CN105261555A - 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法 - Google Patents

一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105261555A
CN105261555A CN201510542911.1A CN201510542911A CN105261555A CN 105261555 A CN105261555 A CN 105261555A CN 201510542911 A CN201510542911 A CN 201510542911A CN 105261555 A CN105261555 A CN 105261555A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diamond anvil
electrode
hollow out
metal mask
silicon chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510542911.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105261555B (zh
Inventor
刘静
伊福廷
李延春
张天冲
王波
张新帅
孙钢杰
王雨婷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of High Energy Physics of CAS
Original Assignee
Institute of High Energy Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of High Energy Physics of CAS filed Critical Institute of High Energy Physics of CAS
Priority to CN201510542911.1A priority Critical patent/CN105261555B/zh
Publication of CN105261555A publication Critical patent/CN105261555A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105261555B publication Critical patent/CN105261555B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02697—Forming conducting materials on a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/00373—Selective deposition, e.g. printing or microcontact printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；摘除镂空金属掩膜版。本发明利用紫外光刻技术、套刻及离子束溅射镀膜技术完成在金刚石压砧上制备金属电极，能够在金刚石直径为300微米的圆形砧面上制备10微米宽的电极结构，该方法操作简单，避开了传统工艺中在金刚石砧面上的光刻过程，过程简单，易于操作。

Description

一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法
技术领域
本发明涉及半导体微加工技术领域，尤其是一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法。
背景技术
金刚石对顶砧技术是20世纪中期开始发展的一种高压技术，可以使样品获得极高的压力。高压下电阻测试将会观察到电阻随压力的变化情况。电阻一般随压力升高而减少，然而当晶体结构或能带结构变化时，电阻有突变，所以电阻测量可以用来观察物质在高压下的晶体结构相变和电子结构相变。为了观察物质在高压下的电阻变化等电学性质，需要在金刚石对顶砧表面制备出电极结构，将电信号表征出来。由于压砧砧面小，将细小的金属线作为电极直接布局在压砧上，操作起来是非常困难的。常规的制备方法是首先在金刚石砧面上磁控溅射所需金属电极层，然后用光刻的方法制备出所需电极的光刻胶保护图形，接着湿法腐蚀去除裸露的金属电极层，最后去除光刻胶图形，在金刚石砧面上得到所需要的金属电极结构。这种方法需要在金刚石数百微米的砧面上进行光刻，由于金刚石较小，砧面更小，操作难度大，误差较大。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，以简化制作工艺，降低制作的操作难度。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：步骤1：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；步骤2：将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；步骤3：摘除镂空金属掩膜版。
上述方案中，步骤1中所述镂空金属掩膜版是一种镍金属片，由镂空区和实体区组成，镂空区是所需要的镂空的电极图形，实体区为镍金属，除图形以外的区域均属于镍金属实体区。
上述方案中，步骤1中所述的制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版，包括：步骤11：在硅片表面制备铬金种子层；步骤12：在铬金种子层表面旋图光刻胶(4620)1000转/分钟，前烘90度30分钟，厚度为25微米，紫外光刻机曝光200秒后，在浓度为千分之七点五的氢氧化钠显影液中显影5分钟，在硅片表面得到光刻胶电极图形。步骤13：将表面制备有光刻胶电极图形的硅片放入电镀槽中，在没有光刻胶保护的位置电镀一层20微米厚的镍金属；步骤14：将电镀后的硅片浸泡在浓度为10％的氢氧化钠溶液中5分钟，去除光刻胶图形；然后将硅片放入离子束刻蚀机中，刻蚀去除裸露的铬金种子层；步骤15：将硅片放入氢氧化钠的饱和溶液中，在80摄氏度下腐蚀10小时，去除硅衬底，制备得到带有电极图形结构的镂空金属掩膜版。
上述方案中，步骤2中所述将该镂空金属掩膜版与金刚石的压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石的压砧面表面，是在体式显微镜下将该镂空金属掩膜覆盖在金刚石砧面表面，将掩膜版的中心与金刚石砧面中心重合，保证掩膜版与金刚石砧面密切贴合，进而保证离子束镀膜工艺过程中电极精度要求。
上述方案中，步骤2中所述在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极，是采用离子束溅射镀膜的方法实现的。
上述方案中，步骤3中所述摘除镂空金属掩膜版，是在体式显微镜下进行的。
(三)有益效果
本发明提出的在金刚石压砧上制备金属电极的方法，是在金刚石直径为300微米的圆形砧面上制备10微米宽的电极结构，该制作方法利用紫外光刻技术、套刻及离子束溅射镀膜技术完成，这种方法操作简单，避开了传统工艺中在金刚石砧面上的光刻过程，过程简单，易于操作。
附图说明
图1是本发明提出的在金刚石压砧上制备金属电极的方法流程图。
图2是依照本发明实施例1的制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版的工艺流程图。
图3是依照本发明实施例1的在金刚石压砧上制备金属电极的工艺流程图。
图4是依照本发明实施例1的摘除镂空金属掩膜版后金刚石压砧的俯视图。
图5是镂空金属掩膜版的光学相机成像图像。
图6是利用本发明所制备的金刚石压砧上的金属电极的显微镜下成像图像。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明采用紫外光刻技术、套刻技术和离子束溅射镀膜的方法在金刚石压砧上制备金属电极，如图1所示，本发明提供的在金刚石压砧上制备金属电极的方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法具体包括以下步骤：
步骤1：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；
在本步骤中，镂空金属掩膜版是一种镍金属片，由镂空区和实体区组成，镂空区是所需要的镂空的电极图形，实体区为镍金属，除图形以外的区域均属于镍金属实体区，如图2所示，制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版的具体步骤包括：
步骤11：在硅片表面制备铬金种子层，即在硅片表面制备铬金种子层是在清洁的抛光的硅片表面用热蒸发的方法制备厚度为10纳米的铬金种子层；
步骤12：在铬金种子层表面旋图光刻胶(4620)1000转/分钟，前烘90度30分钟，厚度为25微米，紫外光刻机曝光200秒后，在浓度为千分之七点五的氢氧化钠显影液中显影5分钟，在硅片表面得到光刻胶电极图形；
步骤13：将表面制备有光刻胶电极图形的硅片放入电镀槽中，在没有光刻胶保护的位置电镀一层20微米厚的镍金属；
步骤14：将电镀后的硅片浸泡在浓度为10％的氢氧化钠溶液中5分钟，去除光刻胶图形；然后将硅片放入离子束刻蚀机中，刻蚀去除裸露的铬金种子层；
步骤15：将硅片放入氢氧化钠的饱和溶液中，在80摄氏度下腐蚀10小时，去除硅衬底，制备得到带有电极图形结构的镂空金属掩膜版。
步骤2：将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；
在本步骤中，将该镂空金属掩膜版与金刚石的压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石的压砧面表面，是在体式显微镜下将该镂空金属掩膜覆盖在金刚石砧面表面，将掩膜版的中心与金刚石砧面中心重合，保证掩膜版与金刚石砧面密切贴合，进而保证离子束镀膜工艺过程中电极精度要求。另外，在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极，是采用离子束溅射镀膜的方法实现的。
步骤3：摘除镂空金属掩膜版；
在本步骤中，摘除镂空金属掩膜版是在体式显微镜下进行的。
实施例1
参照图2至图4，下面详述本发明实施例1提供的在金刚石压砧上制备金属电极的方法。
第一步，制备镂空金属掩膜版。镂空金属掩膜版是一种镍金属片，由镂空区和实体区组成，镂空区是所需要的镂空的电极图形，实体区为镍金属，除图形以外的区域均属于镍金属实体区。其制备方法如图2所示，包括：(1)在清洁的抛光硅片表面用热蒸发的方法制备10纳米厚的铬金种子层。(2)在表面旋图光刻胶(4620)1000转/分钟，前烘90度30分钟，厚度为25微米，紫外光刻机曝光200秒后，在浓度为千分之七点五的氢氧化钠显影液中显影5分钟，在硅片表面得到光刻胶电极图形。(3)将硅片放入电镀槽中，在没有光刻胶保护的位置电镀得到20微米厚的镍金属。(4)将电镀后的硅片浸泡在浓度为百分之十的氢氧化钠溶液中5分钟，去除光刻胶图形。将硅片放入离子束刻蚀机中，刻蚀去除裸露的铬金种子层。(5)将硅片放入氢氧化钠的饱和溶液中，在80摄氏度下腐蚀10小时，制备得到带有电极结构的镂空金属掩膜版。
第二步，如图3所示，将镂空金属掩膜覆盖在金刚石砧面表面，在体式显微镜下将掩膜版的中心与金刚石砧面中心重合，保证掩膜版与金刚石砧面密切贴合，才能够保证离子束镀膜工艺过程中电极精度要求。将掩膜版用耐高温的胶固定。用离子束溅射的方法溅射所需厚度的电极材料层。
第三步，如图4所示，在体式显微镜下摘除镂空金属掩膜版。图5示出了镂空金属掩膜版的光学相机成像图像，图6示出了利用本发明所制备的金刚石压砧上的金属电极的显微镜下成像图像。
实施例2
下面详述本发明实施例2提供的在金刚石压砧上制备金属电极的方法。
步骤1，在硅片表面用热蒸发的方法制备10纳米厚的铬金种子层。
步骤2，在步骤1硅片表面旋涂法涂光刻胶(4620)1000转/分钟，前烘90度30分钟，光刻胶厚度为25微米。
步骤3，将带有电极图形的紫外光刻掩膜版覆盖在2涂有光刻胶的硅片表面，紫外光刻机曝光60秒，千分之七点五的氢氧化钠显影液显影5分钟，在硅片表面得到光刻胶电极图形。
步骤4，将步骤3表面有光刻胶图形的硅片表面电镀20微米厚的镍金属。
步骤5，将步骤4电镀后的硅片浸泡在浓度为百分之十的氢氧化钠溶液中5分钟，去除光刻胶图形。
步骤6，将步骤5将硅片放入离子束刻蚀机中，刻蚀去除裸露的铬金种子层。刻蚀工艺参数为压强2Pa，刻蚀气体Ar(7sccm)，屏栅400V，屏栅电流80mA，刻蚀时间5分钟。
步骤7，将步骤6中的硅片放入氢氧化钠的饱和溶液中，在80摄氏度下腐蚀10小时，制备得到带有电极结构的镂空金属掩膜。
步骤8，将步骤7中的镂空金属掩膜覆盖在金刚石砧面上，在体式显微镜下将掩膜版的中心与金刚石的砧面中心重合，并且保证掩膜版与金刚石的砧面密切贴合，将掩膜版用耐高温的胶固定。
步骤9，将步骤8中套刻好的带有镂空金属掩膜版的金刚石放入离子束溅射镀膜腔体内，离子束溅射200纳米厚的钼金属电极层。
步骤10，在体式操作显微镜下，将步骤9中的镂空金属掩膜版从金刚石表面摘除下来，这样就完成了金刚石压砧上的金属电极的制备。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，其特征在于，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：
步骤1：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；
步骤2：将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；
步骤3：摘除镂空金属掩膜版。
2.根据权利要求1所述的在金刚石压砧上制备金属电极的方法，其特征在于，步骤1中所述镂空金属掩膜版是一种镍金属片，由镂空区和实体区组成，镂空区是所需要的镂空的电极图形，实体区为镍金属，除图形以外的区域均属于镍金属实体区。
3.根据权利要求1所述的在金刚石压砧上制备金属电极的方法，其特征在于，步骤1中所述的制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版，包括：
步骤11：在硅片表面制备铬金种子层；
步骤12：在铬金种子层表面旋图光刻胶(4620)1000转/分钟，前烘90度30分钟，厚度为25微米，紫外光刻机曝光200秒后，在浓度为千分之七点五的氢氧化钠显影液中显影5分钟，在硅片表面得到光刻胶电极图形；
步骤13：将表面制备有光刻胶电极图形的硅片放入电镀槽中，在没有光刻胶保护的位置电镀一层20微米厚的镍金属；
步骤14：将电镀后的硅片浸泡在浓度为10％的氢氧化钠溶液中5分钟，去除光刻胶图形；然后将硅片放入离子束刻蚀机中，刻蚀去除裸露的铬金种子层；
步骤15：将硅片放入氢氧化钠的饱和溶液中，在80摄氏度下腐蚀10小时，去除硅衬底，制备得到带有电极图形结构的镂空金属掩膜版。
4.根据权利要求1所述的在金刚石压砧上制备金属电极的方法，其特征在于，步骤2中所述将该镂空金属掩膜版与金刚石的压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石的压砧面表面，是在体式显微镜下将该镂空金属掩膜覆盖在金刚石砧面表面，将掩膜版的中心与金刚石砧面中心重合，保证掩膜版与金刚石砧面密切贴合，进而保证离子束镀膜工艺过程中电极精度要求。
5.根据权利要求1所述的在金刚石压砧上制备金属电极的方法，其特征在于，步骤2中所述在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极，是采用离子束溅射镀膜的方法实现的。
6.根据权利要求1所述的在金刚石压砧上制备金属电极的方法，其特征在于，步骤3中所述摘除镂空金属掩膜版，是在体式显微镜下进行的。
CN201510542911.1A 2015-08-28 2015-08-28 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法 Active CN105261555B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510542911.1A CN105261555B (zh) 2015-08-28 2015-08-28 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510542911.1A CN105261555B (zh) 2015-08-28 2015-08-28 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105261555A true CN105261555A (zh) 2016-01-20
CN105261555B CN105261555B (zh) 2018-04-20

Family

ID=55101186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510542911.1A Active CN105261555B (zh) 2015-08-28 2015-08-28 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105261555B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105904351A (zh) * 2016-04-25 2016-08-31 珠海大象磨料磨具有限公司 一种金刚石拉绒片及其制备方法
CN109980053A (zh) * 2019-03-27 2019-07-05 深圳市思坦科技有限公司 一种电极制备方法和发光二极管
CN110095505A (zh) * 2019-03-13 2019-08-06 东北电力大学 一种过渡金属硫族化合物能隙调控的方法
CN111334761A (zh) * 2020-04-02 2020-06-26 湖州中芯半导体科技有限公司 一种制备表面覆盖金属格栅cvd钻石晶片的方法
CN112415055A (zh) * 2020-10-10 2021-02-26 牡丹江师范学院 基于金刚石对顶砧的综合原位电输运测量方法
CN112414807A (zh) * 2020-10-26 2021-02-26 中国科学院物理研究所 一种高压实验制样表征一体化组合方法
CN117512594A (zh) * 2023-11-17 2024-02-06 北京科技大学 具有并联结构界面的金刚石/金属基复合材料的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101074984A (zh) * 2007-06-22 2007-11-21 吉林大学 高压霍尔效应测量装置和测量方法
CN102288844A (zh) * 2011-05-17 2011-12-21 吉林大学 在金刚石对顶砧上集成电极的方法
CN103076501A (zh) * 2013-01-05 2013-05-01 吉林大学 金刚石对顶砧上原位介电性质的测量方法
