CN102534703A - 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法 - Google Patents

一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102534703A
CN102534703A CN2012100023023A CN201210002302A CN102534703A CN 102534703 A CN102534703 A CN 102534703A CN 2012100023023 A CN2012100023023 A CN 2012100023023A CN 201210002302 A CN201210002302 A CN 201210002302A CN 102534703 A CN102534703 A CN 102534703A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composite structure
nano
copper
micron
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012100023023A
Other languages
English (en)
Inventor
范爱玲
黄浪
张姗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing University of Technology
Original Assignee
Beijing University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing University of Technology filed Critical Beijing University of Technology
Priority to CN2012100023023A priority Critical patent/CN102534703A/zh
Publication of CN102534703A publication Critical patent/CN102534703A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Abstract

一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法属于金属材料制备技术领域。本发明在电沉积过程中采用脉冲电源，通电阶段电流密度为：20～28A/dm2，正占空比12％～25％，将阳极、阴极平行插入电解液中，阳极为纯铜，阴极为不锈钢；电解液的成分为硫酸铜：460～510克/升，添加剂成分为糖精：62～70克/升。在沉积过程中搅拌，搅拌速度为：60～80转/分；在50℃～58℃恒温下进行，沉积时间在30分钟～2小时，并且在电沉积过程中补充硫酸铜溶液。本发明获得了纳米/微米晶复合结构材料，解决材料强度提高而塑性降低的问题。

Description

一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法
技术领域
本发明属于金属材料制备技术领域，提供了一种纳米/微米晶复合结构金属材料的制备方法，从而提高了金属材料综合强韧性。
背景技术
金属材料的强化是长期以来材料领域的核心研究方向。目前，材料的基本强化途径主要有：应变强化、固溶强化、相变强化、晶粒细化强化和第二相弥散强化等，这些强化技术的实质是在材料中引入各种缺陷(点、线、面体缺陷)以阻碍位错运动，提高材料强度，然而这些传统强化技术均会使材料的塑性或韧性显著下降。以细晶强化技术为例，非共格晶界阻碍位错运动，因此，材料晶粒尺寸愈小晶界愈多，塑性变形愈困难，正如Hall-Petch关系所示。当晶粒尺寸细化至100nm以下时，强度和硬度显著提高，而塑性严重降低。如何提高金属材料的强度而不损失其良好的塑性是材料领域长期以来亟待解决的重大难题。
本发明提供了一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法。在制备过程中通过改变工艺参数来调控晶粒形核率和长大速率，同时获得纳米/微米晶复合结构。材料中的纳米晶保证其较高的强度，而微米晶的存在则利于塑性提高。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法。纳米/微米晶复合结构纯铜的金相观察结果如图1所示(实例3的观察结果)。
本发明提供了一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法。其特征在于：采用脉冲电源，通电阶段电流密度为：20～28A/dm2，正占空比为：12％～25％，将阳极、阴极平行插入电解液中，阳极为纯铜，阴极为不锈钢；电解液的成分为硫酸铜：460～510克/升，添加剂的成分为糖精：62～70克/升。在沉积过程中搅拌，搅拌速度为：60～80转/分；在50℃～58℃恒温下进行，并且在电沉积过程中补充硫酸铜溶液。
本发明的优点在于：工艺简单，获得了纳米/微米晶复合结构材料，解决材料强度提高而塑性降低的问题。强度可以达到600MPa，而塑性可以达到16％。
附图说明
图1纳米/微米晶复合结构纯铜的金相图。
具体实施方式
实例1：具体实施条件如表1所示。
表1具体实施条件和结果
实例2：具体实施条件如表2所示。
表2具体实施条件和结果
Figure BDA0000128952510000022
实例3：具体实施条件如表3所示。
表3具体实施条件和结果
Figure BDA0000128952510000023

Claims (2)

1.一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法；其特征在于：采用脉冲电源，通电阶段电流密度为：20～28A/dm2，正占空比为：12％～25％，将阳极、阴极平行插入电解液中，阳极为纯铜，阴极为不锈钢；电解液的成分为硫酸铜：460～510克/升，添加剂成分为糖精：62～70克/升；电沉积在50℃～58℃恒温下进行，沉积时间在30分钟～2小时，并且在沉积过程中补充硫酸铜溶液。
2.根据权利要求1所述的一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法，其特征在于：电沉积过程中搅拌速度为：60～80转/分。
CN2012100023023A 2012-01-05 2012-01-05 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法 Pending CN102534703A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012100023023A CN102534703A (zh) 2012-01-05 2012-01-05 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012100023023A CN102534703A (zh) 2012-01-05 2012-01-05 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102534703A true CN102534703A (zh) 2012-07-04

Family

ID=46342689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012100023023A Pending CN102534703A (zh) 2012-01-05 2012-01-05 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102534703A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109023447A (zh) * 2018-08-27 2018-12-18 江苏澳光电子有限公司 一种高强度高韧性层状纳米结构铜的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040042A1 (fr) * 2002-11-01 2004-05-13 Institute Of Metal Research Chinese Academy Of Sciences Matiere de cuivre a nanocristaux dotee d'une resistance et d'une conductivite tres elevees et son procede de fabrication
CN1498987A (zh) * 2002-11-01 2004-05-26 中国科学院金属研究所 一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法
CN1757784A (zh) * 2005-10-28 2006-04-12 福州大学 纳米晶－微米晶层状复合材料及其制备方法
CN101122036A (zh) * 2007-09-12 2008-02-13 福州大学 一种高强度高塑性纳米镍及其镀液和制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040042A1 (fr) * 2002-11-01 2004-05-13 Institute Of Metal Research Chinese Academy Of Sciences Matiere de cuivre a nanocristaux dotee d'une resistance et d'une conductivite tres elevees et son procede de fabrication
CN1498987A (zh) * 2002-11-01 2004-05-26 中国科学院金属研究所 一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法
CN1757784A (zh) * 2005-10-28 2006-04-12 福州大学 纳米晶－微米晶层状复合材料及其制备方法
CN101122036A (zh) * 2007-09-12 2008-02-13 福州大学 一种高强度高塑性纳米镍及其镀液和制备方法

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《中国科学院院刊》 20040831 卢柯 "纳米孪晶纯铜的强度和导电性研究" 第352页右栏倒数第2段-第353页左栏第2段 1-2 第19卷, 第5期 *
《物理》 20050531 申勇峰等 "纳米孪晶纯铜的强度和导电性" 第345页左栏第2段到右栏倒数第2段 1-2 , 第5期 *
《腐蚀与防护》 20050331 王双民 "脉冲电镀对铜层空隙率的改善" 第123页 1-2 第26卷, 第3期 *
《金属学报》 20060930 郭金宇等 "亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响" 第903-908页 1-2 第42卷, 第9期 *
刘勇等: "脉冲电镀的研究现状", 《电镀与精饰》, vol. 27, no. 5, 30 September 2005 (2005-09-30), pages 25 - 29 *
卢柯: ""纳米孪晶纯铜的强度和导电性研究"", 《中国科学院院刊》, vol. 19, no. 5, 31 August 2004 (2004-08-31) *
王双民: ""脉冲电镀对铜层空隙率的改善"", 《腐蚀与防护》, vol. 26, no. 3, 31 March 2005 (2005-03-31), pages 123 *
申勇峰等: ""纳米孪晶纯铜的强度和导电性"", 《物理》, no. 5, 31 May 2005 (2005-05-31) *
郭金宇等: ""亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响"", 《金属学报》, vol. 42, no. 9, 30 September 2006 (2006-09-30), pages 903 - 908 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109023447A (zh) * 2018-08-27 2018-12-18 江苏澳光电子有限公司 一种高强度高韧性层状纳米结构铜的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ma et al. Electrodeposition and characterization of Co-W alloy from regenerated tungsten salt
CN101665951B (zh) 脉冲电沉积制备Ni-W-Fe-La纳米晶析氢电极材料工艺
Yang et al. Preparation of Ni-Co alloy foils by electrodeposition
CN109778250B (zh) 一种通过控制电沉积条件制备磁性金属纳米管的方法
CN101942678B (zh) 一种高纯活性锌粉的制备方法
CN102773434A (zh) 一种纳米复合电镀层连铸结晶器铜板及其制备工艺
CN104032339A (zh) 一种控制电沉积镍钨合金涂层结构的方法
CN101974770A (zh) 一种电沉积铱层的水溶液及其在该溶液中电沉积制备铱层的方法
CN102154583A (zh) 一种制备高硅硅钢的方法
CN104862748A (zh) 一种晶粒尺度梯度金属镍及其可控制备方法
Yang et al. Synthesis and characterization of Ni-Co electrocatalyst for hydrogen evolution reaction in acidic media
CN105951132B (zh) 一种亚微米尺度双峰超细晶镍材料的电化学沉积制备方法
CN108866586B (zh) 一种三价铬体系电沉积铬铁合金的电镀液及其制备方法
CN102115898A (zh) 一种电沉积制备大体积纳米镍铁合金晶体的方法
CN109468669A (zh) 一种在闭孔泡沫铝表面沉积Ni-Mo复合镀层的方法
CN102534703A (zh) 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法
CN102312257A (zh) 一种脉冲电沉积制备纳米晶镍-铁-钴三元合金的方法
CN101892507B (zh) 一种提高钛合金微弧氧化膜生长速度的方法
CN101586250B (zh) 一种复合涂层及其制备方法和应用
CN114293232B (zh) 一种电铸制备钨弥散强化铜复合材料的方法
CN110184631B (zh) 一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺
CN109252196B (zh) 一种制备MnCo2O4微纳米纤维的方法
CN109137013A (zh) 一种电解铜箔表面电沉积zn-ni-p-la合金工艺
CN203269800U (zh) 表面镀有钴的碳化钨结构及其制备系统
CN108360028B (zh) 一种利用双脉冲制备Ni/ZrO2二元梯度功能材料的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120704