CN102549786B - 具有补偿转换元件的发光二极管和相应的转换元件 - Google Patents
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Abstract
提出一种发光二极管，其具有发光二极管芯片(1)，其在工作时发射蓝光光谱范围中的初级辐射，以及转换元件(34)，其吸收初级辐射的一部分并且再发射次级辐射，其中：转换元件(34)包括第一发光材料(3)和第二发光材料(4)；第一发光材料(3)在吸收波长范围(Δλab)中具有随着波长增加而减小的吸收率；并且第二发光材料(4)在同一吸收波长范围(Δλab)中具有随着波长增加而增大的吸收率；初级辐射包括在所述吸收波长范围(Δλab)中的波长；并且发光二极管发射初级辐射和次级辐射发射组成的白色混合光，所述白色混合光具有至少4000K的色温。
Description
提出了一种发光二极管。此外，提出用于发光二极管的转换元件。
文献WO 2008/020913A2描述了一种用于产生暖白色混合光的转换元件。
待实现的目的是提供一种产生电磁辐射的发光二极管，所述电磁辐射的色度坐标对于发光二极管的工作电流和/或工作温度的波动是特别不敏感的。特别是该发光二极管将适合于产生冷白光。
根据发光二极管的至少一个实施形式，发光二极管包括发光二极管芯片。例如，发光二级管芯片具有由无机半导体材料制成的半导体本体。半导体本体包括设置用于产生电磁辐射的一个或多个有源区。发光二极管芯片在工作中优选发射紫外辐射和/或蓝光光谱范围中的初级辐射。这就是说，在发光二极管芯片工作时，从发光二极管芯片发射紫外辐射和/或蓝光，在此所述从发光二极管芯片发射的电磁辐射是发光二极管的初级辐射。
根据发光二极管的至少一个实施形式，发光二极管包括转换元件。转换元件设置为吸收发光二极管芯片的初级辐射的至少一部分。这就是说，在发光二极管工作时，从发光二极管芯片发射初级辐射，初级辐射的至少一部分到达转换元件，其又由转换元件部分吸收。转换元件通过吸收的初级辐射被激励，以再发射次级辐射。这就是说，当发光二极管工作时，转换元件再发射次级辐射。在此优选，次级辐射具有比初级辐射的波长大的波长。
根据发光二极管的至少一个实施形式，转换元件包括第一发光材料和第二发光材料。这就是说，转换元件不是以适于吸收和再发射电磁辐射的单个发光材料来形成，而是以两种不同的发光材料来形成。在此，转换元件也可以以多于两种发光材料形成，重要的只是转换元件至少以第一发光材料和第二发光材料来形成。
根据发光二极管的至少一个实施形式，转换元件具有吸收波长范围。在吸收波长范围中的电磁辐射由转换元件吸收。所吸收的辐射可以激励转换元件来再发射次级辐射。在此，吸收波长范围不必是发光材料可以吸收初级辐射和再发射次级辐射的整个波长范围，而可以是所述波长范围的一部分。
根据发光二极管的至少一个实施形式，转换元件的第一发光材料在吸收波长范围中具有随着波长增加而减小的吸收率。这就是说，在吸收波长范围内，第一发光材料具有较大的吸收率和较小的吸收率，其中第一发光材料在波长较大的情况下具有比所述较大的吸收率小的吸收率。例如，在吸收波长范围中，第一发光材料的吸收率随着波长增大而连续下降。
根据发光二极管的至少一个实施形式，第二发光材料在相同的吸收波长范围中具有随着波长增加而增大的吸收率。这就是说，在吸收波长范围内，第二发光材料具有较大的吸收率和较小的吸收率，其中第二发光材料在波长较小时具有比所述较大的吸收率小的吸收率。例如，在吸收波长范围中，第二发光材料的吸收率随着波长增大连续上升。
换言之，两种发光材料的吸收特性在吸收波长范围中相反。随着波长的增加，第一发光材料的吸收率减小，而第二发光材料的吸收率增大。于是，吸收波长范围至少通过符合该结论的波长范围的一部分形成。
根据发光二极管的至少一个实施形式，初级辐射包括在所述吸收波长范围中的波长。这就是说，初级辐射包括在第一和第二发光材料的吸收特性反向所处的波长范围中的波长。
根据发光二极管的至少一个实施形式，发光二极管发射由初级辐射和次级辐射组成的白色混合光。在此，混合光具有至少4000K的色温。例如，色温最高为7000K。这就是说，白色混合光是冷白光。
