CN102445860B - 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 - Google Patents
同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102445860B CN102445860B CN 201110386793 CN201110386793A CN102445860B CN 102445860 B CN102445860 B CN 102445860B CN 201110386793 CN201110386793 CN 201110386793 CN 201110386793 A CN201110386793 A CN 201110386793A CN 102445860 B CN102445860 B CN 102445860B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- litho
- machine
- series
- machines
- same
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种光刻工艺的匹配方法，尤其涉及一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法。
背景技术
对于不同光刻机的工艺匹配，当相同图形尺寸发生偏移时，在量产一个产品时，将会有相同型号的多台光刻机进行同一工艺层的生产，由于每台光刻机对同一层的尺寸并不能做到完全一致，这就需要调整曝光参数NA和sigma，目前应用中会用很多片晶圆进行曝光参数的调整，一片晶圆对应一个参数，然后进行曝光和量测，不同的产品又要重复相同的工作，这就导致了大量晶圆的费用，增加了工程师的超常工作量。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，适用于批量生产的光刻机的匹配方法。
发明内容
鉴于上述的现有技术中的问题，本发明所要解决的技术问题是现有的技术中光刻机的匹配方法耗时耗力。
本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括以下步骤：
步骤1，设计基准晶圆和基准图形；
步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构，所述第一图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；
步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构，所述第二光刻机与第一光刻机应用于同一光刻工艺中，所述第二图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；
步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。
在本发明的一个较佳实施方式中，所述曝光参数为数值孔径或照明相干因子。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述第一光刻机和/或第二光刻机为浸润式光刻机。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述浸润式光刻机中的紫外线的波长为248nm或193nm。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述基准图形的图形结构为密集线条、隔离线条、头对头线条或T字形线条。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述基准图形的线宽尺寸与所述同一光刻工艺的特征尺寸相同。
本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
附图说明
图1是本发明的实施例的结构示意图；
图2是本发明的实施例的不同光刻机的相同图形尺寸曲线图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明做具体阐释。
本发明的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括以下步骤：
步骤1，设计基准晶圆和基准图形；
步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构。其中第一图形的线宽尺寸与基准图形相同；
步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构。其中第二光刻机与第一光刻机应用于同一光刻工艺中。第二图形的线宽尺寸与基准图形相同；
步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。
由于不同的光刻机即使在相同的曝光参数下也可能曝光出不同尺寸的图形，而同一光刻工艺中又要求必须具有同一的图形尺寸，本发明利用一个基准晶圆，经不同的光刻机曝光，随后调整曝光参数以使不同的光刻机曝光的图形尺寸一致，使得产品质量在不同的光刻机生产时都能保持最优。
本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
如图1中所示，基准图形的图形结构可为密集线条1、隔离线条2、头对头线条3或T字形线条4。
在本发明的实施例中，曝光参数可为数值孔径（numerical aperture，简称NA）或照明相干因子（sigma）。使用一系列的NA或sigma参数曝光基准晶圆上的不同曝光区域，以得到不同参数下的不同的图形。其中可以使用一系列逐渐增大的NA或sigma参数。
此外，在本发明的实施例中，第一光刻机和/或第二光刻机可为浸润式光刻机。并且，光刻机型号有248nm波长或193nm波长浸润式光刻机。
在本发明的实施例中，基准图形可以为1D或2D图形，其适用范围为90纳米技术节点以下光刻生产工艺。
另外，在本发明的实施例中，基准图形的线宽尺寸与同一光刻工艺的特征尺寸相同。从而可以有针对性的测试并调整光刻工艺中的不同光刻机。
如图2中所示，在本发明的实施例中，第一光刻机和第二光刻机应用不同的NA和sigma参数得了大致相同的图形结构特性。图中曲线10为第一光刻机应用NA和sigma参数得到的一系列图形尺寸结构，曲线20为第二光刻机应用NA和sigma参数得到的一系列图形尺寸结构；横坐标为图形的线宽尺寸；纵坐标为图形的CD大小。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (6)
1.一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，设计基准晶圆和基准图形；
步骤2，设定第一图形的线宽尺寸与所述基准图形相同，以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列曝光后的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；
步骤3，设定第二图形的线宽尺寸与所述基准图形相同，以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列曝光后的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构，所述第二光刻机与第一光刻机应用于同一光刻工艺中；
步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。
2.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述曝光参数为数值孔径或照明相干因子。
3.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述第一光刻机和/或第二光刻机为浸润式光刻机。
4.如权利要求3所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述浸润式光刻机中的紫外线的波长为248nm或193nm。
5.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述基准图形的图形结构为密集线条、隔离线条、头对头线条或T字形线条。
6.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述基准图形的线宽尺寸与所述同一光刻工艺的特征尺寸相同。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110386793 CN102445860B (zh) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110386793 CN102445860B (zh) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102445860A CN102445860A (zh) | 2012-05-09 |
| CN102445860B true CN102445860B (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=46008474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110386793 Active CN102445860B (zh) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102445860B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104698762B (zh) * | 2013-12-06 | 2017-01-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 提高光刻机作业效率的方法 |
| CN114488704B (zh) * | 2021-12-15 | 2024-04-02 | 惠州市金百泽电路科技有限公司 | 一种基于dmd的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101324758A (zh) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法 |
| CN101435998A (zh) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法 |
| CN101644898A (zh) * | 2008-08-06 | 2010-02-10 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法 |
| CN102109767A (zh) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7382438B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-06-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2011
- 2011-11-29 CN CN 201110386793 patent/CN102445860B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101324758A (zh) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法 |
| CN101435998A (zh) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法 |
| CN101644898A (zh) * | 2008-08-06 | 2010-02-10 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法 |
| CN102109767A (zh) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102445860A (zh) | 2012-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101435998B (zh) | 降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法 | |
| CN101644898B (zh) | 不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法 | |
| CN104090468B (zh) | 曝光辅助图形的优化方法 | |
| CN103792785B (zh) | 一种对具有低图像对比度的图形进行光学邻近修正的方法 | |
| CN102402124B (zh) | 降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法 | |
| DE112007001786T5 (de) | Verfahren und Systeme zum Durchführen von Lithographie, Verfahren zum Ausrichten von Objekten relativ zueinander, und Nanoaufdruckformen mit nicht markierenden Ausrichtungsmerkmalen | |
| CN102445858B (zh) | 一种光刻机之间的工艺匹配方法 | |
| CN102445860B (zh) | 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 | |
| CN102566322B (zh) | 一种多台光刻设备校正方法 | |
| CN104749896A (zh) | 光学邻近修正方法 | |
| CN1379443A (zh) | 掩模的制造方法,掩模及使用它的半导体装置的制造方法 | |
| CN106773544A (zh) | 一种控制辅助图形信号误报率的opc建模方法 | |
| CN103545174A (zh) | 光刻对焦参数测试方法及系统 | |
| CN103852970A (zh) | 两次图形化工艺方法 | |
| US10409168B2 (en) | Method of predicting performance of a lithographic apparatus, calibration of lithographic apparatus, device manufacturing method | |
| CN110632827A (zh) | 确定光刻工艺窗口的方法 | |
| CN102436149A (zh) | 确定光刻工艺窗口的方法 | |
| CN103293878B (zh) | 光刻机产能监测系统 | |
| JP2008139688A (ja) | 半導体集積回路の製造方法、マスクの製造方法、半導体マスクデータ製造装置、マスクパターンの修正方法、及び設計レイアウトの修正方法 | |
| CN102466982A (zh) | 一种线宽均匀性的测试方法 | |
| CN102540758B (zh) | 同一光刻工艺中不同光刻涂布装置的匹配方法 | |
| CN102520576B (zh) | 图形化衬底工艺用步进光刻掩膜版数据拼接方法和修正法 | |
| CN103777460A (zh) | 一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法 | |
| CN1770164A (zh) | 一种基于卷积核的集成电路光刻制造建模方法 | |
| CN103895343B (zh) | 一种印刷物质量检查方法及系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |