CN102500067B - 一种超声波灸 - Google Patents

Abstract

一种穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置——超声波灸及其实现方法。它主要由灸端-振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路构成。灸端-振子结构装配在机壳操作面板结构一端；机壳操作面板结构装配配有功率挡级指示灯、模式挡级指示灯的功能开关操作按键和配有电源指示灯的电源开关按键；超声波电源电路主要由模式控制操作电路、配有机壳操作面板频率挡级指示灯的频率控制操作电路、功率控制操作电路、主电路和电源开关操作电路构成。

Description

一种超声波灸

技术领域

本发明涉及一种用于穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置及其实现方法。 

背景技术

中医常用的器械--针灸无非是通过其对有关穴位的机械、物理刺激，而产生治疗、保健作用，而超声波会以同样的刺激产生更高效的治疗、保健作用，这已被大量医学理论与临床实践所证明。加之超声波有比针灸更多的优越性，如无进针的刺痛、无出血、无灼伤等，就更加受到专业和日常医治、理疗、康复和保健应用的青睐。然而，现有的超声波理疗、康复和保健的超声波装置几乎均为医院内的固定设备，或者是比较笨重、配置复杂的组合设备，不仅使用、维护困难，而且需要专业人员操作，医治、理疗、康复和保健的接受者也要受到体位及其活动限制。然而，这类设备或器械以其广泛适用功能，如低功率的机械波、安全无副作用的超声波频率等，非常适用于包括保健需求的各种人群，以致提出家庭、随身、随时、随地应用的需求。这就产生了广泛需求与专用设备的矛盾。解决这个矛盾的方法就是研发一种便携式、易操作、适用于各种人群的广泛适用型医治、理疗、康复和保健的超声波装置。该研发的一个具体内容就是超声波灸及其实现方法。 

发明内容

为解决广泛需求与专用设备的矛盾，本发明提供一种穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置——超声波灸及其实现方法。它主要由灸端-振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路构成。灸端-振子结构装配在机壳操作面板结构一端；机壳操作面板结构装配配有功率挡级指示灯、模式挡级指示灯的功能开关操作按键和配有电源指示灯的电源开关按键；超声波电源电路主要由模式控制操作电路、配有机壳操作面板频率挡级指示灯的频率控制操作电路、功率控制操作电路、主电路和电源开关操作电路构成。 

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是： 

装置由灸端-振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路构成。灸端-振子结构装配在机壳操作面板结构的左端。按浅层、中度和深入刺激的使用需要，装置分别配有分为低频振子、中频振子和高频振子的灸端-振子结构。 

在机壳操作面板结构的正面，从左至右依次装配薄膜型模式控制功能操作按键、薄膜型功率控制功能操作按键和电源开关按键。在机壳操作面板结构正面右端的电源开关按键上部，配有电源指示灯；在机壳操作面板结构正面中右端的功率控制功能操作按键上部，配有功率挡级指示灯；在机壳操作面板结构正面中左端的模式控制功能操作按键上部，配有模式挡级指示灯；在机壳操作面板结构正面的功率控制功能操作按键及其功率挡级指示灯和模式控制功能操作按键及其模式挡级指示灯之间，配有频率控制功能标示及其频率挡级指示灯。 

超声波灸电源电路主要由主电路和电源开关操作电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路、功率控制操作电路构成。主电路通过脉冲控制信号接线端和公共接地端与模式控制操作电路连接，通过低频率控制信号接线端、中频率控制信号接线端、高频率控制信号接线端、匹配电感低频率接线端、匹配电感中频率接线端、匹配电感高频率接线端和公共接地端与频率控制操作电路连接，通过斩波控制信号接线端和公共接地端与功率控制操作电路连接；电源开关操作电路通过工作电源正极接线端和公共接地端连接到主电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路。电源开关操作电路、模式控制操作电路和功率控制操作电路分别通过电源开关接点、模式控制开关接点和功率控制开关接点与电源开关按键、模式控制功能操作按键和功率控制功能操作按键构成操作连接；频率控制操作电路通过低频率控制开关联动接点、中频率控制开关联动接点和高频率控制开关联动接点分别与低频控制功能操作滑压键、中频控制功能操作滑压键和高频控制功能操作滑压键构成操作连接。 

本发明的有益效果是：是一种便携式、易操作、适用于各种人群的广泛适用型医治、理疗、康复和保健的超声波装置。便于任何非专业使用者自行使用、操作，安全、可靠、无副作用；机体及电路结构简单，易于批量生产；系统的纯硬件构成使得维护、维修简便易行。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。 

图1是本发明实施例-超声波灸的结构外观正面示意图。 

图2是超声波灸的振子装配口结构视图。 

图3是超声波灸的低频振子结构剖视图。 

图4是超声波灸低频振子的装配端结构视图。 

图5是超声波灸的中频振子结构剖视图。 

图6是超声波灸中频振子的装配端结构视图。 

图7是超声波灸的高频振子结构剖视图。 

图8是超声波灸高频振子的装配端结构视图。 

图9是超声波灸电源电路结构框图。 

图10是超声波灸的主电路结构图。 

在图1～10中：1.灸端-振子结构，2.机壳操作面板结构，3.模式控制功能操作按键，4.功率控制功能操作按键，5.电源开关按键，6.电源指示灯，7.功率挡级指示灯，8.频率挡级指示灯，9.模式挡级指示灯。 

在图2、9中：2.1.安装内螺纹，2.2.内摩触接点，3.3.外摩触接点，2.4.低频控制功能操作滑压键，2.5.中频控制功能操作滑压键，2.6.高频控制功能操作滑压键。 

在图3～8中：1.1.换能器-变幅杆结构，1.2.压电转换膜片，1.3.膜片引线，1.4.1.低频控制功能操作滑压环楞，1.4.2.中频控制功能操作滑压环楞，1.4.3.高频控制功能操作压滑环楞，1.5.外摩触环，1.6.内摩触盘，1.7.安装外螺纹，1.8.基壳体，1.9.换能器-基座结构，1.10.护套。 

在图9、10中：M_OP为模式控制操作电路，F_OP为频率控制操作电路，P_OP为功率控制操作电路，E_OP为电源开关操作电路，Hos为主电路；E为工作电源正极接线端，K_M为模式控制开关接点，M为脉冲控制信号接线端，K_F1为低频率控制开关联动接点一，K_F2为中频率控制开关联动接点一，K_F3为高频率控制开关联动接点一，K_L1为低频率控制开关联动接点二，K_L2为中频率控制开关联动接点二，K_L3为高频率控制开关联动接点二，F₁为低频率控制信号接线端，F₂为中频率控制信号接线端，F₃为高频率控制信号接线端，F_L1为匹配电感低频率接线端，F_L2为匹配电感中频率接线端，F_L3为匹配电感高频率接线端，K_P为功率控制开关接点，P为斩波控制信号接线端，K为电源开关接点。 

在图10中：R_S0b为斩波驱动三极管基极偏流电阻，D_M为与门脉冲控制二极管，D_P为与门斩波控制二极管，R_Sg为斩波开关MOSFET器件栅极偏流电阻，R_S0c为斩波驱动集电极负载电阻，T_S0为斩波驱动三极管，Q_SE为斩波开关MOSFET器件，D_SE为稳压续流二极管，L_SE为平波电感，C_SE为平波电容；C_Os为振荡反馈电容，R_Os1为低频率振荡反馈电阻，R_Os2为中低频率振荡反馈电阻，R_Os3为高频率振荡反馈电阻，R_SD1为低频率振荡反馈分压电阻，R_SD2为中低频率振荡反馈分压电阻，R_SD3为高频率振荡反馈分压电阻，R_S1b为振荡放大三极管基极偏流电阻，R_S1c为振荡放大三极管集电极负载电阻，T_S1为振荡放大三极管，R_Se为射随器射极电阻，T_S2为射随器三极管，R_S2为射随器集电极负载电阻，R_S2b为射随器基极偏流电阻；C_C为振荡信号耦合电容，R_of为功率反馈电阻，R_ob为功率反馈分压电阻，R_o1为自举分压电阻，R_o2为自举电阻，D_S1为第一交跃二极管，D_S1为第二交跃二极管，T_S3为前置功放三极管，R_S3e为前置功放射极电阻，T_o1为上臂推挽三极管，T_o2为下臂推挽三极管，C_o为自举电容，V_o为功率输出接线端；Z为振子等效阻抗，V_oL为电感独立接线端，L_o为谐振电感。 

具体实施方式

在图1所示的本发明实施例-超声波灸的结构外观正面示意图中：灸端-振子结构1装 配在机壳操作面板结构2的左端。在机壳操作面板结构2的正面，从左至右依次装配薄膜型模式控制功能操作按键3、薄膜型功率控制功能操作按键4和电源开关按键5。在机壳操作面板结构2正面右端的电源开关按键5上部，配有电源指示灯6；在机壳操作面板结构2正面中右端的功率控制功能操作按键4上部，配有功率挡级指示灯7；在机壳操作面板结构2正面中左端的模式控制功能操作按键3上部，配有模式挡级指示灯9；在机壳操作面板结构2正面的功率控制功能操作按键4及其功率挡级指示灯7和模式控制功能操作按键3及其模式挡级指示灯9之间，配有频率控制功能标示及其频率挡级指示灯8。 

在图1所示的超声波灸结构外观正面示意图和图2所示的超声波灸振子装配口结构视图中：在机壳操作面板结构2的左端面，开有扁圆柱盒形内凹式振子装配口。装配口的圆柱侧壁制有安装内螺纹2.1，安装内螺纹2.1为表面经止退防滑处理的标准结构。装配口的底面由内向外划分为中心、内环、次内环、中环、次外环和外环。装配口的底面中心装嵌有内摩触接点2.2，装配口的底面次内环装嵌有外摩触接点3.3；内摩触接点2.2和外摩触接点3.3均为经表面耐摩处理的磷铜材料制成的球冠环形弹性电接触体，接触面向前。在装配口的底面外环，仅靠安装内螺纹2.1，安装有低频控制功能操作滑压键2.4；在装配口的底面次外环，安装有中频控制功能操作滑压键2.5；在装配口的底面中环，安装有高频控制功能操作滑压键2.6；低频控制功能操作滑压键2.4、中频控制功能操作滑压键2.5和高频控制功能操作滑压键2.6均为微型微动滑触开关回弹滑压键。 

在图3～8所示的超声波灸振子结构视图中：换能器-变幅杆结构1.1为由钛合金材料制成的双曲线侧面圆锥柱形体，其尖端为超声波作用点(面)，尾座端为超声波发生面；压电转换膜片1.2为以压电陶瓷材料为核心的膜片形压电转换器件，两根膜片引线1.3为其电能输入引线；低频控制功能操作滑压环楞1.4.1、中频控制功能操作滑压环楞1.4.2和高频控制功能操作压滑环楞1.4.3均为由热固性绝缘材料制成，滑压面经表面耐摩处理的的环形凸楞，滑压面向后；外摩触环1.5和内摩触盘1.6分别为经表面耐摩处理的磷铜材料制成的圆盘环形和圆盘形电接触体，接触面向后；安装外螺纹1.7为表面经止退防滑处理的标准结构；基壳体1.8为由热固性绝缘材料制成的圆柱形壳套体；换能器-基座结构1.9为经压铸处理的不锈钢材料制成的圆柱体，各表面经硬化处理，后端部制成椭球面；护套1.10为由柔性弹力材料制成的套膜体。换能器-变幅杆结构1.1与换能器-基座结构1.9同轴前后配合，两部件夹层中部双面紧密刚性粘贴压电转换膜片1.2，外围封以非刚性粘合剂。压电转换膜片1.2通过穿越基壳体1.8引线孔道的两根膜片引线1.3，连接到外摩触环1.5和内摩触盘1.6分别连接。基壳体1.8侧面中后部制有安装外螺纹1.7，内窝壁面中后部与换能器-基座结构1.9的侧、后面刚性粘贴，内窝壁面前部与换能器-变幅杆结构1.1的侧面后段非刚性粘贴。基壳体1.8后端面由内向外划分为中心、内环、次内环、中环、次外环和外环。在基壳体1.8后端面中心，紧密贴嵌内摩触盘1.6；在基壳体1.8后端面次内环，内摩触盘1.6的外围，紧密贴嵌外摩触环1.5。换能器-变幅杆结构1.1外套护套1.10，护套1.10的后端与基壳体1.8的前端面粘合。 

在图3所示的超声波灸的低频振子结构剖视图和图4所示的超声波灸低频振子的装配端结构视图中：低频振子为以压电转换膜片1.2和换能器-变幅杆结构1.1配合而构成主体的500kHz固有谐振频率超声波换能器件。在基壳体1.8后端面外环，仅靠安装外螺纹1.7，制有低频控制功能操作滑压环楞1.4.1。 

在图5所示的超声波灸的中频振子结构剖视图和图6所示的超声波灸中频振子的装配端结构视图中：中频振子为以压电转换膜片1.2和换能器-变幅杆结构1.1配合而构成主体的800kHz固有谐振频率超声波换能器件。在基壳体1.8后端面次外环，制有中频控制功能操作滑压环楞1.4.2。 

在图7所示的超声波灸的高频振子结构剖视图和图8所示的超声波灸高频振子的装配端结构视图中：高频振子为以压电转换膜片1.2和换能器-变幅杆结构1.1配合而构成主体的 1MHz固有谐振频率超声波换能器件。在基壳体1.8后端面中环，制有高频控制功能操作压滑环楞1.4.3。 

在图9所示的超声波灸电源电路结构框图中：超声波灸电源电路主要由主电路Hos和电源开关操作电路E_OP、模式控制操作电路M_OP、频率控制操作电路F_OP、功率控制操作电路构成。主电路Hos通过脉冲控制信号接线端M和公共接地端与模式控制操作电路M_OP连接，通过低频率控制信号接线端F₁、中频率控制信号接线端F₂、高频率控制信号接线端F₃、匹配电感低频率接线端F_L1，匹配电感中频率接线端F_L2和匹配电感高频率接线端F_L3和公共接地端与频率控制操作电路F_OP连接，通过斩波控制信号接线端P和公共接地端与功率控制操作电路P_OP连接；电源开关操作电路E_OP通过工作电源正极接线端E和公共接地端连接到主电路Hos、模式控制操作电路M_OP、频率控制操作电路F_OP和功率控制操作电路P_OP。电源开关操作电路E_OP、模式控制操作电路M_OP和功率控制操作电路P_OP分别通过电源开关接点K、模式控制开关接点K_M和功率控制开关接点K_P与电源开关按键5、模式控制功能操作按键3和功率控制功能操作按键4构成操作连接；频率控制操作电路F_OP通过低频率控制开关联动接点(即低频率控制开关联动接点一K_F1与低频率控制开关联动接点二K_L1)、中频率控制开关联动接点(即中频率控制开关联动接点一K_F2与中频率控制开关联动接点二K_L2)和高频率控制开关联动接点(即高频率控制开关联动接点一K_F3与高频率控制开关联动接点二K_L3)，分别与低频控制功能操作滑压键2.4、中频控制功能操作滑压键2.5和高频控制功能操作滑压键2.6构成操作连接。 

在图10所示的超声波灸的主电路结构图中： 

主电路主要包括模式、功率控制操作执行单元、超声波信号产生单元、功率放大和匹配换能执行单元。其中模式、功率控制操作执行单元由P沟道增强型斩波开关MOSFET器件Q_SE的及其驱动电路构成；超声波信号产生单元由受控选频RC相移网路及其放大电路构成；功率放大和匹配换能执行单元由NPN型前置功放三极管T_S3、NPN型为上臂推挽三极管T_o1、PNP型下臂推挽三极管T_o2、谐振电感L_o、振子等效阻抗Z及其外围器件构成。 

在模式、功率控制操作执行单元中：斩波驱动三极管基极偏流电阻R_S0b的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与斩波驱动三极管T_S0的基极连接；与门脉冲控制二极管D_M的阳极和与门斩波控制二极管D_P的阳极均与斩波驱动三极管T_S0的基极连接；与门脉冲控制二极管D_M的阴极和与门斩波控制二极管D_P的阴极分别连接到脉冲控制信号接线端M和斩波控制信号接线端P；斩波驱动三极管T_S0的发射极接地，斩波驱动三极管T_S0的集电极与斩波驱动集电极负载电阻R_S0c的一端连接。斩波驱动集电极负载电阻R_S0c的另一端与斩波开关MOSFET器件Q_SE的栅极连接；斩波开关MOSFET器件Q_SE的源极连接到工作电源正极接线端E，斩波开关MOSFET器件栅极偏流电阻R_Sg跨接在斩波开关MOSFET器件Q_SE的源极和栅极之间，斩波开关MOSFET器件Q_SE的漏极与稳压续流二极管D_SE的阴极连接；稳压续流二极管D_SE的阳极接地；平波电感L_SE的一端与斩波开关MOSFET器件Q_SE的漏极连接，平波电感L_SE的另一端与平波电容C_SE的正极连接；平波电容C_SE的负极接地。 

在超声波信号产生单元中：三只振荡反馈电容C_Os一一串联构成振荡信号反馈链，其一端与振荡放大三极管T_S1的集电极连接，另一端与射随器三极管T_S2的基极连接；振荡信号反馈链的中段振荡反馈电容C_Os的两端，分别连接两组低频率振荡反馈电阻R_Os1的一端、中低频率振荡反馈电阻R_Os2的一端和高频率振荡反馈电阻R_Os3的一端；两组低频率振荡反馈电阻R_Os1的另一端均连接到低频率控制信号接线端F₁，两组中低频率振荡反馈电阻R_Os2的另一端均连接到中频率控制信号接线端F₂，两组高频率振荡反馈电阻R_Os3的另一端均连接到高频率控制信号接线端F₃；低频率振荡反馈分压电阻R_SD1的一端、中频率振荡反馈分压电阻R_SD2的一端、高频率振荡反馈分压电阻R_SD3的一端分别连接到低频率控制信号接线端F₁、中频率控制信号接线端F₂和高频率控制信号接线端F₃，低频率振荡反馈分压电阻R_SD1的一端、中频率振荡反馈分压电阻R_SD2的一端和高频率振荡反馈分压电阻R_SD3的一端均接地。振荡放大三极管基 极偏流电阻R_S1b的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与振荡放大三极管T_S1的基极连接；振荡放大三极管集电极负载电阻R_S1c的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与振荡放大三极管T_S1的集电极连接；射随器集电极负载电阻R_S2c的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与射随器三极管T_S2的集电极连接；射随器射极电阻R_Se的一端与射随器三极管T_S2的发射极连接，另一端接地；射随器基极偏流电阻R_S2b的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与射随器三极管T_S2的基极连接。 

在功率放大和匹配换能执行单元中：振荡信号耦合电容C_C的一端与射随器三极管T_S2的发射极连接，另一端与前置功放三极管T_S3的基极连接；功率反馈电阻R_of的一端与前置功放三极管T_S3的基极连接，另一端连接到功率输出接线端V_o；功率反馈分压电阻R_ob的一端与前置功放三极管T_S3的基极连接，另一端接地。自举分压电阻R_o1的一端连接到平波电容C_SE的正极，另一端与自举电阻R_o2的一端连接；自举分压电阻R_o1与自举电阻R_o2的连接点与自举电容C_o的一端连接，自举电容C_o的另一端连接到功率输出接线端V_o。第一交跃二极管D_S1与第二交跃二极管D_S1正向串联，该串联支路的阳极与上臂推挽三极管T_o1的基极连接，阴极与下臂推挽三极管T_o2的基极及前置功放三极管T_S3的集电极同时连接；前置功放三极管T_S3的发射极与前置功放射极电阻R_S3e的一端连接，前置功放射极电阻R_S3e的另一端接地。上臂推挽三极管T_o1的集电极连接到平波电容C_SE的正极，其基极与自举电阻R_o2的另一端连接，其发射极与下臂推挽三极管T_o2的发射极连接；上臂推挽三极管T_o1发射极与下臂推挽三极管T_o2发射极的连接点连接到功率输出接线端V_o；下臂推挽三极管T_o2的集电极接地。灸端-振子结构1以其振子等效阻抗Z跨接在振子功率输出接线端V_o和谐振电感L_o的电感独立接线端V_oL之间。谐振电感L_o的非独立接线端按低频率匹配电感量，中频率匹配电感量和高频率匹配电感量引出接线抽头，分别作为匹配电感低频率接线端F_L1，匹配电感中频率接线端F_L2和匹配电感高频率接线端F_L3。 

Claims (6)

1.一种超声波灸，由灸端—振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路构成；其特征是：

灸端—振子结构装配在机壳操作面板结构的左端；按浅层、中度和深入刺激的使用需要，装置分别配有分为低频振子、中频振子和高频振子的灸端—振子结构；

在机壳操作面板结构的正面，从左至右依次装配薄膜型模式控制功能操作按键、薄膜型功率控制功能操作按键和电源开关按键；在机壳操作面板结构正面右端的电源开关按键上部，配有电源指示灯；在机壳操作面板结构正面中右端的功率控制功能操作按键上部，配有功率挡级指示灯；在机壳操作面板结构正面中左端的模式控制功能操作按键上部，配有模式挡级指示灯；在机壳操作面板结构正面的功率控制功能操作按键及其功率挡级指示灯和模式控制功能操作按键及其模式挡级指示灯之间，配有频率控制功能标示及其频率挡级指示灯；

超声波灸电源电路由主电路和电源开关操作电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路、功率控制操作电路构成；主电路通过脉冲控制信号接线端和公共接地端与模式控制操作电路连接，通过低频率控制信号接线端、中频率控制信号接线端、高频率控制信号接线端、匹配电感低频率接线端、匹配电感中频率接线端、匹配电感高频率接线端和公共接地端与频率控制操作电路连接，通过斩波控制信号接线端和公共接地端与功率控制操作电路连接；电源开关操作电路通过工作电源正极接线端和公共接地端连接到主电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路；电源开关操作电路、模式控制操作电路和功率控制操作电路分别通过电源开关接点、模式控制开关接点和功率控制开关接点与电源开关按键、模式控制功能操作按键和功率控制功能操作按键构成操作连接；频率控制操作电路通过低频率控制开关联动接点、中频率控制开关联动接点和高频率控制开关联动接点分别与低频控制功能操作滑压键、中频控制功能操作滑压键和高频控制功能操作滑压键构成操作连接；

主电路包括模式、功率控制操作执行单元、超声波信号产生单元、功率放大和匹配换能执行单元；其中模式、功率控制操作执行单元由P沟道增强型斩波开关MOSFET器件Q_SE的及其驱动电路构成；超声波信号产生单元由受控选频RC相移网路及其放大电路构成；功率放大和匹配换能执行单元由NPN型前置功放三极管T_S3、NPN型为上臂推挽三极管T_o1、PNP型下臂推挽三极管T_o2、谐振电感L_o、振子等效阻抗Z及其外围器件构成；

功率放大和匹配换能执行单元中的振荡信号耦合电容C_C的一端与射随器三极管T_S2的发射极连接，另一端与前置功放三极管T_S3的基极连接；功率反馈电阻R_of的一端与前置功放三极管T_S3的基极连接，另一端连接到功率输出接线端V_o；功率反馈分压电阻R_ob的一端与前置功放三极管T_S3的基极连接，另一端接地；自举分压电阻R_o1的一端连接到平波电容C_SE的正极，另一端与自举电阻R_o2的一端连接；自举分压电阻R_o1与自举电阻R_o2的连接点与自举电容C_o的一端连接，自举电容C_o的另一端连接到功率输出接线端V_o；第一交跃二极管D_S1与第二交跃二极管D_S1正向串联，该串联支路的阳极与上臂推挽三极管T_o1的基极连接，阴极与下臂推挽三极管T_o2的基极及前置功放三极管T_S3的集电极同时连接；前置功放三极管T_S3的发射极与前置功放射极电阻R_S3e的一端连接，前置功放射极电阻R_S3e的另一端接地；上臂推挽三极管T_o1的集电极连接到平波电容C_SE的正极，其基极与自举电阻R_o2的另一端连接，其发射极与下臂推挽三极管T_o2的发射极连接；上臂推挽三极管T_o1发射极与下臂推挽三极管T_o2发射极的连接点连接到功率输出接线端V_o；下臂推挽三极管T_o2的集电极接地；灸端—振子结构1以其振子等效阻抗Z跨接在振子功率输出接线端V_o和谐振电感L_o的电感独立接线端V_oL之间；谐振电感L_o的非独立接线端按低频率匹配电感量，中频率匹配电感量和高频率匹配电感量引出接线抽头，分别作为匹配电感低频率接线端F_L1，匹配电感中频率接线端F_L2和匹配电感高频率接线端F_L3。

2.根据权利要求1所述的超声波灸，其特征是：在机壳操作面板结构(2)的左端面，开有扁圆柱盒形内凹式振子装配口；装配口的圆柱侧壁制有安装内螺纹(2.1)，安装内螺纹(2.1)为表面经止退防滑处理的标准结构；装配口的底面由内向外划分为中心、内环、次内环、中环、次外环和外环；装配口的底面中心装嵌有内摩触接点(2.2)，装配口的底面次内环装嵌有外摩触接点(3.3)；内摩触接点(2.2)和外摩触接点(3.3)均为经表面耐摩处理的磷铜材料制成的球冠环形弹性电接触体，接触面向前；在装配口的底面外环，仅靠安装内螺纹(2.1)，安装有低频控制功能操作滑压键(2.4)；在装配口的底面次外环，安装有中频控制功能操作滑压键(2.5)；在装配口的底面中环，安装有高频控制功能操作滑压键(2.6)；低频控制功能操作滑压键(2.4)、中频控制功能操作滑压键(2.5)和高频控制功能操作滑压键(2.6)均为微型微动滑触开关回弹滑压键。

3.根据权利要求1所述的超声波灸，其特征是：

低频振子为以压电转换膜片(1.2)和换能器—变幅杆结构(1.1)配合而构成主体的500kHz固有谐振频率超声波换能器件；在基壳体(1.8)后端面外环，紧靠安装外螺纹(1.7)，制有低频控制功能操作滑压环楞(1.4.1)；

中频振子为以压电转换膜片(1.2)和换能器—变幅杆结构(1.1)配合而构成主体的800kHz固有谐振频率超声波换能器件；在基壳体(1.8)后端面次外环，制有中频控制功能操作滑压环楞(1.4.2)；

高频振子为以压电转换膜片(1.2)和换能器—变幅杆结构(1.1)配合而构成主体的1MHz固有谐振频率超声波换能器件；在基壳体(1.8)后端面中环，制有高频控制功能操作压滑环楞(1.4.3)。

4.根据权利要求3所述的超声波灸，其特征是：换能器—变幅杆结构(1.1)为由钛合金材料制成的双曲线侧面圆锥柱形体，其尖端为超声波作用点，尾座端为超声波发生面；压电转换膜片(1.2)为以压电陶瓷材料为核心的膜片形压电转换器件，两根膜片引线(1.3)为其电能输入引线；低频控制功能操作滑压环楞(1.4.1)、中频控制功能操作滑压环楞(1.4.2)和高频控制功能操作压滑环楞(1.4.3)均为由热固性绝缘材料制成，滑压面经表面耐摩处理的的环形凸楞，滑压面向后；外摩触环(1.5)和内摩触盘(1.6)分别为经表面耐摩处理的磷铜材料制成的圆盘环形和圆盘形电接触体，接触面向后；安装外螺纹(1.7)为表面经止退防滑处理的标准结构；基壳体(1.8)为由热固性绝缘材料制成的圆柱形壳套体；换能器—基座结构(1.9)为经压铸处理的不锈钢材料制成的圆柱体，各表面经硬化处理，后端部制成椭球面；护套(1.10)为由柔性弹力材料制成的套膜体；换能器—变幅杆结构(1.1)与换能器—基座结构(1.9)同轴前后配合，两部件夹层中部双面紧密刚性粘贴压电转换膜片(1.2)，外围封以非刚性粘合剂；压电转换膜片(1.2)通过穿越基壳体(1.8)引线孔道的两根膜片引线(1.3)，连接到外摩触环(1.5)和内摩触盘(1.6)分别连接；基壳体(1.8)侧面中后部制有安装外螺纹(1.7)，内窝壁面中后部与换能器—基座结构(1.9)的侧、后面刚性粘贴，内窝壁面前部与换能器—变幅杆结构(1.1)的侧面后段非刚性粘贴；基壳体(1.8)后端面由内向外划分为中心、内环、次内环、中环、次外环和外环；在基壳体(1.8后端面中心，紧密贴嵌内摩触盘(1.6)；在基壳体(1.8)后端面次内环，内摩触盘(1.6)的外围，紧密贴嵌外摩触环(1.5)；换能器—变幅杆结构(1.1)外套护套(1.10)，护套(1.10)的后端与基壳体(1.8)的前端面粘合。

5.根据权利要求1所述的超声波灸，其特征是：模式、功率控制操作执行单元中的斩波驱动三极管基极偏流电阻R_S0b的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与斩波驱动三极管T_S0的基极连接；与门脉冲控制二极管D_M的阳极和与门斩波控制二极管D_P的阳极均与斩波驱动三极管T_S0的基极连接；与门脉冲控制二极管D_M的阴极和与门斩波控制二极管D_P的阴极分别连接到脉冲控制信号接线端M和斩波控制信号接线端P；斩波驱动三极管T_S0的发射极接地，斩波驱动三极管T_S0的集电极与斩波驱动集电极负载电阻R_S0c的一端连接；斩波驱动集电极负载电阻R_S0c的另一端与斩波开关MOSFET器件Q_SE的栅极连接；斩波开关MOSFET器件Q_SE的源极连接到工作电源正极接线端E，斩波开关MOSFET器件栅极偏流电阻R_Sg跨接在斩波开关MOSFET器件Q_SE的源极和栅极之间，斩波开关MOSFET器件Q_SE的漏极与稳压续流二极管D_SE的阴极连接；稳压续流二极管D_SE的阳极接地；平波电感L_SE的一端与斩波开关MOSFET器件Q_SE的漏极连接，平波电感L_SE的另一端与平波电容C_SE的正极连接；平波电容C_SE的负极接地。

6.根据权利要求5所述的超声波灸，其特征是：超声波信号产生单元中的三只振荡反馈电容C_Os一一串联构成振荡信号反馈链，其一端与振荡放大三极管T_S1的集电极连接，另一端与射随器三极管T_S2的基极连接；振荡信号反馈链的中段振荡反馈电容C_Os的两端，分别连接两组低频率振荡反馈电阻R_Os1的一端、中低频率振荡反馈电阻R_Os2的一端和高频率振荡反馈电阻R_Os3的一端；两组低频率振荡反馈电阻R_Os1的另一端均连接到低频率控制信号接线端F₁，两组中低频率振荡反馈电阻R_Os2的另一端均连接到中频率控制信号接线端F₂，两组高频率振荡反馈电阻R_Os3的另一端均连接到高频率控制信号接线端F₃；低频率振荡反馈分压电阻R_SD1的一端、中频率振荡反馈分压电阻R_SD2的一端、高频率振荡反馈分压电阻R_SD3的一端分别连接到低频率控制信号接线端F₁、中频率控制信号接线端F₂和高频率控制信号接线端F₃，低频率振荡反馈分压电阻R_SD1的一端、中频率振荡反馈分压电阻R_SD2的一端和高频率振荡反馈分压电阻R_SD3的一端均接地；振荡放大三极管基极偏流电阻R_S1b的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与振荡放大三极管T_S1的基极连接；振荡放大三极管集电极负载电阻R_S1c的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与振荡放大三极管T_S1的集电极连接；射随器集电极负载电阻R_S2c的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与射随器三极管T_S2的集电极连接；射随器射极电阻R_Se的一端与射随器三极管T_S2的发射极连接，另一端接地；射随器基极偏流电阻R_S2b的一端连接到工作电源正极接线端E，另一端与射随器三极管T_S2的基极连接。