JP2002004045A - パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 - Google Patents
パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法Info
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 24
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 54
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクと基板との密着性を保つ。
【解決手段】 少なくとも一方の面が曲面とされた基板
上にパターン形成を行うパターン形成装置であって、基
板の曲面とされた面上に配されるマスクと、マスクに所
定の張力を印加する張力印加手段と、基板のマスクが配
された面と対向して配されたパターン形成手段とを備え
る。
上にパターン形成を行うパターン形成装置であって、基
板の曲面とされた面上に配されるマスクと、マスクに所
定の張力を印加する張力印加手段と、基板のマスクが配
された面と対向して配されたパターン形成手段とを備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを用いて、
基板上にパターンを形成するパターン形成装置、パター
ン形成方法、並びにそれらを用いた有機電界発光素子デ
ィスプレイの製造装置及び製造方法に関する。
基板上にパターンを形成するパターン形成装置、パター
ン形成方法、並びにそれらを用いた有機電界発光素子デ
ィスプレイの製造装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種ディスプレイに用いられる発光素子
として、近年、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）が注目を集めている。この有機ＥＬ素子は、
透明基板上に陽極と、正孔輸送層及び発光層からなる有
機層と、陰極とがこの順に形成されて構成される。そし
て、有機ＥＬ素子では、陽極−陰極間に電圧が印加され
ると、発光層内で電子−正孔の再結合が生じ、この再結
合の際に、所定の波長を持った光が発生する。
として、近年、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）が注目を集めている。この有機ＥＬ素子は、
透明基板上に陽極と、正孔輸送層及び発光層からなる有
機層と、陰極とがこの順に形成されて構成される。そし
て、有機ＥＬ素子では、陽極−陰極間に電圧が印加され
ると、発光層内で電子−正孔の再結合が生じ、この再結
合の際に、所定の波長を持った光が発生する。
【０００３】このような有機ＥＬ素子は、各層の構成材
料を基板上にパターン形成することにより製造される。
このとき、有機層の劣化の問題から、フォトリソグラフ
ィーによるパターン形成が不可能なため、基板上にマス
クを密着させた状態で成膜することにより直接パターン
を形成している。
料を基板上にパターン形成することにより製造される。
このとき、有機層の劣化の問題から、フォトリソグラフ
ィーによるパターン形成が不可能なため、基板上にマス
クを密着させた状態で成膜することにより直接パターン
を形成している。
【０００４】基板にマスクを密着させる方法としては、
例えば図１２に示すように、マスク取り付け部材１００
に取り付けられ、磁性体からなるメタルマスク１０１を
基板１０２の一方の面に設置し、この基板１０２の他方
の面に、永久磁石又は電磁石からなる磁化部材１０３を
設置する。そして、この磁化部材１０３によってメタル
マスク１０１を吸い付け、メタルマスク１０１を基板１
０２に密着させる方法が、特開平７−４５６６２号公報
に開示されている。
例えば図１２に示すように、マスク取り付け部材１００
に取り付けられ、磁性体からなるメタルマスク１０１を
基板１０２の一方の面に設置し、この基板１０２の他方
の面に、永久磁石又は電磁石からなる磁化部材１０３を
設置する。そして、この磁化部材１０３によってメタル
マスク１０１を吸い付け、メタルマスク１０１を基板１
０２に密着させる方法が、特開平７−４５６６２号公報
に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、真空蒸着やスパッタリング等の成膜時やドライ
エッチング時の熱によりメタルマスク１０１が熱膨張で
延びた場合、図１３に示すようにメタルマスク１０１が
ゆがみ、基板１０２に対してメタルマスク１０１が部分
的に浮いてしまうという問題が発生する。
法では、真空蒸着やスパッタリング等の成膜時やドライ
エッチング時の熱によりメタルマスク１０１が熱膨張で
延びた場合、図１３に示すようにメタルマスク１０１が
ゆがみ、基板１０２に対してメタルマスク１０１が部分
的に浮いてしまうという問題が発生する。
【０００６】具体的には、成膜でパターンを形成する場
合には、メタルマスク１０１が基板１０２から微小に浮
いた部分は成膜する粒子の回り込みによりパターンのエ
ッジがボケたり、パターンの寸法精度が損なわれるとい
った問題があった。特にパターンが微細になると、メタ
ルマスク１０１の製作上、メタルマスク１０１の厚さを
薄くせざるを得ず、メタルマスク１０１が歪みやすくな
るため、メタルマスク１０１の延びによる浮きの発生は
大きな問題となっていた。
合には、メタルマスク１０１が基板１０２から微小に浮
いた部分は成膜する粒子の回り込みによりパターンのエ
ッジがボケたり、パターンの寸法精度が損なわれるとい
った問題があった。特にパターンが微細になると、メタ
ルマスク１０１の製作上、メタルマスク１０１の厚さを
薄くせざるを得ず、メタルマスク１０１が歪みやすくな
るため、メタルマスク１０１の延びによる浮きの発生は
大きな問題となっていた。
【０００７】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、メタルマスクと基板との密着性
を保つパターン形成装置、パターン形成方法、並びにそ
れらを用いた有機電界発光素子ディスプレイの製造装置
及び製造方法を提供することを目的とする。
提案されたものであり、メタルマスクと基板との密着性
を保つパターン形成装置、パターン形成方法、並びにそ
れらを用いた有機電界発光素子ディスプレイの製造装置
及び製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成装
置は、少なくとも一方の面が曲面とされた基板上にパタ
ーン形成を行うパターン形成装置であって、上記基板の
曲面とされた面上に配されるマスクと、上記マスクに所
定の張力を印加する張力印加手段と、上記基板のマスク
が配された面と対向して配されたパターン形成手段とを
備えることを特徴とする。
置は、少なくとも一方の面が曲面とされた基板上にパタ
ーン形成を行うパターン形成装置であって、上記基板の
曲面とされた面上に配されるマスクと、上記マスクに所
定の張力を印加する張力印加手段と、上記基板のマスク
が配された面と対向して配されたパターン形成手段とを
備えることを特徴とする。
【０００９】上述したような本発明に係るパターン形成
装置では、上記マスクに所定の張力を印加する張力印加
手段を備えているので、上記基板と上記マスクとが強く
押し付けられて、マスクが基板から浮き上がることがな
い。
装置では、上記マスクに所定の張力を印加する張力印加
手段を備えているので、上記基板と上記マスクとが強く
押し付けられて、マスクが基板から浮き上がることがな
い。
【００１０】また、本発明のパターン形成方法は、少な
くとも一方の面が曲面とされた基板上にマスクを配した
状態で、パターン形成手段により当該基板の曲面とされ
た面上にパターン形成を行うに際し、張力印加手段によ
り、上記マスクに所定の張力を印加することを特徴とす
る。
くとも一方の面が曲面とされた基板上にマスクを配した
状態で、パターン形成手段により当該基板の曲面とされ
た面上にパターン形成を行うに際し、張力印加手段によ
り、上記マスクに所定の張力を印加することを特徴とす
る。
【００１１】上述したような本発明に係るパターン形成
方法では、上記張力印加手段によって上記マスクに所定
の張力を印加することで、上記基板と上記マスクとが強
く押し付けられて、マスクが基板から浮き上がることが
ない。
方法では、上記張力印加手段によって上記マスクに所定
の張力を印加することで、上記基板と上記マスクとが強
く押し付けられて、マスクが基板から浮き上がることが
ない。
【００１２】また、本発明の有機電界発光素子ディスプ
レイの製造装置は、少なくとも一方の面が曲面とされた
基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸送層及び発光層か
らなる有機層と、陰極とをパターン形成して有機電界発
光素子ディスプレイとする有機電界発光素子ディスプレ
イの製造装置であって、上記基板の曲面とされた面上に
配されるマスクと、上記マスクに所定の張力を印加する
張力印加手段と、上記基板のマスクが配された面と対向
して配されたパターン形成手段とを備えることを特徴と
する。
レイの製造装置は、少なくとも一方の面が曲面とされた
基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸送層及び発光層か
らなる有機層と、陰極とをパターン形成して有機電界発
光素子ディスプレイとする有機電界発光素子ディスプレ
イの製造装置であって、上記基板の曲面とされた面上に
配されるマスクと、上記マスクに所定の張力を印加する
張力印加手段と、上記基板のマスクが配された面と対向
して配されたパターン形成手段とを備えることを特徴と
する。
【００１３】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子ディスプレイの製造装置では、上記マスクに所定の
張力を印加する張力印加手段を備えているので、上記基
板と上記マスクとが強く押し付けられて、マスクが基板
から浮き上がることがない。
素子ディスプレイの製造装置では、上記マスクに所定の
張力を印加する張力印加手段を備えているので、上記基
板と上記マスクとが強く押し付けられて、マスクが基板
から浮き上がることがない。
【００１４】また、本発明に係る有機電界発光素子ディ
スプレイの製造方法は、基板上に、少なくとも陽極と、
正孔輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパタ
ーン形成して有機電界発光素子ディスプレイとする有機
電界発光素子ディスプレイの製造方法であって、少なく
とも一方の面が曲面とされた基板上にマスクを配した状
態で、パターン形成手段により当該基板の曲面とされた
面上にパターン形成を行うに際し、張力印加手段によ
り、上記マスクに所定の張力を印加することを特徴とす
る。
スプレイの製造方法は、基板上に、少なくとも陽極と、
正孔輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパタ
ーン形成して有機電界発光素子ディスプレイとする有機
電界発光素子ディスプレイの製造方法であって、少なく
とも一方の面が曲面とされた基板上にマスクを配した状
態で、パターン形成手段により当該基板の曲面とされた
面上にパターン形成を行うに際し、張力印加手段によ
り、上記マスクに所定の張力を印加することを特徴とす
る。
【００１５】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子ディスプレイの製造方法では、上記張力印加手段に
よって上記マスクに所定の張力を印加することで、上記
基板と上記マスクとが強く押し付けられて、マスクが基
板から浮き上がることがない。
素子ディスプレイの製造方法では、上記張力印加手段に
よって上記マスクに所定の張力を印加することで、上記
基板と上記マスクとが強く押し付けられて、マスクが基
板から浮き上がることがない。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１７】本実施の形態に係るパターン形成装置１
は、図１に示すように、メタルマスク２を用いたパター
ン成膜により、曲面基板３上に所定パターンを形成する
ものであり、メタルマスク２に一定の張力を印加する張
力印加手段４と、成膜手段５と、装置系内部を真空に保
つ真空排気装置６とを備える。
は、図１に示すように、メタルマスク２を用いたパター
ン成膜により、曲面基板３上に所定パターンを形成する
ものであり、メタルマスク２に一定の張力を印加する張
力印加手段４と、成膜手段５と、装置系内部を真空に保
つ真空排気装置６とを備える。
【００１８】メタルマスク２は、熱膨張係数の比較的低
いＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＳＵＳ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属材料
又はこれらの金属の混合材料からなる。その中でも、曲
面基板３と熱膨張係数の近い材料を用いることが好まし
い。そして、このメタルマスク２には、図２又は図３に
示されるように、曲面基板３上に形成するパターンに応
じた形状の開口部２ａが形成されている。そして、この
メタルマスク２には、張力印加手段４によって、例えば
図２又は図３中の矢印方向に一定の張力が印加されてい
る。
いＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＳＵＳ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属材料
又はこれらの金属の混合材料からなる。その中でも、曲
面基板３と熱膨張係数の近い材料を用いることが好まし
い。そして、このメタルマスク２には、図２又は図３に
示されるように、曲面基板３上に形成するパターンに応
じた形状の開口部２ａが形成されている。そして、この
メタルマスク２には、張力印加手段４によって、例えば
図２又は図３中の矢印方向に一定の張力が印加されてい
る。
【００１９】曲面基板３は、例えばガラス又は高分子材
料等からなるものが用いられる。そして、この曲面基板
３は、図４に示すように、メタルマスク２が配される側
の面３ａ、すなわちパターンが形成される面３ａが曲面
となされている。
料等からなるものが用いられる。そして、この曲面基板
３は、図４に示すように、メタルマスク２が配される側
の面３ａ、すなわちパターンが形成される面３ａが曲面
となされている。
【００２０】曲面基板３の面３ａを曲面とすることで、
張力が印加されている状態のメタルマスク２を突き上げ
ることになる。すなわち、メタルマスク２は曲面基板３
に押し付けられて、曲面基板３とメタルマスク２との密
着性を高めることができる。
張力が印加されている状態のメタルマスク２を突き上げ
ることになる。すなわち、メタルマスク２は曲面基板３
に押し付けられて、曲面基板３とメタルマスク２との密
着性を高めることができる。
【００２１】このとき、基板表面３の面３ａの曲率半径
が大きすぎると、面３ａが平坦に過ぎることになり、上
述したような、メタルマスク２を突き上げることでメタ
ルマスク２を基板に押し付ける力が十分ではなく、曲面
基板３とメタルマスクと２の密着性を高める効果が十分
に得られない。一方、面３ａの曲率半径が小さいと、す
なわち面３ａが必要以上に屈曲していると、当該曲面基
板３上へのパターン形成に影響を与えるおそれがある。
そのため、曲面基板３の曲面とされた面３ａの曲率半径
Ｒは、１００００程度とすることが適当である。
が大きすぎると、面３ａが平坦に過ぎることになり、上
述したような、メタルマスク２を突き上げることでメタ
ルマスク２を基板に押し付ける力が十分ではなく、曲面
基板３とメタルマスクと２の密着性を高める効果が十分
に得られない。一方、面３ａの曲率半径が小さいと、す
なわち面３ａが必要以上に屈曲していると、当該曲面基
板３上へのパターン形成に影響を与えるおそれがある。
そのため、曲面基板３の曲面とされた面３ａの曲率半径
Ｒは、１００００程度とすることが適当である。
【００２２】張力印加手段４は、メタルマスク２を保持
固定するとともに、メタルマスク２に一定の張力を印加
する。
固定するとともに、メタルマスク２に一定の張力を印加
する。
【００２３】メタルマスク２に印加する張力の大きさと
しては１ｋｇｆ〜５ｋｇｆ程度の範囲とすることが好ま
しい。メタルマスク２に印加する張力が１ｋｇｆよりも
小さければ、メタルマスク２を曲面基板３に押し付ける
力が弱く、メタルマスク２の曲面基板３からの浮きを防
止する効果が十分ではない。また、メタルマスク２に印
加する張力が５ｋｇｆよりも大きければ、メタルマスク
２に形成されている開口部２ａが引っ張られて変形して
しまうことになる。曲面基板３上に形成されるパターン
は、この開口部２ａに応じた形状となるため、メタルマ
スク２の開口部２ａが変形すると、曲面基板３上に形成
されるパターンにも変形が生じてしまうことになる。し
たがって、メタルマスク２に印加する張力の大きさを１
ｋｇｆ〜５ｋｇｆ程度の範囲とすることで、メタルマス
ク２の開口部２ａの形状に影響を与えることなく、メタ
ルマスク２の曲面基板３からの浮きを十分に防止するこ
とができる。
しては１ｋｇｆ〜５ｋｇｆ程度の範囲とすることが好ま
しい。メタルマスク２に印加する張力が１ｋｇｆよりも
小さければ、メタルマスク２を曲面基板３に押し付ける
力が弱く、メタルマスク２の曲面基板３からの浮きを防
止する効果が十分ではない。また、メタルマスク２に印
加する張力が５ｋｇｆよりも大きければ、メタルマスク
２に形成されている開口部２ａが引っ張られて変形して
しまうことになる。曲面基板３上に形成されるパターン
は、この開口部２ａに応じた形状となるため、メタルマ
スク２の開口部２ａが変形すると、曲面基板３上に形成
されるパターンにも変形が生じてしまうことになる。し
たがって、メタルマスク２に印加する張力の大きさを１
ｋｇｆ〜５ｋｇｆ程度の範囲とすることで、メタルマス
ク２の開口部２ａの形状に影響を与えることなく、メタ
ルマスク２の曲面基板３からの浮きを十分に防止するこ
とができる。
【００２４】成膜手段５としては、とくに限定されるも
のではなく、真空蒸着手段、スパッタリング手段、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）手段、イオンプレーティング手段
等が挙げられる。
のではなく、真空蒸着手段、スパッタリング手段、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）手段、イオンプレーティング手段
等が挙げられる。
【００２５】なお、本発明は成膜のみに限定されず、メ
タルマスク２を用いて所定形状にパターンを形成するも
のであれば、メタルマスク２を用いて成膜しパターンを
形成する場合のほか、曲面基板３上に成膜した後にメタ
ルマスク２を用いてドライエッチングすることによりパ
ターンを形成する場合にも適用される。
タルマスク２を用いて所定形状にパターンを形成するも
のであれば、メタルマスク２を用いて成膜しパターンを
形成する場合のほか、曲面基板３上に成膜した後にメタ
ルマスク２を用いてドライエッチングすることによりパ
ターンを形成する場合にも適用される。
【００２６】そして、このようなパターン形成装置１を
用いて、曲面基板３上に所定のパターン形成を行う場合
には、まず始めにマスクアライメントを行う。
用いて、曲面基板３上に所定のパターン形成を行う場合
には、まず始めにマスクアライメントを行う。
【００２７】曲面基板３の曲面とされた面３ａ上にメタ
ルマスク２を載置するとともに、当該メタルマスク２を
張力印加手段４に取り付ける。そして、この状態で図示
しないアライメント機構によって曲面基板３の位置を調
整し、メタルマスク２のパターンと曲面基板３に既に作
製されているパターンとの位置合わせ（マスクアライメ
ント）を行う。
ルマスク２を載置するとともに、当該メタルマスク２を
張力印加手段４に取り付ける。そして、この状態で図示
しないアライメント機構によって曲面基板３の位置を調
整し、メタルマスク２のパターンと曲面基板３に既に作
製されているパターンとの位置合わせ（マスクアライメ
ント）を行う。
【００２８】マスクアライメントが終了したら、この状
態で真空蒸着法等、上述したような成膜法により成膜を
行う。なお、曲面基板３の全面に成膜した後、ドライエ
ッチングによりパターンを形成する方法でもよい。
態で真空蒸着法等、上述したような成膜法により成膜を
行う。なお、曲面基板３の全面に成膜した後、ドライエ
ッチングによりパターンを形成する方法でもよい。
【００２９】このとき、メタルマスク２に、張力印加手
段４によって所定の張力を印加する。この張力により、
メタルマスク２は曲面基板３に押し付けられた状態にな
り、メタルマスク２は曲面基板３から浮き上がることが
ない。このため、メタルマスク２のパターンをほとんど
そのまま曲面基板３上に形成することができる。
段４によって所定の張力を印加する。この張力により、
メタルマスク２は曲面基板３に押し付けられた状態にな
り、メタルマスク２は曲面基板３から浮き上がることが
ない。このため、メタルマスク２のパターンをほとんど
そのまま曲面基板３上に形成することができる。
【００３０】このように、このパターン形成装置１で
は、メタルマスク２が基板から浮き上がることに起因す
る位置ずれやぼけが発生することなく、安定して基板３
上にパターンを形成することができる。
は、メタルマスク２が基板から浮き上がることに起因す
る位置ずれやぼけが発生することなく、安定して基板３
上にパターンを形成することができる。
【００３１】そして、上述したようなパターン形成装置
１は、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子と称す
る）から構成された多数の画素を備えてなる有機ＥＬデ
ィスプレイを製造する際の製造装置として適用されると
きに、特に好適である。
１は、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子と称す
る）から構成された多数の画素を備えてなる有機ＥＬデ
ィスプレイを製造する際の製造装置として適用されると
きに、特に好適である。
【００３２】本発明を適用して製造される有機ＥＬディ
スプレイの一構成例を図５及び図６に示す。この有機Ｅ
Ｌディスプレイ２０は、透明基板２１上に、陽極となる
透明電極２２をストライプ状に形成し、さらに、正孔輸
送層と発光層とからなる有機層２３を透明電極２２と直
交するように形成し、有機層２３上に陰極２４を形成す
ることで、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に
それぞれ有機ＥＬ素子を形成してこれら有機ＥＬ素子を
縦横に配置した発光エリアＡを形成し、また、その周辺
部に、発光エリアを外部回路又は内部駆動回路に接続さ
せるための取り出し電極部Ｂを形成している。
スプレイの一構成例を図５及び図６に示す。この有機Ｅ
Ｌディスプレイ２０は、透明基板２１上に、陽極となる
透明電極２２をストライプ状に形成し、さらに、正孔輸
送層と発光層とからなる有機層２３を透明電極２２と直
交するように形成し、有機層２３上に陰極２４を形成す
ることで、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に
それぞれ有機ＥＬ素子を形成してこれら有機ＥＬ素子を
縦横に配置した発光エリアＡを形成し、また、その周辺
部に、発光エリアを外部回路又は内部駆動回路に接続さ
せるための取り出し電極部Ｂを形成している。
【００３３】なお、図示しないものの、このような有機
ＥＬディスプレイ２０においては、通常、透明電極２２
間に絶縁層が設けられており、これによって透明電極２
２間の短絡、さらには透明電極２２と陰極２４との間の
短絡が防止されている。
ＥＬディスプレイ２０においては、通常、透明電極２２
間に絶縁層が設けられており、これによって透明電極２
２間の短絡、さらには透明電極２２と陰極２４との間の
短絡が防止されている。
【００３４】このような有機ＥＬディスプレイ２０にお
いて、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に構成
される有機ＥＬ素子としては、例えば図７に示すシング
ルヘテロ型の有機ＥＬ素子３０がある。この有機ＥＬ素
子３０は、ガラス基板等の透明基板２１上にＩＴＯ（In
dium tin oxide）等の透明電極２２からなる陽極が設け
られ、その上に正孔輸送層２３ａ及び発光層２３ｂから
なる有機層２３、アルミニウム等からなる陰極２４が、
この順に設けられることにより構成されたものである。
いて、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に構成
される有機ＥＬ素子としては、例えば図７に示すシング
ルヘテロ型の有機ＥＬ素子３０がある。この有機ＥＬ素
子３０は、ガラス基板等の透明基板２１上にＩＴＯ（In
dium tin oxide）等の透明電極２２からなる陽極が設け
られ、その上に正孔輸送層２３ａ及び発光層２３ｂから
なる有機層２３、アルミニウム等からなる陰極２４が、
この順に設けられることにより構成されたものである。
【００３５】そして、このような構成のもとに有機ＥＬ
素子３０は、陽極に正の電圧、陰極２４に負の電圧が印
加されると、陽極から注入された正孔が正孔輸送層２３
ａを経て発光層２３ｂに、また陰極２４から注入された
電子が発光層２３ｂにそれぞれ到達し、発光層２３ｂ内
で電子−正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長
を持った光が発生し、図７中矢印で示すように透明基板
２１側から外に出射する。
素子３０は、陽極に正の電圧、陰極２４に負の電圧が印
