CN102426918A - 叠层薄膜电容器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及叠层薄膜电容器及其制造方法。叠层薄膜电容器包括具有出色耐用性的树脂保护薄膜,可稳定地确保所需性能。叠层薄膜电容器包括电容器元件(12),所述电容器元件具有多个电介质层(14、18a)和多个蒸气沉积金属薄膜层(16a)。每个所述电介质层和每个所述蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置,以便交替配置。叠层薄膜电容器还包括设置在所述电容器元件的相对侧表面上的一对外部电极(26a、26b)以及设置在形成有所述外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面上的至少一个树脂保护薄膜(28a、28b),其中所述至少一个树脂保护薄膜通过沉积聚合来提供。

Description

叠层薄膜电容器及其制造方法
本申请基于2010年8月9日提交的日本专利申请No.2010-178249,该申请的内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及一种薄膜电容器。更特别是,本发明涉及一种叠层薄膜电容器的改进,该电容器包括通过在叠层电容器元件的一对侧表面上进行喷射过程来制备的一对外部电极和位于至少一个其他侧表面上的树脂保护薄膜,并且本发明涉及一种制造叠层薄膜电容器的有利方法。
背景技术
传统上,作为用于电气装置的一种薄膜电容器,公知的是叠层薄膜电容器。叠层薄膜电容器包括电容器元件,其具有方形形状(长方体或立方体形状),使得叠层薄膜电容器可以表面安装。因此,由于近年来电气装置的尺寸显著减小,而叠层薄膜电容器可以满足较小薄膜电容器及其高密度安装的需求,叠层薄膜电容器的需求日益增加。
叠层薄膜电容器通常通过以下方法制造。具体地,首先,形成长的电容器底座,其包括多个电介质层,这些电介质层各自包括由聚丙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的绝缘树脂薄膜,以及作为内部电极薄膜的多个蒸气沉积金属薄膜层,其中,多个蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置以便交替地布置。其次,一对外部电极通过在垂直于长的电容器底座的纵向的方向上彼此相对的侧表面上进行喷射过程形成。随后,长的电容器底座在纵向上被切割成许多区段,以获得多个电容器元件。接着,端子或类似物被附接到多个电容器元件的每个外部电极,并且多个电容器元件的每个被容纳和密封在预定容器内。因此,得到多个所要的薄膜电容器。
由于多个电容器元件一次性从电容器底座切割而成,并且用来制造薄膜电容器,如上所述得到的薄膜电容器可以有效地制造。但是,如果从电容器底座切割的电容器元件的切割表面被暴露,在电容器元件被容纳在容器之前,外界物质会附着到切割表面上。这会造成传导缺陷。
考虑到以上内容,如JP-A-2001-297945披露那样,例如树脂保护薄膜形成在从电容器底座切割的电容器元件的切割表面上,即电容器元件的没有形成外部电极的相对侧表面。通过树脂保护薄膜的形成,可以防止外界物质附着到形成有外部电极的表面以外的侧表面。此外,也能够有效防止由外界物质引起的传导缺陷。在JP-A-2001-297945披露的薄膜电容器中,树脂保护薄膜通过真空沉积形成在电容器元件上。因此,不同于通过在空气中滴落或类似方法形成树脂保护薄膜的情况,即使在树脂保护薄膜的沉积操作过程中,也可以有效地防止外界物质附着到电容器元件的形成有外部电极的表面之外的侧表面上。
但是,传统薄膜电容器本身包括以下问题。通常,如公知那样,由于难以蒸发聚合物材料,不容易通过真空沉积形成聚合物薄膜。因此,在通过沉积形成树脂保护薄膜的传统薄膜电容器中,树脂保护薄膜由具有相对低的分子重量的薄膜形成。因此,难以确保树脂保护薄膜的足够的耐用性。
发明内容
考虑到以上描述的情况作出本发明,并且本发明的目的在于提供一种可以通过在电容器元件的形成有外部电极的侧表面之外的侧表面上包含耐用性出色的树脂保护薄膜来稳定地确保所需性能的叠层薄膜电容器。本发明的另一目的在于提供一种有利地制造叠层薄膜电容器的方法。
为了实现所述目的,或者为了解决说明书和附图的描述中理解的问题,本发明可以优选地根据下面描述的多个方面来实施。下面描述的每个方面可以任意组合的形式实施。应该理解到本发明的方面和技术特征不局限于以下描述的内容,并且可以根据整个说明书和附图披露的创造性理念来认识。
(1)一种叠层薄膜电容器,包括:电容器元件,电容器元件具有多个电介质层和多个蒸气沉积金属薄膜层,每个电介质层和每个蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置,以便交替配置;设置在电容器元件的相对侧表面上的一对外部电极;以及设置在形成有该成对外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面上的至少一个树脂保护薄膜,其中所述至少一个树脂保护薄膜通过沉积聚合来提供。
(2)根据第(1)项所述的叠层薄膜电容器,其中多个电介质层包括至少一个树脂薄膜和由与至少一个树脂保护薄膜相同的材料制成的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜。
(3)根据第(2)项所述的叠层薄膜电容器,其中至少一个蒸气沉积聚合物薄膜定位在至少一个树脂薄膜和多个蒸气沉积金属薄膜层之一的至少一个上。
(4)根据第(3)项所述的叠层薄膜电容器,其中电容器元件包括只有至少一个蒸气沉积聚合物薄膜定位在多个蒸气沉积金属薄膜层之间的区段。
(5)根据第(4)项所述的叠层薄膜电容器,其中定位在多个蒸气沉积金属薄膜层之间的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜具有0.01-30μm的厚度。
(6)根据第(3)项所述的叠层薄膜电容器,其中多个电介质层的至少一个包括合成电介质层,合成电介质层包括至少一个树脂薄膜和定位在至少一个树脂薄膜的至少一个表面上的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜。
(7)根据第(6)项所述的叠层薄膜电容器,其中包含在合成电介质层内的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜具有0.001-10μm的厚度。
(8)根据第(1)-(7)中任一项所述的叠层薄膜电容器,其中至少一个树脂保护薄膜具有三维交联结构。
(9)根据第(1)-(8)任一项所述的叠层薄膜电容器,其中至少一个树脂保护薄膜由聚脲树脂薄膜形成。
(10)根据第(2)-(9)中任一项所述的叠层薄膜电容器,其中至少一个蒸气沉积聚合物薄膜由聚脲树脂薄膜形成。
(11)根据第(2)-(10)中任一项所述的叠层薄膜电容器,其中形成有该成对外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面被等离子处理。
(12)根据第(2)-(11)中任一项所述的叠层薄膜电容器,其中包含在多个电介质层内的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜的介电常数高于至少一个树脂薄膜的介电常数。
(13)根据第(2)-(12)中任一项所述的叠层薄膜电容器,其中电容器元件具有至少一个蒸气沉积聚合物薄膜和多个蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置以便交替配置在至少一个树脂薄膜上的结构。
(14)一种制造叠层薄膜电容器的方法,包括如下步骤:(a)提供包括多个电介质层和多个蒸气沉积金属薄膜层的电容器元件,每个电介质层和每个蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置以便交替配置;(b)在电容器元件的相对侧表面上形成一对外部电极;以及(c)通过沉积聚合在电容器元件的形成有该成对外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面上形成至少一个树脂保护薄膜。
本发明的叠层薄膜电容器包括使用多种原材料单体通过真空沉积聚合来形成的树脂保护薄膜。因此,通过真空沉积聚合形成的树脂保护薄膜包括聚合物薄膜,聚合物薄膜具有比使用预定树脂材料真空沉积形成的薄膜高的分子量。因此,树脂保护薄膜可具有改善的耐用性。
在本发明的叠层薄膜电容器中,具有出色耐用性的树脂保护薄膜固定形成在电容器元件的形成有外部电极的侧表面之外的侧表面上。因此,可以稳定地长时间确保所需质量和性能。
另外,根据本发明的制造叠层薄膜电容器的方法,由于具有出色耐用性的树脂保护薄膜固定形成在电容器元件的形成有外部电极的侧表面之外的侧表面上,可以有利地制造可以稳定地确保所需质量和性能的薄膜电容器。
附图说明
在结合附图考虑的情况下,本发明的所述和其他目的、特征、优点和技术和工业上的意义将通过阅读本发明的优选实施方式的以下详细描述来更好理解,附图中:
图1是具有本发明结构的叠层薄膜电容器的一个实施方式的透视图;
图2是沿着图1的线II-II截取的截面图;
图3是沿着图2的线III-III截取的截面图;
图4是用于在图1所示的电容器元件上形成树脂保护薄膜的沉积系统的视图;
图5是表示多个电容器元件容纳和设置在图4所示的沉积系统的容纳夹具中的状态的视图;
图6是表示具有本发明结构的薄膜电容器的另一实施方式的局部放大截面图;
图7是表示具有本发明结构的薄膜电容器的又一实施方式的局部放大截面图;
图8是表示具有本发明结构的薄膜电容器的再一实施方式的局部放大截面图;
图9是表示具有本发明结构的薄膜电容器的另一实施方式的局部放大截面图;以及
图10是表示具有本发明结构的薄膜电容器的又一实施方式的局部放大截面图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明,参考附图,在本发明的详细实施方式中进行描述。
首先,图1-3以透视图和轴向截面图表示本发明的叠层薄膜电容器的实施方式。从附图中可以看到,本发明实施方式的叠层薄膜电容器(此后简单称为薄膜电容器)10包括电容器元件12。电容器元件12包括作为底座的树脂薄膜14、多个第一蒸气沉积金属薄膜层16a(此处有六个)和多个第一蒸气沉积聚合物薄膜18a(此处有六个)。第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a交替形成在树脂薄膜14上。
这里,电容器元件12的树脂薄膜14由拉伸薄膜形成,拉伸薄膜由聚丙烯制成并具有大约1-10μm的厚度。但是,树脂薄膜14的材料不特别局限于聚丙烯。代替聚丙烯,可以适当地采用用作传统薄膜电容器的树脂薄膜的材料的例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯和类似物的树脂材料。
这种树脂薄膜14上的每个第一蒸气沉积金属薄膜层16a用作薄膜电容器10内的内部电极薄膜,并且由通过在真空中进行的传统公知沉积方法形成的金属薄膜形成。根据例如树脂薄膜14的材料或薄膜电容器10的所需性能,第一蒸气沉积金属薄膜层16a的材料适当地选自例如铝和锌的金属材料,这些材料用来形成传统薄膜电容器的内部电极薄膜。第一蒸气沉积金属薄膜层16a可以通过与PVD和CVD一样属于相同类别的任何传统公知的真空沉积方法形成。蒸气沉积金属薄膜层16a的膜电阻设置在大约1-50Ω/cm2,并且其厚度根据例如膜电阻适当确定。
每个第一蒸气沉积聚合物薄膜18a用作薄膜电容器10中的电介质层。这里,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a由通过传统真空沉积聚合形成的聚脲树脂薄膜构成。
特别地,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a通过沉积聚合形成,沉积聚合通过使用聚合物形成薄膜,该聚合物通过使得以气态供应的原材料(单体)聚合产生。因此,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a由具有比通过沉积形成的蒸气沉积薄膜足够高的分子量的聚合物薄膜构成,在沉积过程中包括预定树脂材料的原材料在真空中蒸发。另外,不同于蒸气沉积薄膜,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a可以充分固化,而没有例如热处理或UV处理的后处理。另外,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的厚度可以控制在纳米等级上,这形成极为更小和均匀厚度的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a,并且充分减少薄膜中的杂质。
虽然第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的厚度不特别受到限制,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a总体上具有大约0.01-30μm的厚度。如果第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的厚度小于0.01μm,第一蒸气沉积聚合物薄膜会太薄,从而不能确保充分的耐压性能。另一方面,如果第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的厚度超过30μm,第一蒸气沉积聚合物薄膜会太厚,并且薄膜电容器的尺寸会变得过大。更优选的是,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a具有大约0.01-10μm的厚度。
第一蒸气沉积聚合物薄膜18a不特别局限于示例性的聚脲树脂薄膜。可以采用可以通过沉积聚合形成薄膜的任何公知树脂薄膜。树脂薄膜的例子包括聚酰胺树脂薄膜、聚酰亚胺树脂薄膜、聚酰胺酰亚胺树脂薄膜、聚酯树脂薄膜、聚甲亚胺树脂薄膜、聚氨脂树脂薄膜和丙烯酸树脂薄膜。在所述列举的树脂薄膜中,优选地采用具有比树脂薄膜14高的介电常数的树脂薄膜。由于第一蒸气沉积聚合物薄膜18a通过使用这种树脂薄膜形成,薄膜电容器10的电容可以有效地增加。具有不同的介电常数的树脂薄膜14的树脂材料和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的树脂材料不局限于所述聚丙烯和聚脲的组合。
在所述具有高介电常数的树脂薄膜中,聚脲树脂薄膜有利地用来形成第一蒸气沉积聚合物薄膜18a。这是由于聚脲树脂在原材料单体(二异氰酸盐和二胺)的聚合过程中不需要热处理,并且在完全没有消除水、乙醇和类似物的附加聚合反应中形成。因此,不需要用于原材料单体的聚合中的热处理的设备(设施),并且可以减小成本。另外,可以有效地避免热处理过程中的热量造成的树脂薄膜14的变形。另外,不需要从在其中进行聚合反应的真空室去除水、乙醇和类似物,水、乙醇和类似物通过聚合反应消除。因此,不需要用于上述去除的设备,并且可以减小成本。另外,聚脲树脂薄膜具有极好的抗湿性,由此稳固地保持第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的高耐压性。
在此实施方式中,在多个第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的每个的表面(例如与树脂薄膜14侧相对的表面)上进行等离子处理,以便将三维交联(网络)结构引入第一蒸气沉积聚合物薄膜18a。通过这种等离子处理,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的耐压性和耐热性得到有利的改善。另外,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的表面被活化,由此改善第一蒸气沉积聚合物薄膜18a与第一蒸气沉积金属薄膜层16a的粘附。
可以采用用于第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的表面的等离子处理的任何公知工艺。例如可以采用通过使用激光产生的等离子被辐射到第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的表面上的工艺。除了等离子处理之外,作为将三维交联结构引入第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的方法,可以适当地对第一蒸气沉积聚合物薄膜18a采用UV处理、热处理和其他处理。UV处理、热处理和其他处理可通过使用布置在用于制造例如电容器元件的所述设备的真空室内的UV辐射器或加热器来进行。
从图2和图3中清楚的是,电容器元件12总体上具有水平的长的长方体形状,并且包括上端表面20a和下端表面20b、第一侧表面22a和第二侧表面22b以及第三侧表面22c和第四侧表面22d。上端表面20a和下端表面20b在作为第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a叠置方向(图2和图3的竖直方向)的高度方向上彼此相对。第一侧表面22a和第二侧表面22b在纵向(图2的纵向)上彼此相对,并且第三侧表面22c和第四侧表面22d在宽度方向(图3的水平方向)上彼此相对。
下端表面20b由树脂薄膜14的下表面构成,并且上端表面20b由定位在包括形成在树脂薄膜14上的第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的叠置件的顶部上的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的上表面构成。因此,树脂薄膜14和顶部处的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a用作保护电容器元件12的上端和下端的保护层。
在树脂薄膜14的定位在电容器元件12的第一侧表面22a一侧的一个端部上,具有不形成第一蒸气沉积金属薄膜层16a的边界部分24a。另外,在位于自树脂薄膜14的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的第一、第三和第五第一蒸气沉积聚合物薄膜的第二侧表面22b一侧(与树脂薄膜14的边界部分24a的形成部分相对的一侧)的端部上,分别形成边界部分24b、24d和24f。另外,在第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的第二和第四第一蒸气沉积聚合物薄膜的第一侧表面22a一侧(与树脂薄膜14的边界部分24a的形成部分相同的一侧)的端部上,分别形成边界部分24c和24e。
如图1和图2所示,在位于电容器元件12的边界部分24a、24c、24e一侧处的第一侧表面22a上以及在位于边界部分24b、24d、24f一侧处的第二侧表面22b上,分别形成通过喷射工艺制备的第一外部电极26a和第二外部电极26b(此后称为第一和第二外部电极)。每个外部电极26a、26b用作电容器元件12(薄膜电容器10)的外部电极。第一外部电极26a和第二外部电极26b的每个由成形为覆盖第一侧表面22a和第二侧表面22b的整个表面并使用预定金属材料通过传统热喷射形成的金属覆盖层构成。
因此,在形成在树脂薄膜14上的多个第一蒸气沉积金属薄膜层16a中,第一、第三和第五第一蒸气沉积金属薄膜层16a在与邻近边界部分24a、24c、24e的一侧相对定位的端表面处接触或粘附到形成在第二侧表面22b上的第二外部电极26b的内表面,使得在第一、第三和第五第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二外部电极26b之间存在传导。另一方面,第二、第四和第六第一蒸气沉积金属薄膜层16a在与邻近边界部分24b、24d、24f的一侧相对定位的端表面处接触或粘附到形成在第一侧表面22a上的第一外部电极26a的内表面,使得在第二、第四和第六第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一外部电极26a之间存在传导。第一外部电极26a和第二外部电极26b之一制成正电极,并且另一个制成负电极。另外,虽然在附图中未示出,在第一外部电极26a和第二外部电极26b上可以根据需要设置端子或类似物。
用于形成第一外部电极26a和第二外部电极26b的材料不特别受到限制。第一外部电极26a和第二外部电极26b可以由不同金属材料形成,但是优选的是用于第一外部电极26a和第二外部电极26b的材料可以是与用于第一蒸气沉积金属薄膜层16a的材料相同的种类,并且用于第一外部电极26a和第二外部电极26b的材料可以是相同的金属材料。这有利地增强外部电极26a、26b和第一蒸气沉积金属薄膜层16a之间的粘附。另外,这里,电容器元件12的电介质层各自由通过具有功能基团(例如-OH基团或C=O基团)的树脂薄膜形成的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a构成。因此,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和外部电极26a、26b之间的粘附根据氢键结合或范德瓦尔斯力来有效地改善。因此,可以有利地防止外部电极26a、26b与电容器元件12分开。
如图1和图3所示,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b分别形成在电容器元件12的第三侧表面22c和第四侧表面22d上,使其得到整体覆盖。因此,可以防止外界物质附着到电容器元件12的没有形成第一外部电极26a和第二外部电极26b的第三侧表面22c和第四侧表面22d。
当前实施方式的薄膜电容器10包括叠层电容器元件12,其中第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a形成在树脂薄膜14上,使得第一蒸气沉积聚合物薄膜18a定位在相邻的蒸气沉积金属薄膜层16a、16a之间。另外,在电容器元件12的彼此相对的侧表面22a、22b上,形成第一外部电极26a和第二外部电极26b,并且在没有形成第一外部电极26a和第二外部电极26b的侧表面22c、22d上,分别形成第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b。
特别是,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的每个由聚脲树脂薄膜形成,聚脲树脂薄膜由通过传统沉积聚合在真空中产生的聚合物形成。因此,类似于第一蒸气沉积聚合物薄膜18a,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b分别由分子量比通过其中包括预定树脂材料的原材料在真空中蒸发的沉积形成的蒸气沉积薄膜足够高的聚合物薄膜构成。另外,不同于蒸气沉积薄膜,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b可以充分固化,而没有例如热处理和UV处理的后处理。另外,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的厚度可以控制在纳米级,使得第一蒸气沉积聚合物薄膜18a具有极小和均匀的厚度,并充分减少薄膜中的杂质。
通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的厚度不特别受到限制。但是,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b通常具有大约1-50μm的厚度。如果树脂保护薄膜28a、28b的厚度小到少于1μm,会由于渗透到电容器元件12中的湿气造成绝缘击穿,或者由于不充分的机械强度而由随后工艺中的处理造成击穿。另一方面,如果第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的厚度大到多于50μm,生产率会下降,原材料成本会升高,或者薄膜电容器10的尺寸会增加。
第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b不特别局限于示例性的聚脲树脂薄膜。可以采用通过真空沉积聚合形成薄膜的任何公知树脂薄膜。树脂薄膜的例子包括聚酰胺树脂薄膜、聚酰亚胺树脂薄膜、聚酰胺酰亚胺树脂薄膜、聚酯树脂薄膜、聚甲亚胺树脂薄膜、聚氨脂树脂薄膜以及丙烯酸树脂薄膜。第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b可以通过不同类型的树脂薄膜构成。
虽然第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b可由不同于形成电容器元件12的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的材料的材料形成,优选的是第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a由相同种类的材料形成。通过使用相同种类的材料,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b与第一蒸气沉积聚合物薄膜18a之间的粘附得到改善,由此有效地防止第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b与电容器元件12的第三侧表面22c和第四侧表面22d分开。
在当前实施方式中,由于第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b通过与第一蒸气沉积聚合物薄膜18a相同的聚脲树脂薄膜形成,不仅第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b与第一蒸气沉积聚合物薄膜18a之间的粘附得到改善,而且不需要用于原材料单体(二异氰酸盐和二胺)聚合的热处理的设备(设施)以及用于从真空室去除聚合反应的过多产物的设备,由此降低成本。另外,由于不需要进行热处理,树脂薄膜14由于热处理过程中的热量导致的变形可以有效地得到避免。
另外,在当前实施方式中,在第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的每个的表面上进行等离子处理,从而将三维交联(网络)结构引入第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b。通过这种处理,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的耐压性和耐热性得到有利的改善。另外,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的每个的表面被活化,由此改善第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b与第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第一蒸气沉积金属薄膜层16a的粘附。
作为用于第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的表面的等离子处理的具体工艺,可以采用任何公知的工艺。例如,类似于用于第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的表面的等离子处理,通过使用激光产生的等离子可以被辐射到第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的表面上。除了等离子处理之外,作为将三维交联结构引入第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的方法,可以对第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b适当地采用UV处理、热处理、电子束和其他处理。
当前实施方式的具有所述结构的薄膜电容器10例如根据以下的方法来制造。
最初,具有细长形状的树脂薄膜14布置在真空室的内侧,并且真空室通过将其中的压力降低到大约10-5-100Pa的范围来形成真空状态。接着,根据传统过程,轮流重复进行使用包括预定金属材料的沉积材料的沉积操作和使用作为聚脲树脂薄膜的原材料(单体)的二异氰酸酯和二胺的沉积聚合。沉积操作在沉积聚合之前进行。另外,边界部分24a-24f形成在树脂薄膜14和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a(除了位于顶部的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a之外)上。
因此,得到包括树脂薄膜14且具有细长形状的电容器底座,并且在树脂薄膜14上以所说明的顺序交替形成第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a。接着,例如,通过使用与第一蒸气沉积金属薄膜层16a相同的金属材料的热喷射,将第一外部电极26a和第二外部电极26b分别形成在电容器底座的相对侧表面上,即第一侧表面22a和第二侧表面22b上。
接着,具有细长形状并设置第一外部电极26a和第二外部电极26b的电容器底座在其纵向(垂直于第三侧表面22c和第四侧表面22d的相对方向以及第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的叠置方向的方向)上被切割成多个区段。因此制成多个电容器元件12,其中第一外部电极26a和第二外部电极26b分别形成在第一侧表面22a和第二侧表面22b上,并且电容器底座的切割表面被设置成分别邻近第一侧表面22a和第二侧表面22b的第三侧表面22c和第四侧表面22d。
随后,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b形成在如上所述得到的电容器元件12的第三侧表面22c和第四侧表面22d上。第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b通过使用具有例如图4所述的结构的沉积系统30来形成。
如图4所述,沉积系统30包括真空室32。真空室32内的压力被恒定地控制到大约10-5-100Pa,此压力与第一蒸气沉积聚合物薄膜18a形成过程中真空室内的压力大致相同。真空室32总体上具有圆形形状,并且包括具有圆形板形状的顶板34。接着,在图4中顶板34两边的左侧和右侧,设置左窗口36和右窗口37,以便穿过顶板34。此后,图4的水平方向和图4的竖直方向被分别简单地称为水平方向和竖直方向。
在真空室32内,具有圆形形状的转动台38以可转动的方式围绕在真空室32的中央部分处在竖直方向上延伸的转动轴40布置。转动轴40被连接到例如电动马达的转动驱动装置42。转动驱动装置42可被向前和向后转动地驱动。因此,随着转动驱动装置42在真空室32内向前或向后转动驱动,转动台38围绕转动轴40向前或向后转动。
转动台38包括通孔44。虽然在图4中未示出,通孔44在转动台的周向上延伸超过周边长度的一半。通孔44周向上的每个端部分别对应于顶板34的左窗口36和右窗口37。
另外,在真空室32内的转动台38上方对应于左窗口36和右窗口37的位置处,以可动方式在竖直方向上设置支承台46a、46b。支承台46a、46b可以通过设置有杆47a、47b的提升器48a、48b上下运动,杆47a、47b在竖直方向上延伸穿过转动台38的通孔44的周向上的端部。
在每个支承台46a、46b的上表面的中间区域设置凹口。凹口的底部内表面称为平支承表面50a、50b。支承台46a、46b各自通过提升器48a、48b向上运动,以便在其上部外周边部分处接触左窗口36和右窗口37的下部开口的周边。因此,左窗口36和右窗口37的每个的下部开口被闭合。另外,如图4的双点划线所示,支承台46a、46b通过提升器48a、48b向下运动,以便在其下部外周边部分处接合通孔44的上部开口的周边。因此,支承台46a、46b通过转动台38保持。
如上所述,左窗口36和右窗口37的每个的下部开口通过提升器48a、48b使得支承台46a、46b向上或向下运动来闭合或打开。另外,每次在提升器48a、48b向下运动之后,转动台38在向前或向后方向上转动半圈,并且每个支承台46a、46b通过转动台38保持,例如每个支承台46a、46b的位置从对应于左窗口36的位置交替改变成对应于右窗口37的位置。
另外,在真空室32的顶板34的上方,固定具有大致拱形形状的盖52,从而覆盖右窗口37。通过盖52限定的内部空间被称为沉积室54。在右窗口37的下部开口通过支承台46a、46b中定位在右侧的那个闭合时,沉积室54与真空室32断开,并且沉积室54的内部被气密密封。
盖52设置有两个单体罐56a、56b。在两个单体罐56a、56b中,分开地容纳作为聚脲树脂薄膜的原材料单体的预定量的二异氰酸酯和二胺。容纳在两个单体罐56a、56b的每个内的二异氰酸酯和二胺通过未示出的加热装置加热来蒸发。
因此,在气密密封的沉积室54中,进行真空沉积聚合,以便形成由聚脲树脂薄膜形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b。在沉积室54中,布置用于扩散和混合通过真空沉积聚合蒸发的二异氰酸酯和二胺的扩散器面板58以及用来进行预定等离子处理的等离子电极60。
在顶板34上,布置传送机械62。传送机械62包括在顶板34的左端处在竖直方向上延伸的转动轴64、从转动轴64在水平方向上延伸的保持杆66、分别在竖直方向上以可动方式附接到保持杆66的水平端部的提升杆68a、68b以及分别固定到提升杆68a、68b的端部的夹具卡盘(夹持装置)70a、70b。夹具卡盘70a、70b被配置成使其之一定位在布置在真空室32外部的转换台72上,并且另一个定位在真空室32的顶板34的左窗口36上。
转动轴64被连接到未示出的例如电动马达的转动驱动装置,并且保持杆66围绕转动轴64通过转动驱动装置的操作来转动。因此,每次保持杆66围绕转动轴64转动半圈时,每个夹具卡盘70a、70b的位置从转换台72上的位置轮流改变成顶板34的左窗口36上的位置。
另外,提升杆68a、68b在其顶部连接到未示出的提升机械。通过提升机械的操作,固定在提升杆68a、68b的下端处的夹具卡盘70a、70b向上或向下运动。另外,每个夹具卡盘70a、70b包括例如电磁体的保持设备(未示出)。作为保持设备的电磁体使得内侧容纳有电容器元件12并由磁性材料构成的壳体夹具74能够通过其吸附作用来保持,并通过中断到电磁体的电流供应,消除夹具卡盘70a、70b对壳体夹具74的保持。
因此,如图4所示,传送机械62配置成通过在壳体夹具74由夹具卡盘70a(70b)保持的同时使得保持杆66转动半圈,将通过夹具卡盘70a(70b)保持的壳体夹具74从转换台72的顶表面传送到支承台46a(46b)的支承表面50a(50b),这使得真空室32的左窗口36的下部开口闭合或反之亦然。另外,在通过夹具卡盘70a(70b)保持的壳体夹具74被传送到支承台46a(46b)的支承表面50a(50b)上时,真空室32的左窗36的上部开口同样通过夹具卡盘70a(70b)覆盖,以便气密密封左窗口36的内部空间。左窗口36的气密密封的空间提供了载荷锁定室76。载荷锁定室76内的压力通过未示出的真空泵与真空室32分开地降低,使得载荷锁定室76处于希望的真空状态。通过这种配置,壳体夹具74可以有效和快速地传送到沉积室54内或转换台72的顶表面上,而不阻断真空室32的真空状态。
在第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b通过使用具有上述结构的沉积系统30形成在电容器元件12的第三侧表面22c和第四侧表面22d上时,最初如图4和图5所示,多个电容器元件12(这里有二十八个)容纳在具有矩形箱体形状且向上开口的壳体夹具74的凹口75内。此时,所有电容器元件12配置在凹口75内,使得第三侧表面22c和第四侧表面22d之一(这里为第三侧表面22c)经由开口暴露于外侧。应该理解到电容器元件12的第三侧表面22c以及第一外部电极26a和第二外部电极26b在图5中通过阴影表示以便区分。
接着,如图4所示,在容纳电容器元件12的壳体夹具74被传送到转换台72上之后,沉积系统30的传送机械62的提升杆68a向下运动,由此通过夹具卡盘70a保持壳体夹具74。同时,沉积系统30内的支承台46a、46b向上运动从而闭合顶板34的左窗口36和右窗口37的下部开口,并且通过将真空室32内的压力例如降低到大约10-5-100Pa,使得真空室32的内部空间处于真空状态。
接着,提升杆68a向上运动,并使传送机械62的转动轴64转动半圈。随后,提升杆68a向下运动,使得通过夹具卡盘70a保持的壳体夹具74被传送到支承台46a上,从而闭合待由支承台46保持的真空室32的左窗口36的下部开口。此时,左窗口36的上部开口通过夹具卡盘70a闭合,使得左窗口36的内部提供载荷锁定室76。另外,固定在提升杆68b的下端的夹具卡盘70b而不是夹具卡盘70a布置在转换台72上。
接着,通过将载荷锁定室76内的压力降低到大致与真空室32内的压力相同,使得载荷锁定室76的内部空间处于真空状态。同时,容纳电容器元件12的另一壳体夹具74被传送到转换台72上,并且壳体夹具74通过布置在转换台72上的夹具卡盘70b保持。
在取消了夹具卡盘70a对壳体夹具74的保持之后,两个支承台46a、46b向下运动,并且转动台38在一个方向上(例如顺时针方向)转动半圈。因此,支承台46a定位在右窗口37的下方,并且支承台46b定位在左窗口36的下方。在转动台38转动过程中,虽然载荷锁定室76通向真空室32,但由于左窗口36的上部开口通过夹具卡盘70a闭合,真空室32的内部空间保持在减小压力下。
接着,支承台46a向上运动,以便闭合右窗口37的下部开口,由此气密密封沉积室54。因此,通过支承台46a支承的壳体夹具74容纳在沉积室54中,并且容纳在壳体夹具74内的电容器元件12的第三侧表面22c暴露于沉积室54的内部空间。另外,另一支承台46b向上运动以便闭合左窗口36的下部开口。
接着,电流被施加到等离子电极60,以便在沉积室54形成等离子。因此,在容纳在壳体夹具74内的多个电容器元件12的每个的第三侧表面22c上进行等离子辐射。因此,在每个第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的在第三侧表面22c处暴露的端表面上进行等离子处理,以便活化端表面,由此改善端表面(即第三侧表面22c)和第一树脂保护薄膜28a之间的粘附。另外,三维交联结构被引入每个第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的端表面,从而改善耐压性和耐热性。
随后,两个单体罐56a、56b内含有的二异氰酸酯和二胺通过未示出的加热设备加热,并且蒸发,而蒸发的二异氰酸酯和二胺被引入沉积室。接着,被蒸发的二异氰酸酯和二胺沉积在电容器元件12的第三侧表面22c上,并在其上聚合。因此,蒸气沉积聚合过程在真空室54内进行。因此,由聚脲树脂薄膜形成的第一树脂保护薄膜28a形成在电容器元件12的第三侧表面22c上。换言之,第一树脂保护薄膜28a的沉积操作在第三侧表面22c上进行。在引入时,被蒸发的二异氰酸酯和二胺在沉积室54内与扩散器面板58碰撞,由此扩散和混合。
在第三侧表面22c上形成第一树脂保护薄膜28a之后,电流被施加到等离子电极,以便在沉积室54内形成等离子,并且等离子被辐射在第一树脂保护薄膜28a上。通过等离子辐射,在第一树脂保护薄膜28a上进行等离子处理,以便将三维交联结构引入第一树脂保护薄膜28a。
在第一树脂保护薄膜28a的沉积操作过程中,没有保持壳体夹具74的夹具卡盘70a被传送到转换台72,并且通过另一夹具卡盘70b保持且其中容纳电容器元件12的壳体夹具74被传送到支承台46b的支承表面50b,从而闭合左窗口36的下部开口。在其中布置有壳体夹具74的载荷锁定室76再次形成之后,载荷锁定室76内的压力降低到大致与真空室32内的压力相同的压力。所述操作通过由所述沉积聚合所进行的沉积操作的结束来完成。即,第一树脂保护薄膜28在壳体夹具74内容纳的每个电容器元件12的第三侧表面22c上的沉积操作以及将壳体夹具74内容纳的电容器元件12布置在载荷锁定室76中的操作(即准备下一个沉积操作)同时进行。
接着,在第一树脂保护薄膜28a的沉积操作之后,通过闭合左窗口36的下部开口的支承台46b支承的壳体夹具74从夹具卡盘70b释放。随后,两个支承台46a和46b向下运动,并且转动台38在相反方向上转动半圈。因此,支承容纳第三侧表面22c上形成有第一树脂保护薄膜28a的电容器元件12的壳体夹具74的支承台46a再次定位在左窗口36的下方,并且支承容纳将进行沉积操作的电容器元件12的壳体夹具74的支承台46b再次定位在右窗口37的下方。
接着,支承台46b向上运动,使得通过支承台46b支承的壳体夹具74内的电容器元件12容纳在沉积室54内。随后,如上所述,第一树脂保护薄膜28a通过沉积聚合的沉积操作在电容器元件12的第三侧表面22c上进行。
同时,如同支承台46b,支承台46a也向上运动,通过支承台46a闭合左窗口36的下部开口,由此提供载荷锁定室76,其中通过支承台46a支承的壳体夹具74布置在载荷锁定室76中。接着,在其中电容器元件12上具有第一树脂保护薄膜28a的壳体夹具74通过夹具卡盘70b保持并且载荷锁定室76的内侧返回到空气压力之后,传送机械62的保持杆66转动半圈。因此,通过夹具卡盘70b保持的壳体夹具74布置在转换台72上。接着,第一树脂保护薄膜28a形成在第三侧表面22c上的电容器元件12从壳体夹具74的凹口75取出,壳体夹具74从夹具卡盘70b释放。从支承台46a的向上运动到通过夹具卡盘70b保持的壳体夹具74的改变的一系列操作与从支承台46b的向上运动到所述沉积操作的结束的一系列操作同时进行。
随后,其中第一树脂保护薄膜28a形成在第三侧表面22c上的电容器元件12再次容纳在壳体夹具74的凹口75内,使得第四侧表面22d经由壳体夹具74的凹口75的开口暴露于外侧。接着,在壳体夹具74被传送到转换台72上之后,进行所述传送操作和沉积操作,以便在每个电容器元件12的第四侧表面22d上形成第二树脂保护薄膜28b。因此,一次得到多个所需薄膜电容器10。接着,根据需要,端子被附接到薄膜电容器10的每个外部电极26a、26b,并且接着每个薄膜电容器10在预定箱体内密封。
如上所述,在当前实施方式的薄膜电容器10中,通过在真空中沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b分别形成在作为具有细长形状的电容器底座的切割表面的第三侧表面22c和第四侧表面22d上。因此,不仅在第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b形成之后,而且在其形成过程中,可以有效地防止外界物质附着到没有形成第一外部电极26a和第二外部电极26b的第三侧表面22c和第四侧表面22d。因此,可以有利地防止由于外界物质造成传导缺陷。
另外,在薄膜电容器10中,由于第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b通过沉积聚合形成,每个第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的分子量比例如真空沉积形成的蒸气沉积薄膜高。因此,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的耐用性有利地得到改善。
因此,在当前实施方式的薄膜电容器10中,可以在较长时间上稳定确保没有传导缺陷的出色质量。
在薄膜电容器10中,在每个第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的表面上进行等离子处理,以便将三维交联结构引入第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b,由此改善第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的耐热性和耐用性。因此,薄膜电容器10的质量的稳定性可以得到更有利的改善。
另外,在当前实施方式中,在第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的在第三侧表面22c和第四侧表面22d处暴露的端表面上进行等离子处理,由此改善第一蒸气沉积聚合物薄膜18a与第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的粘附。因此,可有利地防止第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b与第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的端表面以及第三侧表面22c和第四侧表面22d分开,由此进一步改善薄膜电容器10的耐用性。
在当前实施方式的薄膜电容器10中,由于第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b各自通过沉积聚合形成,不同于第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b分别由真空沉积形成的情况,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b可以可靠地固化,而没有例如热处理、UV辐射处理和类似处理的额外工艺。因此,在第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的形成中,最后在薄膜电容器10的制造中,不需要例如加热设备和UV辐射设备的额外设备。因此,薄膜电容器10可以足够低的成本制造,并且具有出色的生产率。
另外在当前实施方式的薄膜电容器10中,第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a形成在树脂薄膜14上,使得每个厚度比树脂薄膜14充分小的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a定位在相邻的第一蒸气沉积金属薄膜层16a、16a之间。通过这种配置,不同于包括交替形成的树脂薄膜和蒸气沉积金属薄膜层的薄膜电容器,薄膜电容器10可以制成更小,并且其电容量可以有效地增加,而不使得树脂薄膜14的厚度极度更小,并且不用减少树脂薄膜14的材料中的杂质。
通过制造所述的薄膜电容器10的方法,由于使用所述的沉积系统30,可以一次性地得到多个所需薄膜电容器10,并且第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的沉积操作还可以与沉积操作的准备同时进行。另外,第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b的沉积操作可以与进行沉积的电容器元件12的传送操作同时进行。因此,所需薄膜电容器10的制造循环可以有效地缩短。
在本发明中,只要电容器元件包括各自交替形成的电介质层和蒸气沉积金属薄膜层,层压结构不特别受到限制。构成本发明的薄膜电容器的电容器元件可具有例如图6-图10所示的层压结构。对于随后描述的薄膜电容器中所包括的电容器元件,图1-图3所使用的相同附图标记用于具有与构成第一实施方式的薄膜电容器10的电容器元件12的结构相同的结构的构件和部分,并且其详细说明被省略。
最初,图6所示的薄膜电容器78中所包含的电容器元件79包括以此说明的顺序各自交替形成在树脂薄膜的一个表面上的第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a。在树脂薄膜14的另一表面上,形成第二蒸气沉积金属薄膜层16b。另外,在第二蒸气沉积金属薄膜层16b的定位在与树脂薄膜14相对的一侧的表面上形成第二蒸气沉积聚合物薄膜18b。第二蒸气沉积金属薄膜层16b通过使用与第一蒸气沉积金属薄膜层16a相同的金属材料的真空沉积形成。另外,类似于第一蒸气沉积聚合物薄膜18a,第二蒸气沉积聚合物薄膜18b包括通过如上所述的真空沉积聚合形成的树脂薄膜。第二蒸气沉积金属薄膜层16b和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的材料或厚度可以与第一蒸气沉积金属薄膜层16a或第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的材料或厚度相同,或者也可以不同。这同样适用于图7-图10所示的薄膜电容器80、83、86、89所包含的第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b或者第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b,这将在下面描述。
虽然在附图中未示出,第一外部电极26a和第二外部电极26b形成在彼此相对的第一侧表面22a和第二侧表面22b上,并且通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b分别形成在作为具有细长形状的电容器底座的切割表面的第三侧表面22c和第四侧表面22d上,由此构成薄膜电容器78。另外,树脂薄膜14和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的每个具有所述的边界部分24。虽然在图7-图10所示的薄膜电容器80、83、86、89的以下说明中没有描述,在这些薄膜电容器80、83、86、89中,第一外部电极26a和第二外部电极26b形成在第一侧表面22a和第二侧表面22b上,通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b分别形成在第三侧表面22c和第四侧表面22d上,并且另外树脂薄膜14和第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的每个具有边界部分24。
在包括具有所述结构的电容器元件79的薄膜电容器78中,作为底座的树脂薄膜14用作类似于定位在两个第一蒸气沉积金属薄膜层16a、16a之间的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的电介质层。因此,除了通过由沉积聚合在未示出的第三侧表面22c和第四侧表面22d上形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b得到的优点之外,其电容量可以有效地得到增加。
图7所示的薄膜电容器80中所包含的电容器元件81包括位于树脂薄膜14的一个表面上的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和位于其另一表面上的第二蒸气沉积聚合物薄膜18b。即这里,电容器元件81的底座通过合成电介质层82构成,其中第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b形成在树脂薄膜14的每个表面上。树脂薄膜14的表面光洁度可以通过第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b在树脂薄膜14的每个表面上的形成来有利地改善。
接着,在合成电介质层82的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的不是树脂薄膜14一侧的表面上,形成第一蒸气沉积金属薄膜层16a和另一第一蒸气沉积聚合物薄膜18a,以便以该说明的顺序交替配置。另外,在合成电介质层82的第二蒸气沉积树脂薄膜18b的不是树脂薄膜14一侧的表面上形成第二蒸气沉积金属薄膜层16b和另一第二蒸气沉积聚合物薄膜18b,以便以该说明的顺序配置。
合成电介质层82中所包含的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b通过与形成在合成电介质层82的每个侧表面上的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b相同的树脂薄膜形成,其中形成在合成电介质层82的每个侧表面上的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b与合成电介质层82之间分别设有第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b。优选的是合成电介质层82中所包含的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的每个的厚度是大约0.001-10μm。使第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的厚度小于0.001μm是困难的,使得第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的厚度实际上变为0.001μm或更大。另外,即使合成电介质层82中所包含的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的厚度被制成大于10μm,通过第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的形成得到的树脂薄膜14的表面光洁度的改进无法得到提高。相反,第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的形成的易加工性会降低,并且其成本增加。另外,形成在合成电介质层82的每个表面上的与其之间设有第一蒸气沉积金属薄膜层16a的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的厚度通常为大约0.01至30μm,其类似于上述第一实施方式的薄膜电容器10的电容器元件12中所包含的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的厚度。
合成电介质层82可以通过只包括仅位于树脂薄膜14的一个表面上的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a来构成。在这种情况下,第一蒸气沉积金属薄膜层16a形成在合成电介质层82的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a上,并且第二蒸气沉积金属薄膜层16b在没有形成第一蒸气沉积聚合物薄膜18a的一侧形成在合成电介质层82的树脂薄膜14上。
在包括具有所述结构的电容器元件81的薄膜电容器80中,其中第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b形成在树脂薄膜14的每个表面上的合成电介质层82定位在第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b之间。因此,包括作为底座的树脂薄膜14的合成电介质层82用作电介质层。因此,其电容量可以得到有利的增加。另外,在薄膜电容器80中,通过在树脂薄膜14的每个表面上形成第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b,即使树脂薄膜14的厚度制成更小,包括树脂薄膜14以及第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚酯薄膜18b的合成电介质层82也能有利地得到高介电和高耐压性。另外,即使树脂薄膜14由例如拉伸薄膜形成,合成电介质层82的表面光洁度也可容易和有效地得到改善,这也带来了合成电介质层82的耐压性的改善。
因此,除了通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b形成在未示出的第三侧表面22c和第四侧表面22d上得到的优点之外,薄膜电容器80可有利地制成更小,并且制成具有更大的电容量,同时确保足够的耐压性。
图8所示的薄膜电容器83中所包含的电容器元件84包括基本元件85,其中第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b中的每个形成在树脂薄膜14的每个表面上,并且第一蒸气沉积聚合物薄膜18a在与树脂薄膜14一侧相对的一侧处进一步形成在第一蒸气沉积金属薄膜层16a的表面上。接着,多个基本元件85叠置,使得第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b叠置,并且第二蒸气沉积聚合物薄膜18b形成在定位于所述多个基本元件85的底部处的第二蒸气沉积金属薄膜层16b的与树脂薄膜14相对的一侧处的表面上。因此,多个基本元件85的层压结构主体构成电容器元件84,并且最终构成薄膜电容器83。
薄膜电容器83不仅包括其中只有树脂薄膜14定位在第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b之间的结构A,而且包括其中只有具有极小和均匀厚度以及极少杂质的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a定位在第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b之间的结构B。
因此,除了通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b形成在未示出的第三侧表面22c和第四侧表面22d上得到的所述优点之外,当前实施方式的薄膜电容器83可有利地通过减小其尺寸并改善其电容量而具有较高的性能,而不用通过减小树脂薄膜14的厚度来改善树脂薄膜14的功能、不用减少树脂薄膜14中的杂质且不会造成通过减小树脂薄膜14的厚度而导致的问题。
图9所示的薄膜电容器86中所包含的电容器元件87包括基本元件88,其具有合成电介质层82,其中第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b的每个形成在树脂薄膜14的每个表面上,并且另一第一蒸气沉积金属薄膜层16a在与树脂薄膜14相对的一侧进一步形成在合成电介质层82的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a上。接着,多个基本元件88叠置,使得第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b彼此叠置。另外,在定位在彼此叠置的多个基本元件88的顶部的第一蒸气沉积金属薄膜层16a上,进一步形成第一蒸气沉积聚合物薄膜18a。因此,基本元件88的层压结构主体构成电容器元件87,并且最终形成薄膜电容器86。
由于合成电介质层82,除了通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b形成在未示出的第三侧表面22c和第四侧表面22d而得到的优点之外,薄膜电容器86可有利地制成更小,并且制成具有更大电容量,同时确保足够的耐压性。
图10所示的薄膜电容器89中所包含的电容器元件90包括图9所示的薄膜电容器86的电容器元件87所包含的基本元件88以及图8所示的薄膜电容器83的电容器元件84所包含的基本元件85。基本元件85在基本元件88的厚度方向(竖直方向)上叠置在基本元件88的每个表面上。基本元件88和85叠置,使得基本元件88的第二蒸气沉积聚合物薄膜18b叠置在定位在基本元件88下方的基本元件85的第二蒸气沉积金属薄膜层16b上,并且定位在基本元件88上方的基本元件85的第一蒸气沉积聚合物薄膜18a叠置在基本元件88的第一蒸气沉积金属薄膜层16a上。接着,另一第二蒸气沉积聚合物薄膜18b进一步叠置在定位在基本元件88上方的基本元件85的第二蒸气沉积金属薄膜层16b上。因此,两种基本元件85、88的层压结构主体构成电容器元件90,并最终构成薄膜电容器89。
薄膜电容器89不仅包括其中只有树脂薄膜14定位在第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b之间的结构A,而且包括其中只有第一蒸气沉积聚合物薄膜18a定位在两个第一蒸气沉积金属薄膜层16a、16a和合成电介质层82之间的结构B。
因此,除了通过沉积聚合形成的第一树脂保护薄膜28a和第二树脂保护薄膜28b形成在未示出的第三侧表面22c和第四侧表面22d上得到的所述出色优点之外,当前实施方式的薄膜电容器89可有利地制成更小,并且制成具有更大电容量,同时确保足够的耐压性,而不造成通过减小树脂薄膜14的厚度造成的许多问题。
虽然在附图中未示出,本发明的薄膜电容器中所包含的电容器元件可包括交替配置的多个树脂薄膜14和多个第一蒸气沉积金属薄膜层16a。
另外,在本发明的薄膜电容器的制造中,所述的沉积系统30不是必须在树脂保护薄膜形成在电容器元件的侧表面上时使用。树脂保护薄膜可通过多种公知的沉积聚合形成。
电介质层(树脂薄膜14、第一蒸气沉积聚合物薄膜18a和第二蒸气沉积聚合物薄膜18b以及合成电介质层82)以及第一蒸气沉积金属薄膜层16a和第二蒸气沉积金属薄膜层16b的数量不局限于以上的例子。
虽然这里没有描述进一步的细节,应该理解到本发明可以多种本领域普通技术人员明白的其他变型和改型实施,而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (14)

1.一种叠层薄膜电容器,包括:
电容器元件,所述电容器元件具有多个电介质层和多个蒸气沉积金属薄膜层,每个所述电介质层和每个所述蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置,以便交替配置;
设置在所述电容器元件的相对侧表面上的一对外部电极;以及
设置在形成有所述成对的外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面上的至少一个树脂保护薄膜,
其中所述至少一个树脂保护薄膜通过沉积聚合来提供。
2.根据权利要求1所述的叠层薄膜电容器,其中所述多个电介质层包括至少一个树脂薄膜和由与所述至少一个树脂保护薄膜相同的材料制成的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜。
3.根据权利要求2所述的叠层薄膜电容器,其中所述至少一个蒸气沉积聚合物薄膜定位在所述至少一个树脂薄膜和所述多个蒸气沉积金属薄膜层之一的至少一个上。
4.根据权利要求3所述的叠层薄膜电容器,其中所述电容器元件包括只有所述至少一个蒸气沉积聚合物薄膜定位在所述多个蒸气沉积金属薄膜层之间的区段。
5.根据权利要求4所述的叠层薄膜电容器,其中定位在所述多个蒸气沉积金属薄膜层之间的所述至少一个蒸气沉积聚合物薄膜具有0.01-30μm的厚度。
6.根据权利要求3所述的叠层薄膜电容器,其中所述多个电介质层的至少一个包括合成电介质层,所述合成电介质层包括至少一个树脂薄膜和定位在所述至少一个树脂薄膜的至少一个表面上的所述至少一个蒸气沉积聚合物薄膜。
7.根据权利要求6所述的叠层薄膜电容器,其中包含在所述合成电介质层内的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜具有0.001-10μm的厚度。
8.根据权利要求1所述的叠层薄膜电容器,其中所述至少一个树脂保护薄膜具有三维交联结构。
9.根据权利要求1所述的叠层薄膜电容器,其中所述至少一个树脂保护薄膜由聚脲树脂薄膜形成。
10.根据权利要求2所述的叠层薄膜电容器,其中所述至少一个蒸气沉积聚合物薄膜由聚脲树脂薄膜形成。
11.根据权利要求2所述的叠层薄膜电容器,其中形成有所述成对的外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面被等离子处理。
12.根据权利要求2所述的叠层薄膜电容器,其中包含在所述多个电介质层内的至少一个蒸气沉积聚合物薄膜的介电常数高于所述至少一个树脂薄膜的介电常数。
13.根据权利要求2所述的叠层薄膜电容器,其中所述电容器元件具有所述至少一个蒸气沉积聚合物薄膜和所述多个蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置以便交替配置在所述至少一个树脂薄膜上的结构。
14.一种制造叠层薄膜电容器的方法,包括如下步骤:
提供包括多个电介质层和多个蒸气沉积金属薄膜层的电容器元件,每个所述电介质层和每个所述蒸气沉积金属薄膜层彼此叠置以便交替配置;
在所述电容器元件的相对侧表面上形成一对外部电极;以及
通过沉积聚合在所述电容器元件的形成有所述成对的外部电极的侧表面之外的至少一个侧表面上形成至少一个树脂保护薄膜。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709053A (zh) * 2012-06-04 2012-10-03 电子科技大学 一种聚合物叠片式电容器及其制备方法
CN103426631A (zh) * 2012-05-25 2013-12-04 小岛冲压工业株式会社 薄膜电容器元件、薄膜电容器和制造薄膜电容器元件的方法
CN105393319A (zh) * 2013-05-01 2016-03-09 小岛冲压工业株式会社 薄膜电容器
CN105551797A (zh) * 2014-10-28 2016-05-04 丰田自动车株式会社 膜电容器
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
CN106575573B (zh) * 2014-05-12 2019-03-19 柯帕瑟特科学有限责任公司 能量储存器件及其制造方法
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
US10340082B2 (en) 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
US10566138B2 (en) 2016-04-04 2020-02-18 Capacitor Sciences Incorporated Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US10872733B2 (en) 2016-04-04 2020-12-22 Capacitor Sciences Incorporated YanLi material and dielectric and capacitor thereof
CN114270459A (zh) * 2019-08-30 2022-04-01 株式会社村田制作所 薄膜电容器

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543438B (zh) * 2011-12-07 2014-04-16 厦门法拉电子股份有限公司 一种叠片式金属化薄膜电容器的电极结构
WO2013140593A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社日立製作所 コンデンサ担持バスバ及びそれを備える電力機器
US9119289B2 (en) * 2013-02-25 2015-08-25 3M Innovative Properties Company Film constructions for interdigitated electrodes with bus bars and methods of making same
RU2017112074A (ru) 2014-11-04 2018-12-05 Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед Устройства для хранения энергии и способы их получения
WO2016138310A1 (en) 2015-02-26 2016-09-01 Capacitor Sciences Incorporated Self-healing capacitor and methods of production thereof
US9959974B2 (en) * 2015-02-27 2018-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for making a structural capacitor
US10026553B2 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Capacitor Sciences Incorporated Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor
US10395841B2 (en) 2016-12-02 2019-08-27 Capacitor Sciences Incorporated Multilayered electrode and film energy storage device
JP7019946B2 (ja) * 2016-12-05 2022-02-16 株式会社村田製作所 積層コンデンサ内蔵基板
CN111868860B (zh) * 2018-03-29 2022-09-20 京瓷株式会社 薄膜电容器、连结型电容器、逆变器以及电动车辆
JP7466650B2 (ja) 2020-07-31 2024-04-12 京セラ株式会社 フィルムコンデンサ、連結型コンデンサ、インバータおよび電動車両
DE102020124520A1 (de) 2020-09-21 2022-03-24 Tdk Electronics Ag Kondensator

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63137410A (ja) * 1986-11-28 1988-06-09 松下電器産業株式会社 電子部品の被覆方法
JPH0636967A (ja) * 1992-05-26 1994-02-10 Kogyo Gijiyutsuin Kagaku Gijutsu Kenkyusho 薄膜コンデンサの製造方法
EP0722787A2 (en) * 1993-10-04 1996-07-24 Catalina Coatings, Inc. Process for making an acrylate coating
JP2001297945A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層フィルムコンデンサおよびその製造方法、ならびに保護膜形成装置
JP2002275619A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Mitsui Chemicals Inc 有機高分子薄膜の製造装置および有機高分子薄膜の作製方法
CN101177484A (zh) * 2006-11-08 2008-05-14 同济大学 一种双酚a型聚酰亚胺材料及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766896B2 (ja) * 1986-11-28 1995-07-19 松下電器産業株式会社 フイルムコンデンサ
KR920700460A (ko) * 1989-09-21 1992-02-19 마에다 가쯔노스께 필름콘덴서 및 그의 제조방법
US5576925A (en) * 1994-12-27 1996-11-19 General Electric Company Flexible multilayer thin film capacitors
JPH10315321A (ja) * 1997-05-20 1998-12-02 Toray Ind Inc ポリフェニレンスルフィドフイルム及びそれを用いたフイルムコンデンサ
CN100378880C (zh) * 2001-06-08 2008-04-02 松下电器产业株式会社 层叠薄膜电容器及其制造方法
TWI261273B (en) * 2004-04-26 2006-09-01 Tdk Corp Composition for thin film capacitive device, insulating film with high dielectric constant, thin film capacitive device, thin-film laminated capacitor and process for producing thin film capacitive device
US20080170352A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Seiko Epson Corporation Capacitor and its manufacturing method
WO2009005555A2 (en) * 2007-04-11 2009-01-08 The Penn State Research Foundation Methods to improve the efficiency and reduce the energy losses in high energy density capacitor films and articles comprising the same
US8228661B2 (en) * 2009-08-10 2012-07-24 Kojima Press Industry Co., Ltd. Film capacitor and method of producing the same
JP5341704B2 (ja) * 2009-10-15 2013-11-13 小島プレス工業株式会社 積層シートの製造装置及び製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63137410A (ja) * 1986-11-28 1988-06-09 松下電器産業株式会社 電子部品の被覆方法
JPH0636967A (ja) * 1992-05-26 1994-02-10 Kogyo Gijiyutsuin Kagaku Gijutsu Kenkyusho 薄膜コンデンサの製造方法
EP0722787A2 (en) * 1993-10-04 1996-07-24 Catalina Coatings, Inc. Process for making an acrylate coating
JP2001297945A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層フィルムコンデンサおよびその製造方法、ならびに保護膜形成装置
JP2002275619A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Mitsui Chemicals Inc 有機高分子薄膜の製造装置および有機高分子薄膜の作製方法
CN101177484A (zh) * 2006-11-08 2008-05-14 同济大学 一种双酚a型聚酰亚胺材料及其制备方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103426631A (zh) * 2012-05-25 2013-12-04 小岛冲压工业株式会社 薄膜电容器元件、薄膜电容器和制造薄膜电容器元件的方法
CN102709053A (zh) * 2012-06-04 2012-10-03 电子科技大学 一种聚合物叠片式电容器及其制备方法
CN105393319A (zh) * 2013-05-01 2016-03-09 小岛冲压工业株式会社 薄膜电容器
US10685782B2 (en) 2014-05-12 2020-06-16 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
US10347424B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage device and method of production thereof
CN106575573B (zh) * 2014-05-12 2019-03-19 柯帕瑟特科学有限责任公司 能量储存器件及其制造方法
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
CN105551797A (zh) * 2014-10-28 2016-05-04 丰田自动车株式会社 膜电容器
US10340082B2 (en) 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10672561B2 (en) 2015-06-26 2020-06-02 Capacitor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10854386B2 (en) 2015-06-26 2020-12-01 Capacitor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10566138B2 (en) 2016-04-04 2020-02-18 Capacitor Sciences Incorporated Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof
US10672560B2 (en) 2016-04-04 2020-06-02 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
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