CN102499878B

CN102499878B - 袖珍式超声波穴位按摩仪及其操作电路

Info

Publication number: CN102499878B
Application number: CN 201110347561
Authority: CN
Inventors: 屈百达
Original assignee: Jiangnan University
Current assignee: Xiamen Mydo Sports Equipment Co., Ltd
Priority date: 2011-11-07
Filing date: 2011-11-07
Publication date: 2013-10-30
Anticipated expiration: 2031-11-07
Also published as: CN102499878A

Abstract

一种穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置——袖珍式超声波穴位按摩仪。它主要由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源及其控制操作电路构成。振子结构装配在机壳操作面板结构一端；机壳操作面板结构装配三组配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯、模式挡级指示灯的功能开关操作按键和配有电源指示灯的电源开关按键；超声波电源控制操作电路主要包括模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路。模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路分别通过模式控制开关接点、频率控制开关接点和功率控制开关接点与相应的控制功能开关操作按键构成操作连接，电源开关操作电路通过电源开关接点与电源开关按键构成操作连接。

Description

袖珍式超声波穴位按摩仪及其操作电路

技术领域

本发明涉及一种的用于穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置及其操作电路。

背景技术

中医常用的器械——针灸无非是通过其对有关穴位的机械、物理刺激，而产生治疗、保健作用，而超声波会以同样的刺激产生更高效的治疗、保健作用，这已被大量医学理论与临床实践所证明。加之超声波有比针灸更多的优越性，如无进针的刺痛、无出血、无灼伤等，就更加受到专业和日常医治、理疗、康复和保健应用的青睐。然而，现有的超声波理疗、康复和保健的超声波装置几乎均为医院内的固定设备，或者是比较笨重、配置复杂的组合设备，不仅使用、维护困难，而且需要专业人员操作，医治、理疗、康复和保健的接受者也要受到体位及其活动限制。然而，这类设备或器械以其广泛应用功能，如低功率的机械波、安全无副作用的超声波频率等，非常适用于包括保健需求的各种人群，以致提出家庭、随身、随时、随地应用的需求。这就产生了广泛需求与专用设备的矛盾。解决这个矛盾的方法就是研发一种便携式、易操作、适用于各种人群的广泛应用型医治、理疗、康复和保健的超声波装置。

发明内容

为解决广泛需求与专用设备的矛盾本发明提供一种穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置——袖珍式超声波穴位按摩仪。它主要由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源及其控制操作电路构成。振子结构装配在机壳操作面板结构一端；机壳操作面板结构装配三组配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯、模式挡级指示灯的功能开关操作按键和配有电源指示灯的电源开关按键；超声波电源控制操作电路主要包括模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路。功率挡级功能开关操作按键、频率挡级功能开关操作按键和模式挡级功能开关操作按键分别通过功率控制开关接点、频率控制开关接点和模式控制开关接点与模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路构成操作连接。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

装置由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路及其操作构成。振子结构装配在机壳操作面板结构的左端。按使用需要装置配有小面按摩振子大面按摩振子。

在机壳操作面板结构的正面，从左至右依次装配三组薄膜型控制功能开关操作按键和电源开关按键。在机壳操作面板结构的正面右端的电源开关按键上部，配有电源指示灯；在机壳操作面板结构的正面中右端的控制功能开关操作按键上部，对应各个功能，配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯和模式挡级指示灯。

超声波电源及其控制操作电路主要由主电路和电源开关操作电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路、功率控制操作电路构成。模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路分别通过模式控制开关接点、频率控制开关接点和功率控制开关接点与相应的控制功能开关操作按键构成操作连接，电源开关操作电路通过电源开关接点与电源开关按键构成操作连接。模式控制操作电路通过脉冲控制信号接线端和公共接地端与主电路连接，频率控制操作电路通过低频率控制信号接线端、中频率控制信号接线端、高频率控制信号接线端和公共接地端与主电路连接，功率控制操作电路通过斩波控制信号接线端和公共接地端与主电路连接；电源开关操作电路通过工作电源正极接线端和公共接地端连接到各个电路。

模式控制操作电路主要由CMOS型模式控制四D触发器芯片、CMOS型脉冲发生555定时器芯片及其外围器件构成；频率控制操作电路主要由CMOS型频率控制四D触发器芯片及其外围器件构成；功率控制操作电路主要由CMOS型功率控制四D触发器芯片、CMOS型占空比产生555定时器芯片及其外围器件构成；电源开关操作电路主要由P沟道增强型电源开关MOSFET器件、电源开关接点、电池及其外围器件构成。

本发明的有益效果是：是一种便携式、易操作、适用于各种人群的广泛应用型医治、理疗、康复和保健的超声波装置。便于任何非专业使用者自行使用、操作，安全、可靠、无副作用；机体及电路结构简单，易于批量生产；系统的纯硬件构成使得维护、维修简便易行。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明实施例-袖珍式超声波穴位按摩仪的结构外观正面示意图。

图2是袖珍式超声波穴位按摩仪的小面按摩振子结构剖视图。

图3是袖珍式超声波穴位按摩仪的大面按摩振子结构剖视图。

图4是袖珍式超声波穴位按摩仪的模式控制操作电路结构图。

图5是袖珍式超声波穴位按摩仪的频率控制操作电路结构图。

图6是袖珍式超声波穴位按摩仪的功率控制操作电路结构图。

图7是袖珍式超声波穴位按摩仪的电源开关操作电路结构图。

在图1～6中：1.振子结构，2.机壳操作面板结构，3.控制功能开关操作按键，4.电源开关按键，5.电源指示灯，6.功率挡级指示灯，7.频率挡级指示灯，8.模式挡级指示灯。

在图2、3中：1.1.换能器-变幅杆结构，1.2.压电转换膜片，1.3.膜片引线，1.4.外摩触接点，1.5.内摩触接点，1.6.安装螺纹，1.7.基壳体，1.8.换能器-基座结构，1.9.护套。

在图4～7中：E为工作电源正极接线端，R_DM为模式操作与门上拉电阻，D_Ma为模式操作与门第一二极管，D_Mb为模式操作与门第二二极管，U₁为模式控制四D触发器芯片；R_M为模式操作恢复电阻，C_M为模式操作恢复电容，K_M为模式控制开关接点；D_M1为短脉冲指示LED器件，D_M2为中脉冲指示LED器件，D_M3为长脉冲指示LED器件，R_M1为短脉冲延时电阻，R_M2为中脉冲延时电阻，R_M3为长脉冲延时电阻，R_MC为脉冲间歇延时电阻，C_M1为脉冲延时电容，U₂为脉冲发生555定时器芯片，C_M2为模式控制滤波电容，R_ML为脉冲控制信号负载电阻，M为脉冲控制信号接线端。

在图5、中：R_DF为频率操作与门上拉电阻，R_DF1为低频率指示LED限流电阻，R_DF2为中频率指示LED限流电阻，R_DF3为高频率冲指示LED限流电阻，D_F1为低频率指示LED器件，D_F2为中频率指示LED器件，D_F3为高频率指示LED器件，D_Fa为频率操作与门第一二极管，D_Fb为频率操作与门第二二极管，U₃为频率控制四D触发器芯片；R_F为频率操作恢复电阻，C_F为频率操作恢复电容，K_F为频率控制开关接点；F₁为低频率控制信号接线端，F₂为中频率控制信号接线端，F₃为高频率控制信号接线端。

在图6、中：R_DP为功率操作与门上拉电阻，D_Pa为功率操作与门第一二极管，D_Pb为功率操作与门第二二极管，U₄为功率控制四D触发器芯片；R_P为功率操作恢复电阻，C_P为功率操作恢复电容，K_P为功率控制开关接点；D_P1为弱功率指示LED器件，D_P2为中功率指示LED器件，D_P3为强功率指示LED器件，R_P1为低占空比延时电阻，R_P2为中占空比延时电阻，R_P3为高占空比延时电阻，R_PC为间歇占空延时电阻，C_P1为占空比控制延时电容，U₅为占空比产生555定时器芯片，C_P2为功率控制滤波电容，R_PL为斩波控制信号负载电阻，P为斩波控制信号接线端。

在图7中：R_F1为电源指示LED限流电阻，V_D为电源指示灯LED器件，R_E2为电容限流电阻，C_E为记忆电容，K为电源开关接点，R_b为偏流电阻，Q_K为电源开关MOSFET器件，R_c为分压电阻，T为开关晶体管，R_g为栅极分压电阻，B_at为电池，S_oc为充电插口。

具体实施方式

在图1所示的本发明实施例-袖珍式超声波穴位按摩仪的结构外观正面示意图中：振子结构1装配在机壳操作面板结构2的左端。在机壳操作面板结构2的正面，从左至右依次装配三组薄膜型控制功能开关操作按键3和电源开关按键4。在机壳操作面板结构2的正面右端的电源开关按键4上部，配有电源指示灯5；在机壳操作面板结构2的正面中右端的控制功能开关操作按键3上部，对应各个功能，配有功率挡级指示灯6、频率挡级指示灯7和模式挡级指示灯8。

在图1所示的本发明实施例-袖珍式超声波穴位按摩仪结构外观正面示意图和图2、3所示的袖珍式超声波穴位按摩仪按摩振子结构剖视图中：振子结构1主要由换能器-变幅杆结构1.1、压电转换膜片1.2、膜片引线1.3、外摩触接点1.4、内摩触接点1.5、安装螺纹1.6、基壳体1.7、换能器-基座结构1.8和护套1.9构成。

在图2、3所示的袖珍式超声波穴位按摩仪按摩振子结构剖视图中：换能器-变幅杆结构1.1为由钛合金材料制成的双曲线侧面圆锥柱形体，其尖端为超声波作用面，尾座端为超声波发生面；压电转换膜片1.2为以压电陶瓷材料为核心的膜片形压电转换器件，两根膜片引线1.3为其电能输入引线；外摩触接点1.4和内摩触接点1.5分别为经表面耐摩处理的磷铜材料制成的圆盘环形和圆盘形电接触体，接触面向后；安装螺纹1.6为表面经止退防滑处理的标准结构；基壳体1.7为由热固性绝缘处理制成的圆柱形壳套体；换能器-基座结构1.8为经压铸处理的不锈钢材料制成的圆柱体，各表面经硬化处理，后端部制成椭球面；护套1.9为由柔性弹力材料制成的套膜体。换能器-变幅杆结构1.1与换能器-基座结构1.8同轴前后配合，两部件夹层中部双面紧密刚性粘贴压电转换膜片1.2，外围封以非刚性粘合剂。压电转换膜片1.2通过穿越基壳体1.7引线孔道的两根膜片引线1.3，连接到外摩触接点1.4和内摩触接点1.5分别连接。基壳体1.7侧面中后部制有安装螺纹1.6，内窝壁面中后部与换能器-基座结构1.8的侧、后面刚性粘贴，内窝壁面前部与换能器-变幅杆结构1.1的侧面后段非刚性粘贴；基壳体1.7后端面中心紧贴内摩触接点1.5，内摩触接点1.5外环紧贴外摩触接点1.4。换能器-变幅杆结构1.1外套护套1.9，护套1.9的后端与基壳体1.7的前端面粘合。

在图2所示的袖珍式超声波穴位按摩仪小面按摩振子结构剖视图中：小面按摩振子为以压电转换膜片1.2和换能器-变幅杆结构1.1配合而构成主体的低频固有谐振频率超声波换能器件。

在图3所示的袖珍式超声波穴位按摩仪大面按摩振子结构剖视图中：大面按摩振子为以压电转换膜片1.2和换能器-变幅杆结构1.1配合而构成主体的高频固有谐振频率超声波换能器件。

在图4所示的袖珍式超声波穴位按摩仪模式控制操作电路结构图中：

模式控制操作电路主要由CMOS型模式控制四D触发器芯片U₁、CMOS型脉冲发生555定时器芯片U₂及其外围器件构成。

模式操作与门上拉电阻R_DM的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与模式控制四D触发器芯片U₁的4脚连接；模式操作与门第一二极管D_Ma的阳极和模式操作与门第二二极管D_Mb的阳极均与模式控制四D触发器芯片U₁的4脚连接，模式操作与门第一二极管D_Ma的阴极和模式操作与门第二二极管D_Mb的阴极分别与模式控制四D触发器芯片U₁的2脚和6脚连接。模式操作恢复电阻R_M的一端接地，模式操作恢复电阻R_M的另一端与模式操作恢复电容C_M的负极端连接，模式操作恢复电阻R_M与模式操作恢复电容C_M的连接点连接到模式控制四D触发器芯片U₁的9脚；模式操作恢复电容C_M的正极端连接到工作电源正极接线端E；模式控制开关接点K_M的两端跨接在模式操作恢复电容C_M的正、负极之间。模式控制四D触发器芯片U₁的3脚与5脚连接，模式控制四D触发器芯片U₁的7脚与12脚连接，模式控制四D触发器芯片U₁的8脚接地，模式控制四D触发器芯片U₁的3脚、7脚和10脚分别连接到短脉冲指示LED器件D_M1的阳极端、中脉冲指示LED器件D_M2的阳极端和长短脉冲指示LED器件D_M3的阳极端，模式控制四D触发器芯片U₁的16脚连接到工作电源正极接线端E，模式控制四D触发器芯片U₁的其余脚悬空。短脉冲指示LED器件D_M1的阴极端、中脉冲指示LED器件D_M2的阴极端和长短脉冲指示LED器件D_M3的阴极端分别与短脉冲延时电阻R_M1的一端、中脉冲延时电阻R_M2的一端和长脉冲延时电阻R_M3的一端连接，短脉冲延时电阻R_M1的另一端、中脉冲延时电阻R_M2的另一端和长脉冲延时电阻R_M3的另一端均与脉冲间歇延时电阻R_MC的一端连接，该连接点连接到脉冲发生555定时器芯片U₂的7脚。脉冲间歇延时电阻R_MC的另一端与脉冲延时电容C_M1的正极端连接，该连接点连接到脉冲发生555定时器芯片U₂的2脚；脉冲延时电容C_M1的负极端接地。脉冲发生555定时器芯片U₂的2脚与6脚连接，脉冲发生555定时器芯片U₂的1脚接地，脉冲发生555定时器芯片U₂的5脚通过模式控制滤波电容C_M2接地，脉冲发生555定时器芯片U₂的4脚、8脚均连接到工作电源正极接线端E，脉冲发生555定时器芯片U₂的3脚通过脉冲控制信号负载电阻R_ML连接到工作电源正极接线端E，脉冲发生555定时器芯片U₂的3脚连接到脉冲控制信号接线端M。

在图5所示的袖珍式超声波穴位按摩仪频率控制操作电路结构图中：

频率控制操作电路主要由CMOS型频率控制四D触发器芯片U₃及其外围器件构成。

低频率指示LED限流电阻R_DF1的一端与低频率指示LED器件D_F1的阳极端连接，低频率指示LED限流电阻R_DF1的另一端连接到工作电源正极接线端E；中频率指示LED限流电阻R_DF2的一端与中频率指示LED器件D_F2的阳极端连接，中频率指示LED限流电阻R_DF2的另一端连接到工作电源正极接线端E；高频率冲指示LED限流电阻R_DF3的一端与高频率指示LED器件D_F3的阳极端连接，高频率冲指示LED限流电阻R_DF3的另一端连接到工作电源正极接线端E。低频率指示LED器件D_F1的阴极、中频率指示LED器件D_F2的阴极和高频率指示LED器件D_F3的阴极分别连接到频率控制四D触发器芯片U₃的2脚、6脚和11脚。频率操作与门第一二极管D_Fa的阳极和频率操作与门第二二极管D_Fb的阳极均与频率控制四D触发器芯片U₃的4脚连接，频率操作与门第一二极管D_Fa的阴极和频率操作与门第二二极管D_Fb的阴极分别与频率控制四D触发器芯片U₃的2脚和6脚连接。频率控制四D触发器芯片U₃的3脚与5脚连接，频率控制四D触发器芯片U₃的7脚与12脚连接，频率控制四D触发器芯片U₃的8脚接地，频率控制四D触发器芯片U₃的2脚、6脚和11脚分别连接到低频率控制信号接线端F₁、中频率控制信号接线端F₂和高频率控制信号接线端F₃，频率控制四D触发器芯片U₃的16脚连接到工作电源正极接线端E，频率控制四D触发器芯片U₃的其余脚悬空。频率操作恢复电阻R_F的一端接地，频率操作恢复电阻R_F的另一端与频率操作恢复电容C_F的负极端连接，频率操作恢复电阻R_F与频率操作恢复电容C_F的连接点连接到频率控制四D触发器芯片U₃的9脚；频率操作恢复电容C_F的正极端连接到工作电源正极接线端E；频率控制开关接点K_F的两端跨接在频率操作恢复电容C_F的正、负极之间。

在图6所示的袖珍式超声波穴位按摩仪功率控制操作电路结构图中：

功率控制操作电路主要由CMOS型功率控制四D触发器芯片U₄、CMOS型占空比产生555定时器芯片U₅及其外围器件构成。

功率操作与门上拉电阻R_DP的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与功率控制四D触发器芯片U₄的4脚连接；功率操作与门第一二极管D_Pa的阳极和功率操作与门第二二极管D_Pb的阳极均与功率控制四D触发器芯片U₄的4脚连接，功率操作与门第一二极管D_Pa的阴极和功率操作与门第二二极管D_Pb的阴极分别与功率控制四D触发器芯片U₄的2脚和6脚连接。端功率操作恢复电阻R_P的一端接地，功率操作恢复电阻R_P的另一端与功率操作恢复电容C_P的负极端连接，功率操作恢复电阻R_P与功率操作恢复电容C_P的连接点连接到功率控制四D触发器芯片U₄的9脚；功率操作恢复电容C_P的正极端连接到工作电源正极接线端E；功率控制开关接点K_P的两端跨接在功率操作恢复电容C_P的正、负极之间。功率控制四D触发器芯片U₄的3脚与5脚连接，功率控制四D触发器芯片U₄的7脚与12脚连接，功率控制四D触发器芯片U₄的8脚接地，功率控制四D触发器芯片U₄的3脚、7脚和10脚分别连接到弱功率指示LED器件D_P1的阳极端、中功率指示LED器件D_P2的阳极端和强功率指示LED器件D_P3的阳极端，功率控制四D触发器芯片U₄的16脚连接到工作电源正极接线端E，功率控制四D触发器芯片U₄的其余脚悬空。弱功率指示LED器件D_P1的阴极端、中功率指示LED器件D_P2的阴极端和强功率指示LED器件D_P3的阴极端分别与低占比空延时电阻R_P1的一端、中占空比延时电阻R_P2的一端和高占空比延时电阻R_P3的一端连接，低占比空延时电阻R_P1的另一端、中占空比延时电阻R_P2的另一端和高占空比延时电阻R_P3的另一端均与间歇占空延时电阻R_PC的一端连接，该连接点连接到占空比产生555定时器芯片U₅的7脚。间歇占空延时电阻R_PC的另一端与占空比控制延时电容C_P1的一端连接，该连接点连接到占空比产生555定时器芯片U₅的2脚；占空比控制延时电容C_P1的另一端接地。占空比产生555定时器芯片U₅的2脚与6脚连接，占空比产生555定时器芯片U₅的1脚接地，占空比产生555定时器芯片U₅的5脚通过功率控制滤波电容C_P2接地，占空比产生555定时器芯片U₅的4脚、8脚均连接到工作电源正极接线端E，占空比产生555定时器芯片U₅的3脚通过斩波控制信号负载电阻R_PL连接到工作电源正极接线端E，占空比产生555定时器芯片U₅的3脚连接到斩波控制信号接线端P。

在图7所示的袖珍式超声波穴位按摩仪电源开关操作电路结构中：

电源开关操作电路主要由P沟道增强型电源开关MOSFET器件Q_K、电源开关接点K、电池B_at及其外围器件构成。

电源指示LED限流电阻R_E1的一端与电源指示灯LED器件V_D的阳极连接，电源指示LED限流电阻R_E1的另一端连接到工作电源正极接线端E，电源指示灯LED器件V_D的阴极接地。电容限流电阻R_E2的一端与记忆电容C_E的正极端连接，电容限流电阻R_E2的另一端连接到工作电源正极接线端E，记忆电容C_E的负极端接地。偏流电阻R_b的一端连接到工作电源正极接线端E，偏流电阻R_b的另一端与开关晶体管T的基极连接；开关晶体管T的发射极接地，开关晶体管T的集电极与分压电阻R_c的一端连接。分压电阻R_c的另一端与电源开关MOSFET器件Q_K的栅极及栅极分压电阻R_g的一端同时连接，栅极分压电阻R_g的另一端与电源开关MOSFET器件Q_K的源极连接；电源开关MOSFET器件Q_K的漏极连接到工作电源正极接线端E。电池B_at的正极端同时连接到电源开关MOSFET器件Q_K的源极及充电插口S_oc的正极端；电池B_at的负极端和充电插口S_oc的负极端均接地。在电容限流电阻R_E2与记忆电容C_E的连接点与电源开关MOSFET器件Q_K的栅极之间，跨接一电源开关接点K。

Claims

1.一种袖珍式超声波穴位按摩仪操作电路，其特征是：

装置由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源及其控制操作电路构成；振子结构装配在机壳操作面板结构的左端；按使用需要装置配有小面按摩振子大面按摩振子；

在机壳操作面板结构的正面，从左至右依次装配薄膜型模式控制功能开关操作按键、频率控制功能开关操作按键、功率控制功能开关操作按键和电源开关按键；在机壳操作面板结构的正面右端的电源开关按键上部，配有电源指示灯；在机壳操作面板结构的正面中右端的控制功能开关操作按键上部，对应各个功能，配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯和模式挡级指示灯；

超声波电源及其控制操作电路主要由主电路和电源开关操作电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路、功率控制操作电路构成；模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路分别通过模式控制开关接点、频率控制开关接点和功率控制开关接点与相应的控制功能开关操作按键构成操作连接，电源开关操作电路通过电源开关接点与电源开关按键构成操作连接；模式控制操作电路通过脉冲控制信号接线端和公共接地端与主电路连接，频率控制操作电路通过低频率控制信号接线端、中频率控制信号接线端、高频率控制信号接线端和公共接地端与主电路连接，功率控制操作电路通过斩波控制信号接线端和公共接地端与主电路连接；电源开关操作电路通过工作电源正极接线端和公共接地端连接到各个电路；

模式控制操作电路主要由CMOS型模式控制四D触发器芯片、CMOS型脉冲发生555定时器芯片及其外围器件构成；频率控制操作电路主要由CMOS型频率控制四D触发器芯片及其外围器件构成；功率控制操作电路主要由CMOS型功率控制四D触发器芯片、CMOS型占空比产生555定时器芯片及其外围器件构成；电源开关操作电路主要由P沟道增强型电源开关MOSFET器件、电源开关接点、电池及其外围器件构成；

振子结构1主要由换能器—变幅杆结构（1.1）、压电转换膜片（1.2）、膜片引线（1.3）、外摩触接点（1.4）、内摩触接点（1.5）、安装螺纹（1.6）、基壳体（1.7）、换能器—基座结构（1.8）和护套（1.9）构成；小面按摩振子为以压电转换膜片（1.2）和换能器—变幅杆结构（1.1）配合而构成主体的低频固有谐振频率超声波换能器件；大面按摩振子为以压电转换膜片（1.2）和换能器—变幅杆结构（1.1）配合而构成主体的高频固有谐振频率超声波换能器件。

2.根据权利要求1所述的袖珍式超声波穴位按摩仪操作电路，其特征是：换能器—变幅杆结构（1.1）为由钛合金材料制成的双曲线侧面圆锥柱形体，其尖端为超声波作用面，尾座端为超声波发生面；压电转换膜片（1.2）为以压电陶瓷材料为核心的膜片形压电转换器件，两根膜片引线（1.3）为其电能输入引线；外摩触接点（1.4）和内摩触接点（1.5）分别为经表面耐磨处理的磷铜材料制成的圆盘环形和圆盘形电接触体，接触面向后；安装螺纹（1.6）为表面经止退防滑处理的标准结构；基壳体（1.7）为由热固性绝缘处理制成的圆柱形壳套体；换能器—基座结构（1.8）为经压铸处理的不锈钢材料制成的圆柱体，各表面经硬化处理，后端部制成椭球面；护套（1.9）为由柔性弹力材料制成的套膜体；换能器—变幅杆结构（1.1）与换能器—基座结构（1.8）同轴前后配合，两部件夹层中部双面紧密刚性粘贴压电转换膜片（1.2），外围封以非刚性粘合剂；压电转换膜片（1.2）通过穿越基壳体（1.7）引线孔道的两根膜片引线（1.3），连接到外摩触接点（1.4）和内摩触接点（1.5）；基壳体（1.7）侧面中后部制有安装螺纹（1.6），内窝壁面中后部与换能器—基座结构（1.8）的侧、后面刚性粘贴，内窝壁面前部与换能器—变幅杆结构（1.1）的侧面后段非刚性粘贴；基壳体（1.7）后端面中心紧贴内摩触接点（1.5），内摩触接点（1.5）外环紧贴外摩触接点（1.4）；换能器—变幅杆结构（1.1）外套护套（1.9），护套（1.9）的后端与基壳体（1.7）的前端面粘合。

3.根据权利要求1所述的袖珍式超声波穴位按摩仪操作电路，其特征是：模式控制操作电路中的模式操作与门上拉电阻R_DM的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与模式控制四D触发器芯片U₁的4脚，即D₁端连接；模式操作与门第一二极管D_Ma的阳极和模式操作与门第二二极管D_Mb的阳极均与模式控制四D触发器芯片U₁的4脚，即D₁端连接，模式操作与门第一二极管D_Ma的阴极和模式操作与门第二二极管D_Mb的阴极分别与模式控制四D触发器芯片U₁的2脚，即/Q₁端和6脚，即/Q₂端连接；模式操作恢复电阻R_M的一端接地，模式操作恢复电阻R_M的另一端与模式操作恢复电容C_M的负极端连接，模式操作恢复电阻R_M与模式操作恢复电容C_M的连接点连接到模式控制四D触发器芯片U₁的9脚，即CP端；模式操作恢复电容C_M的正极端连接到工作电源正极接线端E；模式控制开关接点K_M的两端跨接在模式操作恢复电容C_M的正、负极之间；模式控制四D触发器芯片U₁的3脚，即Q₁端与5脚，即D₂端连接，模式控制四D触发器芯片U₁的7脚，即Q₂端与12脚，即D₃端连接，模式控制四D触发器芯片U₁的8脚，即GND端接地，模式控制四D触发器芯片U₁的3脚，即Q₁端、7脚，即Q₂端和10脚，即Q₃端分别连接到短脉冲指示LED器件D_M1的阳极端、中脉冲指示LED器件D_M2的阳极端和长短脉冲指示LED器件D_M3的阳极端，模式控制四D触发器芯片U₁的16脚，即V_CC端连接到工作电源正极接线端E，模式控制四D触发器芯片U₁的其余脚悬空；短脉冲指示LED器件D_M1的阴极端、中脉冲指示LED器件D_M2的阴极端和长短脉冲指示LED器件D_M3的阴极端分别与短脉冲延时电阻R_M1的一端、中脉冲延时电阻R_M2的一端和长脉冲延时电阻R_M3的一端连接，短脉冲延时电阻R_M1的另一端、中脉冲延时电阻R_M2的另一端和长脉冲延时电阻R_M3的另一端均与脉冲间歇延时电阻R_MC的一端连接，该连接点连接到脉冲发生555定时器芯片U₂的7脚；脉冲间歇延时电阻R_MC的另一端与脉冲延时电容C_M1的正极端连接，该连接点连接到脉冲发生555定时器芯片U₂的2脚；脉冲延时电容C_M1的负极端接地；脉冲发生555定时器芯片U₂的2脚与6脚连接，脉冲发生555定时器芯片U₂的1脚接地，脉冲发生555定时器芯片U₂的5脚通过模式控制滤波电容C_M2接地，脉冲发生555定时器芯片U₂的4脚、8脚均连接到工作电源正极接线端E，脉冲发生555定时器芯片U₂的3脚通过脉冲控制信号负载电阻R_ML连接到工作电源正极接线端E，脉冲发生555定时器芯片U₂的3脚连接到脉冲控制信号接线端M。

4.根据权利要求1所述的袖珍式超声波穴位按摩仪操作电路，其特征是：频率控制操作电路中的低频率指示LED限流电阻R_DF1的一端与低频率指示LED器件D_F1的阳极端连接，低频率指示LED限流电阻R_DF1的另一端连接到工作电源正极接线端E；中频率指示LED限流电阻R_DF2的一端与中频率指示LED器件D_F2的阳极端连接，中频率指示LED限流电阻R_DF2的另一端连接到工作电源正极接线端E；高频率指示LED限流电阻R_DF3的一端与高频率指示LED器件D_F3的阳极端连接，高频率指示LED限流电阻R_DF3的另一端连接到工作电源正极接线端E；低频率指示LED器件D_F1的阴极、中频率指示LED器件D_F2的阴极和高频率指示LED器件D_F3的阴极分别连接到频率控制四D触发器芯片U₃的2脚，即/Q₁端、6脚，即/Q₂端和11脚，即/Q₃；频率操作与门第一二极管D_Fa的阳极和频率操作与门第二二极管D_Fb的阳极均与频率控制四D触发器芯片U₃的4脚，即D₁端连接，频率操作与门第一二极管D_Fa的阴极和频率操作与门第二二极管D_Fb的阴极分别与频率控制四D触发器芯片U₃的2脚，即/Q₁端和6脚，即/Q₂端连接；频率控制四D触发器芯片U₃的3脚，即Q₁端与5脚，即D₂端连接，频率控制四D触发器芯片U₃的7脚，即Q₂端与12脚，即D₃端连接，频率控制四D触发器芯片U₃的8脚，即GND端接地，频率控制四D触发器芯片U₃的2脚，即/Q₁端、6脚，即/Q₂端和11脚，即/Q₃端分别连接到低频率控制信号接线端F₁、中频率控制信号接线端F₂和高频率控制信号接线端F₃，频率控制四D触发器芯片U₃的16脚，即V_CC端连接到工作电源正极接线端E，频率控制四D触发器芯片U₃的其余脚悬空；频率操作恢复电阻R_F的一端接地，频率操作恢复电阻R_F的另一端与频率操作恢复电容C_F的负极端连接，频率操作恢复电阻R_F与频率操作恢复电容C_F的连接点连接到频率控制四D触发器芯片U₃的9脚，即CP端；频率操作恢复电容C_F的正极端连接到工作电源正极接线端E；频率控制开关接点K_F的两端跨接在频率操作恢复电容C_F的正、负极之间。

5.根据权利要求1所述的袖珍式超声波穴位按摩仪操作电路，其特征是：功率控制操作电路中的功率操作与门上拉电阻R_DP的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与功率控制四D触发器芯片U₄的4脚，即D₁端连接；功率操作与门第一二极管D_Pa的阳极和功率操作与门第二二极管D_Pb的阳极均与功率控制四D触发器芯片U₄的4脚，即D₁端连接，功率操作与门第一二极管D_Pa的阴极和功率操作与门第二二极管D_Pb的阴极分别与功率控制四D触发器芯片U₄的2脚，即/Q₁端和6脚，即/Q₂端连接；功率操作恢复电阻R_P的一端接地，功率操作恢复电阻R_P的另一端与功率操作恢复电容C_P的负极端连接，功率操作恢复电阻R_P与功率操作恢复电容C_P的连接点连接到功率控制四D触发器芯片U₄的9脚，即CP端；功率操作恢复电容C_P的正极端连接到工作电源正极接线端E；功率控制开关接点K_P的两端跨接在功率操作恢复电容C_P的正、负极之间；功率控制四D触发器芯片U₄的3脚，即Q₁端与5脚，即D₂端连接，功率控制四D触发器芯片U₄的7脚，即Q₂端与12脚，即D₃端连接，功率控制四D触发器芯片U₄的8脚，即GND端接地，功率控制四D触发器芯片U₄的3脚，即Q₁端、7脚，即Q₂端和10脚，即Q₃端分别连接到弱功率指示LED器件D_P1的阳极端、中功率指示LED器件D_P2的阳极端和强功率指示LED器件D_P3的阳极端，功率控制四D触发器芯片U₄的16脚，即V_CC端连接到工作电源正极接线端E，功率控制四D触发器芯片U₄的其余脚悬空；弱功率指示LED器件D_P1的阴极端、中功率指示LED器件D_P2的阴极端和强功率指示LED器件D_P3的阴极端分别与低占空比延时电阻R_P1的一端、中占空比延时电阻R_P2的一端和高占空比延时电阻R_P3的一端连接，低占空比延时电阻R_P1的另一端、中占空比延时电阻R_P2的另一端和高占空比延时电阻R_P3的另一端均与间歇占空延时电阻R_PC的一端连接，该连接点连接到占空比产生555定时器芯片U₅的7脚；间歇占空延时电阻R_PC的另一端与占空比控制延时电容C_P1的一端连接，该连接点连接到占空比产生555定时器芯片U₅的2脚；占空比控制延时电容C_P1的另一端接地；占空比产生555定时器芯片U₅的2脚与6脚连接，占空比产生555定时器芯片U₅的1脚接地，占空比产生555定时器芯片U₅的5脚通过功率控制滤波电容C_P2接地，占空比产生555定时器芯片U₅的4脚、8脚均连接到工作电源正极接线端E，占空比产生555定时器芯片U₅的3脚通过斩波控制信号负载电阻R_PL连接到工作电源正极接线端E，占空比产生555定时器芯片U₅的3脚连接到斩波控制信号接线端P。

6.根据权利要求1所述的袖珍式超声波穴位按摩仪操作电路，其特征是：电源开关操作电路中的电源指示LED限流电阻R_E1的一端与电源指示灯LED器件V_D的阳极连接，电源指示LED限流电阻R_E1的另一端连接到工作电源正极接线端E，电源指示灯LED器件V_D的阴极接地；电容限流电阻R_E2的一端与记忆电容C_E的正极端连接，电容限流电阻R_E2的另一端连接到工作电源正极接线端E，记忆电容C_E的负极端接地；偏流电阻R_b的一端连接到工作电源正极接线端E，偏流电阻R_b的另一端与开关晶体管T的基极连接；开关晶体管T的发射极接地，开关晶体管T的集电极与分压电阻R_c的一端连接；分压电阻R_c的另一端与电源开关MOSFET器件Q_K的栅极及栅极分压电阻R_g的一端同时连接，栅极分压电阻R_g的另一端与电源开关MOSFET器件Q_K的源极连接；电源开关MOSFET器件Q_K的漏极连接到工作电源正极接线端E；电池B_at的正极端同时连接到电源开关MOSFET器件Q_K的源极及充电插口S_oc的正极端；电池B_at的负极端和充电插口S_oc的负极端均接地；在电容限流电阻R_E2与记忆电容C_E的连接点与电源开关MOSFET器件Q_K的栅极之间，跨接一电源开关接点K。