CN103390657A (zh) * 2013-07-22 2013-11-13 中国科学院高能物理研究所 一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101074984A (zh) * 2007-06-22 2007-11-21 吉林大学 高压霍尔效应测量装置和测量方法
CN102288844A (zh) * 2011-05-17 2011-12-21 吉林大学 在金刚石对顶砧上集成电极的方法
CN103076501A (zh) * 2013-01-05 2013-05-01 吉林大学 金刚石对顶砧上原位介电性质的测量方法
CN103390657A (zh) * 2013-07-22 2013-11-13 中国科学院高能物理研究所 一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SHIGEKI MIZOBATA等: "Pressure Dependence of the Superconductivity in Strontium", 《J.PHYS.SOC.JPN.》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105904351A (zh) * 2016-04-25 2016-08-31 珠海大象磨料磨具有限公司 一种金刚石拉绒片及其制备方法
CN105904351B (zh) * 2016-04-25 2018-02-23 珠海大象磨料磨具有限公司 一种金刚石拉绒片及其制备方法
CN110095505A (zh) * 2019-03-13 2019-08-06 东北电力大学 一种过渡金属硫族化合物能隙调控的方法
CN109980053A (zh) * 2019-03-27 2019-07-05 深圳市思坦科技有限公司 一种电极制备方法和发光二极管
CN111334761A (zh) * 2020-04-02 2020-06-26 湖州中芯半导体科技有限公司 一种制备表面覆盖金属格栅cvd钻石晶片的方法
CN112415055A (zh) * 2020-10-10 2021-02-26 牡丹江师范学院 基于金刚石对顶砧的综合原位电输运测量方法
CN112415055B (zh) * 2020-10-10 2023-06-13 牡丹江师范学院 基于金刚石对顶砧的综合原位电输运测量方法
CN112414807A (zh) * 2020-10-26 2021-02-26 中国科学院物理研究所 一种高压实验制样表征一体化组合方法
CN112414807B (zh) * 2020-10-26 2022-04-08 中国科学院物理研究所 一种高压实验制样表征一体化组合方法
CN117512594A (zh) * 2023-11-17 2024-02-06 北京科技大学 具有并联结构界面的金刚石/金属基复合材料的制备方法
CN117512594B (zh) * 2023-11-17 2024-06-21 北京科技大学 具有并联结构界面的金刚石/金属基复合材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105261555B (zh) 2018-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105261555A (zh) 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法
KR100272829B1 (ko) 미소 기계 구조물의 형성 방법
CN102331593B (zh) 高占空比自支撑纳米透射光栅及其制作方法
CN101143699A (zh) 通用性薄膜材料图形化方法
CN102466967B (zh) 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法
CN109712879A (zh) 一种用于晶圆干法刻蚀工艺的金属掩膜形成方法
CN103606520A (zh) 一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法
CN101726990A (zh) 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法
CN107857236A (zh) 一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法
CN111517274A (zh) 一种曲面衬底上微纳结构图形高精度刻蚀传递方法
CN109795975A (zh) 一种金属微/纳米线阵列及其制备方法
CN110970147B (zh) 高分辨率硬x射线钨/金菲涅尔波带片及其制备方法
CN102978567A (zh) 一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法
CN102466980A (zh) 基于电子束光刻和x射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法
CN102289015A (zh) 一种制作大高宽比x射线衍射光栅的方法
CN102540297B (zh) 微米级抗反射金属光栅的制备方法
CN108100990B (zh) 一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法
CN113862770A (zh) 一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法
CN104464870A (zh) 一种高高宽比x射线透镜的制备的方法
RU2421833C2 (ru) Металлическая сеточная структура и способ ее изготовления
CN204575880U (zh) 一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体
CN208898974U (zh) 精细金属掩模的制造系统
CN100373588C (zh) 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法
CN109188577A (zh) 一种光学元件微纳阵列结构的制备方法
CN107871705B (zh) 一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant