CN102456852B - 有机层沉积设备和使用其制造有机发光显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机层沉积设备和一种使用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法。所述有机层沉积设备包括静电夹盘，所述静电夹盘与基底组合，以固定地支撑所述基底。所述有机层沉积设备包括：用于容纳所述基底的具有设定的曲率的容纳表面；沉积源，用于朝向所述基底排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化狭缝片，被设置为面向所述沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，所述图案化狭缝片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面弯曲设定的程度，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

Description

有机层沉积设备和使用其制造有机发光显示装置的方法
本申请要求于2010年10月22日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0103677号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
本发明的多个方面涉及一种有机层沉积设备和一种通过使用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法，更具体地说，涉及一种能够简单地以大规模制造大型显示装置并能够用于高清晰度图案化的有机层沉积设备和一种通过使用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
与其它显示装置相比，有机发光显示装置具有更大的视角、更好的对比度特性和更快的响应速度，因此作为下一代显示装置而备受关注。
有机发光显示装置包括中间层，该中间层包括设置在被布置为彼此相对的第一电极和第二电极之间的发射层。可以通过各种方法形成电极和中间层，其中一种方法是对每个层执行单独的沉积方法。当通过使用单独的沉积方法来制造有机发光显示装置时，与将要形成的有机层具有相同图案的精细金属掩模(FMM)被设置为紧密地接触基底，并在FMM上方沉积有机材料，从而形成具有期望的图案的有机层。
然而，使用这样的FMM的单独沉积方法不适合于制造使用具有第五代(5G)尺寸或更大的母玻璃的更大的装置。换言之，当使用这样的大掩模时，该掩模会由于自重而弯曲，由此使图案变形。这不益于近来朝着高清晰度图案的趋势。
发明内容
本发明的一个或多个方面涉及一种适合于以大规模制造大型显示装置并能够用于高精细图案化的有机层沉积设备和一种通过使用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法。
根据本发明构思的实施例，提供了一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备，该设备包括：静电夹盘，与所述基底组合以固定地支撑所述基底，并包括用于容纳所述基底的具有设定的曲率的容纳表面；沉积源，用于朝向所述基底排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化狭缝片，被设置为面向所述沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，所述图案化狭缝片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面弯曲设定的程度，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片与所述基底隔开设定的距离，从而在所述基底沿所述第一方向相对于所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片移动的同时执行沉积。
当所述基底与所述静电夹盘的所述容纳表面组合时，基底可以被弯曲为与所述静电夹盘具有相同的曲率。
所述图案化狭缝片可以与所述基底隔开设定的距离，并可以被弯曲为与所述静电夹盘的所述容纳表面具有基本上相同的曲率。
所述图案化狭缝片可以与所述基底隔开设定的距离，并可以具有与所述静电夹盘的所述容纳表面的形状对应的多边形形状。
在一个实施例中，所述设备被构造为在与所述基底组合的所述静电夹盘沿所述第一方向相对于所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片移动的同时执行沉积。
在一个实施例中，所述容纳表面被构造为由于所述静电夹盘施加的电磁力而与所述基底紧密地组合。
所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片可以经由一个或多个连接构件整合为一体。
所述一个或多个连接构件可以引导所述沉积材料的移动。
所述一个或多个连接构件可以密封设置在所述沉积源的所述一侧的所述沉积源喷嘴单元与所述图案化狭缝片之间的空间。
在所述基底或所述有机层沉积设备沿所述第一方向相对于彼此移动的同时，所述沉积材料可以连续地沉积在所述基底上。
所述有机层沉积设备的图案化狭缝片比所述基底小。
所述图案化狭缝片的沿所述第二方向的宽度可以基本上等于所述基底的沿所述第二方向的宽度。
所述多个沉积源喷嘴可以以设定的角度倾斜。
所述多个沉积源喷嘴可以包括沿在所述第一方向上的两个行布置的沉积源喷嘴，沿所述两个行的所述沉积源喷嘴可以倾斜以彼此面对。
所述多个沉积源喷嘴可以包括沿在所述第一方向上形成的第一行和第二行布置的沉积源喷嘴。位于所述图案化狭缝片的左侧的所述第一行的沉积源喷嘴可以被布置为面向所述图案化狭缝片的右边第二侧，位于所述图案化狭缝片的右侧的所述第二行的沉积源喷嘴可以被布置为面向所述图案化狭缝片的所述左侧。
根据本发明构思的另一实施例，提供了一种通过使用用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备来制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：使所述基底弯曲，以具有设定的曲率；将所述基底设置为与所述有机层沉积设备隔开设定的距离；在使所述有机层沉积设备或所述基底相对于另一者移动的同时将从所述有机层沉积设备排出的沉积材料沉积到所述基底上。
使所述基底弯曲的步骤可以包括：将所述基底设置在静电夹盘上，所述静电夹盘包括具有设定的曲率的容纳表面；将电压施加到所述静电夹盘，以使所述基底与所述容纳表面紧密地组合。
所述有机层沉积设备可以包括图案化狭缝片，所述图案化狭缝片具有多个图案化狭缝，并被弯曲为与所述静电夹盘的所述容纳表面具有基本上相同的曲率。可以通过所述图案化狭缝片使沉积在所述基底上的所述沉积材料图案化。
所述有机层沉积设备可以包括图案化狭缝片，所述图案化狭缝片包括多个图案化狭缝，并被形成为具有与所述静电夹盘的所述容纳表面的形状对应的多边形形状。可以通过所述图案化狭缝片使沉积在所述基底上的所述沉积材料图案化。
根据本发明构思的另一实施例，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：将有机层沉积设备设置为与固定到静电夹盘上的基底隔开，所述静电夹盘包括具有设定的曲率的容纳表面，其中，所述基底与所述容纳表面具有相同的曲率；在使所述有机层沉积设备或固定到所述静电夹盘上的所述基底相对于另一者移动的同时在所述基底上执行沉积。所述有机层沉积设备可以包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化狭缝片，被设置为面向所述沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，所述图案化狭缝片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面弯曲设定的程度，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
附图说明
附图与说明书一起对本发明的示例性实施例进行举例说明，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明实施例的有机层沉积设备的示意图；
图2是图1的静电夹盘的示例的剖视图；
图3是根据本发明实施例的图1的有机层沉积设备的有机层沉积组件的示意性透视图；
图4是图3的有机层沉积组件的示意性剖面侧视图；
图5是图3的有机层沉积组件的示意性剖面平面图；
图6示出了根据对比实施例的当图案化狭缝片和基底被形成为平坦时形成在基底上的有机层；
图7具体示出了根据本发明实施例的包括在图3的有机层沉积组件中的图案化狭缝片和基底；
图8示出了根据本发明另一实施例的与图7的图案化狭缝片不同的图案化狭缝片；
图9是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性透视图；
图10是示意性地示出当沉积源喷嘴在图9的有机层沉积组件中未倾斜时形成在基底上的沉积膜的分布图案的曲线图；
图11是示意性地示出当沉积源喷嘴在图9的有机层沉积组件中倾斜时形成在基底上的沉积膜的分布图案的曲线图；
图12是通过使用根据本发明实施例的有机层沉积设备制造的有源矩阵有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过举例说明的方式示出并描述了本发明的特定示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，本发明可以以许多不同的形式来实施，而不应当被解释为限于在此提出的实施例。另外，在本申请的上下文中，当第一元件被称作“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接在第二元件上，或者可以间接在另一元件上而在它们之间设置有一个或多个中间元件。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。
图1是根据本发明实施例的有机层沉积设备的示意图。参照图1，有机层沉积设备包括装载单元710、沉积单元730、卸载单元720、第一传送单元610和第二传送单元620。
装载单元710可以包括第一架712、运送机械手714、运送室716和第一翻转室718。
其上未施加沉积材料的多个基底500堆叠在第一架712上。运送机械手714从第一架712拾取基底500中的一个，将其设置在经由第二传送单元620运送的静电夹盘600上，并将其上具有基底500的静电夹盘600移动到运送室716中。
第一翻转室718与运送室716相邻地设置。第一翻转室718包括第一翻转机械手719，第一翻转机械手719将静电夹盘600翻转，并将静电夹盘600装载在沉积单元730的第一传送单元610上。
参照图2，静电夹盘600可以包括嵌入在静电夹盘600的主体601中的电极602。这里，主体601由陶瓷形成，向电极602供电。静电夹盘600被构造为当高电压施加到电极602时将基底500固定在主体601的表面上。
返回参照图1，运送机械手714将基底500放置在静电夹盘600上，并且其上具有基底500的静电夹盘600移动到运送室716。第一翻转机械手719按照使基底500在沉积单元730中向下翻转的方式翻转静电夹盘600。
卸载单元720被构造为按照与上面描述的装载单元710的方式相反的方式操作。具体地说，第二翻转室728中的第二翻转机械手729翻转其上具有已经穿过沉积单元730的基底500的静电夹盘600，然后将其上具有基底500的静电夹盘600移动到排出室726中。然后，排出机械手724将其上具有基底500的静电夹盘600从排出室726中移走，将基底500与静电夹盘600分离，并将基底500装载到第二架722中。与基底500分离的静电夹盘600经由第二传送单元620返回到装载单元710中。
然而，本发明不限于以上描述。例如，当基底500最初设置在静电夹盘600上时，基底500可以固定到静电夹盘600的底表面上，然后被移动到沉积单元730中。在这种情况下，例如，不需要第一翻转室718和第一翻转机械手719以及第二翻转室728和第二翻转机械手729。
沉积单元730可以包括至少一个沉积室。如在图1中所示，沉积单元730可以包括第一室731，在第一室731中设置有第一至第四有机层沉积组件100、200、300和400。虽然图1示出了总共四个有机层沉积组件(即，第一有机层沉积组件100至第四有机层沉积组件400)安装在第一室731中，但是可安装在第一室731中的有机层沉积组件的总数量可根据沉积材料和沉积条件改变。在沉积工艺期间将第一室731保持在真空状态下。
在图1中示出的实施例中，其上具有基底500的静电夹盘600可以通过第一传送单元610至少移动到沉积单元730，或者可以顺序地移动到装载单元710、沉积单元730和卸载单元720。在卸载单元720中与基底500分离的静电夹盘600通过第二传送单元620移回到装载单元710。
现在将更详细地描述根据本发明实施例的图1中的上述有机层沉积设备的有机层沉积组件100。图3是根据本发明实施例的图1的有机层沉积设备的有机层沉积组件100的示意性透视图。图4是根据本发明实施例的图3的有机层沉积组件100的示意性剖面侧视图。图5是图3的有机层沉积组件100的剖视平面图。
参照图3、图4和图5，根据当前实施例的有机层沉积组件100包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化狭缝片150。
在一个实施例中，有机层沉积组件100的所有组件可以设置在以适当的真空度保持的室中。将室保持在适当的真空下，从而使沉积材料以基本上直线形式通过有机层沉积设备100移动。
作为沉积目标的基底500设置在室(见图1的第一室731)中。基底500可以是用于平板显示器的基底。可以使用用于制造多个平板显示器的大基底(例如，母玻璃)作为基底500，但是也可以使用其它基底。
基底500与静电夹盘600的具有设定的或预定的曲率的容纳表面605组合，以紧密地接触容纳表面605。与静电夹盘600组合的基底500通过第一传送单元610移动。稍后将详细描述静电夹盘600和基底500的组合。
在当前实施例中，在基底500或有机层沉积组件100相对于另一者移动的同时，执行沉积。
具体地说，在传统的FMM沉积方法中，FMM的尺寸必须等于基底的尺寸。因此，随着基底变大，FMM的尺寸不得不增大。然而，不能简单地制造大FMM，也不能使FMM延伸为与图案精确地对准。
为了克服该问题，在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，可以在使有机层沉积组件100或基底500相对于另一者移动的同时执行沉积。换言之，可以在使被设置为面向有机层沉积组件100的基底500沿Y轴方向移动的同时连续地执行沉积。即，可以在使基底500沿图3中的箭头A的方向移动的同时，以扫描方式执行沉积。虽然将基底500示为在执行沉积时沿图3中的Y轴方向移动，但是本发明不限于此。可以在使有机层沉积组件100沿Y轴方向移动的同时执行沉积，而基底500是固定的。
因此，在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，图案化狭缝片150可以显著地小于在传统的沉积方法中使用的FMM。换言之，在根据本发明的当前实施例的有机层沉积组件100中，在使基底500沿Y轴方向移动的同时，连续地(即，以扫描方式)执行沉积。因此，图案化狭缝片150的沿X轴方向和沿Y轴方向的长度可以显著地小于基底600的沿X轴方向和沿Y轴方向的长度。如上所述，因为图案化狭缝片150可以显著地小于在传统的沉积方法中使用的FMM，所以制造图案化狭缝片150是相对容易的。换言之，与使用较大的FMM的传统的沉积方法相比，使用比在传统的沉积方法中使用的FMM小的图案化狭缝片150在包括蚀刻和其它后续工艺(例如，精确延伸、焊接、移动和清洗工艺)的所有工艺中更加便利。对于相对大的显示装置来说，这更加有利。
为了在使有机层沉积组件100或基底500相对于另一者移动的同时执行沉积(如上所述)，可以使有机层沉积组件100和基底500彼此隔开设定的或预定的距离。稍后将更详细地对此加以描述。
容纳并加热沉积材料115的沉积源110设置在室的与设置有基底500的一侧相对的一侧。在容纳在沉积源110中的沉积材料115蒸发的同时，沉积材料115沉积在基底500上。
具体地说，沉积源110包括填充有沉积材料115的坩埚111和加热器112，加热器112对坩埚111进行加热，以使坩埚111中的沉积材料115蒸发，从而使沉积材料115朝向坩埚111的一侧移动，具体地说，朝向沉积源喷嘴单元120移动。
沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧处，具体地说，设置在沉积源110的面对基底500的一侧处。沉积源喷嘴单元120包括可沿Y轴方向(即，基底500的扫描方向)以相等间隔布置的多个沉积源喷嘴121。在沉积源115中蒸发的沉积材料110朝向基底500穿过沉积源喷嘴单元120。如上所述，当沉积源喷嘴单元120包括沿Y轴方向(即，基底500的扫描方向)布置的多个沉积源喷嘴121时，由通过图案化狭缝片150的图案化狭缝151排出的沉积材料形成的图案的尺寸受到其中一个沉积源喷嘴121的尺寸的影响(因为沿X轴方向仅有一行沉积喷嘴)，因此，不会在基底500上形成阴影区。另外，因为沿基底500的扫描方向布置了多个沉积源喷嘴121，所以即使当在沉积源喷嘴121之间存在流量差异时，可以补偿该差异，并且可以使沉积均匀度保持不变。
图案化狭缝片150和框架155设置在沉积源110和基底500之间。框架155可以以格栅形状形成，类似于窗口框架。图案化狭缝片150限制在框架155的内部。图案化狭缝片150包括沿X轴方向布置的多个图案化狭缝151。在沉积源110中蒸发的沉积材料115朝向基底500穿过沉积源喷嘴单元120和图案化狭缝片150。可以通过蚀刻(即，与在制造FMM(具体地说，条纹状FMM)的传统方法中使用的相同的方法)来制造图案化狭缝片150。在这方面，图案化狭缝151的总数量可以多于沉积源喷嘴121的总数量。
在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，将图案化狭缝片150和基底500形成为具有设定的或预定的曲率。稍后将详细地对此加以描述。
沉积源110和结合到沉积源110的沉积源喷嘴单元120可以被设置为与图案化狭缝片150隔开设定的或预定的距离。可选地，沉积源110和结合到沉积源110的沉积源喷嘴单元120可以通过连接构件135连接到图案化狭缝片150。即，沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化狭缝片150可以整体地形成为经由连接构件135彼此连接的一体。连接构件135可以引导通过沉积源喷嘴121排出的沉积材料115直线移动而不是沿X轴方向流动。在图3中，连接构件135仅形成在沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化狭缝片150的左侧和右侧，从而引导沉积材料115，以使沉积材料115不沿X轴方向流动；然而，本发明的多个方面不限于此。即，可以将连接构件135形成为密封盒，从而沿X轴方向和Y轴方向两个方向引导沉积材料115的流动。
如上所述，根据当前实施例的有机层沉积组件100在相对于基底500移动的同时执行沉积。为了使有机层沉积组件100相对于基底500移动，将图案化狭缝片150与基底500隔开设定的或预定的距离。
在使用FMM的传统的沉积方法中，利用与基底紧密接触的FMM来执行沉积，从而防止在基底上形成阴影区。然而，当与基底紧密接触地使用FMM时，该接触会导致缺陷。另外，在传统的沉积方法中，因为掩模不能相对于基底移动，所以掩模的尺寸必须与基底的尺寸相同。因此，随着显示装置变大，掩模的尺寸不得不增大。然而，不易于制造这样的大掩模。
为了克服该问题，在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，将图案化狭缝片150设置为与作为沉积目标的基底500隔开设定的或预定的距离。
如上所述，根据本发明的实施例，掩模被形成得比基底小，并在使掩模相对于基底移动的同时执行沉积。因此，可以容易地制造掩模。另外，可以减少或防止由于在传统的沉积方法中出现的基底和FMM之间的接触导致的缺陷。另外，因为在沉积工艺期间不必使基底与掩模接触，所以可以提高制造速度。
在根据本发明实施例的有机层沉积组件中，图案化狭缝片和基底具有设定的或预定的曲率。
具体地说，当图案化狭缝片和基底为平坦时，如在对比实施例中，沉积在基底上的图案沿X轴方向朝向图案化狭缝片的两端偏移设定的或预定的程度，如在图6中所示。
穿过直接形成在沉积源喷嘴下方的图案化狭缝的沉积材料的入射角几乎垂直于基底。因此，由穿过直接形成在沉积源喷嘴下方的图案化狭缝的沉积材料形成的有机层形成在适当的位置上。然而，随着图案化狭缝和沉积源喷嘴之间的距离增加，穿过距离沉积源喷嘴更远的图案化狭缝的沉积材料的阈值入射角增大。穿过位于图案化狭缝片的端部处的图案化狭缝的沉积材料的阈值入射角为大约55°。因此，沉积材料倾斜地入射到距离沉积源喷嘴更远的图案化狭缝，因此，由沉积材料形成的有机层形成在沿X轴方向与图案化狭缝偏移了设定的或预定的程度的位置上。
在这种情况下，沉积材料的阈值入射角越大，图案偏移的程度越大。另外，图案化狭缝离图案化狭缝片的中心越远，沉积材料的阈值入射角越大。因此，随着图案化狭缝片的中心和图案化狭缝之间的距离增大，图案偏移的程度增大。即，参照图6，θb＜θc＜θd＜θe，并且PS1＜PS2＜PS3＜PS4。
为了解决该问题，在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，将基底500弯曲为具有设定的或预定的曲率，将图案化狭缝片150设置为通过设定的或预定的距离与基底500隔开且相邻于基底500的一侧，由此防止图案偏移，并防止形成阴影。
图7具体示出了根据本发明实施例的包括在图3的有机层沉积组件中的图案化狭缝片150和基底500。参照图3和图7，静电夹盘600的容纳表面605被弯曲为具有设定的或预定的曲率。基底500放置在容纳表面605上。通常，基底500由透明材料(例如，玻璃或塑料)形成，因此，当设定的或预定的压力施加到基底500时，基底500发生轻微的弹性变形。因此，如果向在容纳表面605上放置了基底500的静电夹盘600上的电极施加高电压，则静电夹盘600向基底500施加电磁力使得基底500略微弯曲而与容纳表面605紧密接触。
设置为与基底500隔开设定的或预定的距离的图案化狭缝片150可以具有与容纳表面605和基底500的曲率基本上相同的曲率。如果静电夹盘600的容纳表面605、基底500和图案化狭缝片150被形成为弯曲成具有设定的或预定的曲率，则对于全部图案化狭缝151来说，沉积源110与图案化狭缝151之间的距离以及通过每个图案化狭缝151排出的沉积材料115的入射角几乎相同，如在图7中所示。因此，形成在基底500上的多个有机层510的形状以及它们之间的距离几乎相同，由此防止形成阴影并防止图案偏移。
这里，容纳表面605、基底500和图案化狭缝片150弯曲的程度可以等于基底500的沿Z轴方向的最高点和最低点之间的距离D。距离D可以为大约1mm。如上所述，基底500由玻璃或塑料形成，因此可以弹性变形至设定的或预定的程度。如果距离D为大约1mm，则距离D落在基底500的弹性变形范围内。因此，当将基底500与静电夹盘600分离时，基底500可以恢复回到初始状态。
图8示出了根据本发明的作为图7的图案化狭缝片150的另一实施例的图案化狭缝片150′。参照图8，图案化狭缝片150′具有多边形形状，其中，图案化狭缝片150′被弯曲多次。因为通过将金属片延伸了设定的或预定的程度来制造图案化狭缝片150′，所以不可能具有在图7中示出的光滑的曲面。因此，可以容易地制造具有多边形形状而不是具有预定曲率的图案化狭缝片150′。图案化狭缝片150′包括位于其它之间的多个图案化狭缝151′。
图9是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件100′的示意性透视图。参照图9，有机层沉积组件100′包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化狭缝片150。沉积源110包括填充有沉积材料115的坩埚111和加热器112，加热器112对坩埚111进行加热，以蒸发容纳在坩埚111中的沉积材料115，从而使蒸发的沉积材料115移动到沉积源喷嘴单元120。沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧。沉积源喷嘴单元120包括沿Y轴方向布置的多个沉积源喷嘴121。图案化狭缝片150和框架155还设置在沉积源110和基底500之间。图案化狭缝片150包括沿X轴方向布置的多个图案化狭缝151。沉积源110和沉积源喷嘴单元120可以通过连接构件135连接到图案化狭缝片150。图案化狭缝片150和基底500具有设定的或预定的曲率。
在当前实施例中，形成在沉积源喷嘴单元120中的多个沉积源喷嘴121以设定的或预定的角度倾斜，与上面描述的先前实施例不同。具体地说，沉积源喷嘴121可以包括以相应的行布置的沉积源喷嘴121a和121b。沉积源喷嘴121a和121b可以以相应的行布置成以Z字形图案交替。沉积源喷嘴121a和121b可以相对于XZ平面倾斜设定的或预定的角度。
在当前实施例中，沉积源喷嘴121a和121b被布置为彼此倾斜设定的或预定的角度。第一行沉积源喷嘴121a和第二行沉积源喷嘴121b可以倾斜成彼此面对。即，位于沉积源喷嘴单元121的左侧处的第一行沉积源喷嘴121a可以倾斜成面向图案化狭缝片150的右侧，位于沉积源喷嘴单元121的右侧处的第二行沉积源喷嘴121b可以倾斜成面向图案化狭缝片150的左侧部分。
图10是示意性地示出当沉积源喷嘴121在图9的有机层沉积组件中未倾斜时形成在基底500上的沉积膜的分布图案的曲线图。图11是示意性地示出当沉积源喷嘴121在图9的有机层沉积组件中倾斜时形成在基底500上的沉积膜的分布图案的曲线图。将图10的曲线图和图11的曲线图彼此进行比较，形成在基底500的相对端部上的沉积膜的厚度在沉积源喷嘴121倾斜时比在沉积源喷嘴121不倾斜时要大，因此，提高了沉积膜的均匀性。
当沉积源喷嘴121倾斜时，可以调节沉积膜的沉积，以减小基底500的中心和端部之间的厚度变化，并提高沉积膜的厚度均匀性。此外，还可以提高沉积材料的利用效率。
图12是通过使用根据本发明实施例的有机层沉积设备的制造的有源矩阵有机发光显示装置的剖视图。参照图12，有源矩阵有机发光显示装置形成在基底30上。基底30可以由透明材料(例如，玻璃、塑料或金属)形成。诸如缓冲层的绝缘层31形成在基底30的整个表面上。
薄膜晶体管(TFT)40、包括第一电容器层51和第二电容器层52的电容器50以及有机发光二极管(OLED)设置在绝缘层31上。
半导体有源层41以设定的或预定的图案形成在绝缘层31上。栅极绝缘层32被形成为覆盖半导体有源层41。半导体有源层41可以包括p型半导体材料或n型半导体材料。
TFT40的栅电极42形成在栅极绝缘层32的与半导体有源层41对应的区域上。层间绝缘层33被形成为覆盖栅电极42。通过例如干蚀刻来蚀刻层间绝缘层33和栅极绝缘层32，从而形成用于部分地暴露半导体有源层41的接触孔。
源/漏电极43形成在层间绝缘层33上，从而通过接触孔接触半导体有源层41。保护层34形成在源/漏电极43上。在一个实施例中，钝化绝缘层可以进一步形成在保护层34上，以使保护层34平坦化。
当电流流动时，OLED60通过发射红光、绿光或蓝光显示预定的图像信息。OLED60包括设置在保护层34上的第一电极61。第一电极61电连接到TFT40的漏电极43。
像素限定层35被形成为覆盖第一电极61。开口64形成在像素限定层35中，然后包括发射层的有机层63形成在由开口64限定的区域中。第二电极62形成在有机层63上。
限定各个像素的像素限定层35由有机材料形成。像素限定层35还使基底30的形成有第一电极61的区域的表面(具体地说，保护层34的表面)平坦化。
第一电极61和第二电极62彼此绝缘，并且分别向包括发射层的有机层63施加相反极性的电压，以诱发光发射。
包括发射层的有机层63可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。当有机层63是低分子量有机层时，有机层63可以被形成为具有单层或多层堆叠结构，该单层或多层堆叠结构包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的组中选择的至少一个层。
在形成有机层63之后，可以通过与用于形成有机层63的沉积方法基本上相同的沉积方法来形成第二电极62。
第一电极61可以用作阳极，第二电极62可以用作阴极。可选地，第一电极61可以用作阴极，第二电极62可以用作阳极。第一电极61可以被图案化为对应于各个像素区域，第二电极62可以被形成为覆盖所有像素。
第一电极层61可以被形成为透明电极或反射电极。这样的透明电极可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成。这样的反射电极可以如下形成：由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(M)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成反射层；在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。第一电极61可以如下形成：通过例如溅射来形成层；然后通过例如光刻将该层图案化。
第二电极62也可以被形成为透明电极或反射电极。当第二电极62被形成为透明电极时，第二电极62用作阴极。为此，这样的透明电极可以如下形成：在有机层63的表面上沉积具有低逸出功的金属，例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的化合物；在具有低逸出功的金属上由ITO、IZO、ZnO、In2O3等形成辅助电极层或汇流电极线。当第二电极62被形成为反射电极时，可以通过在有机层63的整个表面上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物来形成反射层。可以通过使用与上面描述的用于形成有机层63的沉积方法基本上相同的沉积方法来形成第二电极62。
可以应用上面描述的根据本发明实施例的有机层沉积设备来形成有机TFT的有机层或无机层，并由各种材料形成层。
鉴于上述，本发明的实施例提供了一种能够简单地应用于以大规模制造大型显示装置并能够用高清晰度图案化的有机层沉积设备和一种通过使用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法。该有机层沉积设备包括：静电夹盘，与基底组合以固定地支撑基底，并包括用于容纳基底的具有设定曲率的容纳表面；沉积源，用于将沉积材料朝向基底排放；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化狭缝片，被设置为面对沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，图案化狭缝片在由沿第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面被弯曲设定的程度，其中，第三方向垂直于第一方向和第二方向。这里，沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化狭缝片与基底隔开设定的距离，从而在基底沿第一方向相对于沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化狭缝片移动的同时执行沉积。
虽然已经结合特定的示例性实施例描述了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置及它们的等同物。

Claims (16)

1.一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备，所述有机层沉积设备包括：
静电夹盘，与所述基底组合以固定地支撑所述基底，并包括用于容纳所述基底的具有设定的曲率的容纳表面；
沉积源，用于朝向所述基底排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；以及
图案化狭缝片，被设置为面向所述沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，所述图案化狭缝片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面弯曲设定的程度，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，
其中，所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片与所述基底隔开设定的距离，从而在所述基底沿所述第一方向相对于所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片移动的同时执行沉积，
其中，当所述基底与所述静电夹盘的所述容纳表面组合时，基底被弯曲为与所述静电夹盘具有相同的曲率，
其中，所述图案化狭缝片被弯曲为与所述静电夹盘的所述容纳表面具有相同的曲率。
2.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述图案化狭缝片具有与所述静电夹盘的所述容纳表面的形状对应的多边形形状。
3.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述有机层沉积设备被构造为在与所述基底组合的所述静电夹盘沿所述第一方向相对于所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片移动的同时执行沉积。
4.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述容纳表面被构造为由于所述静电夹盘施加的电磁力而与所述基底紧密地组合。
5.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元和所述图案化狭缝片经由连接构件被整合为一体。
6.根据权利要求5所述的有机层沉积设备，其中，所述连接构件被构造为引导所述沉积材料的移动。
7.根据权利要求5所述的有机层沉积设备，其中，所述连接构件被构造为密封设置在所述沉积源的所述一侧的所述沉积源喷嘴单元与所述图案化狭缝片之间的空间。
8.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述有机层沉积设备被构造为在所述基底沿所述第一方向相对于所述有机层沉积设备移动的同时在所述基底上连续地沉积所述沉积材料。
9.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述图案化狭缝片比所述基底小。
10.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，所述图案化狭缝片的沿所述第二方向的宽度等于所述基底的沿所述第二方向的宽度。
11.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，所述多个沉积源喷嘴以设定的角度倾斜。
12.根据权利要求11所述的有机层沉积设备，其中，所述多个沉积源喷嘴包括沿在所述第一方向上形成的两个行布置的沉积源喷嘴，沿所述两个行的所述沉积源喷嘴倾斜以彼此面对。
13.根据权利要求11所述的有机层沉积设备，其中，所述多个沉积源喷嘴包括沿在所述第一方向上形成的第一行和第二行布置的沉积源喷嘴，
其中，定位成与所述图案化狭缝片的左侧叠置的所述第一行的沉积源喷嘴被布置为面向所述图案化狭缝片的右侧，以及
定位成与所述图案化狭缝片的所述右侧叠置的所述第二行的沉积源喷嘴被布置为面向所述图案化狭缝片的所述左侧。
14.一种通过使用用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备来制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
使所述基底弯曲，以具有设定的曲率；
将所述基底设置为与所述有机层沉积设备隔开设定的距离；以及
在使所述有机层沉积设备或所述基底相对于另一者移动的同时将从所述有机层沉积设备排出的沉积材料沉积到所述基底上，
其中，使所述基底弯曲的步骤包括：将所述基底设置在静电夹盘上，所述静电夹盘包括具有设定的曲率的容纳表面；以及将电压施加到所述静电夹盘，以使所述基底与所述容纳表面紧密地组合，
其中，所述有机层沉积设备包括图案化狭缝片，所述图案化狭缝片具有多个图案化狭缝，并被弯曲为与所述静电夹盘的所述容纳表面具有相同的曲率，以及通过所述图案化狭缝片使沉积在所述基底上的所述沉积材料图案化。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述图案化狭缝片被形成为具有与所述静电夹盘的所述容纳表面的形状对应的多边形形状。
16.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
将有机层沉积设备设置为与固定到静电夹盘上的基底隔开，所述静电夹盘包括具有设定的曲率的容纳表面，其中，所述基底具有与所述容纳表面的曲率相同的曲率；以及
在使所述有机层沉积设备或固定到所述静电夹盘上的所述基底相对于另一者移动的同时在所述基底上执行沉积，
其中，所述有机层沉积设备包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化狭缝片，被设置为面向所述沉积源喷嘴单元，并具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个图案化狭缝，其中，所述图案化狭缝片在由沿所述第二方向和第三方向延伸的线形成的平面上的剖面弯曲设定的程度，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，
其中，所述图案化狭缝片被弯曲为与所述静电夹盘的所述容纳表面具有相同的曲率。
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