CN101881926A - 玻璃基片镀sio2的掩膜体的方法 - Google Patents

玻璃基片镀sio2的掩膜体的方法 Download PDF

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Abstract

一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；具体步骤如下：在清洗后的基板上涂正性光刻胶，膜厚为1.2um～1.8um；预烘的固化温度为：80～110℃，时间为100～150分钟；曝光参数：80～150mj，母板与基板之间的间隙GAP量：100～200um；把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，显影温度设定：22～24℃，时间为：40～120秒；固化温度设定：100～120℃，时间：5～20分钟；真空溅射镀SIO2膜层镀膜室的镀膜温度控制在110～130℃；由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40-60度，时间：10-20min；最后清洗。

Description

玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法
技术领域：
本发明涉及一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，它属于玻璃镀膜工艺技术领域，特别是玻璃基片镀SIO2掩膜加工技术领域。
背景技术：
在目前的特殊用途的玻璃镀膜工艺中，特别是手机用玻璃膜和显示器用玻璃膜等需要镀SIO2膜。针对SIO2掩膜镀膜技术方面，目前制备的方法主要采用金属背板做掩膜体SIO2技术，此技术根据产品的图案要求，需设计不同的带有磁性的铜背板两块，其具体实际操作方式：将第一块磁背板平放置平台上，再将基板对位后放置于磁背板上方，然后在将第二块磁背板放置于玻璃基板上固定，这样形成背板+玻璃+背板的结构；再进行SIO2真空溅射镀膜，在基板上形成被挡的部分无SIO2层，也就是客户所需无SIO2部分；这样的掩膜方式这样的掩膜方式，SIO2膜层质密性较好，与普遍SIO2镀膜工艺一致，现以按此方法实现量化还存在几方面不足：产品局限性强、精度要求高、易于刮伤；影响产品质量，降低生产效率，在前期制样时，提高了加工方与客户开模成本。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种生产效率高，成本低且可以保证镀膜质量，产品适应性广的玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法。
本发明的目的是这样实现的：
一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.2um～1.8um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：80～110℃，时间为100～150分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：80～150mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：100～200um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：22～24℃，时间为：40～120秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：100～120℃，时间：5～20分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在110～130℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40-60度，时间：10-20min；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
所述的玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.2um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：80℃，时间为100分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：80母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：100um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：22℃，时间为：40秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：100℃，时间：5分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在110℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40℃，时间：10分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
所述的玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.8um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：110℃，时间为150分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：150mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：200um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：24℃，时间为：120秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：120℃，时间：20分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在130℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：60℃，时间：20分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
本发明生产效率高，成本低且可以保证镀膜质量，产品适应性广；采用本发明其膜的粘附性能强，无掉膜，绝缘性能可以完全满足现有产品要求。
具体实施方式：
下面结合实施例，对本发明进行进一步的说明：
实施例1：
在本实施例中所述的玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度。所述的液晶显示器用正性光刻胶为现有技术，可以直接购买使用。所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；本发明所使用的由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液也为市售产品。
所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.2um；在本实施例中采用滚涂方式进行涂胶；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，加速光刻胶内成分快速挥发，其固化温度控制在：80℃，时间为100分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：80母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：100um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：22℃，时间为：40秒，采用喷淋进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：100℃，时间：5分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在110℃；真空溅射镀膜工艺是将衬底承片台正对着靶，在靶和衬底之间充入氩气Ar，由于电场作用气体辉光放电，大量的气体离子将撞击锶SI靶材的表面，使被溅射材料以原子状态脱离靶的表面飞溅出来，淀积到衬底上形成薄膜。所述的真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜为现有技术，本发明才用的溅射镀膜工艺镀SIO2膜的具体的工艺参数与现有技术相同，仅仅是要求将镀膜室的温度控制在要求范围中。
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40℃，时间：10分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
经过上述工艺镀膜，其SIO2膜层结构可达到如下结果：通过对SIO2膜层进行耐磨性及绝缘性进行测试，1)粘附性能：使用百格法，采用3M胶带粘贴100次，无掉膜，2)绝缘性能：采用万用表测试，数值大于500M，绝缘性能满足产品要求。
实施例2：
在本实施例中，所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.8um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：110℃，时间为150分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：150mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：200um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：24℃，时间为：120秒，采用浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：120℃，时间：20分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在130℃；
H：脱膜：
采用人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：60℃，时间：20分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
本实施例的其他部分与实施例1完全相同。
实施例3：
在本实施例中，所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.5um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：95℃，时间为130分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：110mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：150um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：23℃，时间为：80秒，采用浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：110℃，时间：12分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在120℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：50℃，时间：15分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。

Claims (3)

1.一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.2um～1.8um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：80～110℃，时间为100～150分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：80～150mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：100～200um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：22～24℃，时间为：40～120秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：100～120℃，时间：5～20分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在110～130℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40-60度，时间：10-20min；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
2.如权利要求1中所述的玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.2um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：80℃，时间为100分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：80母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：100um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：22℃，时间为：40秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：100℃，时间：5分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在110℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40℃，时间：10分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
3.如权利要求1中所述的玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：
A：基板清洗：
利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；
B：涂胶：
采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.8um；
C：预烘：
将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：110℃，时间为150分钟；
D：曝光：
预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：150mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：200um；
E：显影：
把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：24℃，时间为：120秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；
F：固化：
将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：120℃，时间：20分钟；
G：真空溅射镀SIO2膜层：
采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在130℃；
H：脱膜：
采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：60℃，时间：20分钟；
K：清洗：
采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。
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Owner name: SHENZHEN LEAGUER FILM TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SHENZHEN TOLLY OPTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20110718

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Effective date of registration: 20110718

Address after: 518106, Guangdong, Baoan District, Gongming mayor Shenzhen village fourth industrial zone 19, 20

Applicant after: Shenzhen Leaguer Film Technology Co., Ltd.

Address before: 518132 Gongming District, Guangming District, Guangdong, Shenzhen, 19 Industrial Zone, Fourth Industrial Zone, three floor, A District

Applicant before: Shenzhen Tuo Li Da Photoelectric Technology Co., Ltd.

Effective date of registration: 20110718

Address after: 518106, Guangdong, Baoan District, Gongming mayor Shenzhen village fourth industrial zone 19, 20

Applicant after: Shenzhen Leaguer Film Technology Co., Ltd.

Address before: 518132 Gongming District, Guangming District, Guangdong, Shenzhen, 19 Industrial Zone, Fourth Industrial Zone, three floor, A District

Applicant before: Shenzhen Tuo Li Da Photoelectric Technology Co., Ltd.

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Owner name: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: SHENZHEN LEAGUER FILM TECHNOLOGY CO., LTD.

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Address after: 518106, Shenzhen Guangming New District Gongming office Chang Zhen community Changxin science and Technology Industrial Park 16 to three layers

Patentee after: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd.

Address before: 518106, Guangdong, Baoan District, Gongming mayor Shenzhen village fourth industrial zone 19, 20

Patentee before: Shenzhen Leaguer Film Technology Co., Ltd.

Address after: 518106, Shenzhen Guangming New District Gongming office Chang Zhen community Changxin science and Technology Industrial Park 16 to three layers

Patentee after: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd.

Address before: 518106, Guangdong, Baoan District, Gongming mayor Shenzhen village fourth industrial zone 19, 20

Patentee before: Shenzhen Leaguer Film Technology Co., Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee
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Address after: 518132 Guangdong Shenzhen Guangming New District Gongming office Chang Zhen community Changxin science and Technology Industrial Park 16 to three layers

Patentee after: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd.

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Granted publication date: 20111026

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