CN102427671A - 密集孔局部镀厚铜工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种密集孔局部镀厚铜工艺，包括如下步骤：步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X-RAY打孔；步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔；步骤3、镀厚铜，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm及以上；步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理；步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。本发明采用二次钻孔+二次沉铜工艺，改变传统PCB制作中的一次钻孔+沉铜工艺，通过在PCB位置设计局部镀厚铜，将元器件工作时产生的高热量，利用铜良好的导热系数，将热量有效传导散发出去，满足未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。

Description

密集孔局部镀厚铜工艺
技术领域
本发明涉及一种镀厚铜工艺，尤其涉及一种密集孔局部镀厚铜工艺。
背景技术
随着高集成元器件技术的快速发展，各类元器件设计趋向密集化，相应地对散热提出了更高的要求，传统的孔壁铜厚已不能满足此类设计需求；为满足散热需求，相应地对局部散热孔位置要求为局部厚铜设计(密集孔厚铜更有利于散热)，以便满足重要元器件电性能及散热所需。而采用传统PCB制作工艺是无法实现局部镀厚铜需求，因此，需要开发一种此类PCB的加工方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种密集孔局部镀厚铜工艺，采用二次钻孔+二次沉铜工艺，且采用局部镀厚铜以达到更好的散热效果，满足了未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。
为实现上述目的，本发明提供一种密集孔局部镀厚铜工艺，包括如下步骤：
步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X-RAY打孔；
步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔；
步骤3、镀厚铜，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm以上；
步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理；
步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；
步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。
还包括步骤2.1、烘板处理，烘板条件为150-180℃烘烤5h；
步骤2.2、对镀厚铜区域孔进行毛刺去除处理。
还包括步骤4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔。
进一步包括步骤7、对步骤6镀铜后的基板进行图形电镀、外层蚀刻、阻焊、沉金、铣板、电测及终检处理，获得成品。
步骤3中以15-20ASF的电流密度电镀96min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀96min。
步骤6中以15-20ASF的电流密度电镀48min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀48min。
本发明的有益效果是：本发明的密集孔局部镀厚铜工艺，采用二次钻孔+二次沉铜工艺，改变了传统PCB制作中的一次钻孔+沉铜工艺，通过在电子产品高散热电子元器件贴装的PCB位置设计局部镀厚铜，将元器件工作时产生的高热量，利用铜良好的导热系数，将热量有效传导散发出去，可保证了电子元器件具有更好的工作状态，同时延长了电子元器件使用寿命，确保了电子电器稳定运行，满足了未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。
附图说明
下面结合附图，通过对发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的密集孔局部镀厚铜工艺的流程图；
图2为采用本发明工艺制作的PCB成品与元器件工作过程中的截面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，为本发明的密集孔局部镀厚铜工艺的流程图，该工艺包括如下步骤：
步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X射线(X-RAY)打孔(打第一套定位标靶)；该步骤可通过现有技术实现。
步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔。
步骤2.1、烘板处理，烘板条件为150-180℃烘烤5小时(h)。
步骤2.2、对镀厚铜区域孔进行毛刺去除处理，如去除钻孔披锋等。
步骤3、镀厚铜，脉冲参数：15-20ASF×(96min+96min)，即以15-20安培/平方英尺(ASF)的电流密度电镀96分钟(min)，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀96min，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm以上，这样可更好的满足散热需求。
步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理，获得正常所需的面铜厚度。
步骤4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔(打第二套定位标靶)。磨板可采用砂带研磨机，对孔位外侧存在的凸镀等现象进行打磨至与板面平齐。
步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；
步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜，镀铜参数：15-20ASF×(48min+48min)，即以15-20ASF的电流密度电镀48min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀48min。
进一步包括步骤7、对步骤6镀铜后的基板进行图形电镀、外层蚀刻、阻焊、沉金、铣板、电测(测试检查成品板的电器性能)及终检(检查成品板的外观性能)处理，最后可获得成品，该步骤可通过现有技术实现。所获得的成品具有局部镀厚铜(75μm以上)及正常镀铜(25μm以内)两种铜厚，利于铜的良好散热性能达到有效散热。
参考图2所示，通过本发明制作的PCB成品10，其上密集孔局部镀厚铜20，电子元器件贴装在局部镀厚铜20的孔上方，元器件30工作过程中会产生高热量，而通过铜具有的良好的导热系数，产生的热量通过厚铜20有效传导散发出去(热量走向如箭头所示)，从而保证元器件30稳定运行，可延长其使用寿命。
综上所述，本发明的密集孔局部镀厚铜工艺，采用二次钻孔+二次沉铜工艺，改变了传统PCB制作中的一次钻孔+沉铜工艺，且通过在电子产品高散热电子元器件贴装的PCB位置设计局部镀厚铜，将元器件工作时产生的高热量，利用铜良好的导热系数，将热量有效传导散发出去，可保证了电子元器件具有更好的工作状态，同时延长了电子元器件使用寿命，确保了电子电器稳定运行，满足了未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X-RAY打孔；
步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔；
步骤3、镀厚铜，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm以上；
步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理；
步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；
步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。
2.如权利要求1所述的密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，还包括步骤2.1、烘板处理，烘板条件为150-180℃烘烤5h；步骤2.2、对镀厚铜区域孔进行毛刺去除处理。
3.如权利要求1所述的密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，还包括步骤4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔。
4.如权利要求1所述的密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，进一步包括步骤7、对步骤6镀铜后的基板进行图形电镀、外层蚀刻、阻焊、沉金、铣板、电测及终检处理，获得成品。
5.如权利要求1所述的密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，步骤3中以15-20ASF的电流密度电镀96min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀96min。
6.如权利要求1所述的密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，步骤6中以15-20ASF的电流密度电镀48min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀48min。
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