CN102489464A - 匀胶清洗装置及匀胶清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种匀胶清洗装置，包括清洗系统，所述清洗系统包括用于盛放清洗液的液罐、控制开关组件、喷头以及将三者连接的水管，所述喷头用于对准硅片的背面、喷射清洗液对硅片背面进行清洗。本发明还涉及一种匀胶清洗方法。本发明通过喷射清洗液对硅片背面进行清洗，可以将甩胶时被甩到硅片背面的光刻胶清洗掉，消除硅片背面的沾污，从而提高良品率。

Description

匀胶清洗装置及匀胶清洗方法
【技术领域】
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种匀胶清洗装置，还涉及一种匀胶清洗方法。
【背景技术】
匀胶机在对硅片表面涂覆光刻胶时，胶偶尔会被甩到硅片背面边缘处，使得硅片背面边缘部分造成沾污，影响后续的硅片背面镀银膜层或其它工艺的质量，造成掉银或其它质量隐患。
【发明内容】
为了解决涂胶时硅片背面沾污的问题，有必要提供一种匀胶清洗装置。
一种匀胶清洗装置，包括清洗系统，所述清洗系统包括用于盛放清洗液的液罐、控制开关组件、喷头以及将三者连接的水管，所述喷头用于对准硅片的背面、喷射清洗液对硅片背面进行清洗。
优选的，所述清洗系统还包括气管，所述控制开关组件包括电磁阀、气动阀以及清洗液流量调节阀，所述电磁阀与气动阀通过气管相连接，所述电磁阀和液罐通过气管与输气口相连接；所述液罐与清洗液流量调节阀之间、清洗液流量调节阀与气动阀之间、气动阀与喷头之间通过水管相连接，由所述电磁阀控制气动阀的打开与关闭。
优选的，所述匀胶清洗装置包括匀胶机，所述匀胶机包括驱动器、由驱动器驱动旋转的转轴，由转轴带动旋转并用于吸附硅片的吸盘，以及用于容置硅片的匀胶腔体；所述转轴伸入匀胶腔体的腔室内，所述吸盘设于匀胶腔体的腔室内。
优选的，所述匀胶腔体包括：胶盘，开设有供转轴伸入的转轴口，用于排出废液的废液排出口以及供所述喷头伸入的喷头入口；胶盘盖，盖合于所述胶盘的顶部；废液管，固定于所述废液排出口的位置。
还有必要提供一种匀胶清洗方法。
一种匀胶清洗方法，包括下列步骤：将光刻胶滴到硅片表面；使硅片以第一转速旋转第一时长；使硅片以第二转速旋转第二时长；使硅片以第三转速旋转第三时长，同时通过如权利要求1-4中任意一项所述的匀胶清洗装置喷射清洗液对硅片背面进行清洗；使硅片以第四转速旋转第四时长；其中，所述第一转速＜第三转速＜第二转速，所述第一转速＜第四转速＜第二转速。
优选的，所述对硅片背面进行清洗，是对硅片背面的边缘进行清洗。
优选的，所述第一转速为680～720转/分钟，所述第二转速为3500～4000转/分钟，所述第三转速为1970～2030转/分钟，所述第四转速为1970～2030转/分钟；所述第一时长为6～8秒，所述第二时长为28～32秒，所述第三时长为5秒，所述第四时长为8～12秒。
优选的，所述清洗液为二甲苯。
优选的，所述匀胶清洗装置是向输气口通入氮气对液罐内的清洗液进行加压及用于对气动阀进行开关控制。
优选的，所述将光刻胶滴到硅片表面的步骤中，所述硅片为静止的状态。
上述清洗系统通过喷射清洗液对硅片背面进行清洗，可以将甩胶时被甩到硅片背面的光刻胶清洗掉，消除硅片背面的沾污，从而提高良品率。
【附图说明】
图1是一实施例中匀胶清洗装置的示意图；
图2是另一实施例中匀胶清洗装置的示意图；
图3是一实施例中匀胶腔体的结构示意图；
图4是一实施例中匀胶清洗装置的局部结构示意图；
图5是一实施例中匀胶清洗方法的流程图。
【具体实施方式】
为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图1是一实施例中匀胶清洗装置的示意图，包括清洗系统，清洗系统包括用于盛放清洗液的液罐110、控制开关组件120、喷头130以及将三者连接的水管10。喷头用于对准硅片的背面、喷射清洗液对硅片背面进行清洗。由于被甩到背面的光刻胶集中于硅片背面边缘处，所以可以根据处理的硅片尺寸设置喷头130的位置，使其对准硅片背面的边缘。
上述清洗系统通过喷射清洗液对硅片背面进行清洗，可以将硅片背面的光刻胶清洗掉，消除硅片背面的沾污，从而提高良品率。
图2是另一实施例中匀胶清洗装置的示意图。在该实施例中，清洗系统还包括气管20，控制开关组件120包括电磁阀122、气动阀124以及清洗液流量调节阀126。电磁阀122与气动阀124通过气管20相连接，电磁阀122和液罐110通过气管20与输气口22相连接，由输气口22通入气体对液罐110内的清洗液进行加压，及对气动阀124进行开关控制。液罐110与清洗液流量调节阀126之间、清洗液流量调节阀126与气动阀124之间、气动阀124与喷头130之间通过水管10相连接，由电磁阀122控制气动阀124的打开与关闭。电磁阀122的控制可以采用简单的控制电路实现。
清洗液的流量如果过大，又会使硅片正面边缘的胶被清洗掉，所以设置清洗液流量调节阀126调节流量。在本实施例中，清洗液流量调节阀126是一个微量调节针阀。
如图2所示，在该实施例中，匀胶清洗装置还包括匀胶机。匀胶机包括驱动器210、由驱动器210驱动旋转的转轴220，由转轴220带动旋转并用于吸附硅片的吸盘230，以及用于容置硅片的匀胶腔体240。转轴220伸入匀胶腔体240的腔室内，吸盘230设于匀胶腔体的腔室内。
图3为一实施例中匀胶腔体的结构示意图。匀胶腔体240包括胶盘242、胶盘盖244以及废液管246。为方便理解装置的结构，胶盘242和废液管246在图中为剖视的状态。胶盘242开设有供转轴220伸入的转轴口211，用于排出废液的废液排出口213以及供喷头130伸入的喷头入口215。胶盘盖244盖合于胶盘242的顶部。废液管246固定于废液排出口213的位置。图4是一实施例中匀胶清洗装置的局部结构示意图，为方便理解装置的结构，除硅片和吸盘210外均示出了剖视结构，且图中未示出胶盘盖244。
还有必要提供一种使用上述匀胶清洗装置的匀胶清洗方法，图5是一实施例中匀胶清洗方法的流程图，包括下列步骤：
S11，将光刻胶滴到硅片表面。在本实施例中，滴胶时硅片是静止的，且滴于硅片中部，光刻胶的量为大概覆盖硅片1/3的面积。
S13，使硅片以第一转速旋转第一时长。在本实施例中，第一转速为680～720转/分钟，第一时长为6～8秒。该步骤的作用主要是使光刻胶在离心力的作用下布满硅片表面。
S15，使硅片以第二转速旋转第二时长。在本实施例中，第二转速为3500～4000转/分钟，第二时长为28～32秒。该步骤的作用主要是使光刻胶均匀分布在硅片表面。
S17，使硅片以第三转速旋转第三时长，同时通过匀胶清洗装置喷射清洗液对硅片背面进行清洗。在本实施例中，第三转速为1970～2030转/分钟，第三时长为5秒。
S19，使硅片以第四转速旋转第四时长。在本实施例中，第四转速为1970～2030转/分钟，第四时长为8～12秒。该步骤的作用是进一步提高光刻胶分布的均匀性。
因为各个步骤的作用都不同，因此转速/时长均有所不同，有第一转速＜第三转速＜第二转速，第一转速＜第四转速＜第二转速。
如前述，步骤S17中通过预先调整好设置的喷头130的位置，对硅片背面的边缘进行清洗。在本实施例中，清洗液为二甲苯，在其他实施例中也可以采用本领域公知的其它能清洗掉使用的光刻胶的清洗液。输气口22中是通入氮气对液罐内的清洗液进行加压及用于对气动阀进行开关控制，由于氮气是惰性气体因此可以很大程度避免产生反应。如果直接采用空气不会与清洗液产生反应或不需要考虑产生反应的问题，也可以使用空气等能够降低成本的其它气体。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种匀胶清洗装置，包括清洗系统，所述清洗系统包括用于盛放清洗液的液罐、控制开关组件、喷头以及将三者连接的水管，其特征在于，所述喷头用于对准硅片的背面、喷射清洗液对硅片背面进行清洗。
2.根据权利要求1所述的匀胶清洗装置，其特征在于，所述清洗系统还包括气管，所述控制开关组件包括电磁阀、气动阀以及清洗液流量调节阀，所述电磁阀与气动阀通过气管相连接，所述电磁阀和液罐通过气管与输气口相连接；所述液罐与清洗液流量调节阀之间、清洗液流量调节阀与气动阀之间、气动阀与喷头之间通过水管相连接，由所述电磁阀控制气动阀的打开与关闭。
3.根据权利要求1所述的匀胶清洗装置，其特征在于，所述匀胶清洗装置包括匀胶机，所述匀胶机包括驱动器、由驱动器驱动旋转的转轴，由转轴带动旋转并用于吸附硅片的吸盘，以及用于容置硅片的匀胶腔体；所述转轴伸入匀胶腔体的腔室内，所述吸盘设于匀胶腔体的腔室内。
4.根据权利要求3所述的匀胶清洗装置，其特征在于，所述匀胶腔体包括：
胶盘，开设有供转轴伸入的转轴口，用于排出废液的废液排出口以及供所述喷头伸入的喷头入口；
胶盘盖，盖合于所述胶盘的顶部；
废液管，固定于所述废液排出口的位置。
5.一种匀胶清洗方法，包括下列步骤：
将光刻胶滴到硅片表面；
使硅片以第一转速旋转第一时长；
使硅片以第二转速旋转第二时长；
使硅片以第三转速旋转第三时长，同时通过如权利要求1-4中任意一项所述的匀胶清洗装置喷射清洗液对硅片背面进行清洗；
使硅片以第四转速旋转第四时长；
其中，所述第一转速＜第三转速＜第二转速，所述第一转速＜第四转速＜第二转速。
6.根据权利要求5所述的匀胶清洗方法，其特征在于，所述对硅片背面进行清洗，是对硅片背面的边缘进行清洗。
7.根据权利要求5所述的匀胶清洗方法，其特征在于，所述第一转速为680～720转/分钟，所述第二转速为3500～4000转/分钟，所述第三转速为1970～2030转/分钟，所述第四转速为1970～2030转/分钟；所述第一时长为6～8秒，所述第二时长为28～32秒，所述第三时长为5秒，所述第四时长为8～12秒。
8.根据权利要求5所述的匀胶清洗方法，其特征在于，所述清洗液为二甲苯。
9.根据权利要求5所述的匀胶清洗方法，其特征在于，所述匀胶清洗装置是向输气口通入氮气对液罐内的清洗液进行加压及用于对气动阀进行开关控制。
10.根据权利要求5所述的匀胶清洗方法，其特征在于，所述将光刻胶滴到硅片表面的步骤中，所述硅片为静止的状态。
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