CN102446611A - 采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法 - Google Patents
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Abstract
本发明用于模拟电路，采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法，从而免去的片外参考电阻的需要。
Description
技术领域
本发明用于模拟电路，采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法，从而免去的片外参考电阻的需要。
背景技术
在模拟电路的实现中，经常需要用到高精度的参考电阻，这种电阻通常需要外挂，其原因是IC内置电阻由于工艺的原因，其精度和温度稳定性均不符合设计要求.然而，从应用角度来看，外置电阻是不可取的，为了降低系统成本和管脚数，取消外置电阻是必然趋势.
发明内容
本发明是应用一次性烧录存储器OTP电路在IC出厂时烧录参考电阻在若干工作温度区的补偿值.并用插值法根据片上温度计所计算的温度计算出所在温度的补偿值，再由串并联电阻网进行补偿。
要点如下：
补偿架构
补偿架构有电阻串并联网组成.通常采取一个片内电阻和若干片内电阻与CMOS开关组成的.补偿网络补偿系数的设定。
补偿系数在晶元测试(wafer sort)时设定，可采用开环或闭环的设定方式，不管哪种方式，均需测定在各关心温度的补偿值和在关心区间中的补偿法插值系数(即斜率).在开环方式中，可直接测试待补偿电阻的漂移变化计算出补偿值，在闭环方法中，可以还由测试仪自动搜索补偿值直到
得到所需电阻值为止.求得的补偿系数，按所在温度区间烧录OTP的对应地址内.
补偿系数的计算
在通电重起后，烧录于OTP中的补偿系数按所在温度经地址解码后依次存入寄存器，然后由逻辑电路完成插值计算
附图说明
图1是一种电阻补偿网络架构
A是片内置的电阻主体
B是用与补偿的并联电阻(应保持一致性)
C是CMOS开关
D是补偿系数由图2之解码电路供应
图2是补偿系数的解码电路
A是用于存储器补偿参数的OTP存储器
B是读得的参数的寄存器
C是电路重起电路
D是逻辑运算电路
E是所求得所在温度补偿系数的寄存器(控制图1中的开关电路C)
F是片上温度计
G是由温度转化OTP地址的地址解码器
具体实施方式
可使用一般的OTP IP实现，必要时也可以用其他不挥发存储(NVM)实现。
Claims (6)
1.一种模拟电路用参考电阻的实现方法，采用一次写入存储器(OTP)对片内电阻进行全温度区间的校正，从而免去的片外参考电阻的需要
2.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是用片内电阻取代片外电阻。
3.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是采用一次写入存储器(OTP)，内部存储补偿系数
4.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是由经MOS开关选择的电阻串并联网络完成对片内电阻的校正
5.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是在通电重起后，烧录于OTP中的补偿系数按所在温度经地址解码后依次存入寄存器，然后由逻辑电路完成插值计算，
6.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是片上温度计提供所在温度信息给插值计算电路，也通过地址解码器选择OTP中的参数。
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2010
- 2010-10-12 CN CN2010105061075A patent/CN102446611A/zh active Pending
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