CN102426381A - 一种CsI：Tl和LaBr3：Ce3+叠层闪烁体 - Google Patents

一种CsI：Tl和LaBr3：Ce3+叠层闪烁体 Download PDF

Info

Publication number
CN102426381A
CN102426381A CN2011103350200A CN201110335020A CN102426381A CN 102426381 A CN102426381 A CN 102426381A CN 2011103350200 A CN2011103350200 A CN 2011103350200A CN 201110335020 A CN201110335020 A CN 201110335020A CN 102426381 A CN102426381 A CN 102426381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
csi
crystal
labr
phoswich
labr3
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103350200A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102426381B (zh
Inventor
高鑫
何元金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201110335020.0A priority Critical patent/CN102426381B/zh
Publication of CN102426381A publication Critical patent/CN102426381A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102426381B publication Critical patent/CN102426381B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明公开了属于无机闪烁体射线探测技术领域的一种CsI：Tl和LaBr3：Ce3+叠层闪烁体。该闪烁体的结构为：CsI：Tl晶体置于上部，面对放射源，LaBr3：Ce3+晶体置于下部，与光电倍增管相连，CsI：Tl和LaBr3：Ce3+晶体间以硅脂进行光耦合，CsI：Tl和LaBr3：Ce3+晶体的上面和侧面缠绕有光反射材料，底面铺设石英玻璃片，缠绕有光反射材料的侧面包裹铝皮，上面为碳纤维板，石英玻璃片与LaBr3：Ce3+晶体和铝皮间通过透明液体胶粘牢。本发明的叠层闪烁体能够兼顾传统闪烁体对低能射线与LaBr3：Ce3+对较高能量射线响应的优势，可在各种需要辐射探测的领域中应用。

Description

一种CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体
技术领域
本发明属于无机闪烁体射线探测技术领域，具体涉及一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体。 
背景技术
以LaBr3:Ce3+为代表的稀土掺杂卤化镧单晶是21世纪初兴起的新型无机闪烁体，其优异的能量特性和时间特性要显著优于传统闪烁体NaI:Tl、CsI:Na、CsI:Tl等[1]。但这类晶体也存在一些固有缺陷，如生长过程易开裂、易潮解、发光区域主要位于紫外、对低能射线响应不佳等[2]。尤其在较低能量段(E＜50keV)，LaBr3:Ce3+对射线的响应并不优于传统闪烁体如NaI:Tl、CsI:Na、CsI:Tl等[错误！未定义书签。]。其他闪烁体如高纯锗(HPGe)探测器虽然在高能、低能区域能量分辨率都比较好，但比较昂贵，而且需要在液氮保护下使用，很不方便；碲锌镉(CZT)探测器低能响应很好，但难以生长得到大体积晶体，因而对高能射线探测效率较低，而且存在极化效应。 
能否构造一种叠层闪烁体的结构，使其能够兼顾传统闪烁体对低能射线与LaBr3:Ce3+对较高能量射线响应的优势，是一个亟待解决的问题。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体。 
一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，CsI:Tl晶体置于上部，面对放射源，LaBr3:Ce3+晶体置于下部，与光电倍增管相连，CsI:Tl和LaBr3:Ce3+晶体间以硅脂进行光耦合，CsI:Tl和LaBr3:Ce3+晶体的上面和侧面缠绕有光反射材料，底面铺设石英玻璃片，缠绕有光反射材料的侧面包裹铝皮，光反射材料的上面为碳纤维板，石英玻璃片与LaBr3:Ce3+晶体和铝皮间通过透明液体胶粘牢。 
所述光反射材料为聚四氟乙烯。 
所述碳纤维板的厚度为0.5-2mm。 
所述石英玻璃片的厚度为0.5-2mm。 
所述CsI:Tl晶体为直径15-25mm，厚0.5-4mm的圆柱。 
所述LaBr3:Ce3+晶体为直径15-25mm，厚18-22mm的圆柱。 
本发明的有益效果：本发明的叠层闪烁体能够兼顾传统闪烁体对低能射线与LaBr3:Ce3+对较高能量射线响应的优势，可广泛应用于核医学影像设备、行李安检、集装箱检查、大型工业设备无损探伤、石油测井、放射性探测、环境监测等领域。 
附图说明
图1为由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体结构示意图； 
图中，1-放射源、2-碳纤维板、3-CsI:Tl晶体、4-硅脂、5-LaBr3:Ce3+晶体、6-光反射材料、7-铝皮、8-石英玻璃片。 
图2为CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体实物图； 
图中，a为面向光电倍增管的实物图，b为面向放射源的实物图。 
图3为137Cs源662keVγ射线激发的1mm CsI:Tl+20mm LaBr3:Ce3+叠层闪烁体伽玛能谱。 
图4为利用Ag金属片产生22.15keV射线示意图； 
图中，9-闪烁体，10-Ag金属片，11-22.15keV射线、59.5keV射线及康普顿散射射线，12-59.5keV射线，13-准直241Am放射源。 
图5为241Am源59.5keV打到Ag片上产生的射线激发的LaBr3:Ce3+和2mm CsI:Tl+20mm LaBr3:Ce3+叠层闪烁体的伽玛能谱。 
图6为241Am源59.5keV激发的1mm CsI:Tl+20mm LaBr3:Ce3+叠层闪烁体在不同成形时间下的伽玛能谱(右上角标注成形时间)。 
图7为241Am源59.5keV射线激发的2mm CsI:Tl+20mm LaBr3:Ce3+叠层闪烁体在不同成形时间下的伽玛能谱(右上角标注成形时间)。 
图8为57Co源激发的1mm CsI:Tl+20mm LaBr3:Ce3+叠层闪烁体在不同成形时间下的伽玛能谱(右上角标注成形时间)。 
图9为57Co源激发的2mm CsI:Tl+20mm LaBr3:Ce3+叠层闪烁体在不同成形时间下的伽玛能谱(右上角标注成形时间)。 
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。 
实施例1CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体的组装 
图1为由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体结构示意图，LaBr3:Ce3+晶体5采用布里奇曼法生长。布里奇曼法生长晶体的具体过程为：单晶生长炉在竖直方向上分为两个温区，上半部为高温区，一般应高于原料熔点50℃以上，以使原料易于吸热熔化，下半部为低温区，低于原料熔点。盛装原料并抽真空密封的坩埚首先在上温区停留，使原料充分熔化并混合均匀。然后坩埚缓慢下降，使坩埚底部位于低温区，底部原料凝固成多晶，即自发形成晶核。然后整个坩埚缓慢下降，使上部熔融的原料通过具有一定温度梯度的固液界面，从而长成单晶。LaBr3:Ce3+中CeBr3质量百分比为5％；CsI:Tl晶体3向北京滨松公司购买得到，TlI质量百分比为0.2％，两块晶体均为圆柱状，CsI:Tl晶体3置于上部，直径20mm，厚1mm或2mm，直接面对放射源1，LaBr3:Ce3+晶体5置于下部，直径20mm，厚20mm，与光电倍增管相连输出光信号；CsI:Tl和LaBr3:Ce3+晶体间以硅脂4进行光耦合，减少从CsI:Tl产生的光子在两块晶体界面由于反射造成的损失；CsI:Tl和LaBr3:Ce3+晶体的上面和侧面缠绕有光反射材料6(聚四氟乙烯)，底面铺设1mm厚石英玻璃片8，缠绕有光反射材料的侧面包裹铝皮7，光反射材料6的上面为1mm厚碳纤维板2，尽量减少对低能射线(E＜30keV)的阻挡，碳纤维板2具有一定的机械强度，相比于铝皮7，对低能射线的阻挡本领低得多，相比铍窗则成本低廉，且安全无毒，石英玻璃片8与LaBr3:Ce3+晶体5和铝皮7间以透明液体胶粘牢。 
图2显示了由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体实物图。 
实施例2CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体的高能响应实验 
测量光产额、能量分辨率等闪烁性质时，采用Hamamatsu R6233-100型光电倍增管，光电倍增管的输出依次经过前置放大器、线性放大器，进入多道卡，经过模数转换后在计算机多道程序上显示；测量发光衰减时间时，采用Hamamatsu XP2020Q型光电倍增管，光电倍增管的输出与数字示波器直接相连，在示波器屏幕上显示。 
以137Cs为放射源，释放的662keVγ射线基本能穿过1mm或2mm CsI:Tl晶体，主要在LaBr3:Ce3+中打出闪烁光子。图3为射线在1mm CsI:Tl+20mmLaBr3:Ce3+叠层闪烁体中的伽玛能谱。 
为直观比较叠层闪烁体与单一闪烁体对662keVγ射线的响应情况，将其相对光产额和能量分辨率列于表1中。测量中LaBr3:Ce3+与叠层闪烁体成形时间为0.5μs，CsI:Tl由于发光衰减时间较长(0.63μs)，其成形时间取为12μs，光产额以LaBr3:Ce3+作为基准。 
表1 137Cs源662keVγ射线在单一闪烁体及叠层闪烁体中的闪烁性能比较 
Figure BDA0000103726220000041
由表1可以看出，叠层闪烁体中CsI:Tl的存在，对LaBr3:Ce3+的闪烁性能造成了一定的影响。由1mm CsI:Tl构成的叠层闪烁体中，光产额下降了5％，能量分辨率下降了约12％；由2mm CsI:Tl构成的叠层闪烁体中，光产额下降 了4％，能量分辨率同样下降了约12％。这是由于射线虽然大部分能够穿透CsI:Tl，但仍然会部分沉积在其中，并产生闪烁光子。尽量计数率不高(1mmCsI:Tl峰值计数率为0.84s-1，2mm CsI:Na峰值计数率0.94s-1，分别约为单一LaBr3:Ce3+晶体的13％和15％)，但仍然作为本底存在于叠层闪烁体的谱形中(低能段尤其明显)，会对全能峰造成一定的展宽。另一方面，射线在叠层闪烁体的LaBr3:Ce3+晶体中产生的光子，可能通过与CsI:Tl的耦合界面进入CsI:Tl晶体内部，从而造成一定的光损失，这对最终能量分辨率及光产额等闪烁性能也会有影响。此外，即使同样作为LaBr3:Ce3+晶体，由于生长过程、晶锭取样位置的细微不同，也可能对闪烁性能造成影响；加之闪烁性能测试过程中晶体的中心是否与光电倍增管的轴心重合(这样光收集可达最大化)、光耦合等因素的影响，都可能使得到的闪烁性能产生偏差。在叠层闪烁体的性能研究中，这种由晶体生长和测量过程造成的偏差是无法避免的。尽管存在以上不确定因素，仍然可以得出结论，叠层闪烁体在较高能量处基本能够实现单一LaBr3:Ce3+晶体的闪烁性能，而明显优于单一CsI:Tl晶体，这为通过这种叠层结构实现改善LaBr3:Ce3+的低能响应奠定了基础。 
实施例3CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体的低能响应实验 
测量光产额、能量分辨率等闪烁性质时，采用Hamamatsu R6233-100型光电倍增管，光电倍增管的输出依次经过前置放大器、线性放大器，进入多道卡，经过模数转换后在计算机多道程序上显示；测量发光衰减时间时，采用Hamamatsu XP2020Q型光电倍增管，光电倍增管的输出与数字示波器直接相连，在示波器屏幕上显示。 
CsI:Tl晶体对射线响应的优势范围位于20～60keV能量区间[4，5]，且能量越低，优势越明显。为了验证对叠层闪烁体低能响应的构想，发明人构建了图4所示的实验装置，用准直241Am放射源产生的59.5keV射线轰击Ag金属片，利用Ag的特征能级Kα线产生能量为22.15keV的X射线。在产生22.15keV 射线的同时，Ag金属片同样会放出对应于Kβ能级的24.99keV射线，但其强度相比前者小得多，基本可忽略。除此之外，59.5keV射线打到Ag金属片上，还会产生康普顿散射，产生一系列能量小于59.5keV的射线。 
为进行比较，发明人测量了准直241Am源轰击Ag金属片产生的射线在单一闪烁体及叠层闪烁体中的闪烁性能。 
测量结果如图5所示，谱形左侧为Ag特征能级带来的22.15keV特征X射线峰，右侧为241Am放射源59.5keV射线形成的峰，它并不尖锐，而是呈现波包形状，这正是由于康普顿散射造成的结果，单一闪烁体及叠层闪烁体的闪烁性能见表2。 
表2241Am源59.5keV射线打到Ag片后射线在单一闪烁体及叠层闪烁体中的闪 
Figure BDA0000103726220000061
由表2可以看出，对于由1mm和2mm CsI:Tl构成的叠层闪烁体，相比于单一的CsI:Tl晶体，光产额下降2～3％，能量分辨率下降了约27％；其光产额与单一LaBr3:Ce3+晶体基本持平，而能量分辨率相比其提高了约9％。 
叠层闪烁体在22.15keV处的能量分辨率优于LaBr3:Ce3+，光产额与其持平，基本实现了通过叠层结构改善低能响应的期望，如果采用更低能量的射线入射，这种优势会更加明显。 
实施例4CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体的中能响应实验 
测量光产额、能量分辨率等闪烁性质时，采用Hamamatsu R6233-100型光电倍增管，光电倍增管的输出依次经过前置放大器、线性放大器，进入多道卡，经过模数转换后在计算机多道程序上显示；测量发光衰减时间时，采用 Hamamatsu XP2020Q型光电倍增管，光电倍增管的输出与数字示波器直接相连，在示波器屏幕上显示。 
1、对241Am 59.5keV的响应 
采用实施例3所述的装置和方法，研究了叠层闪烁体对以241Am 59.5keV为代表的中间能量段射线的响应情况。 
表3将单一闪烁体及叠层闪烁体对241Am源59.5keV射线峰的闪烁信息进行了归纳，以59.5keV射线在LaBr3:Ce3+中的光产额为基准进行了归一化。 
表3241Am源59.5keV射线存单一闪烁体及叠层闪烁体中的闪烁性能 
Figure BDA0000103726220000071
结合图6-7和表3可以看出，当成形时间为0.5μs时，可清楚分辨谱形左侧为CsI:Tl产生的峰，右侧为LaBr3:Ce3+产生的峰。前者的强度远大于后者，说明大部分射线在穿透叠层的过程中已优先被CsI:Tl阻挡掉。也因为这个原因， LaBr3:Ce3+产生的峰形并不尖锐，因而在表3中无法准确给出相应的光产额和能量分辨率信息。随着成形时间逐渐变大，由CsI:Tl导致的光电峰不断右移，在4μs时开始与LaBr3:Ce3+产生的峰融合，能量分辨率也在此时达到最佳。当成形时间最大达12μs时，二者融合形成很高的本底，但CsI:Tl形成的峰位一直未超过LaBr3:Ce3+。值得注意的是，241Am源并非单一放出59.5keV射线，成形时间为0.5μs时，其左侧的尖锐突起表明该源还放出其他能量的射线，只是强度低得多。 
2、对57Co 122keV的响应 
将57Co放射源置于本发明CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体上方，检测其性能，表4将单一闪烁体及叠层闪烁体对57Co源122keV射线峰的闪烁信息进行了归纳，以122keV射线在LaBr3:Ce3+中的光产额为基准进行了归一化。 
表457Co源122keV射线在单一闪烁体及叠层闪烁体中的闪烁件能 
Figure BDA0000103726220000081
图8和9分别为57Co激发1mm和2mm CsI:Tl构成的叠层闪烁体的伽玛 能谱，成形时间从0.5μs取至12μs。 
57Co源放出的γ及X射线种类较多，但以122keV及136keV两个能量的射线强度较大，其中122keV强度又远大于136keV。图9每个谱形中强度最大的两个峰分别由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+产生，与241Am源照射的情形类似，依然是CsI:Tl产生的峰位于谱形左侧，LaBr3:Ce3+产生的峰位于右侧。成形时间为0.5μs时，二者峰位相距较远；随着成形时间变大，由两种闪烁体导致的峰位均向右移动，其中CsI:Tl产生的峰移动更快；当成形时间达最大值12μs时，二者产生的峰已基本相连为一体。 
参考文献： 
[1]Van Loef E V D，et al.High-Energy-Resolution scintillator：Ce3+activated LaBr3.Appl PhysLett，2001，79(10)：1573. 
[2]谢建军等.卤化镧系LnX3(Ce)闪烁晶体的研究进展.无机材料学报，2005，20(3)：522-528 
[3]高鑫，何元金.LaBr3:Ce3+闪烁晶体研究进展.核电子学与探测技术，2010，30(1)：5-11. 
[4]Quarati F，et al.X-ray and gamma-ray response of a 2”×2”LaBr3:Ce scintillation detector.Nucl.Instr.and Meth.，2007，A574：115-120. 
[5]Murphy J，Caspers H H，Buchanan R A.Symmetry coordinates and lattice vibration of LaCl3.J.Chem.Phys.，1964，40(3)：743-753。 

Claims (6)

1.一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，其特征在于，CsI:Tl晶体置于上部，面对放射源，LaBr3:Ce3+晶体置于下部，与光电倍增管相连，CsI:Tl和LaBr3:Ce3+晶体间以硅脂进行光耦合，CsI:Tl和LaBr3:Ce3+晶体的上面和侧面缠绕有光反射材料，底面铺设石英玻璃片，缠绕有光反射材料的侧面包裹铝皮，光反射材料的上面为碳纤维板，石英玻璃片与LaBr3:Ce3+晶体和铝皮间通过透明液体胶粘牢。
2.根据权利1所述一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，其特征在于，所述光反射材料为聚四氟乙烯。
3.根据权利要求1所述一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，其特征在于，所述碳纤维板的厚度为0.5-2mm。
4.根据权利要求1所述一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，其特征在于，所述石英玻璃片的厚度为0.5-2mm。
5.根据权利要求1所述一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，其特征在于，所述CsI:Tl晶体为直径15-25mm，厚0.5-4mm的圆柱。
6.根据权利要求1所述一种由CsI:Tl和LaBr3:Ce3+构成的叠层闪烁体，其特征在于，所述LaBr3:Ce3+晶体为直径15-25mm，厚18-22mm的圆柱。
CN201110335020.0A 2011-10-31 2011-10-31 一种CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体 Expired - Fee Related CN102426381B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110335020.0A CN102426381B (zh) 2011-10-31 2011-10-31 一种CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110335020.0A CN102426381B (zh) 2011-10-31 2011-10-31 一种CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102426381A true CN102426381A (zh) 2012-04-25
CN102426381B CN102426381B (zh) 2015-02-18

Family

ID=45960383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110335020.0A Expired - Fee Related CN102426381B (zh) 2011-10-31 2011-10-31 一种CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102426381B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103344983A (zh) * 2013-06-19 2013-10-09 田志恒 核反应堆蒸汽发生器泄漏监测系统及方法
CN104614754A (zh) * 2015-01-26 2015-05-13 苏州瑞派宁科技有限公司 组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备
CN111638540A (zh) * 2020-05-27 2020-09-08 北京市射线应用研究中心 放射性惰性气体的测量装置、方法、设备及存储介质
CN112852414A (zh) * 2021-01-13 2021-05-28 中山大学 一种钙钛矿复合闪烁体及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090008561A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Radiation Monitoring Devices, Inc. Lanthanide halide microcolumnar scintillators
US20090134337A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 William Robert Russ Hybrid radiation detection system
CN102102225A (zh) * 2010-11-22 2011-06-22 福建福晶科技股份有限公司 一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090008561A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Radiation Monitoring Devices, Inc. Lanthanide halide microcolumnar scintillators
US20090134337A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 William Robert Russ Hybrid radiation detection system
CN102102225A (zh) * 2010-11-22 2011-06-22 福建福晶科技股份有限公司 一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I.MAZUMDAR ET AL.: "A LaBr3:Ce-NaI(Tl) PhoswichforX-andlowenergy gamma ray astronomy", 《NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A》 *
高鑫等: "LaBr3：Ce3+闪烁晶体研究进展", 《核电子学与探测技术》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103344983A (zh) * 2013-06-19 2013-10-09 田志恒 核反应堆蒸汽发生器泄漏监测系统及方法
CN103344983B (zh) * 2013-06-19 2015-11-25 田志恒 核反应堆蒸汽发生器泄漏监测系统及方法
CN104614754A (zh) * 2015-01-26 2015-05-13 苏州瑞派宁科技有限公司 组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备
WO2016119527A1 (zh) * 2015-01-26 2016-08-04 苏州瑞派宁科技有限公司 组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备
CN104614754B (zh) * 2015-01-26 2017-08-25 苏州瑞派宁科技有限公司 组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备
US10976450B2 (en) 2015-01-26 2021-04-13 Raycan Technology Co., Ltd. (Suzhou) Combined scintillation crystal, combined scintillation detector and radiation detection device
CN111638540A (zh) * 2020-05-27 2020-09-08 北京市射线应用研究中心 放射性惰性气体的测量装置、方法、设备及存储介质
CN112852414A (zh) * 2021-01-13 2021-05-28 中山大学 一种钙钛矿复合闪烁体及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN102426381B (zh) 2015-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Shah et al. CeBr/sub 3/scintillators for gamma-ray spectroscopy
US9459357B2 (en) CsLiLn halide scintillator
US8586935B2 (en) Cesium and lithium-containing quaternary compound scintillators
Bourret-Courchesne et al. BaBrI: Eu2+, a new bright scintillator
JP5096005B2 (ja) 高輝度及び高速の中性子シンチレータ
US7939808B1 (en) Cesium and lithium-containing quaternary compound scintillators
USRE45930E1 (en) Lanthanide doped strontium barium mixed halide scintillators
US7365333B1 (en) LuxY(1−x)Xa3 scintillators
US8692203B1 (en) Iodide scintillator for radiation detection
CN101945974A (zh) 中子检测用闪烁体和中子检测装置
JP5501088B2 (ja) 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器
Shirwadkar et al. Novel scintillation material Cs 2 LiLaBr 6− x Cl x: Ce for gamma-ray and neutron spectroscopy
CN102426381B (zh) 一种CsI:Tl和LaBr3:Ce3+叠层闪烁体
US8153983B1 (en) Gadolinium halide scintillators
Yao et al. Achieving a Record Scintillation Performance by Micro‐Doping a Heterovalent Magnetic Ion in Cs3Cu2I5 Single‐Crystal
CN105154973A (zh) 多离子掺杂大尺寸溴化镧单晶闪烁体及其制备方法
Kamada et al. Growth and scintillation properties of Eu doped Li2SrCl4/LiSr2Cl5 eutectic
Harrison et al. Scintillation Performance of Aliovalently-Doped ${\rm CeBr} _ {3} $
Yoshikawa et al. Development of novel rare earth doped fluoride and oxide scintillators for two-dimensional imaging
JP5737978B2 (ja) 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器
JP5737974B2 (ja) 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器
Shah et al. LaBr/sub 3: Ce scintillators for gamma ray spectroscopy
Shirwadkar et al. Metal-loaded plastic scintillators for nuclear non-proliferation
Shah et al. LaCl {sub 3}: Ce scintillator for Gamma ray detection
US10174244B2 (en) Doped halide scintillators

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150218

Termination date: 20211031

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee