CN101661221A - 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法 - Google Patents

用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101661221A
CN101661221A CN200910195417A CN200910195417A CN101661221A CN 101661221 A CN101661221 A CN 101661221A CN 200910195417 A CN200910195417 A CN 200910195417A CN 200910195417 A CN200910195417 A CN 200910195417A CN 101661221 A CN101661221 A CN 101661221A
Authority
CN
China
Prior art keywords
exposure
mask plate
mask
plate patterns
conditions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200910195417A
Other languages
English (en)
Inventor
陈蕾
鲍晔
胡林
周孟兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN200910195417A priority Critical patent/CN101661221A/zh
Publication of CN101661221A publication Critical patent/CN101661221A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法，属于光刻技术领域。本发明将对同一图层的多次曝光的掩膜版制作在同一掩膜版上，从而使该掩膜版包括多个相互独立的掩膜版图形区域；在多重曝光时，通过掩膜版承载台控制掩膜版的移动，使每次曝光时选择采用不同的掩膜版图形区域，并且每次曝光时采用不同的曝光条件。因此，该多重曝光方法中，无需进行掩膜版更换以及晶圆的重新对准，降低了对准误差，并且减少了曝光的工艺时间。

Description

用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法
技术领域
本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种将同一图层的多个相互独立的掩膜版图形区域制作在一起的掩膜版及其运用该掩膜版进行曝光的多重曝光方法。
背景技术
随着半导体制造技术的飞速发展，芯片运行速度越来越快、功耗越来越低，芯片向小尺寸、高集成度、多功能发展。特别是SOC(片上系统)等技术等发展，芯片越来越复杂，芯片每层中的功能区域划分相对明确，每层图形中的功能区域的不同，导致曝光的图形差异化明显，各功能区域需求的曝光条件也不尽相同。因此，现有技术中提出了多重曝光方法，分别对同一图层的不同功能区域进行曝光。
但是，现有技术的这种多重曝光方法是采用多个掩膜版曝光的方法，芯片中同一图层的图案根据曝光条件的差异，将图案分割制作多块配套的掩膜版。对该层图案进行多重曝光时，每次曝光时采用不同的掩膜版，每次曝光之间需要更换掩膜版。因此，不可避免地引入对准误差，并且曝光效率相对下降。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，避免多重曝光方法中更换掩膜版带来的对准误差下降、曝光效率下降的问题，提出一种用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法。
为解决以上技术问题，本发明提供的掩膜版，用于同一图层曝光，其包括同一图层的多个相互独立的掩膜版图形区域，使用每个掩膜版图形区域进行曝光时的曝光条件互不相同。
根据本发明提供的掩膜版，其中，所述掩膜版图形区域中包括对准标记。所述曝光条件包括曝光剂量、焦点和成像光学系统参数。
本发明同时提供采用该发明的掩膜版进行曝光的多重曝光方法，其通过光刻机的掩膜版承载台控制掩膜版的移动，使每次曝光时采用不同的掩膜版图形区域；并且通过光刻机的设置，使每次曝光采用不同的曝光条件，直至同一图层的所有区域曝光完毕。
根据本发明提供的多重曝光方法，其中，所述曝光条件包括曝光剂量、焦点和成像光学系统参数。
本发明的技术效果是，与现有技术相比，将对同一图层的多次曝光的掩膜版制作在同一掩膜版上，从而使该掩膜版包括多个相互独立的掩膜版图形区域；在多重曝光时，通过掩膜版承载台控制掩膜版的移动，使每次曝光时选择采用不同的掩膜版图形区域，并且每次曝光时采用不同的曝光条件。因此，该多重曝光方法中，无需进行掩膜版更换以及晶圆的重新对准，降低了对准误差，并且减少了曝光的工艺时间。
附图说明
图1是本发明提出的第一实施例掩膜版的示意图；
图2是本发明提出的第二实施例掩膜版的示意图；
图3是本发明提供的多重曝光方法的第一步骤的示意图；
图4是本发明提供的多重曝光方法的第二步骤的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。
图1所示为本发明提出的第一实施例掩膜版的示意图。如图1所示，掩膜版100包括第一掩膜版图形区域110、第二掩膜版图形区域120，两个掩膜版图形区域均用于对芯片的同一图层进行构图，第一掩膜版图形区域110和第二掩膜版图形区域120相互独立，即可以单独使用其中的一个掩膜版图形区域对晶圆上的光刻胶进行曝光。进行曝光时，第一掩膜版图形区域110和第二掩膜版图形区域120分别使用的曝光条件不相同，例如，由于第一掩膜版图形区域110的图形密度比第二掩膜版图形区域120的图形密度高得多，使用第一掩膜版图形区域110曝光时的曝光剂量大于使用第二掩膜版图形区域120曝光时的曝光剂量。在该实施例中，所述曝光条件不仅限于曝光剂量，还包括焦点、成像光学系统参数等。同时需要说明的是，第一掩膜版图形区域110、第二掩膜版图形区域120中均包括对准标记，用于每次曝光之前的对准过程。
图2所示为本发明提出的第二实施例掩膜版的示意图。如图2所示，掩膜版200包括第一掩膜版图形区域210、第二掩膜版图形区域220和第三掩膜版图形区域230，三个掩膜版图形区域均用于对芯片的同一图层进行构图。该实施例掩膜版与图2所示实施例掩膜版的区别在于掩膜版图形区域的数量。在该发明中，掩膜版图形区域的数量在两个以上，具体掩膜版图形区域的数量根据同一图层曝光时所需求的不同曝光条件的个数决定。
本实施方式中进一步公开多重曝光方法实施例。
图3所示为本发明提供的多重曝光方法的第一步骤的示意图，图4所示为本发明提供的多重曝光方法的第一步骤的示意图。如图3、图4中所示，100为图1所示实施例的掩膜版，300为光刻机的曝光系统中的棱镜，400为晶圆；图3、图4中只是示意性地给出了光刻系统的光路图，晶圆400上涂有需要曝光的光刻胶。
第一步，如图3所示，将掩膜版100对准置放于光刻机的掩膜版承载台(图中未示出)之上，选择掩膜版100的第一掩膜版图形区域110进行第一次曝光；第一次曝光的曝光条件通过光刻机设置。
第二步，如图4所示，第一次曝光结束后，通过控制掩膜版承载台的运动，对准置放第二掩膜版图形区域120于曝光光线下，同时晶圆400也通过晶圆承载台(图中未示出)控制其晶圆移动，对预订曝光区域对准，进行第二次曝光；第二次曝光的曝光条件通过光刻机设置来改变。
在以上步骤中，第一次曝光的曝光条件与第二次曝光的曝光条件互不相同，曝光条件包括曝光剂量、焦点和成像光学系统参数等因素，其中有一个或一个以上因素不相同即代表曝光条件不相同。通过以上两次曝光，同一图层的曝光过程结束，因此可以进一步将掩膜版的第一掩膜版图形区域110、第二掩膜版图形区域120的图形结合转移至芯片的某一图层中。
图3和图4所示的多重曝光方法为双重曝光方法，其两重以上的曝光方法，可以根据本实施例进行简单变换。该双重曝光方法，由于在两次曝光过程中使用同一掩膜版，无需进行掩膜版更换以及晶圆的重新对准，降低了对准误差，并且减少了曝光的工艺时间。
在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。

Claims (5)

1.一种用于同一图层曝光的掩膜版，其特征在于，包括同一图层的多个相互独立的掩膜版图形区域，使用每个掩膜版图形区域进行曝光时的曝光条件互不相同。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版图形区域中包括对准标记。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述曝光条件包括曝光剂量、焦点和成像光学系统参数。
4.一种用权利要求1所述掩膜版进行曝光的多重曝光方法，其特征在于，通过光刻机的掩膜版承载台控制掩膜版的移动，使每次曝光时采用不同的掩膜版图形区域；并且通过光刻机的设置，使每次曝光采用不同的曝光条件，直至同一图层的所有区域曝光完毕。
5.根据权利要求4所述的多重曝光方法，其特征在于，所述曝光条件包括曝光剂量、焦点和成像光学系统参数。
CN200910195417A 2009-09-09 2009-09-09 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法 Pending CN101661221A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910195417A CN101661221A (zh) 2009-09-09 2009-09-09 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910195417A CN101661221A (zh) 2009-09-09 2009-09-09 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101661221A true CN101661221A (zh) 2010-03-03

Family

ID=41789314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910195417A Pending CN101661221A (zh) 2009-09-09 2009-09-09 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101661221A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102360166A (zh) * 2011-09-28 2012-02-22 上海宏力半导体制造有限公司 一种半导体曝光方法
CN102799081A (zh) * 2012-09-11 2012-11-28 上海华力微电子有限公司 步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台及曝光工艺
CN105137725A (zh) * 2015-09-27 2015-12-09 上海华力微电子有限公司 基于多重曝光的图形制作方法
CN110632829A (zh) * 2019-10-31 2019-12-31 上海华力集成电路制造有限公司 光刻工艺方法
CN113138527A (zh) * 2020-01-16 2021-07-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版、存储单元、sram器件
CN113504706A (zh) * 2021-06-09 2021-10-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器的光刻曝光方法
CN115561961A (zh) * 2022-10-21 2023-01-03 华南理工大学 光罩及半导体结构的制备方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102360166A (zh) * 2011-09-28 2012-02-22 上海宏力半导体制造有限公司 一种半导体曝光方法
CN102360166B (zh) * 2011-09-28 2016-05-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种半导体曝光方法
CN102799081A (zh) * 2012-09-11 2012-11-28 上海华力微电子有限公司 步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台及曝光工艺
CN105137725A (zh) * 2015-09-27 2015-12-09 上海华力微电子有限公司 基于多重曝光的图形制作方法
CN110632829A (zh) * 2019-10-31 2019-12-31 上海华力集成电路制造有限公司 光刻工艺方法
CN113138527A (zh) * 2020-01-16 2021-07-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版、存储单元、sram器件
CN113138527B (zh) * 2020-01-16 2024-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版、存储单元、sram器件
CN113504706A (zh) * 2021-06-09 2021-10-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器的光刻曝光方法
CN115561961A (zh) * 2022-10-21 2023-01-03 华南理工大学 光罩及半导体结构的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101661221A (zh) 用于同一图层曝光的掩膜版及其多重曝光方法
CN102681363B (zh) 一种多工位硅片台多台交换系统及其交换方法
US20070054198A1 (en) Photomask for double exposure and double exposure method using the same
CN100504614C (zh) 步进扫描光刻机双台交换定位系统
JP2008294353A (ja) 描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
CN104375388A (zh) 一种多工件台直写光刻系统
US9513552B2 (en) Multiple-patterning photolithographic mask and method
KR101722846B1 (ko) 웨이퍼 기판의 노광 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 노광 툴
US8071278B1 (en) Multiple patterning technique using a single reticle
CN101364047A (zh) 检测梯度滤波器光强分布的方法及提高线宽一致性的方法
CN102608860A (zh) 光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统
US7633601B2 (en) Method and related operation system for immersion lithography
Suda et al. Study of large exposure field lithography for advanced chiplet packaging
CN201503535U (zh) 呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统
CN105137725A (zh) 基于多重曝光的图形制作方法
CN101655669A (zh) 一种厚光阻的多重曝光方法
CN101324758B (zh) 一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法
CN201583783U (zh) 具有多掩模的光刻机硅片台系统
CN100456141C (zh) 批量硅片曝光的方法
CN101464633A (zh) 多光罩平台的曝光系统及曝光方法
CN102799081A (zh) 步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台及曝光工艺
CN103376645A (zh) 通用掩模版及其应用
CN103913954A (zh) 一种大芯片曝光方法及芯片
CN103389616A (zh) 能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法
CN1282904C (zh) 一次扫描两个普通曝光区域的曝光方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20100303