CN101324758A - 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法 - Google Patents

一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101324758A
CN101324758A CNA2007100419566A CN200710041956A CN101324758A CN 101324758 A CN101324758 A CN 101324758A CN A2007100419566 A CNA2007100419566 A CN A2007100419566A CN 200710041956 A CN200710041956 A CN 200710041956A CN 101324758 A CN101324758 A CN 101324758A
Authority
CN
China
Prior art keywords
monitoring system
wafer
stability
stability monitoring
live width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100419566A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101324758B (zh
Inventor
白兰萍
敖松泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2007100419566A priority Critical patent/CN101324758B/zh
Publication of CN101324758A publication Critical patent/CN101324758A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101324758B publication Critical patent/CN101324758B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供一种光刻机的监测系统，该监测系统包括能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统；所述能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统均包括若干晶片；所述能量稳定性监测系统与所述焦点稳定性监测系统共用一组晶片；该共用晶片组中的部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。本发明揭示的光刻机的监测系统通过能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统共用若干片晶片，从而起到降低资源消耗的作用；同时，共用晶片的提出，也减少了监测系统中晶片的总体工作量，可以提高工作效率、减少人工操作量。

Description

一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法
技术领域
本发明属于芯片光刻技术领域，涉及一种光刻机的监测系统，另外，还涉及光刻机能量及焦点稳定性的监测方法。
背景技术
光刻技术是集成电路的关键技术之一，在整个产品的制造中是重要的经济增长因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％。光刻技术也是决定了集成电路摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。
如图1所示，现有的光刻机的监测系统10’包括能量稳定性监测系统11’及焦点稳定性监测系统12’。能量稳定性监测系统11’及焦点稳定性监测系统12’分别由若干晶片(wafer)111’、121’组成，并且彼此是分离工作的。如ASML光刻机中，能量稳定性监测系统11’包括4片晶片111’，焦点稳定性监测系统12’包括2片晶片121’。
请参阅图3，借以介绍现有监测系统的工作过程。首先，能量稳定性监测系统中的若干晶片完成光刻机能量稳定性的监测(步骤A1’)；与此同时，焦点稳定性监测系统中的若干晶片完成最佳焦平面的稳定性监测(步骤B1’)。上述能量稳定性监测系统的晶片与焦点稳定性监测系统的晶片的工作过程如下：在监测晶圆上利用涂部机均匀涂上光刻胶，进行烘烤甩干后，送入曝光机。在曝光机中利用透镜成像原理，把特定的光掩膜(Mask)上的图像通过光能转移到涂了光刻胶的晶圆上，然后再回到涂部机进行显影。至此完成光刻程序，即可得到需要的图形。
该两项工作分开进行。待这两项工作均进行完毕，能量稳定性监测系统中的晶片完成关键线宽的量测(步骤A2’)，由关键线宽的稳定性、统一性来监测对应能量的稳定性。焦点稳定性监测系统完成不同焦点对应关键线宽的量测(步骤B2’)，由关键线宽数据拟合的抛物线来监测对应焦点的稳定性。
由此可见，上述能量稳定性监测系统的4片晶片与焦点稳定性监测系统的2片晶片的工作原理及过程相同；因此，在光刻机中分别设置两组晶片不但浪费了资源，监测及测量的速度也会受到影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以减少原料、提高工作效率的光刻机的监测系统。
另外，本发明还提供一种配备上述监测系统的光刻机的监测方法。
一种光刻机的监测系统，该监测系统包括能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统；所述能量稳定性监测系统完成光刻机能量稳定性的监测、及关键线宽的量测；所述焦点稳定性监测系统完成最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测；所述能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统均包括若干晶片；所述能量稳定性监测系统与所述焦点稳定性监测系统共用一组晶片；所述共用的一组晶片中，部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
作为本发明的一种优选方式，所述监测系统中的晶片包括共用晶片组及单用晶片组；所述共用晶片组完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测；所述共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较少的一个；所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较多的一个。
作为本发明的一种优选方式，所述能量稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的显影槽个数相对应。
作为本发明的一种优选方式，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个。
作为本发明的一种优选方式，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的涂胶槽个数相对应。
作为本发明的一种优选方式，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目为2个。
作为本发明的一种优选方式，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个；其中2个晶片为能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统所共用，完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
配备上述监测系统的光刻机的监测方法，所述监测方法包括以下过程：
所述监测系统中的晶片监测光刻机能量的稳定性，同时监测最佳焦平面的稳定性；
所述监测系统中的晶片量测关键线宽，同时量测不同焦点对应的关键线宽；
共用的一组晶片中，部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
作为本发明的一种优选方式，所述监测系统中的晶片包括共用晶片组及单用晶片组；所述共用晶片组完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测；所述共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中晶片数目较少的一个；所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中晶片数目较多的一个。
作为本发明的一种优选方式，所述能量稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的显影槽个数相对应。
作为本发明的一种优选方式，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个。
作为本发明的一种优选方式，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的涂胶槽个数相对应。
作为本发明的一种优选方式，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目为2个。
作为本发明的一种优选方式，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个；其中2个晶片为能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统所共用，完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
与现有技术相比，本发明揭示的光刻机的监测系统通过能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统共用若干片晶片，从而起到降低资源消耗的作用；同时，共用晶片的提出，也减少了监测系统中晶片的总体工作量，可以提高工作效率、减少人工操作量。
附图说明
图1是现有光刻机监测系统的组成示意图。
图2是本发明光刻机监测系统的组成示意图。
图3是现有光刻机监测系统的监测过程示意图。
图4是本发明光刻机监测系统的监测过程示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
请参与图2，本发明揭示了一种光刻机的监测系统10，该监测系统10包括能量稳定性监测系统11及焦点稳定性监测系统12；所述能量稳定性监测系统11完成光刻机能量稳定性的监测、及关键线宽的量测；所述焦点稳定性监测系统12完成最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
所述能量稳定性监测系统11及焦点稳定性监测系统12均包括若干晶片。本实施例中，监测系统10包括4片晶片110、111；根据其作用不同，分为共用晶片组及单用晶片组。所述共用晶片组包括2片晶片110，单用晶片组包括2片晶片111。所述共用晶片组为能量稳定性监测系统11与焦点稳定性监测系统12共用所共用，完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测等工作。单用晶片组只需完成能量稳定性监测系统11所需完成的工作，即光刻机能量稳定性的监测、及关键线宽的量测。由此达到的效果为：能量稳定性监测系统11包括了4片晶片110、111(共用晶片组中的2片及单用晶片组中的2片)，焦点稳定性监测系统12包括了2片晶片111(共用晶片组中的2片)。
所述能量稳定性监测系统中晶片数目并不限定于4片，而应与涂部机的显影槽个数相对应；所述焦点稳定性监测系统中晶片数目也并不限定于2片，而应与涂部机的涂胶槽个数相对应。
同时，单用晶片组中的晶片也并不一定被包含在焦点稳定性监测系统12中，而应当满足以下条件：共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较少的一个；所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较多的一个。
请参阅图4，配备上述监测系统的光刻机的监测方法，包括以下过程：
步骤A：所述监测系统中的共用晶片组监测光刻机能量的稳定性，同时监测最佳焦平面的稳定性；单用晶片组仅监测光刻机能量的稳定性。
步骤B：所述监测系统中的共用晶片组量测关键线宽，同时量测不同焦点对应的关键线宽；单用晶片组仅量测关键线宽。
以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。如能量稳定性监测系统中晶片数目并不限定于4片，焦点稳定性监测系统中晶片数目也并不限定于2片；同时，监测系统中的晶片可均为共用晶片。不脱离本发明精神和范围的任何修改或局部替换，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (14)

1、一种光刻机的监测系统，该监测系统包括能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统；
所述能量稳定性监测系统完成光刻机能量稳定性的监测、及关键线宽的量测；
所述焦点稳定性监测系统完成最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测；
所述能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统均包括若干晶片；
其特征在于：
所述能量稳定性监测系统与所述焦点稳定性监测系统共用一组晶片；
所述共用的一组晶片中，部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
2、如权利要求1所述的监测系统，其特征在于，所述监测系统中的晶片包括共用晶片组及单用晶片组；
所述共用晶片组完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测；
所述共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较少的一个；
所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较多的一个。
3、如权利要求1或2所述的监测系统，其特征在于，所述能量稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的显影槽个数相对应。
4、如权利要求3所述的监测系统，其特征在于，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个。
5、如权利要求1或2所述的监测系统，其特征在于，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的涂胶槽个数相对应。
6、如权利要求5所述的监测系统，其特征在于，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目为2个。
7、如权利要求6所述的监测系统，其特征在于，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个；其中2个晶片为能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统所共用，完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
8、配备权利要求1所述监测系统的光刻机的监测方法，其特征在于，所述监测方法包括以下过程：
所述监测系统中的晶片监测光刻机能量的稳定性，同时监测最佳焦平面的稳定性；
所述监测系统中的晶片量测关键线宽，同时量测不同焦点对应的关键线宽；
共用的一组晶片中，部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
9、如权利要求8所述的监测方法，其特征在于，所述监测系统中的晶片包括共用晶片组及单用晶片组；
所述共用晶片组完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测；
所述共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中晶片数目较少的一个；
所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中晶片数目较多的一个。
10、如权利要求8或9所述的监测方法，其特征在于，所述能量稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的显影槽个数相对应。
11、如权利要求10所述的监测方法，其特征在于，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个。
12、如权利要求8或9所述的监测方法，其特征在于，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的涂胶槽个数相对应。
13、如权利要求12所述的监测方法，其特征在于，所述焦点稳定性监测系统中晶片数目为2个。
14、如权利要求13所述的监测方法，其特征在于，所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个；其中2个晶片为能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统所共用，完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
CN2007100419566A 2007-06-13 2007-06-13 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法 Expired - Fee Related CN101324758B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100419566A CN101324758B (zh) 2007-06-13 2007-06-13 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100419566A CN101324758B (zh) 2007-06-13 2007-06-13 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101324758A true CN101324758A (zh) 2008-12-17
CN101324758B CN101324758B (zh) 2011-02-02

Family

ID=40188343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100419566A Expired - Fee Related CN101324758B (zh) 2007-06-13 2007-06-13 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101324758B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445858A (zh) * 2011-11-28 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种光刻机之间的工艺匹配方法
CN102445860A (zh) * 2011-11-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
CN103995439A (zh) * 2014-06-12 2014-08-20 上海华力微电子有限公司 一种在线确定光刻工艺窗口的方法
CN110651228A (zh) * 2017-05-22 2020-01-03 西默有限公司 用于光学光刻系统的监视系统

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3997066B2 (ja) * 2001-08-20 2007-10-24 株式会社日立製作所 電子線を用いたプロセス変動監視システムおよび方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445858A (zh) * 2011-11-28 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种光刻机之间的工艺匹配方法
CN102445858B (zh) * 2011-11-28 2014-12-10 上海华力微电子有限公司 一种光刻机之间的工艺匹配方法
CN102445860A (zh) * 2011-11-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
CN102445860B (zh) * 2011-11-29 2013-09-11 上海华力微电子有限公司 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
CN103995439A (zh) * 2014-06-12 2014-08-20 上海华力微电子有限公司 一种在线确定光刻工艺窗口的方法
CN103995439B (zh) * 2014-06-12 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 一种在线确定光刻工艺窗口的方法
CN110651228A (zh) * 2017-05-22 2020-01-03 西默有限公司 用于光学光刻系统的监视系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN101324758B (zh) 2011-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101324758B (zh) 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法
US8124319B2 (en) Semiconductor lithography process
TW200739243A (en) Microlithography projection optical system, microlithographic tool, method for microlithographic production and microstructured component
DE112015005724T5 (de) RGBZ-Pixelzelleneinheit für einen RGBZ-Bildsensor
CN1438546A (zh) 曝光装置、曝光方法，以及使用该曝光装置和方法的器件制造方法
CN102314074B (zh) 掩模版和掩模版制作方法
US11726408B2 (en) Multiple-mask multiple-exposure lithography and masks
CN208297924U (zh) 光刻曝光设备
CN103247554A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2001092105A5 (zh)
CN101661221A (zh) 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法
SG138616A1 (en) Focus test mask, focus measurement method and exposure apparatus
CN106054534A (zh) 一种网版的印刷工艺
CN103293863A (zh) 一种光刻照明系统
CN108732869A (zh) 一种调试关键尺寸均匀性的方法
CN1662851A (zh) 光掩模
CN102636961B (zh) 旋转光刻机
CN102117012A (zh) 一种提高光刻工艺中焦深的方法
CN104950582A (zh) 一种边缘曝光系统和边缘曝光方法
CN1333437C (zh) 具有双向对准图案的掩膜
CN102707576A (zh) 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构
CN104483814A (zh) 一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法
CN103376645A (zh) 通用掩模版及其应用
Harumoto et al. Study of post develop defect on TC-less immersion resist
CN100535758C (zh) 湿浸式光刻工艺的控制方法及其操作系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110202

Termination date: 20180613

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee