CN102477535A - 在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备 - Google Patents

在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102477535A
CN102477535A CN2011103499450A CN201110349945A CN102477535A CN 102477535 A CN102477535 A CN 102477535A CN 2011103499450 A CN2011103499450 A CN 2011103499450A CN 201110349945 A CN201110349945 A CN 201110349945A CN 102477535 A CN102477535 A CN 102477535A
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound
container
gas
plasma
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103499450A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102477535B (zh
Inventor
M·奥尔加德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oticon AS
Original Assignee
Oticon AS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oticon AS filed Critical Oticon AS
Publication of CN102477535A publication Critical patent/CN102477535A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102477535B publication Critical patent/CN102477535B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
    • B05D5/083—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface involving the use of fluoropolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces
    • H01J2237/3382—Polymerising
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
    • Y10S261/65—Vaporizers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

本发明公开了一种在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备。所述方法包括步骤：提供具有表面的衬底；将包括1H，1H，2H，2H-全氟癸基丙烯酸酯的化合物蒸发到惰性气体流内；在蒸发到所述气体流内期间保持所述化合物恒温；将所述表面暴露给气体和化合物的混合物；将所述表面暴露给气体和化合物的混合物中产生的连续波等离子体，具有等离子体电路提供的等离子体功率。本发明具有涂覆效率高、涂层均匀的优点。

Description

在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备
技术领域
本发明涉及表面涂覆领域，尤其涉及等离子体增强的表面涂覆，其中单体物质被使得聚合并沉积在表面上从而形成一层均匀的憎油和憎水材料。
背景技术
在前述涂覆过程中，单体物质被引入惰性载气并以受控量馈入低压等离子体室。因而需要其中受控量的单体可蒸发到惰性气体流内的均匀蒸发过程。同样需要确保惰性载气中的单体浓度高且均匀的过程和设备，以使涂覆过程有效率。
发明内容
根据本发明，提供了在低压力下等离子体涂覆憎水和憎油聚合层的方法，其中该方法包括步骤：
-提供具有表面的衬底；
-将包括1H，1H，2H，2H-全氟癸基丙烯酸酯(1H，1H，2H，2H-Perflourodecylacrylate)的化合物蒸发到惰性气体流内；
-在蒸发到气体内期间保持所述化合物恒温；
-将所述表面暴露给气体和化合物的混合物；
-将所述表面暴露给气体和化合物的混合物中产生的连续波等离子体，具有等离子体电路提供的等离子体功率。
通过在蒸发期间确保化合物恒温，可确保增加到气流的单体量随着时间的推移仍保持恒定。
本发明方法还包括步骤：
-将所述化合物引入容器内并在容器中形成液-气界面；
-将惰性气体流引入容器内并位于所述液-气界面上方；
-在所述液-气界面的上方提取气体和蒸发的化合物的混合物。
通过将化合物引入容器内，明确限定的液体表面将由容器的侧壁形成，因而确保预定面积的蒸发表面，使得在蒸发期间，即使容器中的液体量变化，仍将存在同样的蒸发表面。这要求容器具有圆柱形壁、液体量覆盖底部并至少淹没圆柱形壁部分的下部。这些空间度量不难满足。本发明方法可以多种方式进行：可持续蒸发直到所有引入的单体液体已被蒸发为止，其中在配给新的部分之后，在整个等离子体涂覆期间重复前述过程；或将单体分配到容器内将连续进行并通过PTC(正温度系数)元件消耗的电流进行调节，使得确保至少最底下的PTC元件有一部分淹没在单体中。
优选地，惰性气体流在引入到容器中之前加热到预定温度。这有助于确保蒸发区的热力学条件恒定，同样还有助于确保惰性气体和单体的混合物在涂覆表面部分期间具有恒定的性质。优选地，所述气体加热到50和100摄氏度之间的温度。
恒定的电压可提供给容器中提供的一个或多个PTC型电阻元件。从而在运行期间可确保恒温，因为PTC元件为自调节元件，如果它们冷却，更高的电流将从其流过从而导致产生更高的热量，反之亦然。这样，提供了自调节系统，其可确保单体蒸发区的温度稳定。
当单体接触PTC元件时，其处的温度将下降，从而导致电流增加，如上所述，及如果更多的PTC元件存在于容器中并彼此堆叠，上部的元件也可因惰性气体和单体的混合物流流过其而冷却。
根据本发明方法，在蒸发期间测量耗用电流和/或PTC元件的电阻，及当耗用电流低于预定阈值和/或PTC元件的电阻高于预定阈值时将预定量的液体化合物引入容器中。这样，PTC元件还用于监测蒸发区单体的存在，及可省略用于监测此的单独仪表。如果有利于工艺，可在单体变干和加入新部分之间引入停顿时间，同样，当等离子体室中的涂覆过程进入最后阶段时可使用空运行时间段，因为通过这可确保蒸发容器完全变空及容器中不留下任何单体。
优选地，PTC元件具有在110和150摄氏度之间的TNTT或平衡温度，TNTT在130摄氏度最好。该温度远高于液态单体化合物的沸点，从而在容器内提供稳定的蒸发速度，通过在远离液体表面的气体流路中存在多个PTC元件，其中的惰性气体和化合物达到稳定状态，不可能形成蒸发液体的冷凝物。从而所有蒸发的液体将到达等离子体处理室。
当进行上述测量时，等离子体感应涂覆过程变得既稳定又确保高单体浓度，而没有形成冷凝物的风险。涂覆过程可快得多地进行，及处理时间可能从约40分钟减少到约7分钟，藉此等离子体感应涂覆阶段从30分钟减少到2.5分钟，同时产生的聚合单体涂层比先前在30分钟涂覆时间期间获得的涂层厚。
当由对应的过程适当替代时，上面描述的及权利要求中限定的系统的结构特征可与本发明方法结合。方法的实施例具有与对应系统或设备一样的优点。
本发明的进一步的目标由从属权利要求和本发明的详细描述中限定的实施方式实现。
除非明确指出，在此所用的单数形式的含义均包括复数形式(即具有“至少一”的意思)。应当进一步理解，说明书中使用的术语“具有”、“包括”和/或“包含”表明存在所述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。应当理解，除非明确指出，当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，可以是直接连接或耦合到其他元件，也可以存在中间插入元件。如在此所用的术语“和/或”包括一个或多个列举的相关项目的任何及所有组合。除非明确指出，在此公开的任何方法的步骤不必须精确按所公开的顺序执行。
附图说明
图1示出了根据本发明的蒸发容器及定量阀的示意性表示。
图2示出了定量阀的截面图。
图3示出了可用于执行本发明的系统的图示。
图4示出了两个不同PTC元件的电阻-温度关系的一般图表。
图5为可连同本发明一起使用的涂覆处理室的示意性表示。
图6以放大图的形式示出了容器的细节。
为清晰起见，这些附图均为示意性及简化的图，它们只给出了对于理解本发明所必要的细节，而省略其他细节。在所有附图中，相同的附图标记用于指同样或对应的部分。
通过下面给出的详细描述，本发明进一步的适用范围将显而易见。然而，应当理解，在详细描述和具体例子表明本发明优选实施例的同时，它们仅为说明目的给出，因为，对于本领域的技术人员来说，通过这些详细说明在本发明精神和范围内做出各种变化和修改是显而易见的。
具体实施方式
下面公开了根据本发明的方法的例子。根据本发明方法，在低压力下等离子体感应涂覆憎水和憎油聚合层通过下面提及的步骤实现。
在开始，提供具有将要涂覆的表面的衬底，及这可以是任何类型的衬底，尤其是电子部件、电子部件的组件、将用在人体处或附近的装置的外部和/或内部表面部分，如包括电子或机械部件的医疗装置。前述部件的例子可以是音频装置如助听器或头戴式耳机。如本领域众所周知的，使衬底进入处理室，该室被抽成低压力，及可在开始执行预处理过程如用氧等离子体清洁。之后，包括小量蒸汽形式的单体化合物的惰性气体被引入该室内并引发等离子体辉光。
在引入处理室之前，通过抽吸惰性气体穿过包括预定量液态单体化合物的容器10而将受控量的适当单体化合物如1H，1H，2H，2H-全氟癸基丙烯酸酯蒸发到惰性气体流内。
恒定的惰性气体流被使得从气体入口11流到用于单体和气体的混合物的出口12。如图1中所见，该出口提供在入口11的上方，及入口11本身提供在容器10的底部部分的上方。当小量的液体引入容器10内时，液-气界面14或液体表面将形成在气体入口11的下面。从而惰性气体流将在液体表面14的上方通过并通过出口12将可能的单体蒸汽抽出容器10。
在蒸发到气体内期间保持液体化合物恒温。这确保恒定的蒸发速度，否则自表面14的蒸发将使液体变凉从而减少蒸发。该趋势通过在蒸发期间加热液体并保持液体恒温进行抵消。
气体和单体化合物的混合物被吸入等离子体室，及那里存在的表面在产生连续波等离子体功率期间被暴露给气体和化合物的混合物。如本领域已知的，等离子体功率通过高频等离子体发生电路产生并提供在前述室中的电极件之间。
优选地，惰性气体流在引入到容器中之前加热到预定温度。这样，还确保从室10抽出的气体和蒸发的化合物的混合物随着时间的推移保持恒定性质。
液体化合物的加热用连接到恒定电功率的PTC元件15进行。PTC 15达到居里或平衡温度且温度稳定在该温度附近，由于温度的进一步降低将导致电阻明显下降从而导致流过PTC元件的电流激增，进而使PTC元件变热。如图1中所见，多个PTC热敏电阻16、17、18沿气体为到达出口12必须流过的通路提供在容器10的内部。这确保蒸汽和气体的混合物以恒温离开容器。
在蒸发单体一些时间如约2-5秒之后，在最底下PTC元件处的单体淹没部分将摆脱单体，该元件及上方的元件的温度将逐渐上升到130摄氏度即平衡温度。这可能花约15秒，及现在由PTC元件消耗的电流处于与定量提供单体化合物之前一样的水平。所提及的时间在此将高度取决于惰性气体流、所选择的PTC元件的居里或平衡温度、及所分配的单体的量和特性。
PTC元件的温度和欧姆电阻之间的关系如图4中所示。从这些曲线可以看出，从110到200摄氏度，PTC元件的电阻显著上升。如果PTC元件由于蒸发液体而变凉，电阻的下降将导致电流消耗的强烈上升因而产生热量。另一方面，如果元件的温度上升，电阻增加，则电流将下降。在预定的电源电压如40伏特下，PTC将具有130摄氏度的平衡温度。如果该温度下的PTC如因将其部分淹没在沸点低于130摄氏度的液体中而变凉，因该液体沸腾引起的蒸发将导致PTC变凉，从而导致电流消耗增加。当所有液体均已被蒸发损耗掉时，温度将上升到130摄氏度及电流消耗将下降到最小。通过监视电流消耗，可确定PTC热敏电阻处是否存在任何液体化合物。因此，PTC元件的电流消耗和/或电阻可用于引发通过底部入口20添加新的液体部分。
通过入口20的液体的控制由阀19实现。当阀19打开时，液体可从贮液器(未示出)通过单体入口21和入口20流入容器。如图所示，阀19通过压缩空气控制，压缩空气可向活塞的第一或第二侧提供压力，压力通过活塞杆打开或密封阀19。阀和气动活塞的示意性表示在图2中给出。阀使用压缩空气进行操作，但电动或液压操作也是适当的。
当插入在从贮液器导向蒸发容器的管中的阀19打开时，单体/液体将因低压力而从贮液器(未示出)流到蒸发容器10的单体入口20。
用于打开和关闭阀19的压缩空气入口在图1和2中示出。
阀打开时间定时为使预定量的单体液体化合物能进入容器10。这通过将压力定时切换到打开压力入口实现。该行动由如图3中所示的控制器30引导。拉隔膜阀19中的活塞杆导致将受控量的单体分配在容器10的底部上及液体单体的量将部分或完全淹没PTC热敏电阻15。
容器10的下部在图6中示为尺寸增大。PTC元件或热敏电阻15的下边缘淹没在容器10中存在的单体化合物的液体表面14的下面。单体入口20包括隔膜阀19。容器具有直径为2.7mm的圆柱形，提供5.7mm2的液体表面积。通过该结构，还确保没有液体形式的单体会被弄出容器10，因为惰性气体入口提供在远高于单体液体表面14的地方。为达到如图6中所示的情形，所分配的单体的量约为0.02g。
如上所述，液体单体使PTC热敏电阻变凉，及电流相应增加。控制器将该增加视为液体已实际进入容器的确认。PTC热敏电阻上的高温加热单体及单体因而蒸发。原料气通过单体蒸汽出口12将蒸汽移出。
当单体已蒸发及蒸汽已离开容器10时，PTC热敏电阻上的温度达到居里温度，及电流稳定在低电流水平上。这由控制器30记录及停顿时间开始。当停顿时间已过时，前述过程从打开阀19时重复。
当预定分配周期数已达到编程数时，单体蒸发停止，及控制器发出过程结束的信号。这通常将与涂覆室中的涂覆预期达到下述结果同时：单体的聚合部分的薄且均匀的涂层沉积在涂覆室中存在的表面上。
如果单体未使PTC热敏电阻变凉，则控制器发出报警信号。单体容器被认为已空，操作员可能将不得不干预。
电压提供给容器10中提供的一个或多个PTC型电阻元件15、16、17、18。只有元件之一15实际淹没在液体中，PTC元件16、17、18提供在单体和气体混合物的流路中，它们确保气体在通过出口12离开之前获得适当的温度。
优选地，PTC元件具有在110和150摄氏度之间的TNTT或平衡温度，TNTT在130摄氏度最好。
PTC电阻器串联或并联连接并自电导体9悬挂。导体9连接到容器外部的电源。在所提出的实施例中，电阻元件并联连接。
控制电子器件可包括可编程计算机装置、PLC或适于控制电源的类似装置、控制单体化合物提供到前述室内的阀、及控制惰性气体流过容器10的阀。
在图5中，图示了用于执行根据本发明的等离子体聚合过程的设备。提供等离子体室PLC，其可借助于泵PU至少部分抽空。借助于泵PU，可在等离子体室PLC中产生气压在5和70Pa之间的低压力气氛。在抽空之后，受控气流可通过泵PM提供给前述室。如果将要执行清洁等离子体的操作，气体可以是从氧气罐(未示出)取的氧气且不经过容器10；或者，如果希望等离子体感应聚合，气体可以是惰性气体如氩，及在该情形下，该气流的至少部分可抽吸通过容器10。
两个电极E1和E2安排在等离子体室PLC内。在所提出的实施例中，一个电极E1为室PLC的内部金属壁。物体支架O+H安排在电极E1和E2之间。物体支架O+H由开口盒状结构组成，其可以绕轴旋转使得盒内的物体在盒旋转时自由翻滚。盒可由透明及电绝缘材料如玻璃或塑料制成。另一电极E2固定在物体支架O+H内。等离子体电路P-C安排在等离子体室PLC的外面。等离子体电路P-C的一个端子连接到电极E1，另一端子连接到电极E2，如虚线所示。作为备选，盒由金属如钢制成，在该情形下，盒可用作一个电极。在该实施例中，盒包括透明窗口，使得操作员可实际上看见其中的等离子体的微弱辉光。
等离子体电路包括无线电频率发生器，非必须地，还包括阻抗匹配电路，也称为L-C电路，因为阻抗匹配电路通常包括电容器C和电感器L。借助于阻抗匹配电路，等离子体电路P-C的发生器的输出阻抗可与等离子体室PLC的输入阻抗匹配。
为执行等离子体聚合过程，单体将馈到等离子体室PLC的内部。为此目的，单体源与泵PM连接，使得单体蒸汽可加入到提供给室PLC的气流中。如上所述，这借助于容器10和聚合物蒸发结构实现。
为监测等离子体室中的气体压力，提供压力计G1和G2。
为执行等离子体聚合过程，衬底(即将要进行表面涂覆的物体O1、O2)放在物体支架O+H中。安装在物体支架内并可在其中翻滚以将所有表面暴露给等离子体的任何数量的物体可放在物体支架中。等离子体室PLC和物体支架的内部借助于泵PU抽空。由于物体支架O+H的内部与室PLC开通液体连接，物体支架盒内将出现同样的压力和其它物理条件。单体尤其是1H，1H，2H，2H-全氟癸基丙烯酸酯借助于单体泵PM馈到等离子体室PLC的内部。高压无线电频率电功率借助于等离子体电路P-C施加在电极E1和E2之间。初始高等离子体功率在5秒到10分钟的时间段内降低到最终的较低等离子体功率。在开始使用较高的等离子体功率(引发气体的等离子体条件所必需的功率)是为了使得等离子体点火。通过随后降低等离子体功率，在将要涂覆的衬底(物体)上获得均匀的聚合层。
上述步骤为执行具有等离子体聚合过程的涂覆所需要的基本步骤，在使用中它们可按上述进行，然而，也可执行另外的步骤，如等离子体清洁步骤、冲洗前述室的步骤及在必要或有利情形下引入的步骤。这些另外的步骤为本领域技术人员众所周知，在此不再描述任何进一步的细节。

Claims (10)

1.在低压力下等离子体涂覆憎水和憎油聚合层的方法，所述方法包括步骤：
-提供具有表面的衬底；
-将包括1H，1H，2H，2H-全氟癸基丙烯酸酯的化合物蒸发到惰性气体流内；
-在蒸发到所述气体流内期间保持所述化合物恒温；
-将所述表面暴露给气体和化合物的混合物；
-将所述表面暴露给气体和化合物的混合物中产生的连续波等离子体，具有等离子体电路提供的等离子体功率。
2.根据权利要求1的方法，所述方法还包括步骤：
-将所述化合物引入容器内并在容器中形成液-气界面；
-将惰性气体流引入容器内并位于所述液-气界面上方；
-在所述液-气界面的上方提取气体和蒸发的化合物的混合物。
3.根据权利要求2的方法，其中所述惰性气体流在引入到容器中之前加热到预定温度。
4.根据权利要求2或3的方法，其中恒定的电压提供给容器中提供的一个或多个PTC型电阻元件。
5.根据权利要求4的方法，还包括下述步骤：
-在蒸发期间测量PTC元件的耗用电流和/或电阻；
-当耗用电流低于预定阈值和/或PTC元件的电阻高于预定阈值时将预定量的液体化合物引入容器中。
6.根据权利要求5的方法，其中PTC元件具有在110和150摄氏度之间的TNTT或平衡温度，TNTT优选在130摄氏度。
7.用于向表面涂覆由包括液态1H，1H，2H，2H-全氟癸基丙烯酸酯的化合物产生的等离子体感应聚合层的设备，所述设备包括低压力等离子体室、蒸发器、及用于将其中具有一定量所述化合物的惰性气体流馈入所述等离子体室的供应系统，所述蒸发器包括其中具有一定量液态化合物从而形成化合物-惰性气体界面的容器，惰性气体流通过所述界面上方提供的入口向所述容器提供，惰性气体经所述界面上方提供的出口从所述容器抽出，其中加热元件提供在所述界面的下面并与液态化合物接触。
8.根据权利要求7的设备，其中所述加热元件包括至少一具有TNTT温度的PTC电阻器。
9.根据权利要求8的设备，其中多个PTC电阻器提供在所述容器内部且并联电连接及自连接到所述容器外面的电源的电导体悬挂。
10.根据权利要求7的设备，其中控制电子器件包括可编程计算机装置、PLC或适于控制电源的类似装置、控制单体化合物提供到所述室内的阀、及控制惰性气体流过所述容器的阀。
CN201110349945.0A 2010-11-30 2011-11-08 在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备 Active CN102477535B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10193177.2 2010-11-30
EP10193177.2A EP2457670B1 (en) 2010-11-30 2010-11-30 Method and apparatus for plasma induced coating at low pressure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102477535A true CN102477535A (zh) 2012-05-30
CN102477535B CN102477535B (zh) 2016-09-14

Family

ID=43548839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110349945.0A Active CN102477535B (zh) 2010-11-30 2011-11-08 在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120135163A1 (zh)
EP (1) EP2457670B1 (zh)
KR (1) KR101911031B1 (zh)
CN (1) CN102477535B (zh)
AU (1) AU2011239255A1 (zh)
DK (1) DK2457670T3 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105848789A (zh) * 2013-10-07 2016-08-10 欧洲等离子公司 用于低压力等离子体工艺在连续功率模式下生成等离子体的改进方式

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8852693B2 (en) 2011-05-19 2014-10-07 Liquipel Ip Llc Coated electronic devices and associated methods
GB2510213A (en) * 2012-08-13 2014-07-30 Europlasma Nv Forming a protective polymer coating on a component
CN107058981B (zh) * 2017-01-23 2018-09-21 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 一种低粘附、耐蚀涂层的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1265714A (zh) * 1997-06-14 2000-09-06 英国国防部 表面涂层
CN101390450A (zh) * 2006-02-22 2009-03-18 东京毅力科创株式会社 成膜装置和发光元件的制作方法
CN101522289A (zh) * 2006-10-02 2009-09-02 排放技术有限公司 用于蒸发反应物的装置和方法
CN101611100A (zh) * 2006-10-28 2009-12-23 P2I有限公司 新产品
WO2010105829A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Anthony Herbert Apparatus and method for deposition of functional coatings

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE517419C (de) * 1928-12-08 1931-02-04 Kurt Richter Dr Verringerung der Rueckdiffusion des UEberzugsmaterials bei dem UEberziehen von Gegenstaenden mit duennen Schichten durch Kathodenzerstaeubung oder thermische Verdampfungim Vakuum
US4094269A (en) * 1974-06-14 1978-06-13 Zlafop Pri Ban Vapor deposition apparatus for coating continuously moving substrates with layers of volatizable solid substances
US4116161A (en) * 1976-11-12 1978-09-26 Mcdonnell Douglas Corporation Dual tumbling barrel plating apparatus
JPS6148386A (ja) * 1984-08-13 1986-03-10 株式会社ブリヂストン ゴルフボールの表面処理装置
DE3627151A1 (de) * 1986-08-11 1988-02-18 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufdampfen von metallverbindungen
DE3632027C1 (de) * 1986-09-20 1988-02-18 Rudnay Andre Dr De Verfahren und Vakuumbedampfungsanlage zum Metallisieren von Folienoberflaechen
DE3852519T2 (de) * 1987-04-21 1995-08-10 Fumakilla Ltd Heizvorrichtung mit Kaltleiter.
US4797534A (en) * 1987-06-08 1989-01-10 Gte Products Corporation PTC thermistor heating device
JPH0688350B2 (ja) * 1990-01-12 1994-11-09 出光興産株式会社 正温度係数特性成形体の製造方法
US5286532A (en) * 1991-08-20 1994-02-15 Bridgestone Corporation Method for producing golf balls
US5451258A (en) * 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
TW338174B (en) * 1995-01-06 1998-08-11 Tokyo Electron Co Ltd Apparatus for supplying a treatment material
WO1997032672A1 (en) * 1996-03-04 1997-09-12 Polar Materials, Inc. Method for bulk coating using a plasma process
GB0406049D0 (en) * 2004-03-18 2004-04-21 Secr Defence Surface coatings

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1265714A (zh) * 1997-06-14 2000-09-06 英国国防部 表面涂层
CN101390450A (zh) * 2006-02-22 2009-03-18 东京毅力科创株式会社 成膜装置和发光元件的制作方法
CN101522289A (zh) * 2006-10-02 2009-09-02 排放技术有限公司 用于蒸发反应物的装置和方法
CN101611100A (zh) * 2006-10-28 2009-12-23 P2I有限公司 新产品
WO2010105829A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Anthony Herbert Apparatus and method for deposition of functional coatings

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105848789A (zh) * 2013-10-07 2016-08-10 欧洲等离子公司 用于低压力等离子体工艺在连续功率模式下生成等离子体的改进方式
CN105848789B (zh) * 2013-10-07 2023-01-03 欧洲等离子公司 用于低压力等离子体工艺在连续功率模式下生成等离子体的改进方式

Also Published As

Publication number Publication date
EP2457670B1 (en) 2017-06-21
AU2011239255A1 (en) 2012-06-14
KR101911031B1 (ko) 2018-10-23
KR20120059439A (ko) 2012-06-08
CN102477535B (zh) 2016-09-14
DK2457670T3 (en) 2017-09-25
EP2457670A1 (en) 2012-05-30
US20120135163A1 (en) 2012-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102477535A (zh) 在低压力下进行等离子体感应涂覆的方法和设备
KR102226003B1 (ko) 조리기기
KR101683659B1 (ko) 고농도 ｎｏ₂ 생성 시스템 및 이 시스템을 이용하여 고농도 ｎｏ₂를 생성하는 방법
TWI273912B (en) Heating apparatus for vaporizer and method of microbially decontaminating an area and an item within the area
KR100280647B1 (ko) 유도가열시스템의 증기 발생장치
US8554063B2 (en) Steam generator
KR100994333B1 (ko) 혼합 플라즈마 발생장치 및 방법, 그리고 혼합 플라즈마를이용한 전열 조리장치
EP3288620B1 (en) Humidification device
KR101670357B1 (ko) 제독장비의 기화시스템 및 그 작동방법
CN103781271A (zh) 一种可用于伤口愈合的常压冷等离子体发生装置
CN204317506U (zh) 雾化装置及含有该雾化装置的电子烟
US3998738A (en) Vacuum drying and degassing
EP2620728B1 (en) Method of controlling atomizing device, method of controlling discharge device, and refrigerator
CN204191013U (zh) 一种大面积低温等离子体射流发生器及灭菌装置
JPWO2011099247A1 (ja) 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
KR20190118700A (ko) 플라즈마 이용 가습기
MXPA03011699A (es) Metodo y aparato para cambiar la temperatura de un fluido presurizado.
CN108067107A (zh) 一种能自动控制水位和温度的湿气连续发生装置
CN112013370A (zh) 包括丝网加热元件的蒸汽发生器
JP2009058136A (ja) 加熱調理器
US11387031B2 (en) Vacuum filtration system
CN202968692U (zh) 一种在基片上形成azo膜的装置
CN215606207U (zh) 蒸汽发生装置及蒸汽消融设备
CN215584346U (zh) 蒸汽发生装置及蒸汽消融设备
US20240001059A1 (en) Controlling the evaporation rate of a humidifier with adaptive power control and method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant