CN102543790B - 在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法 - Google Patents

在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102543790B
CN102543790B CN201110428452.6A CN201110428452A CN102543790B CN 102543790 B CN102543790 B CN 102543790B CN 201110428452 A CN201110428452 A CN 201110428452A CN 102543790 B CN102543790 B CN 102543790B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nitride film
silicon nitride
rie
silicon
wafer surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110428452.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102543790A (zh
Inventor
陆俊宇
魏青竹
钱峰
孙利国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Original Assignee
Zhongli Talesun Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhongli Talesun Solar Co Ltd filed Critical Zhongli Talesun Solar Co Ltd
Priority to CN201110428452.6A priority Critical patent/CN102543790B/zh
Publication of CN102543790A publication Critical patent/CN102543790A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102543790B publication Critical patent/CN102543790B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及一种在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其特征在于包括以下步骤：首先，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n。之后，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ。最后，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4*n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。由此，可以对RIE方式制绒表面上生长的氮化硅进行准确的测试跟监控。更为重要的是，本发明采用的方法原理简单，容易掌握，易于在实际生产过程中推广应用，解决了RIE项目推进过程中的一个难题。

Description

在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法
技术领域
本发明涉及一种测量方法，尤其涉及一种在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法。
背景技术
使用PECVD方法在晶体硅表面生长氮化硅减反层是整个晶硅太阳能电池制作流程中重要的一环，它能减少入射光的反射，极大地提高电池对光的利用。在研发生产中主要用膜厚跟折射率这两个参数来控制与评价氮化硅膜的质量。
氮化硅所生长的表面主要有以下几种状态：1.酸制绒方式的腐蚀坑状绒面。2.碱制绒方式的倒金字塔状绒面。3.RIE(Reactive Ion Etching——反应离子刻蚀)制绒方式的绒面。其中第三种RIE绒面技术是目前比较热门的技术，它能在多晶硅表面得到反射率远远低于传统制绒方式方式的绒面，是未来电池技术的发展方向。
目前业内实验室或生产中用来监控氮化硅膜厚的设备对于在腐蚀坑状绒面跟倒金字塔状绒面上生长的氮化硅膜都能进行很好的模拟测试，但是对于等离子制绒方式的绒面却不能进行准确的模拟测试。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其包括以下步骤：步骤①，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n；步骤②，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ；步骤③，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4*n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。
上述的在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其中：所述的椭偏仪为SE系列椭偏仪。
进一步地，上述的在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其中：所述的反射率测试仪器为Cary 5000，或是为D8。
本发明技术方案的优点主要体现在：可以对RIE方式制绒表面上生长的氮化硅进行准确的测试跟监控。更为重要的是，本发明采用的方法原理简单，容易掌握，易于在实际生产过程中推广应用，解决了RIE项目推进过程中的一个难题。由此空间，本发明为本领域的技术进步拓展了空间，实施效果好。
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
具体实施方式
在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其特别之处在于包括以下步骤：首先，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n。接着，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ。最后，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4*n)其中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。
就本发明一较佳的实施方式来看，为了提升整体数据的采集精确性，本发明采用的椭偏仪为SE系列椭偏仪。与之对应的是，采用的反射率测试仪器为Cary 5000，或是为D8。均是生产现场容易布置和获取的设备，这样可以减少测量难度，降低成本。
结合本发明的实际使用情况来看，为了验证测量的精确程度，采用PECVD制作了两种不同RIE方式表面的氮化硅膜，利用椭偏仪直接测试结果为样品1的厚度为66nm，样品2的厚度为70nm，折射率均为2.1。
在此期间，用肉眼根据膜的颜色判断样品1的厚度应该大于样品2，椭偏仪的测试结果有明显误差。
采用本发明提供的方法，在发射率测试仪上测出样品1最低反射率处波长为610nm，样品2最低反射率处波长为545nm，最后推算出样品1的厚度d1＝λ1/(4*n1)＝72.6nm，样品2的厚度d2＝λ2/(4*n2)＝64.9nm，跟实验现象比较吻合。
通过上述的文字表述可以看出，采用本发明后，可以对RIE方式制绒表面上生长的氮化硅进行准确的测试跟监控。更为重要的是，本发明采用的方法原理简单，容易掌握，易于在实际生产过程中推广应用，解决了RIE项目推进过程中的一个难题。

Claims (1)

1.在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其包括以下步骤：步骤①，通过椭偏仪测试使用RIE方法制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n，步骤②，测定入射光在硅片表面反射率的波长λ，步骤③，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4*n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值，特征在于：步骤②，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ，所述的椭偏仪为SE系列椭偏仪，所述的反射率测试仪器为Cary 5000，或是为D8。
CN201110428452.6A 2011-12-19 2011-12-19 在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法 Active CN102543790B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110428452.6A CN102543790B (zh) 2011-12-19 2011-12-19 在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110428452.6A CN102543790B (zh) 2011-12-19 2011-12-19 在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102543790A CN102543790A (zh) 2012-07-04
CN102543790B true CN102543790B (zh) 2015-05-13

Family

ID=46350358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110428452.6A Active CN102543790B (zh) 2011-12-19 2011-12-19 在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102543790B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107612504A (zh) * 2017-09-15 2018-01-19 常州亿晶光电科技有限公司 一种perc电池背面氮化硅膜厚的检测方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1665361A (zh) * 2004-03-03 2005-09-07 株式会社日立显示器 发光元件、发光型显示装置和照明装置
CN101846499A (zh) * 2010-05-14 2010-09-29 中国科学院上海技术物理研究所 一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11307604A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Toshiba Corp プロセスモニタ方法及びプロセス装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1665361A (zh) * 2004-03-03 2005-09-07 株式会社日立显示器 发光元件、发光型显示装置和照明装置
CN101846499A (zh) * 2010-05-14 2010-09-29 中国科学院上海技术物理研究所 一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102543790A (zh) 2012-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007117434A3 (en) Measuring a damaged structure formed on a wafer using optical metrology
WO2005081069A8 (en) Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data
CN104359924A (zh) 钢化玻璃表面应力测量方法
CN102269681A (zh) Eva中va含量的测试方法
CN102543790B (zh) 在rie方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法
CN102818980A (zh) 太阳电池硅衬底的质量检验方法
CN101299041A (zh) 一种对木藤材解剖性质快速预测的方法
CN102155931A (zh) 基于温度场有限元分析仿真的亚表面损伤检测方法
CN100452339C (zh) 硅片外延线性缺陷的测定方法
CN103487181A (zh) 便携式玻璃表面应力计
CN111266934B (zh) 一种离子束抛光单片集成Fabry-Pérot腔全彩滤光片大批量制造方法
CN102867762B (zh) 一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法
CN104280171A (zh) 玻璃表面应力测量方法
CN115219435B (zh) 一种宽光谱椭偏测量与仿真模拟相结合的偏振检测方法
CN101546129B (zh) 一种采用侧壁角监控曝光装置的方法
CN103631085A (zh) 光学邻近校正模型的校正方法
CN103487404B (zh) 一种太阳能电池减反射膜折射率的测试方法
CN101881644A (zh) 一种利用光反射进行透明溶液精确定量的方法
CN201844805U (zh) 间距测量装置
Kuo et al. Rapid optical measurement of surface texturing result of crystalline silicon wafers for high efficiency solar cells application
CN102479730B (zh) 掺杂外延层的掺杂杂质浓度的监控方法
CN105895547A (zh) 基于透过率的在线检测CdS薄膜厚度的系统
CN110987878B (zh) 基于纳米孔阵列的等离子体尺传感器、制备方法及其应用
TWI455325B (zh) 金屬-半導體-金屬（ｍｓｍ）型光檢測器可靠度測試方法
CN103308554A (zh) 一种建筑用墙体围护结构的热工内部缺陷检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 215542 No. 1 Teng Hui Road, Sha Chang Industrial Park, Jiangsu, Changshou City Province

Patentee after: Suzhou Tenghui Photovoltaic Technology Co., Ltd.

Address before: 215542 No. 1 Teng Hui Road, Sha Chang Industrial Park, Jiangsu, Changshou City Province

Patentee before: Zhongli Talesun Solar Technology Co., Ltd.