根据发光二极管的至少一个实施形式，发光二级光包括在发光二极管工作时发射蓝光光谱范围中的初级辐射的发光二级光芯片，初级辐射在蓝光的光谱范围中发射。此外，发光二极管包括吸收初级辐射的一部分并且再发射次级辐射转换元件。在此，转换元件包括第一发光材料和第二发光材料。在吸收波长范围中，第一发光材料包括随着波长增加而减小的吸收率，并且第二发光材料在相同的波长范围中具有随着波长增加而增大的吸收率。在此，初级辐射包括在所述吸收波长范围中的波长，并且发光二极管发射由初级辐射和次级辐射组成的白色混合光，所述白色混合光具有至少4000K的色温。
此外，提出了一种用于发光二极管的转换元件。在此描述的转换元件适合与发光二极管芯片一起使用。例如，转换元件适于在此描述的发光二极管。这就是说，所有的对于转换元件公开的特征也对于在此描述的发光二极管公开，反之亦然。
转换元件设置为吸收初级辐射并且发射次级辐射。优选，次级辐射包括比初级辐射大的波长。
根据转换元件的至少一个实施形式，转换元件包括第一发光材料和第二发光材料，其中在吸收波长范围中第一发光材料具有随着波长增加而减小的吸收率，并且在相同的吸收波长范围中第二发光材料具有随着波长增加而增大的吸收率。
根据转换元件的至少一个实施形式，第一和第二发光材料的最大发射强度的波长相差最高20nm。换言之，第一发光材料和第二发光材料具有最大发射强度的不同波长。然而，最大发射强度的波长的差在此最高为20nm。优选，差最高为10nm、特别优选最高7nm。
换言之，两种发光材料发射相同色彩的光，其中两种发光材料的发射率的最大值可以略微相对于彼此偏移。
下面的实施形式不仅涉及发光二极管，而且也涉及转换元件。
根据至少一个实施形式，从转换元件发射的次级辐射位于黄光光谱范围中。这就是说特别是，转换元件的两种发光材料发射的电磁辐射在黄光的光谱范围中，其中最大发射强度的波长如上面描述的可以彼此偏移。
根据至少一个实施形式，第二发光材料的最大发射强度的波长比第一发光材料大。这就是说，第二发光材料在比如下波长大的波长处具有其最大发射率，在所述波长处第二发光材料具有其最大发射率。
根据发光二极管的至少一个实施形式，第一发光材料基于作为发光中心的铕，并且第二发光材料基于作为发光中心的铈。优选地，基于作为发光中心的铈的第二发光材料具有如下最大发射强度的波长，所述波长稍大于基于作为发光中心的Eu的第一发光材料的最大发射强度的波长。
根据至少一个实施形式，初级辐射、就是说从发光二极管芯片发射的电磁辐射的发射强度的最大值在最低440nm和最高470nm之间、优选在445nm和460nm之间。在此，初级辐射的波长范围优选形成如下吸收波长范围，在所述吸收波长范围中，第一发光材料具有随着波长增加而减小的吸收率的并且第二发光材料具有随着波长增加而增大的吸收率。
根据发光二极管的至少一个实施形式，在吸收波长范围中，这就是说特别是在至少440nm至最高470nm的波长范围中，转换元件的吸收率下降最高35％。在此，转换元件的吸收率是转换器件的发光材料的合计吸收率。
根据发光二极管的至少一个实施形式，第一发光材料和第二发光材料基于作为发光中心的铈，其中发光材料之一的吸收波长范围通过发光材料主晶格结构的变化而相对于另一发光材料偏移。因此，在总和中得到比单发光材料宽的吸收带。示例为含镓的系统YAG:Ce和Y(Ga，Al)G:Ce。
根据发光二极管的至少一个实施形式，转换元件中的第一发光材料与转换元件中的第二发光材料的重量比在最少0.6和最高1.5之间。例如，第一发光材料与第二发光材料的如下重量比特别优选：2∶3，7∶8，1∶1，8∶7，3∶2。
借助第一发光材料与第二发光材料的这种重量比而可能的是，实现其中转换元件的吸收波长范围中的吸收率几乎恒定、这就是说例如几乎不下降的转换元件。因此，具有这样的转换元件的发光二极管对于初级辐射的波长改变特别不敏感。
根据发光二极管的至少一个实施形式，发光二极管包括至少两个发光二极管芯片，其中发光二极管的发光二极管芯片中的两个的发射强度最大值彼此相差至少5nm。这就是说，所述两个发光二极管芯片没有特别精确地预分类，而是在初级辐射的主波长中具有比较大的差。发光二极管的发光二极管芯片的下游设置有在此描述的转换元件。基于转换元件的宽而近乎均匀的吸收，尽管使用具有强烈彼此差别的主波长的发光二极管芯片，还是实现可以发射在可预设、良好限定的色度坐标范围中的白色混合光的发光二极管。尽管使用不同的发光二极管芯片，所产生的白光的色度坐标仍几乎不具有空间波动。
下面，借助实施例和相关的附图进一步阐述在此描述的发光二极管以及在此描述的转换元件。
图1、2A、2B、3A、3B、4至9的图形示图用于图解在此描述的发光二极管和转换元件。
借助图10A至10D的示意性剖视图，进一步阐述在此描述的发光二极管和转换元件的不同实施例。
相同的、同类的或同作用的元件是在附图中设有相同的附图标记。附图和附图中所示元件彼此之间的大小关系不应视为是合乎比例的。相反地，为了更好的可示出性和/或更好的理解可以夸大地示出各个元件。
发射白光的发光二极管可以由蓝色发射的发光二极管芯片1和黄色发射的转换元件34制成，对此也见图10A至10D。这就是说，发光二极管芯片1发射蓝色初级辐射，而转换元件34发射黄色次级辐射。
在此，转换元件34吸收蓝光的一部分，其然后在黄光光谱范围中再发射。透射的蓝光部分与所转换的黄光一起形成白色色觉。当蓝色发光二极管芯片1以转换元件34来包封时(对此见特别是图10B至10D)，发光二极管的结构可以保持为非常紧凑。
例如，蓝色发光二极管芯片1基于材料系GaInN。例如，可以通过铟含量在例如从大约360nm至大约600nm的宽的可见光谱范围中调节发射波长。在此，优选将440nm至470nm的光谱范围用于白色发光二极管。
在LED发光材料的情况下，特别良好适用的材料是铈掺杂的YAG(Y3Al5O12)，或者是具有Gd、Tb或Ga的确定的改型。所述铈掺杂的发光材料在蓝光谱范围中具有强吸收带并且以黄色发射，于是非常适于白色发光二极管。但是，基于作为发光中心的铕的其他以黄色发射的发光材料也证明为有利的。其例如为正硅酸盐(Ca，Sr，Ba)SiO4:Eu或氮氧化合物(Ca，Sr，Ba)Si2O2N2:Eu。
人的眼睛对于小的色差反应非常敏感。所以，在生产白色的发光装置时，尝试将色度坐标分布保持在小的带宽中。在白色发光二极管中，对于色度坐标分布起到重要贡献是从发光二极管芯片1发射的光的光谱变化。在生产过程中，发射波长的分布具有确定的宽度。同样在物流方面有利的会是可以将具有不同发射波长的发光二极管在产品中混合。
图1示出相关的光谱范围中的蓝色发光二极管芯片1的光谱系列。在此，蓝色发光二极管芯片的发射光谱延伸通过最大发射强度的波长、即至少440nm至最高470nm的主波长λD。在图1中，相对于波长λ绘出强度I。
第二光谱变化在应用发光二极管本身时出现。因此，发光二极管芯片的发射波长不仅随着工作电流I偏移，而且也随着工作温度T偏移。
对此，图2A示出在蓝色发光二极管芯片1工作时，随着工作电流I出现的光谱变化。最大发射强度的波长随着电流I增大而朝着较小波长偏移。
图2B示出当蓝色发光二极管芯片1工作时，随着工作温度T出现的光谱变化。最大发射强度的波长随着温度T增大而朝着较大波长偏移，所述光谱变宽。
蓝色发光二极管芯片1的光谱变化也影响白色发光二极管的色度坐标。所使用的发光材料的吸收特性自身也是光谱相关的。由此，吸收的蓝光或者再发射的黄光的量产生变化，其引起白色LED的白色混合光的蓝移或者黄移。
在生产中，通过如下方式尝试避免所述问题：根据发射波长将半导体预分类(所谓的binning(分类))。然而，这样的分类是费时和高成本的，而且所述分类通过不可用的发光二极管芯片造成产出损耗。对于狭窄分类的类别的需要增加，使得在这种情况下将来会形成供给不足。
此外，在发光二极管技术的范围中，可以考虑晶片层面上的工艺，其中波长分类是不可能的，因为例如具有大量发光二极管芯片的晶片将以共同的转换元件来涂层。于是，在此具有容差的工艺必须负责所需的精度。
在发光二极管应用的范围中，色度坐标变化也使问题更多。例如将脉宽调制用于亮度调节，以便避免电流密度效果引起的色度坐标偏差。色度坐标稳定的器件使回到较简单的电流驱动的激励变为可能。也可以较简单地为器件的气候保险装置定尺寸。
在图3A中详细地示出铈掺杂的第二发光材料4的吸收和发射特性。在曲线a)中绘出吸收率K与波长λ的关系。在曲线b)中绘出发射强度E与波长λ的关系。
在图3B中详细地示出Eu掺杂的第一氮氧化合物发光材料3的吸收和发射特性。在曲线a)中绘出吸收率K与波长λ的关系。在曲线b)中绘出发射强度E与波长λ的关系。
为了确定光谱，请注意以下内容：
蓝色发光二极管芯片的光谱以(Ga，In)N的发光二极管来测量。发光材料的发射光谱以粉末样品来测量。从反射测量中可以确定吸收度。将库比尔凯-芒克法(Kubelka-Munk-Methode)用于数据分析。吸收度与反映沿传播方向的衰减的库比尔凯-芒克参数K有关。
白色色度坐标在发光二极管芯片1的发射率改变情况下的变化直至确定的部分地基于蓝光本身的色彩偏移。但是，色度坐标偏移的较大部分由通过发光材料进行的吸收的光谱相关性造成。如在图3A和3B中可见，发光材料刚好在相关的蓝色光谱范围中具有吸收率的急剧上升的边沿。于是，激励的小的光谱变化强烈影响以后的色度坐标。该相关性通过发光材料的原子结构引起，并且与发射波长不同地几乎不会受影响。吸收带的小的偏移在基于YAG的发光材料中例如可以通过添加镓实现，但是在吸收率曲线的原则上的形式没有任何变化。
图4示出在相同的转换层中使用不同的发射波长时的色彩偏移。在此，图4示出在相同的转换元件配置中计算出的具有不同蓝色发射波长的发光二极管芯片1的色度坐标。曲线a)为对于第一发光材料3来计算，曲线b)为对于第二发光材料4来计算。
所通过的色空间过大，所以转换元件的分类和控制是必须的。但是，当然难以实现需要的准确性。
对于铈掺杂的石榴石发光材料4，黄色部分随着发射波长的升高而增长，同时，对于Eu掺杂的氮氧化合物、即第一发光材料3，黄色部分减小。这也从第一发光材料3的吸收带(曲线a))和第二发光材料4的吸收带(曲线b))与不同的蓝色发光二极管芯片1的发射光谱的组合中可见，见图5。
现在，在此描述的转换元件和在此描述的发光二极管的思想是使用其中分量在所使用的蓝色发光二极管芯片波长范围中具有相反的吸收特性的发光材料混合物。由此，通过适当地选择浓度比例可以设置宽的恒定的吸收带。因为两种发光材料的发射色彩位置彼此紧邻，所以几乎可以使用任意浓度，而不影响白点。
在此，存在与具有3000K色温的暖白色发光二极管的区别。在所述暖白色发光二极管中，可以使用黄色和红色的发光材料构成的发光材料混合物。然而，浓度不是可以自由选择的，因为通过比例同时也必须调节色度坐标。在此，例如选择Eu掺杂的红色发光材料的明显较小的部分，使得无法实现在此描述的吸收特性变化。
图6示出铈掺杂的第二发光材料(曲线b))和Eu掺杂的第一发光材料(曲线a))的组合。在混合物中，曲线a+b)可以对于＜460nm的波长设置几乎恒定的吸收率K。在吸收波长范围Δλab中，特别是在最低440nm和最高470nm的波长范围、即吸收波长范围Δλab中，具有第一发光材料3和第二发光材料4的转换元件34的吸收率K降低最高35％，
在图7中可以看到对于色度坐标分布的有利作用。曲线c1、c6涉及纯的发光材料。在此，可能的激励波长的仅一小部分位于示出的色域中。与使用发光材料混合物的情况不同。在此，所有使用的发射波长的色度坐标在图表中。甚至，色温可以维持在大约100K的范围中(所绘出的相同色温的贾德线(Judd’schen Geraden)具有100K的距离)。色度坐标位于Δcx＝0.005的窗内，其示出分别非常紧密的分布。曲线c2、c3、c4和c5示出第二发光材料与第一发光材料的为7∶8，1∶1，8∶7和3∶2的重量-混合比例。曲线a)是普朗克曲线。在图7中，在两个记号之间的波长距离分别为2.5nm。
随着工作电流出现的色度坐标偏移也可以通过使用发光材料混合物来明显减小。当Δcx＝0.001时，偏移几乎不能测量，因此，发光二极管的调光可以在没有附加措施的情况下实现，而并未可觉察地偏移白色混合光的色度坐标。
为了实现紧密分布，浓度在所使用的发光材料情况下在第一发光材料3的体积与第二发光材料4的体积的为1∶1的比例左右移动。第二发光材料4、例如YAG:Ce的略微过量实现在整个范围上的最小分布。如果限制蓝色波长范围，即不使用极长波和极短波的二极管，那么第一发光材料3、例如SiON:Eu的略微过量也可以实现紧密分布。
当然，浓度的说明与发光材料具有何种吸收强度有关。在所示示例中，两种发光材料在相关波长范围中具有相对于发光材料体积的相同的最大吸收强度。所以，相同的浓度达到最好的结果。但是也可以有意义的是改变发光材料的掺杂浓度。例如，较小的铈掺杂在YAG:Ce中引起改善的高温特性。同样地，通过掺杂浓度调节发光材料色彩。因此，在此做出的浓度说明与发光材料的总质量相关较小，而是与发光中心的含量相关。
图8示出在工作电流I改变时，具有第一发光材料3(曲线a))、第二发光材料4(曲线b))和第一和第二发光材料(曲线a+b))的转换元件的色度坐标偏移。
优选，在此观察的实施方案优选涉及称作“冷白色”的色彩范围，其具有普朗克色彩变化(Farbzuges)的范围中4000K和7000K之间的色温。在此，转换元件34的原色位于570nm左右的范围中，具有大约+/-5nm的变化宽度。小的色温需要较长的发射波长、较冷的白色需要较小的波长。发光二极管芯片的发射色彩应该在440nm至470nm的范围中移动，优选的是大约445nm至460nm受限范围。在此，对于较低的色温选择在较长波范围中的发光二极管。
对于选择发光材料，考虑将铈掺杂的石榴石发光材料作为第二发光材料4。典型的代表是具有例如572nm的发射波长的YAG:Ce。色彩通过铈含量来部分确定，低掺杂的发光材料朝短波移动。另一代表是具有朝短波移动的发射率和吸收率的(Lu，Y)(Ga，Al)G:Ce，以及具有朝长波移动的发射率的(Gd，Y)AlG:Ce。将钇与铽或镨(Praesodym)，而不是与铈一起使用是可能的。所提及的组分的组合是可能的。
考虑将不同类的Eu2+掺杂的发光材料用作具有比第二发光材料4小的最大发射强度的波长的第一发光材料3。可能的材料是硫代镓酸盐(Mg，Ba，Sr)Ga2S4，但是优选具有绿色的发射色彩。正硅酸盐(Ca，Mg，Ba，Sr)SiO4具有带有黄色发射的代表。优选的是类别氮氧化合物(Ba，Sr，Ca)Si2O2N2:Eu2+。这些发光材料在黄色的光谱范围中发射。对此重要的选择标准是在升高的温度(温度淬灭)下的转换效率。在150℃时，YAG:Ce0.02还具有在室温时的转换效率的90％。硫代镓酸盐和原硅酸盐为大约80％，在更高的温度下明显地更少。与此相反，在150℃时，氮氧化合物还具有其室温功率的95％，使得通过石榴石和氮氧化合物的组合可以组成在高温时也可使用的系统。
作为传统发光材料的替代物，也可以使用半导体或者半导体纳米颗粒，因为其示出随着波长减小而上升的吸收率。例如类别II/VI族化合物半导体(Zn，Mg，Cd)(S，Se)或还有(Ga，In)N示出黄色发射。
在一个实施形式中，两种不同的发光材料的发射色彩可以在黄色的光谱范围中。在第一实施形式中，尝试将两种发光材料的发射波长尽可能好的互相协调。那么哪种发光材料更多地贡献于发射是无所谓的。所述方法的缺点是由于蓝色发光二极管芯片的色度坐标偏移，不能避免红绿方向的确定的色度坐标展开。所以，所述方法可以有利地在低色温时以较高转换度来应用，因为在此所述展开减小。
在第二实施方案中提供：发射波长彼此偏移些许纳米、优选小于7nm。优选，第二发光材料超长波偏移。因此，长波发射的芯片在色度坐标中向下移动，使得可以实现色度坐标在红绿轴中的限界。
用于较准确的色度坐标控制，也可以使用三种或更多的发光材料的混合物，其中附加的发光材料也可以属于铈掺杂或Eu掺杂的发光材料。
图9示出单发光材料或者混合物(曲线a+b))的白色发光二极管的光谱变化曲线。第二发光材料的光谱(曲线b))具有大约100nm的半值宽度。
第一发光材料的光谱(曲线a))是有些窄带的(大约70-80nm)。其有利地作用于视觉上的有利效果，因为眼睛敏感度的最大值在555nm处。
发光二极管的色度坐标计算也在考虑具有完全的光谱相关性的分布、吸收率和发射率的情况下再次借助库比尔凯-芒克法进行。
图10A至10D以示意性剖面图示出在此描述的发光二极管和转换元件34的实施例。
在第一实施方案、图10A中，在混合物中使用发光材料对。另外，将用于形成转换元件43的发光材料粉末以合适的比例一起称重，并且接下来混合到基质材料2、例如硅树脂或环氧树脂或玻璃中。该转换元件43填充到LED凹处中，其中发光材料混合物的总浓度与通过壳体基体5限定的凹处的高度相协调。
在另一应用形式、图10B中，转换元件34围绕着发光二极管芯片1设置。另外，例如制造转换元件34的高浓度薄层。发光材料可以围绕发光二极管芯片1喷涂、压印、层压或沉淀。的也可以借助随后的粘贴单独地制造层。所述层可以作为混合物施加，如其在图10C中示出。
除了混合物的使用，也可以使用分层，见图10D。在此，例如将具有发光材料3、4的两个膜组合。同样可以将涂层和体积浇铸结合。发光材料的次序不发挥重要作用，因为发光材料不相互吸收。
此外，也可以将用发光材料之一制成的支承体使用于转换元件34，在所述支承体上设置其他的发光材料。例如，支承体可以由铈掺杂的YAG陶瓷组成，在所述YAG陶瓷上第二发光材料沉积或引入基质材料。
本发明不局限于借助于所述实施例的描述。相反，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，这特别是包括在权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身在权利要求中或实施例中没有明确地描述。
本专利申请要求德国专利申请102009035100.0的优先权，其公开内容在此以参引的方式并入本文。
Claims (10)
1.发光二极管，具有：
-发光二极管芯片(1)，其在工作时发射蓝光光谱范围中的初级辐射，
-转换元件(34)，其吸收所述初级辐射的一部分并且再发射次级辐射，其中
-所述转换元件(34)包括第一发光材料(3)和第二发光材料(4)，
-所述第一发光材料(3)在吸收波长范围(Δλab)中具有随着波长增加而减小的吸收率，并且所述第二发光材料(4)在同一吸收波长范围(Δλab)中具有随着波长增加而增大的吸收率，
-所述初级辐射包括在所述吸收波长范围(Δλab)中的波长，并且
-所述发光二极管发射由初级辐射和次级辐射组成的白色混合光，所述白色混合光具有至少4000K的色温，其中
所述第一发光材料(3)基于作为发光中心的铕，并且所述第二发光材料(4)基于作为发光中心的铈，以及
第一发光材料(3)与第二发光材料(4)的重量比在至少0.60和最高1.5之间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一发光材料(3)和所述第二发光材料(4)发射相同色彩的光，其中所述第一发光材料和所述第二发光材料的最大发射强度的波长互相偏移。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述第一发光材料和所述第二发光材料的最大发射强度的波长相差最高20nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述次级辐射在黄光的光谱范围中。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述第二发光材料(4)的最大发射强度的波长比所述第一发光材料(3)的最大发射强度的波长大。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述第二发光材料(4)包括(Gd，Lu，Y)(Al，Ga)G:Ce3-。
7.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述第一发光材料(3)包括(Ca，Sr，Ba)SiO4:Eu2+和/或(Ca，Sr，Ba)Si2O2N2:Eu2+。
8.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述初级辐射的发射强度的最大值(λD)在最低440nm和最高470nm之间。
9.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述转换元件的吸收率在所述吸收波长范围(Δλab)中降低最高35％。
10.根据权利要求1或2所述的发光二极管，具有两个发光二极管芯片(1)，其中所述发光二极管芯片(1)在工作时产生的电磁辐射的发射强度的最大值相差至少5nm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150715 Termination date: 20190629 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |