CN102545058A - 一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：(a)在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；(b)缓冲层上外延n型光限制层；(c)生长下波导层；(d)外延生长InaGa1-aN/GaN多量子阱作为有源区；生长最后一个InaGa1-aN量子阱后，将最后一个GaN势垒层用AlGaN层取代，所述AlGaN层为一层1~50nm厚的Al组分渐变的AlxGa1-xN，或者为至少2层Al组分逐渐增加的AlyGa1-yN层；(e)外延生长一层p型AlzGa1-zN电子阻挡层；所述步骤(d)和(e)中：0≦x≦y≦z≦1；(f)生长上波导层；(g)生长p型光限制层；(h)生长欧姆接触层。本发明的制备方法克服了最上面的GaN势垒层与AlGaN电子阻挡层界面上电子积聚的问题；可有效提高激光器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化镓基激光器外延结构及其制备方法，属于半导体技术中激光器结构设计领域。
背景技术
现有技术中，GaN基激光器(LD)和发光二极管(LED)结构中都是采用单层固定Al组分的AlxGa1-xN（通常x~0.2)作为电子阻挡层。然而，对于(0001)c极性面上生长的III-V族氮化物外延结构，传统量子阱有源区最靠近p型层的GaN势垒层(以下称为最上面的GaN势垒层)和AlGaN电子阻挡层之间会存在组分的突变，组分的突变会导致电势分布和电子能带结构的变化，产生很大的内建极化电场，在界面上产生电子积聚；而电子积聚会引起非辐射复合或者溢出有源区，也可能作为吸收区域增大激光器的光吸收，这些效应都会降低激光器的性能。
发明内容
为了克服背景技术的不足，本发明提供了一种新型氮化镓基激光器外延结构及其制作方法。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：
(a) 在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；
(b) 缓冲层上外延n型GaN/AlGaN超晶格光限制层或n型AlGaN厚层光限制层；
(c) 生长下波导层，所述下波导层为n型或不掺杂GaN下波导层，或为InGaN层，其中In组分为0~0.5；
(d) 外延生长1~10个周期的InaGa1-aN/GaN多量子阱作为有源区，InaGa1-aN量子阱厚度在1nm到10nm之间，In组分在0到1之间，GaN势垒层厚度在1nm到50nm之间；生长最后一个InaGa1-aN量子阱后，将最后一个GaN势垒层用AlGaN层取代，
所述AlGaN层为一层1~50 nm厚的Al组分渐变的AlxGa1-xN，或者为至少2层Al组分逐渐增加的AlyGa1-yN层；
(e) 外延生长一层1~50 nm厚度的p型AlzGa1-zN电子阻挡层，Al组分为0~1之间；
所述步骤(d)和(e)中：0≦x≦y≦z≦1；
(f) 生长上波导层，所述上波导层为p型或不掺杂GaN上波导层，或为InGaN层，其中In组分为0~0.5；
(g) 生长p型GaN/AlGaN超晶格光限制层或p型AlGaN厚层光限制层；
(h) 生长欧姆接触层。
上文中，步骤(e)中的AlGaN与步骤(d)中的量子阱上的AlGaN构成组分渐变的电子阻挡层。
本发明的Al组分渐变的AlGaN电子阻挡层结构并不限于c面生长的GaN基激光器；生长方法也不限于MOCVD，其它方法包括但不限于MBE（分子束外延）、HVPE（氢化物气相外延）等。
本发明所述步骤(h)之后进一步包括：采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀出激光器脊型结构；在顶层p-InxGa1-xN表面利用电子束蒸发或磁控溅射等方法沉积一层介质膜作为侧向波导层，同时充当p型接触电极与半导体之间的绝缘层；采用蒸发或磁控溅射的方法制备p型欧姆接触电极和加厚电极；将晶片减薄到60~100m，然后在GaN衬底的N面沉积欧姆接触电极；将激光器沿m面解理形成腔面，并将激光器芯片用Au/Sn焊料连接到AlN热沉上。
上述技术方案中，所述步骤(a)中的衬底使用自支撑GaN或者蓝宝石上外延的n型GaN模板作为衬底。
上述技术方案中，所述步骤(b)中光限制层为10~1000个周期的n型GaN/AlGaN超晶格或者n型AlGaN厚层作为n型光限制层，其电子浓度在1017 cm-3到1019 cm-3之间，Al的组分为0~1。
上述技术方案中，所述步骤(g)中光限制层为10~1000个周期的p型GaN/AlGaN超晶格或者p型AlGaN厚层作为p型光限制层, 其空穴浓度在1017 cm-3到1019 cm-3之间，Al的组分为0~1。
上述技术方案中，所述步骤(c)中的下波导层和(f)中的上波导层的GaN的厚度为5~1000 nm。
上述技术方案中，所述步骤(h)中的欧姆接触层使用一层1~500nm厚度的重掺 InxGa1-xN:Mg欧姆接触层，Mg掺杂浓度为1019~1021 cm-3，In组分0≤x≤1。In组分为0时表示采用GaN:Mg为欧姆接触层。
本发明同时请求保护由上述制备方法得到的氮化镓基激光器外延结构。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1．本发明开发了一种新的氮化镓基激光器外延结构的制备方法，克服了最上面的GaN势垒层与AlGaN电子阻挡层界面上电子积聚的问题；本发明形成了Al组分渐变的AlGaN电子阻挡层，可以有效减少电子积聚及其产生的不良效应，可有效提高激光器的性能。
2．本发明氮化镓基激光器外延结构减小了p-GaN势垒层与p-AlGaN电子阻挡层界面上的极化电场，减少了电子积聚，降低了非辐射复合和载流子吸收，也减少了电子向有源区外的溢出，取得了显著的效果。
3．本发明的制备方法简单易行，易于操作，具有积极的现实意义。
附图说明
图1为本发明实施例一的流程示意图；
图2为本发明实施例一中激光器外延结构剖面示意图；
图3为本发明实施例一的电子阻挡层的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述：
实施例一
参见图1~3所示，一种氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：
(a) 在n-GaN衬底上外延生长一层GaN缓冲层；
(b) 缓冲层上外延生长n-GaN/n-AlGaN超晶格n型光限制层；
(c) 生长不掺杂的GaN下波导层；
(d) 生长InGaN/GaN量子阱有源区；
(e) 生长Al组分渐变的AlxGa1-xN电子阻挡层；
(f) 生长不掺杂的GaN上波导层；
(g) 生长p-GaN/p-AlGaN超晶格p型光限制层；
(h) 生长p-GaN欧姆接触层。
所述步骤(h)之后进一步包括：采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀出激光器脊型结构；在顶层p-GaN接触层表面利用电子束蒸发或磁控溅射等方法沉积一层介质膜作为侧向波导层，同时充当p型接触电极与半导体之间的绝缘层；采用蒸发或磁控溅射的方法制备p型欧姆接触电极和加厚电极；将晶片减薄到60~100m，然后在GaN衬底的N面沉积欧姆接触电极；将激光器沿m面解理形成腔面，并将激光器芯片用Au/Sn焊料连接到AlN热沉上。
图2为本发明的激光器外延结构剖面示意图，从下到上依次为n-GaN衬底10，GaN缓冲层11，n-GaN/n-AlGaN超晶格n型光限制层12，不掺杂的GaN下波导层13，InGaN/GaN量子阱有源区14，p-AlxGa1-xN电子阻挡层15，不掺杂的GaN上波导层16，p-GaN/p-AlGaN超晶格p型光限制层17，p-GaN欧姆接触层18。
GaN缓冲层11的厚度为0~5000 nm；n型光限制层12采用10~1000个周期的n型GaN/ AlxGa1-xN超晶格，其电子浓度在在1017 cm-3到1019 cm-3之间，Al的组分为0~1；下波导层13为厚度5-1000 nm的轻掺n-GaN或不掺的GaN，也可以用InGaN材料代替，In组分为0~0.5。有源区14为1~10个周期的InxGa1-xN/GaN量子阱，InxGa1-xN量子阱厚度在1nm到10nm之间，In组分在0到1之间，GaN势垒层厚度在1nm到50nm之间。
如附图3所示，为含有2个量子阱的有源区，w1为第一个阱，b1为第一个垒，w2为第二个阱，b2为第二个垒。将最后一层势垒b2用渐变Al组分的AlGaN取代GaN，其结构包括一层2~10nm厚度的低Al组分AlxGa1-xN(x=0~1) b2-1和一层2~10 nm厚度的高Al组分AlyGa1-yN(y=0~1) b2-2；一层20~50 nm厚度的轻掺p-AlzGa1-zN层15与前面的渐变势垒层构成一个新的Al组分渐变的电子阻挡层，Al组分的关系为：0≦x≦y≦z≦1；上波导层16采用5~1000 nm厚度的轻掺p-GaN或者不掺的GaN，也可采用InGaN材料，In组分为0到0.5之间；p型光限制层17采用10~1000个周期的GaN/ AlxGa1-xN，也可采用p型AlGaN厚层光限制层代替，其空穴浓度在在1017 cm-3到1019 cm-3之间，Al的组分为0~1。欧姆接触层18使用1~500nm厚度的重掺InxGa1-xN:Mg层，Mg掺杂浓度为1019~1021 cm-3，In组分0≤x≤1，组分为0时表示采用GaN:Mg为欧姆接触层。
Claims (7)
1.一种氮化镓基激光器外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a) 在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；
(b) 缓冲层上外延n型GaN/AlGaN超晶格光限制层或n型AlGaN厚层光限制层；
(c) 生长下波导层，所述下波导层为n型或不掺杂GaN下波导层，或为InGaN层，其中In组分为0~0.5；
(d) 外延生长1~10个周期的InaGa1-aN/GaN多量子阱作为有源区，InaGa1-aN量子阱厚度在1nm到10nm之间，In组分在0到1之间，GaN势垒层厚度在1nm到50nm之间；生长最后一个InaGa1-aN量子阱后，将最后一个GaN势垒层用AlGaN层取代；
所述AlGaN层为一层1~50 nm厚的Al组分渐变的AlxGa1-xN，或者为至少2层Al组分逐渐增加的AlyGa1-yN层；
(e) 外延生长一层1~50 nm厚度的p型AlzGa1-zN电子阻挡层，Al组分为0~1之间；
所述步骤(d)和(e)中：0≦x≦y≦z≦1；
(f) 生长上波导层，所述上波导层为p型或不掺杂GaN层，或为InGaN层，其中In组分为0~0.5；
(g) 生长p型GaN/AlGaN超晶格光限制层或p型AlGaN厚层光限制层；
(h) 生长欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中的衬底使用自支撑GaN或者蓝宝石上外延的n型GaN模板作为衬底。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(b)中光限制层为10~1000个周期的n型GaN/AlGaN超晶格或者n型AlGaN厚层作为n型光限制层，其电子浓度在1017 cm-3到1019 cm-3之间，Al的组分为0~1。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(g)中光限制层为10~1000个周期的p型GaN/AlGaN超晶格或者p型AlGaN厚层作为p型光限制层, 其空穴浓度在1017 cm-3到1019 cm-3之间，Al的组分为0~1。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(c)中的下波导层和(f)中的上波导层的GaN的厚度为5~1000 nm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(h)中的欧姆接触层使用一层1~500nm厚度的重掺 InxGa1-xN:Mg欧姆接触层，Mg掺杂浓度为1019~1021 cm-3，In组分0≤x≤1。
7.由权利要求1所述的制备方法得到的氮化镓基激光器外延结构。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170628 Address after: 107, room 2, building 600, No. 21, Poplar Street, Hangzhou Economic Development Zone, Hangzhou, Zhejiang, 310026 Patentee after: Hangzhou Zhongke Aurora Technology Co., Ltd. Address before: 215123 Suzhou Industrial Park, Jiangsu Province, if the waterway No. 398, No. Patentee before: Suzhou Narui Photoelectric Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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Effective date of registration: 20180828 Address after: 310018 Hangzhou, Zhejiang economic and Technological Development Zone Baiyang street, 21 Avenue 600, 2, 110 rooms. Patentee after: Hangzhou gain Photoelectric Technology Co., Ltd. Address before: 310026 Hangzhou, Zhejiang Hangzhou Economic Development Zone, Baiyang street, 21 Avenue 600, 2, 107 rooms. Patentee before: Hangzhou Zhongke Aurora Technology Co., Ltd. |
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Effective date of registration: 20210108 Address after: 310018 room 107, building 2, No. 600, 21 Baiyang street, Hangzhou Economic and Technological Development Zone, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: HANGZHOU ZHONGKE AURORA TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 310018 Hangzhou, Zhejiang economic and Technological Development Zone Baiyang street, 21 Avenue 600, 2, 110 rooms. Patentee before: Hangzhou gain Photoelectric Technology Co.,Ltd. |