发明涉及一种ITO图形显性消除工艺，它属于电子触摸屏加工技术领域，特别是为了消除电容屏ITO X/Y电极图形，在反射光下图形显性明显的技术。
背景技术：
ITO即氧化铟锡是所有电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层针。由于ITO图形视角明显现象，即电容屏ITO X/Y电极图形，在反射光下图形显性明显的问题，在加工生产电子触摸屏时，需要使用ITO图形显性消除技术。对ITO图形显性消除技术方面，目前采用的方法多样化，采用光学薄膜贴附在贴合反面，解决图形显性问题，具体操作方式：将ITO Sensor即氧化铟触摸屏的锡贴合面朝上，取光学薄膜均匀涂覆在ITO Sensor非贴合面，通过光学反射效果，在视角方面，改变ITO图形明显程度，此种方式主要存在几方面问题：1)增加客户加工成本；2)贴膜过程，效率低且有一定的良率损失；3)透过率低；由于上述的原因，目前生产电子触摸屏其整体产品成本性都有所影响，同时也影响到了最终产品的质量。
发明内容：
本发明的目的是提供一种加工成本低，良率损失少，可以保证产品品质的ITO图形显性消除工艺。
本发明的目的是这样实现的：
一种ITO图形显性消除工艺，其特征在于它包括如下的步骤：
A：基板清洗
采用由氧化铟锡ITO+玻璃基板GLASS+氧化铟锡ITO+绝缘材料INS+钼铝钼膜层MOALMO构成的基板，使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗：滚刷刷洗、纯水喷淋、超声波清洗、纯水喷淋、高压喷淋、中压喷淋、纯水喷淋、末端纯水喷淋；清洗的工艺参数为：喷淋压力设置：1～1.8kg，带速：1.5～3m/min；
B：涂光学膜层
采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式进行涂胶，工艺参数为：旋涂速度：700～800转，旋涂时间：8～10S，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1.8～2.2um；光学膜层的材料为：有机高透明绝缘材料，其折射率为1.65～1.75；
C：IR烘烤
采用遂道式紫外线热板烘烤，即紫外光透掩膜板MASK使光学膜层内组成溶剂初步挥发，使光学材料表面初步硬化，工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100-120秒；
D：曝光
采用紫外光透掩膜板MASK，掩膜板图形根据客户图形要求制作，照射在基板上，曝光为平行光，可控波长I线365nm，工艺参数为：曝光量：150～300mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量：150-300um；
E：显影
首先依次通过显影喷淋段，纯水喷淋段，高压喷淋，中压喷淋，纯水喷淋，风干步骤使未曝光部分的光学材料去除，保留曝光部位光学材料；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90-110秒；
F：固化
采用固化炉进行膜层硬化处理，使光学膜层充分硬化，组成溶济充分挥发；工艺参数：固化温度为220-240℃：固化时间为：40-60分钟。
所述的ITO图形显性消除工艺各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1kg，带速：1.5m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：700转，旋涂时间：8秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1.8um，光学膜层的材料的折射率为1.65；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100秒；曝光的工艺参数为：曝光量：150mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量：150um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90秒；工艺参数：固化温度为220℃：固化时间为：40分钟。
所述的ITO图形显性消除工艺，各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1.8kg，带速：3m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：800转，旋涂时间：10秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2.2um，光学膜层的材料的折射率为1.70；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为120秒；曝光的工艺参数为：曝光量：300mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量：300um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：110秒；工艺参数：固化温度为240℃：固化时间为：60分钟。
所述的ITO图形显性消除工艺各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1.4kg，带速：2m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：750转，旋涂时间：9秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2.0um，光学膜层的材料的折射率为1.75；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：100℃，烘烤时间为110秒；曝光的工艺参数为：曝光量：220mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量：220um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：100秒；工艺参数：固化温度为230℃：固化时间为：50分钟。
本发明实现了光学材料均匀覆盖在ITO图案上，且达到消除底影的目的；本发明的贴膜过程，效率高；所生产的膜透过率高，同时克服了现有产品局限性不足，在产品外观方面有了质的飞越，大大降低了客户的开模成本，有效的提升产品质品。
具体实施方式：
实施例1：
其特征在于它包括如下的步骤：
A：基板清洗
采用由氧化铟锡ITO+玻璃基板GLASS+氧化铟锡ITO+绝缘材料INS+钼铝钼膜层MOALMO构成的基板，使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗：滚刷刷洗、纯水喷淋、超声波清洗、纯水喷淋、高压喷淋、中压喷淋、纯水喷淋、末端纯水喷淋；清洗的工艺参数为：喷淋压力设置：1kg，带速：1.5m/min；
B：涂光学膜层
采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式进行涂胶，工艺参数为：旋涂速度：700转，旋涂时间：8秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1.8um；光学膜层的材料为：有机高透明绝缘材料，其折射率为1.65；
C：IR烘烤
采用遂道式紫外线热板烘烤，即紫外光透掩膜板MASK使光学膜层内组成溶剂初步挥发，使光学材料表面初步硬化，工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100；
D：曝光
采用紫外光透掩膜板MASK，掩膜板图形根据客户图形要求制作，照射在基板上，曝光为平行光，可控波长I线365nm，工艺参数为：曝光量：150mj，基板和掩膜板的间隙，也就是GAP量：150um；
E：显影
首先依次通过显影喷淋段，纯水喷淋段，高压喷淋，中压喷淋，纯水喷淋，风干步骤使未曝光部分的光学材料去除，保留曝光部位光学材料；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90秒；
F：固化
采用固化炉进行膜层硬化处理，使光学膜层充分硬化，组成溶济充分挥发；工艺参数：固化温度为220℃：固化时间为：40分钟。
实施例2：
在本实施例中，本发明的各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1.8kg，带速：3m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：800转，旋涂时间：10秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2.2um，光学膜层的材料的折射率为1.70；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为120秒；曝光的工艺参数为：曝光量：300mj，GAP量：300um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：110秒；工艺参数：固化温度为240℃：固化时间为：60分钟。
本实施例的其它部分与实施例1完全相同。
实施例3：
在本实施例中，本发明的各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1.4kg，带速：2m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：750转，旋涂时间：9秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2.0um，光学膜层的材料的折射率为1.75；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：100℃，烘烤时间为110秒；曝光的工艺参数为：曝光量：220mj，GAP量：220um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：100秒；工艺参数：固化温度为230℃：固化时间为：50分钟。
本实施例的其它部分与实施例1完全相同。
Claims (4)
1.一种ITO图形显性消除工艺，其特征在于它包括如下的步骤：
A：基板清洗
采用由氧化铟锡ITO+玻璃基板GLASS+氧化铟锡ITO+绝缘材料INS+钼铝钼膜层MOALMO构成的基板，使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗：滚刷刷洗、纯水喷淋、超声波清洗、纯水喷淋、高压喷淋、中压喷淋、纯水喷淋、末端纯水喷淋；清洗的工艺参数为：喷淋压力设置：1～1.8kg，带速：1.5～3m/min；
B：涂光学膜层
采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式进行涂胶，工艺参数为：旋涂速度：700～800转，旋涂时间：8～10S，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1.8～2.2um；光学膜层的材料为：有机高透明绝缘材料，其折射率为1.65～1.75；
C：IR烘烤
采用遂道式紫外线热板烘烤，即紫外光透掩膜板MASK使光学膜层内组成溶剂初步挥发，使光学材料表面初步硬化，工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100-120秒；
D：曝光
采用紫外光透掩膜板MASK，掩膜板图形根据客户图形要求制作，照射在基板上，曝光为平行光，可控波长I线365nm，工艺参数为：曝光量：150～300mj，GAP量(请增加一个中文描述)：150-300um；
E：显影
首先依次通过显影喷淋段，纯水喷淋段，高压喷淋，中压喷淋，纯水喷淋，风干步骤使未曝光部分的光学材料去除，保留曝光部位光学材料；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90-110秒；
F：固化
采用固化炉进行膜层硬化处理，使光学膜层充分硬化，组成溶济充分挥发；工艺参数：固化温度为220-240℃：固化时间为：40-60分钟。
2.如权利要求1中所述的ITO图形显性消除工艺，其特征在于各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1kg，带速：1.5m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：700转，旋涂时间：8秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1.8um，光学膜层的材料的折射率为1.65；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100秒；曝光的工艺参数为：曝光量：150mj，GAP量(请增加一个中文描述)：150um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90秒；工艺参数：固化温度为220℃：固化时间为：40分钟。
3.如权利要求1中所述的ITO图形显性消除工艺，其特征在于各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1.8kg，带速：3m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：800转，旋涂时间：10秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2.2um，光学膜层的材料的折射率为1.70；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为120秒；曝光的工艺参数为：曝光量：300mj，GAP量(请增加一个中文描述)：300um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：110秒；工艺参数：固化温度为240℃：固化时间为：60分钟。
4.如权利要求1中所述的ITO图形显性消除工艺，其特征在于各步骤中采用的具体工艺参数为：基板清洗：喷淋压力设置：1.4kg，带速：2m/min；涂光学膜层的工艺参数为：旋涂速度：750转，旋涂时间：9秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2.0um，光学膜层的材料的折射率为1.75；IR烘烤的工艺参数：IR烘烤温度：100℃，烘烤时间为110秒；曝光的工艺参数为：曝光量：220mj，GAP量(请增加一个中文描述)：220um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：100秒；工艺参数：固化温度为230℃：固化时间为：50分钟。
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