加されると、陽極から注入された正孔が正孔輸送層２３
ａを経て発光層２３ｂに、また陰極２４から注入された
電子が発光層２３ｂにそれぞれ到達し、発光層２３ｂ内
で電子−正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長
を持った光が発生し、図７中矢印で示すように透明基板
２１側から外に出射する。
【００３６】上述したような構成の有機ＥＬディスプレ
イ２０の製造方法の一例を以下に説明する。図８〜図１
１は有機ＥＬディスプレイ２０の製造方法を順に説明す
るための要部側断面図であり、特に図６中のＣ−Ｃ線斜
視断面図である。
イ２０の製造方法の一例を以下に説明する。図８〜図１
１は有機ＥＬディスプレイ２０の製造方法を順に説明す
るための要部側断面図であり、特に図６中のＣ−Ｃ線斜
視断面図である。
【００３７】まず、図８に示すように、透明基板２１上
に透明導電材料、例えばＩＴＯをパターン成膜すること
により、ストライプ状の透明電極２２を形成する。
に透明導電材料、例えばＩＴＯをパターン成膜すること
により、ストライプ状の透明電極２２を形成する。
【００３８】次に、これら透明電極２２を覆った状態で
透明基板２１上に絶縁材料を形成し、さらにこれをパタ
ーニングして図９に示すように透明電極２２上に開口部
２５を有する絶縁膜２６を得る。次いで、真空蒸着によ
って透明基板２１上の全面に有機層２３用の有機材料を
成膜し、これにより図１０に示すように絶縁層上を覆う
と共に上記開口部２５においては透明基板２１上面に当
接する有機層２３を形成する。
透明基板２１上に絶縁材料を形成し、さらにこれをパタ
ーニングして図９に示すように透明電極２２上に開口部
２５を有する絶縁膜２６を得る。次いで、真空蒸着によ
って透明基板２１上の全面に有機層２３用の有機材料を
成膜し、これにより図１０に示すように絶縁層上を覆う
と共に上記開口部２５においては透明基板２１上面に当
接する有機層２３を形成する。
【００３９】続いて、上記有機層２３上に導電材料を例
えば真空蒸着法によって成膜し、導電膜（図示略）を形
成する。その後、上記有機層２３と導電膜とを同じマス
クを用いて連続してパターニングし、図１１に示すよう
に、透明電極２２に直交するストライプ状の陰極２４、
及び有機層２３を積層した状態で並列して形成する。そ
して、陰極２４を覆って絶縁層（図示略）等を形成する
ことによって、図５及び図６に示したような有機ＥＬデ
ィスプレイ２０が得られる。
えば真空蒸着法によって成膜し、導電膜（図示略）を形
成する。その後、上記有機層２３と導電膜とを同じマス
クを用いて連続してパターニングし、図１１に示すよう
に、透明電極２２に直交するストライプ状の陰極２４、
及び有機層２３を積層した状態で並列して形成する。そ
して、陰極２４を覆って絶縁層（図示略）等を形成する
ことによって、図５及び図６に示したような有機ＥＬデ
ィスプレイ２０が得られる。
【００４０】有機ＥＬ素子を構成する各構成膜をパター
ニング形成する際に、上述したような本発明に係るパタ
ーン形成装置１を製造装置として用いれば、張力印加手
段４によって印加された張力によって、メタルマスク２
は曲面基板３に押し付けられた状態になり、メタルマス
ク２は曲面基板３から浮き上がることがない。このた
め、メタルマスク２のパターンをほとんどそのまま曲面
基板３上に形成することができる。
ニング形成する際に、上述したような本発明に係るパタ
ーン形成装置１を製造装置として用いれば、張力印加手
段４によって印加された張力によって、メタルマスク２
は曲面基板３に押し付けられた状態になり、メタルマス
ク２は曲面基板３から浮き上がることがない。このた
め、メタルマスク２のパターンをほとんどそのまま曲面
基板３上に形成することができる。
【００４１】したがって、メタルマスク２が基板から浮
き上がることに起因する位置ずれやぼけが発生すること
なく、安定して基板上にパターンを形成することができ
る。したがって、本発明に係るパターン形成装置１を有
機ＥＬ素子ディスプレイ２０の製造装置として用いて有
機ＥＬ素子ディスプレイ２０を製造することで、パター
ンの位置ずれやぼけに起因する不良品の発生を低減し
て、製造歩留まりを向上することができる。
き上がることに起因する位置ずれやぼけが発生すること
なく、安定して基板上にパターンを形成することができ
る。したがって、本発明に係るパターン形成装置１を有
機ＥＬ素子ディスプレイ２０の製造装置として用いて有
機ＥＬ素子ディスプレイ２０を製造することで、パター
ンの位置ずれやぼけに起因する不良品の発生を低減し
て、製造歩留まりを向上することができる。
【００４２】なお、上述した例では、マトリクスタイプ
の有機ＥＬディスプレイ２０についての製造装置及び製
造方法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定さ
れず、種々のディスプレイモジュールの製造装置及び製
造方法に適用することができる。
の有機ＥＬディスプレイ２０についての製造装置及び製
造方法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定さ
れず、種々のディスプレイモジュールの製造装置及び製
造方法に適用することができる。
【００４３】
【発明の効果】本発明では、基板上にパターン形成する
に際して、当該基板として少なくとも一方の面が曲面と
されているものを用い、さらに、マスクに張力を印加す
ることで、基板とマスクとが強く押し付けられることに
なり、マスクが基板から浮き上がることがない。したが
って、マスクが基板から浮き上がることに起因する位置
ずれやぼけが発生することなく、安定して基板上にパタ
ーンを形成することができる。そして、本発明は、有機
ＥＬ素子ディスプレイの製造に適用されるときに特に好
適である。
に際して、当該基板として少なくとも一方の面が曲面と
されているものを用い、さらに、マスクに張力を印加す
ることで、基板とマスクとが強く押し付けられることに
なり、マスクが基板から浮き上がることがない。したが
って、マスクが基板から浮き上がることに起因する位置
ずれやぼけが発生することなく、安定して基板上にパタ
ーンを形成することができる。そして、本発明は、有機
ＥＬ素子ディスプレイの製造に適用されるときに特に好
適である。
【図１】本発明に係るパターン形成装置の一構成例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】図１に示されるメタルマスクの一構成例を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】図１に示されるメタルマスクの一構成例を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】本発明を適用してパターンが形成される曲面基
板の一構成例を示す斜視図である。
板の一構成例を示す斜視図である。
【図５】本発明を適用して製造される有機ＥＬディスプ
レイの一構成例を示す斜視図である。
レイの一構成例を示す斜視図である。
【図６】本発明を適用して製造される有機ＥＬディスプ
レイの一構成例を示す平面図である。
レイの一構成例を示す平面図である。
【図７】図５及び図６に示す有機ＥＬディスプレイに採
用されている有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面図であ
る。
用されている有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面図であ
る。
【図８】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する図
であり、透明基板上に透明電極をパターン形成した状態
を示す断面図である。
であり、透明基板上に透明電極をパターン形成した状態
を示す断面図である。
【図９】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する図
であり、透明電極上に絶縁膜をパターン形成した状態を
示す断面図である。
であり、透明電極上に絶縁膜をパターン形成した状態を
示す断面図である。
【図１０】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する
図であり、絶縁層上に有機材料を成膜した状態を示す断
面図である。
図であり、絶縁層上に有機材料を成膜した状態を示す断
面図である。
【図１１】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する
図であり、陰極及び有機層を積層した状態で並列して形
成した状態を示す断面図である。
図であり、陰極及び有機層を積層した状態で並列して形
成した状態を示す断面図である。
【図１２】従来のパターン形成方法を説明する断面図で
ある。
ある。
【図１３】従来のパターン形成方法を説明する図であ
り、マスクが基板から浮き上がった状態を示す断面図で
ある。
り、マスクが基板から浮き上がった状態を示す断面図で
ある。
１ パターン形成装置、 ２ メタルマスク、 ３ 曲
面基板、 ４ 張力印加手段、 ５ 成膜手段、 ６
真空排気手段
面基板、 ４ 張力印加手段、 ５ 成膜手段、 ６
真空排気手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4K029 BA62 BB03 BC08 BD08 CA01 CA03 CA05 HA02 HA03 HA04 4K030 BA61 BB14 DA05 LA17 LA18
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも一方の面が曲面とされた基板
上にパターン形成を行うパターン形成装置であって、 上記基板の曲面とされた面上に配されるマスクと、 上記マスクに所定の張力を印加する張力印加手段と、 上記基板のマスクが配された面と対向して配されたパタ
ーン形成手段とを備えることを特徴とするパターン形成
装置。 - 【請求項２】 上記パターン形成手段が、真空蒸着、ス
パッタリング、化学的気相成長、イオンプレーティング
又はドライエッチングのいずれかによるものであること
を特徴とする請求項１記載のパターン形成装置。 - 【請求項３】 少なくとも一方の面が曲面とされた基板
上にマスクを配した状態で、パターン形成手段により当
該基板の曲面とされた面上にパターン形成を行うに際
し、 張力印加手段により、上記マスクに所定の張力を印加す
ることを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項４】 真空蒸着、スパッタリング、化学的気相
成長、イオンプレーティング又はドライエッチングのい
ずれかの方法により、上記基板上にパターン形成を行う
ことを特徴とする請求項３記載のパターン形成方法。 - 【請求項５】 少なくとも一方の面が曲面とされた基板
上に、少なくとも陽極と、正孔輸送層及び発光層からな
る有機層と、陰極とをパターン形成して有機電界発光素
子ディスプレイとする有機電界発光素子ディスプレイの
製造装置であって、 上記基板の曲面とされた面上に配されるマスクと、 上記マスクに所定の張力を印加する張力印加手段と、 上記基板のマスクが配された面と対向して配されたパタ
ーン形成手段とを備えることを特徴とする有機電界発光
素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項６】 上記パターン形成手段が、真空蒸着、ス
パッタリング、化学的気相成長、イオンプレーティング
又はドライエッチングのいずれかによるものであること
を特徴とする請求項５記載の有機電界発光素子ディスプ
レイの製造装置。 - 【請求項７】 基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸送
層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン形成
して有機電界発光素子ディスプレイとする有機電界発光
素子ディスプレイの製造方法であって、 少なくとも一方の面が曲面とされた基板上にマスクを配
した状態で、パターン形成手段により当該基板の曲面と
された面上にパターン形成を行うに際し、 張力印加手段により、上記マスクに所定の張力を印加す
ることを特徴とする有機電界発光素子ディスプレイの製
造方法。 - 【請求項８】 真空蒸着、スパッタリング、化学的気相
成長、イオンプレーティング又はドライエッチングのい
ずれかの方法により、上記基板上にパターン形成を行う
ことを特徴とする請求項７記載の有機電界発光素子ディ
スプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183777A JP2002004045A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183777A JP2002004045A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002004045A true JP2002004045A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=18684302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000183777A Withdrawn JP2002004045A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002004045A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8461058B2 (en) | 2010-10-22 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| KR101519366B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2015-05-13 | 주식회사 테스 | 박막증착장치 |
| US9224591B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing a thin film |
| CN110983247A (zh) * | 2018-10-02 | 2020-04-10 | 三星显示有限公司 | 沉积装置 |
-
2000
- 2000-06-19 JP JP2000183777A patent/JP2002004045A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9224591B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing a thin film |
| US8461058B2 (en) | 2010-10-22 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| KR101519366B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2015-05-13 | 주식회사 테스 | 박막증착장치 |
| CN110983247A (zh) * | 2018-10-02 | 2020-04-10 | 三星显示有限公司 | 沉积装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070904 |