CN102449700A - 自旋转移力矩-磁性隧道结装置和操作方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 201
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 94
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
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- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
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Abstract
本发明揭示一种方法，所述方法包括控制经由磁性存储器装置的源极线或位线发送的电流的电流流动方向。电流产生的磁场辅助切换自旋转移力矩磁性隧道结(STT-MTJ)装置内的磁性元件的自由层的磁场的方向。
Description
技术领域
本发明大体上涉及非易失性存储器装置，且更特定来说涉及使用自旋力矩转移的磁性隧道结(MTJ)装置。
背景技术
磁性随机存取存储器(MRAM)为使用磁化来表示所存储数据的非易失性存储器技术。MRAM通常包括呈一阵列的多个磁性单元。每一单元表示一位的数据。一单元包括例如MTJ装置等磁性元件。
MTJ装置的铁磁板通常包括通过薄穿隧势垒层分离的自由层和钉扎层(pinnedlayer)(固定层)。所述板与磁化方向(或磁矩的定向)相关联。在自由层中，磁化方向能够自由旋转。反铁磁层可用以将钉扎层的磁化固定于特定方向上。通过改变磁性元件的铁磁板的自由层的磁化方向来将位写入到MTJ装置。视自由层和钉扎层的磁矩的定向而定，MTJ装置的电阻改变。
自旋力矩转移(STT)为用于向MTJ装置写入的一种技术。在将自旋极化电流施加到自由层的情况下，电子得以再极化。电子的再极化导致自由层经历与经再极化电子的角动量的改变相关联的力矩。因此，如果电流密度或开关电流足够高，那么此力矩可切换自由层的磁化的方向。
使用STT来向磁性元件写入的优点包括较小的位单元大小和非易失性存储。此类进展已导致改进性能并促进更广泛应用的可缩放性的更多需求。举例来说，需要设计减小相邻MTJ装置之间的磁场干扰的MRAM。此外，需要减小开关电流。
发明内容
一特定实施例控制通过STT-MTJ装置的位线或源极线的电流以抵销施加到自由层的磁场。经抵销的所述磁场可能由接近于经施加开关电流的所述位线和源极线的电极产生。抵销在MTJ的易磁化轴(easy axis)上的磁场可减小在写入操作期间的开关电流。所述电流诱发的磁场可促进所述MTJ装置的自由层处的MTJ杂散磁场的抵销。所述位线和所述源极线中的一者或两者可相对于所述STT-MTJ装置的长轴或易磁化轴正交定位。所得的电流产生的磁场可平行于所述易磁化轴，且可用以调制所述STT-MTJ装置的净磁矩。
在另一特定实施例中，恒定电流在切换期间可施加于所述位线或所述源极线处，以在所述自由层处产生恒定磁场。通过所述位线或源极线电流产生的磁场可定向于与所述自由层磁矩相反的方向上。电流可经由所述位线和所述源极线在相反的方向上流动，以产生所要磁场抵销。所述位线、所述源极线或两者中的电流的方向可进一步经设定以减小相邻STT-MTJ装置中的潜在电磁干扰。
在另一特定实施例中，揭示一种方法，所述方法包括控制经由源极线或位线的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场。所述电流产生的磁场辅助切换STT-MTJ装置内的磁性存储器元件的自由层的磁场的方向。
在另一特定实施例中，一种设备包括STT-MTJ装置，所述STT-MTJ装置具有与磁场相关联的自由层。所述设备进一步包括位线、源极线和控制逻辑电路。所述位线和所述源极线两者与所述STT-MTJ装置电连通。所述控制逻辑电路经配置以控制经由所述源极线或所述位线发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，所述电流产生的磁场辅助切换与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的方向。
在另一特定实施例中，一种计算机可读有形媒体存储计算机可执行代码，所述代码包括可由计算机执行以自动控制经由源极线或位线的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场的代码。所述电流产生的磁场经施加以辅助切换STT-MTJ装置内的磁性存储器元件的自由层的磁场的方向。
在另一特定实施例中，一种设备包括电流路径，所述电流路径支持在固定方向上通过多个STT-MTJ装置的电流流动。另一电流路径支持在与所述固定方向相反的方向上通过所述多个STT-MTJ装置的电流流动。
在另一特定实施例中，一种设备包括STT-MTJ装置，以及用于控制经由源极线或位线发送的电流的电流流动方向从而产生电流产生的磁场以辅助切换所述STT-MTJ装置内的磁性元件的自由层的磁场的方向的装置。
在另一特定实施例中，一种方法包括接收设计信息，所述设计信息包括电路板上的经封装半导体装置的物理定位信息。所述经封装半导体装置包括包含STT-MTJ装置的结构，所述STT-MTJ装置包括与磁场相关联的自由层。所述经封装的半导体装置还包括与所述STT-MTJ装置电子连通的位线，与所述STT-MTJ装置电子连通的源极线，以及控制逻辑电路。所述控制逻辑电路经配置以控制经由所述源极线或所述位线发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，从而辅助切换与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的方向。
由所揭示实施例提供的特定优点可包括减小的开关电流。实施例可另外减小MRAM的相邻STT-MTJ单元之间的磁性干扰。所述实施例的方面可因此改进STT-MRAM存储器装置的性能和可缩放性。
本发明的其它方面、优点和特征将在审阅包括以下部分的完整申请案之后变得显而易见：附图说明、具体实施方式和权利要求书。
附图说明
图1为STT-MTJ装置的存储器单元的图，所述存储器单元经配置以执行涉及从反平行配置切换到平行配置的写入操作；
图2为STT-MTJ装置的存储器单元的图，所述存储器单元类似于展示于图1中的存储器单元，且经配置以执行涉及从平行配置到反平行配置的切换操作的写入操作；
图3展示STT-MTJ装置的类似于展示于图2中的存储器单元的存储器单元的横截面；
图4展示STT-MTJ装置的存储器单元的横截面，所述存储器单元类似于展示于图3中的存储器单元，且经配置以执行从反平行状态到平行状态的切换操作；
图5展示STT-MTJ装置的存储器单元的横截面，所述存储器单元类似于展示于图3中的存储器单元，且包括顶部通孔而无底部通孔；
图6展示STT-MTJ装置的存储器单元的横截面，所述存储器单元类似于展示于图3中的存储器单元，且包括源极线(所述源极线具有垂直于位线的轴线的轴线)；
图7展示STT-MTJ装置的存储器单元的横截面，所述存储器单元类似于展示于图5中的存储器单元，且包括源极线(所述源极线具有垂直于位线的轴线的轴线)；
图8展示MRAM布局，所述MRAM布局包括通常具有说明于图2到图5中的类型的MTJ装置的布置；
图9展示MRAM布局，所述MRAM布局包括通常具有说明于图6和图7中的类型的MTJ装置的布置；
图10为RH环形图表，其说明影响平行到反平行切换的抵销磁场，例如可由通过图2的位线或源极线传播的电流产生的磁场；
图11为展示向包括图1到图7的STT-MTJ装置的磁性存储器进行写入的方法的流程图；
图12为使用具有说明于图1到图7中的类型的STT-MTJ装置的系统的特定实施例的框图；以及
图13为用于制造STT-MTJ装置的电子装置制造系统的特定实施例的框图。
具体实施方式
图1为自旋力矩转移磁性随机存取存储器(STT-MRAM)的存储器单元100的图，所述存储器单元100经配置以执行写入操作。存储器单元100经配置以执行从反平行配置到平行配置的切换操作。存储器单元100包括磁性隧道结(MTJ)装置102、晶体管104、位线106和字线108。存储器单元100还包括源极线110和偏压产生器112。
MTJ装置102可包括自由层114、势垒层116、钉层118、分隔层120，和钉扎层122。示范性MTJ装置102进一步包括反铁磁层124。
偏压产生器112可在位线106与源极线110之间产生写入电压。偏压产生器112可在位线106的一侧中添加抵销电压(与位线106的另一侧相比)。视位线106与源极线110之间的电压的极性而定，MTJ装置102的自由层114的极性可改变。可将对应逻辑状态写入到存储器单元100。
MTJ装置102的电阻基于自由层114的极性而改变。此改变可归因于STT隧道磁阻效应。在钉层118与自由层114具有相同极性的情况下(写入之后)，电阻为低的。在此状况下，逻辑“0”被写入到存储器单元100。处于此状态的MTJ装置处于平行配置。如果钉层118与自由层114具有相反极性，那么电阻较高，且逻辑“1”被写入到存储器单元100(如图2中所示)。此配置被称为反平行配置。
如图1中所示，钉扎层122的磁矩由箭头140来表示。钉层118的磁矩由箭头142来表示。自由层114的磁矩由箭头144来表示，所述箭头144定向于与箭头142反平行的方向上。MTJ装置102的定向因此为反平行的(在写入操作之前)。
电流可沿通过位线106和源极线110的路径126进行传播，以建立磁场128和130。磁场128、130中的一者或两者可对抗或以其它方式抵销自由层114的磁矩。当施加开关电流时，由磁场128、130抵销的一个此类非所要磁场可能源于接近于位线106或接近于源极线110的电极。所得抵销磁场可使得能够减小存储器单元100的STT-MRAM的自由层114的从反平行状态到平行状态的开关电流。因而，可减小用于在MTJ装置102中写入并存储数据的开关电流。
可使磁场128、130中的一者或两者指向存储器单元100的易磁化轴。所述易磁化轴可与存储器单元100的最长维度对准。举例来说，最长维度可能平行于源极线110、位线106或两者。或者，MTJ装置的最短维度或难磁化轴(hard axis)可能平行于源极线110、位线106或两者。在一个实施例中，用以建立磁场128、130的电流可在约50μA到约150μA的范围内。在另一实施例中，所述电流可在约150μA到约400μA的范围内。
图1因此展示经配置以在减小的电流需求下实现切换操作的存储器单元100。通过位线106或源极线110发送电流以产生至少一个抵销磁场128、130。图1的存储器单元100可使用电流产生的磁场128、130中的一者或一者以上来在平行状态与反平行状态之间的转变期间抵销磁场。抵销磁场可减小在写入操作期间需要的开关电流。电流产生的磁场可促进MTJ的易磁化轴在自由层114处的自旋力矩转移。MTJ的易磁化轴可包括(例如)MTJ的长轴，MTJ可经设计以具有长轴和短轴。所得电流产生的磁场可实质上平行于MTJ装置102的易磁化轴，且可用以调制MTJ装置102的净磁矩。
图2为说明STT-MRAM的类似于展示于图1中的存储器单元的存储器单元200的特定实施例的图，所述存储器单元200正执行从平行状态到反平行状态的切换操作。电流在与图1的路径126相反的方向上流经路径226。存储器单元200包括MTJ装置202、晶体管204、位线206、字线208、源极线210，和偏压产生器212。
MTJ装置202可包括自由层214、势垒层216，和合成钉扎层217。合成钉扎层217可包括钉层218、分隔层220和钉扎层222。示范性MTJ装置202进一步包括反铁磁(AFM)层224。
如图2中所示，钉扎层222的磁矩由箭头240来表示。钉层218的磁矩由箭头242来表示。自由层214的磁矩由箭头244来表示，所述箭头244定向于与箭头242平行的方向上。MTJ装置202的定向因此处于平行状态，且随时可切换到反平行状态。
电流可沿通过位线206和源极线210中的一者或两者的路径226进行传播，以建立至少一个磁场228、330。磁场228、230可抵销自由层214的磁矩。经抵销的磁场可有助于减小开关电流。所得经抵销磁场允许减小存储器单元200的STT-MRAM的自由层214的从平行状态到反平行状态的开关电流。经由位线206和源极线210中的一者或两者来发送电流以产生抵销磁场。存储器单元200使用电流诱发的磁场以在从平行状态到反平行状态的转变期间产生所述抵销磁场。因此，存储器单元200经配置以在减小的开关电流需求下实现切换操作。
图3展示STT-MRAM的存储器单元300的横截面，所述存储器单元300类似于图2的存储器单元200且经配置以执行写入操作。图3进一步说明经配置以执行从平行状态到反平行状态的切换操作的STT-MRAM。存储器单元300可形成于例如半导体衬底等衬底上，所述衬底包括(例如)硅、锗和/或复合半导体材料。存储器单元300包括位线306和源极线330。位线306和源极线330可由适于导电的材料(例如，Al、Cu、Au、Ag和Ta)形成。位线306和源极线330中的至少一者可将电流供应到MTJ装置302。在图3中，电流在如由340表示的方向上沿位线306的轴线并离开页面行进而流动。如由342所表示，电流还向页面中并沿源极线330的轴线而流动。
位线306可耦合到顶部电极332。源极线330可耦合到底部电极334。在图3的实施例中，晶种通孔336耦合到源极线330和底部电极334两者。在其它结构(未图示)存在于源极线330的部分与底部电极334之间的情况下，晶种通孔336可促进源极线330与底部电极334之间的电连接性。
MTJ装置302可包括自由层314、势垒层(例如，氧化物势垒)316，和合成钉扎层348。合成钉扎层348可包括钉层318、分隔层320和钉扎层322。说明性MTJ装置302进一步包括反铁磁层324。反铁磁层324可包括一个或一个以上反铁磁层。在说明于图3中的实施例中，自由层314耦合到顶部电极332，且反铁磁层324耦合到底部电极334。线360展示与MTJ装置302相关联的磁性退火(magnetic anneal)的方向。
在图3中，如由340所表示，电流沿位线306的轴线并离开页面而流动。如由342所表示，电流还向页面中并沿源极线330的轴线而流动。电流沿路径350而流动通过MTJ装置302。通过源极线330的电流流动342可产生第一磁场344，其影响且可抵销自由层314的磁矩。通过位线306的电流流动340可产生磁场346，其可替代地或额外地抵销自由层314的磁矩。
如图3中所示，钉扎层322的磁矩由箭头370来表示。钉层318的磁矩由箭头372来表示。自由层314的磁矩由箭头374来表示，所述箭头374定向于与箭头372平行的方向上。MTJ装置302的定向因此为平行的。
以此方式，具有展示于图3中的晶种通孔336的存储器单元300可提供电流产生的抵销磁场，其促进从平行状态到反平行状态的切换。抵销磁场可减小写入操作期间的开关电流。电流产生的磁场可促进自由层314处的自旋力矩转移。所得电流产生的磁场可用以调制MTJ装置302的净磁矩。
图4展示STT-MRAM的类似于展示于图1中的存储器单元的存储器单元400的横截面，所述存储器单元400正执行从反平行状态到平行状态的切换操作。存储器单元400包括位线406和源极线430。位线406和源极线430中的至少一者可将电流供应到MTJ装置402。在图4中，电流在如由440所表示的方向上沿位线406的轴线并向页面中流动。如由442所表示，电流还离开页面并沿源极线430的轴线而流动。
如图4中所示，钉扎层422的磁矩由箭头470来表示。钉层418的磁矩由箭头472来表示。自由层414的磁矩由箭头474来表示，所述箭头474定向于与箭头472相反的方向上。MTJ装置402的定向因此为反平行的。
位线406可耦合到顶部电极432。源极线430可耦合到底部电极434。在图4的实施例中，晶种通孔436耦合到源极线430和底部电极434两者。在其它结构(未图示)存在于源极线430的部分与底部电极434之间的情况下，晶种通孔436可促进源极线430与底部电极434之间的电连接性。
MTJ装置402可耦合到电极432、434。MTJ装置402可包括自由层414、势垒层(例如，氧化物势垒)416，和合成钉扎层448。合成钉扎层448可包括钉层418、分隔层420和钉扎层422。示范性MTJ装置402进一步包括反铁磁层424。反铁磁层424可包括一个或一个以上反铁磁层。在说明于图4中的实施例中，自由层414耦合到顶部电极432，且反铁磁层424耦合到底部电极434。线460展示与MTJ装置402相关联的磁性退火的方向。
在图4中，如由440所表示，电流沿位线406的轴线且向页面中流动。如由442所表示，电流还离开页面并沿源极线430的轴线而流动。电流沿路径450而流动通过MTJ装置402。通过源极线430的电流流动442可产生第一磁场444，其影响自由层414。通过位线406的电流流动440可产生另一磁场446，其也影响自由层414。
以此方式，具有展示于图4中的晶种通孔436的存储器单元400可提供电流产生的抵销磁场，其促进反平行状态到平行状态之间的切换。抵销磁场可允许减小写入操作期间的开关电流。电流产生的磁场可促进自由层414处的自旋力矩转移。所得电流产生的磁场可用以调制MTJ装置402的净磁矩。
图5展示STT-MRAM的存储器单元500的横截面，所述存储器单元500类似于展示于图3中的存储器单元，但无晶种通孔而包括顶部通孔552。示范性存储器单元500可执行从平行状态到反平行状态的切换操作。存储器单元500包括位线506和源极线530。位线506和源极线530中的至少一者可将电流供应到MTJ装置502。在图5中，电流在如由540表示的方向上沿位线506的轴线并离开页面行进而流动。如由542所表示，电流还向页面中且沿源极线530的轴线而流动。
位线506可耦合到顶部电极532。源极线530可耦合到底部电极534。在图5的实施例中，顶部通孔552耦合到位线506和顶部电极532两者。在其它结构(未图示)存在于位线506的部分与顶部电极532之间的情况下，顶部通孔552可促进位线506与顶部电极532之间的电连接性。
MTJ装置502可耦合到电极532、534。MTJ装置502可包括自由层514、势垒层(例如，氧化物势垒)516，和合成钉扎层548。合成钉扎层548可包括钉层518、分隔层520和钉扎层522。示范性MTJ装置502进一步包括反铁磁层524。在说明于图5中的实施例中，自由层514耦合到顶部电极532，且反铁磁层524耦合到底部电极534。线560展示与MTJ装置502相关联的磁性退火的方向。
如图5中所示，钉扎层522的磁矩由箭头570来表示。钉层518的磁矩由箭头572来表示。自由层514的磁矩由箭头574来表示，所述箭头574定向于与箭头572平行的方向上。MTJ装置502的定向因此为平行的。
在图5中，如由540所表示，电流沿位线506的轴线且离开页面而流动。如由542所表示，电流还向页面中且沿源极线530的轴线而流动。电流沿路径550而流动通过MTJ装置502。通过源极线530的电流流动542可产生第一磁场544，其影响自由层514。
通过位线506的电流流动540可产生另一磁场546，其替代地或额外地抵销自由层514的磁矩。以此方式，具有展示于图5中的顶部通孔552的存储器单元500可提供电流产生的抵销磁场，其在减小的开关电流下促进平行状态与反平行状态之间的切换。
在存储器单元500进行反平行状态与平行状态之间的电流切换的实施例中，相应电流路径540、542、550的方向可经反向。抵销磁场可减小写入操作期间的开关电流。电流产生的磁场可促进自由层514处的自旋力矩转移。所得电流产生的磁场可用以调制MTJ装置502的净磁矩。
图6展示STT-MRAM的存储器单元600的横截面，所述存储器单元600类似于展示于图3中的存储器单元但包括源极线630，所述源极线630具有垂直于位线606的轴线的轴线。示范性存储器单元600可执行从平行状态到反平行状态的切换操作。位线606和源极线630中的至少一者可将电流供应到MTJ装置602。在图6中，电流在如由640表示的方向上沿位线606的轴线并离开页面行进而流动。如由642所表示，电流还沿源极线630的轴线而流动。因此，在图6中，位线606中的电流流动640的方向垂直于源极线630的电流流动642的方向。
位线606可耦合到顶部电极632。源极线630可耦合到底部电极634。在图6的实施例中，晶种通孔636将源极线630耦合到底部电极634。在其它结构(未图示)存在于源极线630的部分与底部电极634之间时，晶种通孔636可促进源极线630与底部电极634之间的电连接性。线660展示与MTJ装置602相关联的磁性退火的方向。
MTJ装置602可耦合到电极632、634。MTJ装置602可包括自由层614、势垒层616，和合成钉扎层648。合成钉扎层648可包括钉层618、分隔层620和钉扎层622。示范性MTJ装置602进一步包括反铁磁层624。
如图6中所示，钉扎层622的磁矩由箭头670来表示。钉层618的磁矩由箭头672来表示。自由层614的磁矩由箭头674来表示，所述箭头674定向于与箭头672平行的方向上。MTJ装置602的定向因此为平行的。
在图6中，如由640所表示，电流沿位线606的轴线且离开页面而流动。如由642所表示，电流还沿源极线630的轴线而流动。电流沿路径650而流动通过MTJ装置602。通过位线606的电流流动640可产生磁场646，其影响自由层614。通过源极线630的电流流动642可另外产生磁场(未图示)。以此方式，具有晶种通孔636和源极线630(所述源极线630相对于位线606正交布置)的存储器单元600可在减小的开关电流下促进平行状态到反平行状态之间的电流切换。在存储器单元600进行反平行状态与平行状态之间的电流切换的实施例中，相应电流路径640、642、650的方向可经反向。
抵销自由层614中的磁场可通过促进自旋力矩转移而减小开关电流。自由层614处的所得电流产生的磁场可用以调制MTJ装置602的净磁矩。
图7展示STT-MRAM的存储器单元700的横截面，所述存储器单元700类似于展示于图6中的存储器单元，但包括顶部通孔752而非晶种通孔(例如，图6的晶种通孔636)。示范性存储器单元700可执行从平行状态到反平行状态的切换操作。位线706和源极线730中的至少一者可将电流供应到MTJ装置702。在图7中，电流在如由740所表示的方向上沿位线706的轴线并离开页面而流动。如由742所表示，电流还沿源极线730的轴线而流动。
位线706可耦合到顶部电极732。源极线730可耦合到底部电极734。在图7的实施例中，顶部通孔752耦合到位线706和顶部电极732。在其它结构(未图示)存在于位线706的部分与顶部电极732之间的情况下，顶部通孔752可促进位线706与顶部电极732之间的电连接性。线760展示与MTJ装置702相关联的磁性退火的方向。
MTJ装置702可耦合到电极732、734。MTJ装置702可包括自由层714、势垒层716，和合成钉扎层748。所述合成钉扎层可包括钉层718、分隔层720和钉扎层722。示范性MTJ装置702进一步包括反铁磁层724。
如图7中所示，钉扎层722的磁矩由箭头770来表示。钉层718的磁矩由箭头772来表示。自由层714的磁矩由箭头774来表示，所述箭头774定向于与箭头772平行的方向上。MTJ装置702的定向因此为平行的。
如由740所表示，电流在图7中沿位线706的轴线且离开页面而流动。如由742所表示，电流还沿源极线730的轴线而流动。电流沿路径750而流动通过MTJ装置702。通过位线706的电流流动740可产生磁场746，其影响自由层714。通过源极线730的电流流动742可另外产生磁场(未图示)。通过抵销自由层714中的磁场，可促进自旋力矩转移，且可减小开关电流。自由层714处的所得电流产生的磁场可用以调制MTJ装置702的净磁矩。
以此方式，具有顶部通孔752和源极线730(所述源极线730相对于位线706正交布置)的存储器单元700可在减小的开关电流下促进从平行状态到反平行状态的电流切换。在存储器单元700进行从反平行状态到平行状态的电流切换的实施例中，相应电流路径740、742、750的方向可经反向。
图8展示MTJ布局800，所述MTJ布局800包括通常具有描述于图3到图5中的类型的MTJ装置的布置。示范性布局800可包含MRAM的一部分。列852可包括沿共同轴线布置的位线840和源极线846。列854可包括沿共同轴线布置的位线842和源极线848，且列856可包括沿共同轴线布置的位线844和源极线850。列852、854和856可彼此平行。
布局800可包括多个MTJ装置860、862、864、866、868、870、872、874、876。MTJ装置860可耦合到电极880。MTJ装置862可耦合到电极882。MTJ装置864可耦合到电极884。MTJ装置866可耦合到电极886。MTJ装置868可耦合到电极888。MTJ装置870可耦合到电极890。MTJ装置872可耦合到电极892。MTJ装置874可耦合到电极894。MTJ装置876可耦合到电极896。线898展示与MTJ装置860、862、864、866、868、870、872、874、876相关联的磁性退火的方向。
示范性列854展示所产生的磁场820、822。列854说明位线中的第一电流路径824和与从反平行状态到平行状态的写入操作相关联的第三电流路径825。位线中的第一电流路径824可支持固定方向上的电流流动。列854中的第三电流路径825可在相对于第一电流路径824相反的方向上流动，且可对应于从反平行状态到平行状态的写入操作。列854还包括位线中的第二电流路径826和与从平行状态到反平行状态的写入操作相关联的第四电流路径827。位线中的第二电流路径826可支持固定方向上的电流流动。列854中的第四电流路径827可在相对于第二电流路径826相反的方向上流动，且可对应于从平行状态到反平行状态的写入操作。
图8展示平行列852、854、856的电流产生的磁场，所述磁场经配置以最小地影响相邻列的操作。举例来说，平行列852、854、856的磁场的定向经分阶段定向以减小相邻MTJ装置之间的磁场干扰。图8的MTJ布局800还展示经配置而以减小的开关电流操作的MTJ装置862、864、866、868、870、872、874、876。抵销磁场可减小用以切换MTJ装置860、862、864、866、868、870、872、874、876的相应自由层的磁化的方向的电流量。
图9展示MTJ布局900，所述MTJ布局900包括通常具有描述于图6和图7中的类型的MTJ装置的布置。存储器单元的列952包括位线940。列954平行于列952，且包括位线942。存储器单元的列956也平行于列952，且包括位线944。列952还包括源极线946。源极线946沿正交于位线940的轴线的轴线而布置。列954包括源极线948。源极线948沿正交于位线942的轴线的轴线而布置。列956包括正交于位线944的源极线950的一部分。线998展示与MTJ装置960、962、964、966、968、970、972、974、976相关联的磁性退火的方向。
布局900包括多个MTJ装置960、962、964、966、968、970、972、974、976。MTJ装置960可耦合到电极980。MTJ装置962可耦合到电极982。MTJ装置964可耦合到电极984。MTJ装置966可耦合到电极986。MTJ装置968可耦合到电极988。MTJ装置970可耦合到电极990。MTJ装置972可耦合到电极992。MTJ装置974可耦合到电极994。MTJ装置976可耦合到电极996。
图9的示范性列954包括抵销磁场920、922。使磁场920、922与每一MTJ装置966、970的相应易磁化轴对准。列954说明与从反平行状态到平行状态的写入操作相关联的第一电流路径924。第一电流路径924的方向可为固定的。列954中的第二电流路径926可在相对于第一电流路径924垂直或相反的方向上行进，且可对应于从平行状态到反平行状态的写入操作。
图9展示列952、954、956的电流产生的诱发磁场，所述磁场可最小地影响相邻列的操作。举例来说，列952、954、956的磁场的定向经分阶段定向以减小相邻MTJ装置之间的磁场干扰。图9的MTJ布局900还展示经配置而以减小的开关电流操作的MTJ装置962、964、966、968、970、972、974、976。抵销磁场可减小用以切换相应MTJ装置自由层的磁化的方向的电流量。
图10展示图表1000，所述图表1000说明抵销磁场，例如可使用通过图2的位线206和源极线210中的至少一者传播的电流产生的磁场。R-H环形图表1000绘制电阻R(Om)与磁场H(Oe)以展示两个值1002、1004之间的移位。所述移位跟随箭头，且表示用以切换例如展示于图2中的STT-MRAM装置中的状态的开关电流的减小。抵销磁场可减小STT-MRAM装置的从平行状态到反平行状态所需要的开关电流。除其它益处外，此减小的开关电流还可促进减小的电路大小和延长的电池寿命方面的进步。
图11展示用于向磁性存储器进行写入的方法1100，所述磁性存储器包括STT-MTJ装置(例如，图1的STT-MTJ装置102)。在1102处，所述方法可控制经由源极线或位线(例如，STT-MTJ装置102的源极线110和位线106中的一者)发送的电流的电流流动方向。在1104处，电流流动可用以产生电流产生的磁场(例如，图1的电流磁场128、130)，以辅助自由层的磁场的方向的切换。举例来说，可切换图1的STT-MTJ装置102内的磁性存储器元件的自由层114的磁场的方向。
在1106处，在写入操作期间在STT-MTJ装置处可施加连续电流。在1108处，所述方法可使用电流产生的磁场来减小用以切换自由层的磁场的方向的开关电流。
在1110处，所述方法可控制经由相邻磁性存储器装置的源极线和位线(例如，图1的源极线110和位线106)中的一者发送的电流的相邻电流流动方向。所述相邻电流流动方向可经控制，使得所述相邻电流流动方向在与电流流动方向相同的方向上流动。相邻MTJ单元在不同位置中可分阶段为目标单元，以使彼此之间的扰乱最小化。
图11因此展示一种用于以可减小STT-MTJ装置的开关电流的方式对磁性存储器进行写入的方法。所述方法可进一步减小相邻STT-MTJ装置之间的磁性干扰。举例来说，图8中的平行列852、854、856的磁场经分阶段定向以减小装置之间的磁场干扰。电流产生的磁场可进一步减小影响STT-MRAM的自由层的极性且因此影响存储器单元的逻辑状态所需要的开关电流。除其它益处外，此减小的开关电流还可促进进一步减小的电路大小和延长的电池寿命方面的进展。
图12为设备1200的特定实施例的框图，所述设备1200包括经配置以控制发送到MRAM 1286的源极线和位线中的一者的电流的电流流动方向的控制逻辑电路1264。举例来说，控制逻辑1264可调整位线或源极线上的电压以控制电流流动方向。电流流动可以减小影响MRAM 1286的自由层的极性且因此影响存储器单元的逻辑状态所需要的开关电流的方式来加以控制。除其它益处外，减小的开关电流还可促进减小的电路大小和延长的电池寿命方面的进展。
所发送的电流产生磁场以辅助切换与STT-MTJ装置1288的自由层相关联的磁场的方向，所述STT-MTJ装置1288与MRAM 1286相关联。设备1200可以便携式电子装置来实施，且包括耦合到存储器1232的处理器1210，例如数字信号处理器(DSP)。
相机接口控制器1270耦合到处理器1210，且还耦合到例如视频相机等相机1272。相机控制器1270可对处理器1210作出响应，从而(例如)用于自动调焦和自动曝光控制。显示控制器1226耦合到处理器1210且耦合到显示装置1228。编码器/解码器(CODEC)1234还可耦合到处理器1210。扬声器1236和麦克风1238可耦合到CODEC1234。无线接口1240可耦合到处理器1210且耦合到无线天线1242。
处理器1210还可适于产生经处理图像数据1280。显示控制器1226经配置以接收经处理图像数据1280并将经处理图像数据1280提供到显示装置1228。此外，存储器1232可经配置以接收并存储经处理图像数据1280，且无线接口1240可经配置以检索经处理图像数据1280以供经由天线1242进行发射。
在特定实施例中，处理器1210、显示控制器1226、存储器1232、CODEC 1234、无线接口1240和相机控制器1270包括于系统级封装或芯片上系统装置1222中。在特定实施例中，输入装置1230和电源供应器1244耦合到芯片上系统装置1222。此外，在特定实施例中，如图12中所说明，显示装置1228、输入装置1230、扬声器1236、麦克风1238、无线天线1242、视频相机1272和电源供应器1244在芯片上系统装置1222外部。然而，显示装置1228、输入装置1230、扬声器1236、麦克风1238、无线天线1242、相机1272和电源供应器1244中的每一者可耦合到芯片上系统装置1222的组件(例如，接口或控制器)。
本文中所描述的装置和功能性可经设计和配置为存储于计算机可读媒体上的计算机文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)。可将一些或所有此类文件提供到基于此类文件制造装置的制造处置者。所得产品包括半导体晶片，所述半导体晶片接着被切割为半导体裸片并封装成半导体芯片。所述芯片接着用于上文所描述的装置中。图13描绘电子装置制造过程1300的特定说明性实施例。
在制造过程1300中，例如在研究计算机1306处，接收物理装置信息1302。物理装置信息1302可包括设计信息，所述设计信息表示例如图1的STT-MRAM等半导体装置的至少一个物理性质。举例来说，物理装置信息1302可包括物理参数、材料特性，和经由耦合到研究计算机1306的用户接口1304输入的结构信息。研究计算机1306包括耦合到例如存储器1310等计算机可读媒体的处理器1308(例如，一个或一个以上处理核心)。存储器1310可存储计算机可读指令，所述计算机可读指令可执行以使处理器1308转换物理装置信息1302以使其符合文件格式并产生库文件1312。
在特定实施例中，库文件1312包括至少一个数据文件，所述数据文件包括经转换的设计信息。举例来说，库文件1312可包括半导体装置(包括图1的STT-MRAM)的库。
在包括耦合到存储器1318的处理器1316(例如，一个或一个以上处理核心)的设计计算机1314处，可结合EDA工具1320使用库文件1312。EDA工具1320可作为处理器可执行指令存储于存储器1318处，以使得设计计算机1314的用户能够设计电路。举例来说，设计计算机1314的用户可经由耦合到设计计算机1314的用户接口1324输入电路设计信息1322。电路设计信息1322可包括设计信息，所述设计信息表示例如图1的STT-MRAM等半导体装置的至少一个物理性质。为说明起见，电路设计性质可包括电路设计中的特定电路的识别和与其它元件的关系、定位信息、特征大小信息、互连信息，或表示半导体装置的物理性质的其它信息。
设计计算机1314可经配置以转换包括电路设计信息1322的设计信息以使其符合文件格式。为说明起见，文件格式可包括表示平面几何形状、文本标记和关于呈阶层格式的电路布局的其它信息的数据库二进制文件格式，例如图形数据系统(GDSII)文件格式。设计计算机1314可经配置以产生包括经转换的设计信息的数据文件(例如，GDSII文件1326)，所述GDSII文件1326包括描述图1的STT-MRAM的信息以及其它电路或信息。为说明起见，数据文件可包括对应于芯片上系统(SOC)的信息，所述芯片上系统(SOC)包括图1的STT-MRAM，且还包括SOC内的额外电子电路和组件。
可在制造过程1328处接收GDSII文件1326，以根据GDSII文件1326中的经转换的信息来制造图1的STT-MRAM。举例来说，装置制造过程可包括将GDSII文件1326提供到掩模制造商1330以建立说明为代表性掩模1332的一个或一个以上掩模，例如待用于光刻处理的掩模。在制造过程期间可使用掩模1332以产生一个或一个以上晶片1334，所述一个或一个以上晶片1334可经测试并分离成例如代表性裸片1336等裸片。裸片1336包括电路，所述电路包括图1的STT-MRAM。
可将裸片1336提供到封装过程1338，在所述封装过程1338处，将裸片1336并入到代表性封装1340中。举例来说，封装1340可包括单一裸片1336或多个裸片，例如系统级封装(SiP)布置。封装1340可经配置以遵照一个或一个以上标准或规范，例如电子装置工程联合委员会(JEDEC)标准。
关于封装1340的信息可(例如)经由存储于计算机1346处的组件库而分布到各个产品设计者。计算机1346可包括耦合到存储器1350的处理器1348，例如一个或一个以上处理核心。印刷电路板(PCB)工具可作为处理器可执行指令存储于存储器1350处，以处理经由用户接口1344从计算机1346的用户接收到的PCB设计信息1342。举例来说，PCB设计信息1342可包括电路板上的经封装半导体装置、对应于包括图1的STT-MRAM的封装1340的经封装半导体装置的物理定位信息。
计算机1346可经配置以转换PCB设计信息1342以产生例如GERBER文件1352等具有数据的数据文件，所述数据包括电路板上的经封装半导体装置以及例如迹线和通孔等电连接的布局的物理定位信息。在其它实施例中，通过经转换PCB设计信息产生的数据文件可具有不同于GERBER格式的格式。
GERBER文件1352可在板装配过程1354处接收，且用以建立例如代表性PCB 1356等根据存储于GERBER文件1352内的设计信息制造的PCB。举例来说，可将GERBER文件1352上载到用于执行PCB生产过程的各种步骤的一个或一个以上机器。PCB 1356可由包括封装1340的电子组件组装，以形成所表示的印刷电路组合件(printed circuitassembly，PCA)1358。
PCA 1358可在产品制造过程1360处接收，并被集成到一个或一个以上电子装置(例如，第一代表性电子装置1362和第二代表性电子装置1364)中。作为说明性且非限制性实例，第一代表性电子装置1362、第二代表性电子装置1364或两者可选自以下各者的群组：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元，和计算机。作为另一说明性而非限制性实例，电子装置1362和1364中的一者或一者以上可为例如移动电话等远程单元、手持式个人通信系统(PCS)单元、例如个人数据助理等便携式数据单元、具有全球定位系统(GPS)能力的装置、导航装置、例如仪表读取设备等固定位置数据单元，或存储或检索数据或计算机指令的任何其它装置，或其任何组合。虽然图1到图13中的一者或一者以上可说明根据本发明的教示的远程单元，但本发明不限于这些所说明的示范性单元。本发明的实施例可合适地用于包括主动集成电路(所述主动集成电路包括存储器)以及用于测试和表征的芯片上电路的任何装置中。
因此，如说明性过程1300中所描述，可将实施例制造、处理且并入到电子装置中。关于图1到图13所揭示的实施例的一个或一个以上方面可包括于各种处理阶段处，例如包括于库文件1312、GDSII文件1326和GERBER文件1352内，以及存储于在各种阶段(例如在板装配过程1354)使用的研究计算机1306的存储器1310、设计计算机1314的存储器1318、计算机1346的存储器1350、一个或一个以上其它计算机或处理器(未图示)的存储器处，且还并入到一个或一个以上其它物理实施例中，例如并入到掩模1332、裸片1336、封装1340、PCA 1358、例如原型电路或装置(未图示)等其它产品，或其任一组合中。虽然描绘从物理装置设计到最终产品的生产的各种代表性阶段，但在其它实施例中，可使用较少阶段，或可包括额外阶段。类似地，过程1300可通过单一实体或通过执行过程1300的各阶段的一个或一个以上实体来执行。
已描述多种存储器控制技术。可以硬件、软件、固件，或其任何组合来实施所述技术。如果以软件来实施，那么所述技术可针对包含程序代码的计算机可读媒体，所述程序代码在装置中执行时使装置执行本文中所描述的技术中的一者或一者以上。在所述状况下，计算机可读媒体除了MRAM外还可包含例如同步动态随机存取存储器(SDRAM)等任何随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、非易失性随机存取存储器(NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器等。
程序代码可以计算机可读指令的形式存储于存储器中。在所述状况下，例如DSP等处理器可执行存储于存储器中的指令，以便实行图像处理技术中的一者或一者以上。在一些状况下，可通过调用各种硬件组件以加速图像处理的DSP来执行所述技术。在其它状况下，可将本文中所描述的单元实施为微处理器、一个或一个以上专用集成电路(ASIC)、一个或一个以上现场可编程门阵列(FPGA)，或某一其它硬件-软件组合。
技术人员将进一步了解，结合本文中所揭示的实施例描述的各种说明性逻辑块、配置、模块、电路和算法步骤可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为了清楚地说明硬件与软件的此可互换性，各种说明性组件、块、配置、模块、电路和步骤已大体按其功能性予以了描述。此功能性实施为硬件还是软件视特定应用和强加于整个系统的设计约束而定。熟练的技术人员可针对每一特定应用以变化的方式实施所描述的功能性，但此类实施决策不应解释为会引起偏离本发明的范围。
结合本文中所揭示的实施例而描述的方法或算法的步骤可直接体现于硬件中、由处理器执行的软件模块中，或两者的组合中。除MRAM外，软件模块还可驻留于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可拆卸盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。示范性存储媒体耦合到处理器，使得所述处理器可从所述存储媒体读取信息并将信息写入到所述存储媒体。在替代方案中，存储媒体可与处理器成一体式。所述处理器和所述存储媒体可驻留于专用集成电路(ASIC)中。所述ASIC可驻留于计算装置或用户终端中。在替代方案中，处理器和存储媒体可作为离散组件驻留于计算装置或用户终端中。
提供所揭示实施例的先前描述以使所属领域的技术人员能够制造或使用所揭示的实施例。所属领域的技术人员将容易了解对这些实施例的各种修改，且本文中所界定的一般原理可在不偏离本发明的范围的情况下应用于其它实施例。因此，本发明不希望限于本文中所展示的实施例，而是应被赋予与如所附权利要求书界定的原理和新颖特征一致的可能的最广范围。
Claims (42)
1.一种方法，其包含控制待经由源极线和位线中的至少一者发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，从而辅助切换自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置内的磁性存储器元件的自由层的磁场的方向。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述自由层的所述磁场的所述方向与入射于所述自由层的另一磁场的方向相反。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述STT-MTJ装置的写入操作期间控制所述电流流动方向。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含在所述写入操作期间施加连续电流。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含使所述电流在所述电流流动方向上流动通过所述源极线或所述位线，以辅助所述自由层的所述磁场的所述方向的所述切换。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含向所述源极线或所述位线选择性地施加电压。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含选择性地设定所述电流流动方向以辅助所述自由层的所述磁场的所述方向的所述切换。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含调节所述电流到所述STT-MTJ装置的顶部电极和底部电极的流动。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述电流具有在约50μA到约400μA的范围内的量值。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电流具有在约150μA到约200μA的范围内的量值。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电流产生的磁场减小用以切换所述自由层的所述磁场的所述方向的开关电流。
12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在写入操作期间经由所述位线发送所述电流。
13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含控制经由相邻磁性存储器装置的源极线和位线中的一者发送的电流的相邻电流流动方向，使得所述相邻电流流动方向平行于所述电流流动方向。
14.根据权利要求1所述的方法，其中待经由所述源极线或所述位线发送的电流的所述电流流动方向平行于待经由所述源极线或所述位线中的另一者发送的电流的电流流动方向。
15.一种设备，其包含：
自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置，其包括与磁场相关联的自由层；
位线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；
源极线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；以及
控制逻辑电路，其经配置以控制待经由所述源极线或所述位线发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，所述电流产生的磁场辅助切换与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的方向。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述位线或所述源极线与所述自由层的易磁化轴正交。
17.根据权利要求15所述的设备，其中所述控制逻辑电路进一步经配置以调整所述位线或所述源极线上的电压以控制所述电流流动方向。
18.根据权利要求15所述的设备，其进一步包含耦合到所述位线的第一电极和耦合到所述源极线的第二电极。
19.根据权利要求15所述的设备，其进一步包含耦合到电极且耦合到所述位线或所述源极线的通孔。
20.根据权利要求15所述的设备，其中所述位线的轴线正交于所述源极线的轴线。
21.根据权利要求15所述的设备，其中电流在相反方向上经由所述位线与所述源极线而流动。
22.根据权利要求15所述的设备，其中所述设备包含无线装置、磁性随机存取存储器、相机和摄像机中的一者。
23.根据权利要求15所述的设备，其中与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的所述方向与所述STT-MTJ的易磁化轴的方向匹配。
24.根据权利要求15所述的设备，其集成于半导体裸片中。
25.一种存储可由计算机执行的指令的计算机可读有形媒体，所述指令包含：可由所述计算机执行以自动控制待经由源极线或位线发送的电流的电流流动方向以产生磁场的指令，
其中所述电流产生的磁场经施加以辅助切换自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置内的磁性存储器元件的自由层的磁场的方向。
26.根据权利要求25所述的计算机可读有形媒体，其中所述指令可由集成于装置中的处理器执行，所述装置选自由以下各者组成的群组：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元，和所述计算机。
27.一种设备，其包含：
第一电流路径，其支持在固定方向上通过多个自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置的电流流动；以及
第二电流路径，其支持在与所述固定方向相反的方向上通过所述多个STT-MTJ装置的电流流动。
28.根据权利要求27所述的设备，其中所述第一电流路径用于将所述多个STT-MTJ装置中的一STT-MTJ装置从反平行状态切换到平行状态。
29.根据权利要求28所述的设备，其中所述第二电流路径用于使所述多个STT-MTJ装置中的一STT-MTJ装置在平行状态到反平行状态之间切换。
30.根据权利要求27所述的设备，其中所述多个STT-MTJ装置处于磁性随机存取存储器内。
31.根据权利要求27所述的设备，其中所述相反方向是固定的。
32.一种设备，其包含：
用于存储数据的自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置；以及
用于控制待经由源极线或位线发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场从而辅助切换所述用于存储数据的STT-MTJ装置内的磁性元件的自由层的磁场的方向的装置。
33.根据权利要求32所述的设备，其进一步包含选自由以下各者组成的群组的装置：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元，和计算机，所述装置集成于前述各者中。
34.一种方法，其包含：
接收设计信息，所述设计信息包括电路板上的经封装半导体装置的物理定位信息，所述经封装半导体装置包括半导体结构，所述半导体结构包含：
自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置，其包括与磁场相关联的自由层；
位线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；
源极线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；以及
控制逻辑电路，其经配置以控制发送到所述源极线或所述位线的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，从而辅助切换与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的方向；以及
转换所述设计信息以产生数据文件。
35.根据权利要求34所述的方法，其中所述数据文件具有GERBER格式。
36.一种方法，其包含：
第一步骤，其用于控制待经由源极线和位线中的至少一者发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，从而辅助切换自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置内的磁性存储器元件的自由层的磁场的方向；以及
第二步骤，其用于选择性地设定所述电流流动方向以辅助所述自由层的所述磁场的所述方向的所述切换。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述第一步骤和所述第二步骤由集成于电子装置中的处理器来执行。
38.一种方法，其包含：
接收包含设计信息的数据文件，所述设计信息对应于半导体装置；以及
根据所述设计信息来制造所述半导体装置，其中所述半导体装置包含：
自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置，其包括与磁场相关联的自由层；
位线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；
源极线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；以及
控制逻辑电路，其经配置以控制发送到所述源极线或所述位线的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，从而辅助切换与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的方向。
39.根据权利要求38所述的方法，其中所述数据文件具有GDSII格式。
40.一种方法，其包含：
接收包含设计信息的数据文件，所述设计信息包含电路板上的经封装半导体装置的物理定位信息；以及
根据所述设计信息制造所述电路板，所述电路板经配置以接纳所述经封装半导体装置，其中所述经封装半导体装置包含：
自旋转移力矩磁性隧道结STT-MTJ装置，其包括与磁场相关联的自由层；
位线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；
源极线，其与所述STT-MTJ装置电子连通；以及
控制逻辑电路，其经配置以控制发送到所述源极线或所述位线的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场，从而辅助切换与所述STT-MTJ装置的所述自由层相关联的所述磁场的方向。
41.根据权利要求40所述的方法，其中所述数据文件具有GERBER格式。
42.根据权利要求40所述的方法，其进一步包含将所述电路板集成到装置中，所述装置选自由以下各者组成的群组：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元，和计算机。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/474,608 US7969767B2 (en) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | Spin transfer torque—magnetic tunnel junction device and method of operation |
| US12/474,608 | 2009-05-29 | ||
| PCT/US2010/036645 WO2010138860A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-05-28 | Spin transfer torque - magnetic tunnel junction device and method of operation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102449700A true CN102449700A (zh) | 2012-05-09 |
| CN102449700B CN102449700B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=42357434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080023820.2A Active CN102449700B (zh) | 2009-05-29 | 2010-05-28 | 自旋转移力矩-磁性隧道结装置和操作方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7969767B2 (zh) |
| EP (1) | EP2436010A1 (zh) |
| JP (1) | JP5377759B2 (zh) |
| KR (1) | KR101411570B1 (zh) |
| CN (1) | CN102449700B (zh) |
| TW (1) | TW201117206A (zh) |
| WO (1) | WO2010138860A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8380904B2 (en) * | 2010-03-09 | 2013-02-19 | Qualcomm Incorporated | Interconnect coupled to master device via at least two different bidirectional connections |
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| US9214212B2 (en) | 2012-12-03 | 2015-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunnel junction memory device |
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-
2009
- 2009-05-29 US US12/474,608 patent/US7969767B2/en active Active
-
2010
- 2010-05-28 WO PCT/US2010/036645 patent/WO2010138860A1/en active Application Filing
- 2010-05-28 EP EP10724206A patent/EP2436010A1/en not_active Ceased
- 2010-05-28 KR KR1020117031454A patent/KR101411570B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-28 CN CN201080023820.2A patent/CN102449700B/zh active Active
- 2010-05-28 JP JP2012513310A patent/JP5377759B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-31 TW TW099117467A patent/TW201117206A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7969767B2 (en) | 2011-06-28 |
| KR101411570B1 (ko) | 2014-06-25 |
| JP2012528422A (ja) | 2012-11-12 |
| WO2010138860A1 (en) | 2010-12-02 |
| JP5377759B2 (ja) | 2013-12-25 |
| TW201117206A (en) | 2011-05-16 |
| EP2436010A1 (en) | 2012-04-04 |
| US20100302843A1 (en) | 2010-12-02 |
| CN102449700B (zh) | 2016-01-20 |
| KR20120024879A (ko) | 2012-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |