CN102422452A - 电致发光设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及包括层系统的电致发光设备（10），该层系统具有衬底（40）和在衬底（40）顶部上的衬底电极（20）、对置电极（30）和具有被布置在衬底电极（20）和对置电极（30）之间的至少一个有机电致发光层（50）的电致发光层堆叠，其特征在于至少一个光学透明向外耦合体（71）被提供在衬底电极（20）顶部上，以增加由至少部分地覆盖该光学透明向外耦合体（71）的至少一个有机电致发光层（50）产生的光的向外耦合。本发明进一步涉及制造这样的设备的方法。

Description

电致发光设备

技术领域

本发明涉及包括层系统的电致发光设备，该层系统具有衬底和在衬底顶部上的衬底电极、对置电极和具有被布置在衬底电极和对置电极之间的至少一个有机电致发光层的增加了光的向外耦合的电致发光层堆叠。进一步地，本发明涉及用于制造具有增加了光的向外耦合的电致发光设备的方法。

背景技术

典型的有机发光设备（OLED）包括玻璃衬底、例如氧化铟锡（ITO）的透明衬底电极、电致发光层堆叠和反射型对置电极。从设备生成的光通过玻璃衬底发射。衬底电极、电致发光层堆叠和玻璃的折射率典型地分别为1.9至2.0、1.7至1.9和约1.5。

由于衬底、层和通常为空气的环境的折射率之间的差异，OLED内生成的大部分光不能从衬底逸出至外部。典型地，生成的光被分为以下部分：光的30%被限制在由有机层和ITO形成的光导内，约20%在与金属阴极的交互作用中被损耗，约50%进入玻璃衬底，仅20%能够从玻璃衬底逸出至外部。根据现有技术，已知用于提高的光向外耦合的不同装置，例如具有光散射属性的层，但令人遗憾地导致不同的缺点。

作为实例，EP1734792A1公开了包括具有光散射和光反射属性的反射型电极的电致发光设备。令人遗憾的是，所述衬底电极的构造被限制在nm范围内且被限制于所述光向外耦合的仅仅低的提高。

EP1763081A2公开了一种OLED，其具有以若干凹槽为特征的衬底，非透明的反射型金属被埋入其中，以将在衬底内捕获的光以另一传播方向反射至衬底表面，以将光向外耦合至环境。令人遗憾的是，制造包括凹槽以嵌入所述非透明反射材料的衬底是复杂且昂贵的。而且，使用该措施，在衬底顶部的层内捕获的发光量不会被耦合出去。

发明内容

因此，本发明为其目的，必须消除以上所述的缺点。具体地，本发明的目的是公开一种具有提高了的光的向外耦合的电致发光设备。而且本发明的目的是公开一种光的向外耦合装置的简化的布置。

该目的通过包括层系统的电致发光设备来达到，该层系统具有衬底和在衬底顶部上的衬底电极、对置电极和具有被布置在衬底电极和对置电极之间的至少一个有机电致发光层的电致发光层堆叠，其中至少一个光学透明向外耦合体被提供在衬底电极顶部上，以增加由至少部分地覆盖该光学透明向外耦合体的有机电致发光层产生的光的向外耦合。该目的也通过用于制造根据本发明的电致发光设备的方法来达到。该电致发光设备和方法的优选实施例被限定在从属权利要求中。关于电致发光设备描述的特征和细节也适用于该方法，反之亦然。

本发明公开了至少一个光学透明向外耦合体，其被提供在衬底电极顶部上，以增加由至少部分地覆盖该光学透明向外耦合体的至少一个有机电致发光层产生的光的向外耦合。该光学透明向外耦合体可以通过薄的粘合装置（例如不干扰向外耦合体和衬底电极的光学属性的胶）而附至衬底电极。光学透明体可以是宏观的刚体。光学透明体可以在将该体施加到包括例如玻璃或塑料的透明材料的衬底电极之前预先形成。

本发明的主要思想是使用被提供在衬底电极顶部上的至少一个光学透明向外耦合体。因此，光学向外耦合体被布置在衬底电极和包括所述至少一个有机电致发光层的电致发光层堆叠之间。该布置允许涂有ITO的衬底的简单使用，而ITO涂层形成衬底电极，该衬底电极被沉积在衬底上以形成载体材料。所述涂有ITO的衬底被提供为用于电致发光设备的标准衬底，且被指示为具有高可用性和低成本。

随后，包括至少一个有机电致发光层和所述对置电极的电致发光层堆叠被施加在光学透明向外耦合体上，或施加在向外耦合体上和没有被所述光学透明向外耦合体覆盖的部分衬底电极的表面上。

当电压被施加在衬底电极和对置电极之间时，电流从电极被注入，且所述电致发光层堆叠被激发以在区域中发光，在该区域电致发光层堆叠被直接沉积在衬底电极的表面上。结果，光学透明向外耦合体形成隔离体，防止电致发光层堆叠内的电流注入。

结合至少一个光学透明向外耦合体的易于实施的优点，避免了发生被布置的光学透明向外耦合体的锐利边缘的区域内的电场的局部增强。由于所述光学透明向外耦合体的非导电性能，当电压被施加在衬底电极和对置电极之间时，电场的局部增强被避免。

在一个实施例中，光学透明向外耦合体的特征为高折射率和优选地至少匹配衬底的折射率以避免导致向外耦合损耗的光学透明向外耦合体和衬底之间的折射率过渡。玻璃衬底的折射率的典型值为1.51至1.54，衬底电极为1.9至2.0，且向外耦合体为1.5至1.6。

根据本发明的另一优选实施例，光学透明向外耦合体被粘在衬底电极的顶部上。通过胶的使用以将所述光学透明向外耦合体施加在衬底电极的顶部上，通过使用胶提供了简单易行的制造工艺。

本发明的又一实施例提供了用于将所述光学透明向外耦合体布置在衬底电极的顶部上的胶，其具有高的光学透明度。因此，用于将光学透明向外耦合体粘在衬底电极的顶部上的胶形成了具有高折射率的光学透明胶，其中所述折射率至少等于衬底材料的折射率，但等于或小于光学透明向外耦合体的折射率。因此，在光学透明胶和光学透明向外耦合体之间的光学过渡被优化，且衬底材料中的光能够通过光学透明胶进入光学透明向外耦合体内。

有两个涉及朝向对置电极的向外耦合体表面的实施例：在一个实施例中，表面是透明的，从而从衬底电极侧进入向外耦合体的光能够朝向对置电极出射，在该处光被反射。在该实施例中，光必须两次穿过对置电极前面的有机电致发光层堆叠。在此情况下，反射率由有机层和对置电极的吸收决定。

在另一实施例中，朝向电致发光层堆叠和/或对置电极的光学透明向外耦合体的表面使用反射装置覆盖，优选地使用银、铝、介质镜或这些的组合。本领域技术人员可以在本发明的范围内考虑其他合适的反射材料。被覆盖的表面作为镜子朝向衬底反射光以通过衬底和或经由衬底向外耦合至环境内。在该实施例中，光在向外耦合体的后表面处被直接反射而没有通过对置电极前面的有机电致发光堆叠。这具有能够将由于吸收而导致的损耗最小化的好处。

由于向外耦合体的3维形式，反射原理是合适的。由于在向外耦合体后侧的朝向对置电极的反射或在对置电极本身的反射，在衬底材料内波导的光的光学向外耦合的提高基于光线方向的改变。棱柱型向外耦合体的顶角必须选择成使在衬底/空气界面处初始全反射的光线被朝向该衬底/空气界面以允许逃逸至空气中的角度而重定向。

在本发明的上下文中，电致发光（EL）层堆叠的概念表示在衬底和对置电极之间制备的所有层。在EL层堆叠的一个实施例中，其包括在衬底和对置电极之间制备的至少一个有机电致发光层。在其他实施例中，层堆叠可以包括在衬底和对置电极之间制备的若干层。这些若干层可以是有机层，诸如一层或多层空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层、发射器层或有机和无机层的组合。在层堆叠和/或电荷注入层内的两个或更多个发光层的情况下，无机层可以是附加的电极。在优选的实施例中，衬底电极和或对置电极包括以下材料的至少之一：ITO、铝、银、掺杂的ZnO或氧化层。

在本发明的上下文中，衬底的概念表示电致发光设备的不同层被沉积在其上的基础材料。通常，衬底是透明的且由玻璃制作。此外，优选的是衬底是透明的，优选地包括以下材料的至少之一：银、金、玻璃或陶瓷。它也可以是透明聚合物薄片或箔，其具有合适的水分和氧屏障以实质上防止水分和/或氧进入电致发光设备层堆叠。也可能使用不透明材料如金属箔作为衬底。衬底可以包括另外的层，例如用于类似光向外耦合增强的光学目的或其他目的。衬底通常是平坦的，但是也可以成形为任何希望的三维形状。

在本发明的上下文中，衬底电极的概念表示沉积在衬底顶面上的电极。通常它包含透明ITO（氧化铟锡），可选地具有SiO₂或SiO的内涂层以抑制移动原子或离子从玻璃向电极的扩散。对于具有ITO电极的玻璃衬底，ITO通常是阳极，但是在特殊的情况中它也能被用作阴极。在某些情况下，薄的Ag或Au层，典型地具有8 nm 至15 nm的厚度，被单独用作或与ITO组合用作衬底电极。如果金属箔被用作衬底，它也起衬底电极的作用，被用作阳极或阴极。“在……顶部上”的表示法表示列出的层的顺序。该表示法明确地包括在相互的顶部上的层之间具有另外的层的可能性。例如，可能有附加的光学层以增强布置在衬底电极和衬底之间的光向外耦合。

在本发明的上下文中，对置电极的概念表示远离衬底的电极。它通常是非透明的且由足够厚度的Al或Ag层制作以使电极是反射的，对于Al，厚度量典型地为100nm，对于Ag，厚度量典型地为100nm至200nm。它通常是阴极，但也能偏置为阳极。对于顶部发射或透明电致发光设备来说对置电极必须是透明的。透明对置电极由厚度为约5nm至15nm的薄的Ag或Al层制作，或由沉积在其他先前沉积的层顶部上的ITO层制作。

在本发明的上下文中，具有透明衬底、透明衬底电极和通常是反射性的非透明对置电极的组合的电致发光设备通过衬底发光，被称为“底部发射”。在电致发光设备包括其他电极的情况下，当内部电极被驱动为阴极或阳极，在某个实施例中衬底和对置电极这二者可以均是阳极或均是阴极。此外，在本发明的上下文中具有不透明衬底电极和透明对置电极的组合的电致发光设备通过对置电极发光，被称为“顶部发射”。

在本发明的上下文中，透明电致发光设备的概念表示电致发光设备，其中衬底、衬底电极、对置电极和封装装置是透明的。此处电致发光设备在底部和顶部都发射。在本发明的上下文中，如果可见范围内的光透射率大于50%，其余的被吸收或反射，则层、衬底或电极就被称为透明的。此外，在本发明的上下文中，如果可见范围内的光透射率介于10%和50%之间，其余的被吸收或反射，则层、衬底或电极就被称为半透明的。另外，在本发明的上下文中，当光具有450nm和650nm之间的波长时，被称为可见光。在本发明的上下文中，当光由电致发光设备的有机电致发光层发射时，其被称为人造光。

此外，在本发明的上下文中，如果层、连接器或结构元件的电阻小于100000欧姆，则其被称为导电的。在本发明的上下文中，无源电子元件包括电阻器、电容器和电感。此外，在本发明的上下文中，有源电子元件包括二极管、晶体管和所有类型的集成电路。

在本发明的上下文中，如果入射到电致发光设备的层、衬底、电极或结构元件界面上的光根据反射定律被返回：宏观的入射角等于宏观的反射角，则其被称为反射的。术语“镜面反射”也被用在该情况中。此外，在本发明的上下文中，如果入射到电致发光设备的层、衬底、电极或结构元件界面上的光不根据反射定律被返回：宏观的入射角不等于宏观的反射角，则其被称为散射的。对于被返回的光，也有角度的分布。替代“散射”，术语“漫反射”也被使用。

在优选的实施例中，胶是脱水和/或无水的。在本发明的上下文中，无水和/或脱水的概念描述以下事实：在电致发光设备的平均寿命期间没有可用肉眼观察到的因为水含量而导致的退化。有机电致发光层归因于水扩散进层堆叠的可见退化表现为生长的黑斑或发射区域自边缘的收缩。概念“无水和/或脱水”不仅依赖于导电胶本身，也依赖于不损坏有机电致发光层而被其吸收的水的量。

在进一步优选的实施例中，电致发光设备可以包括水分和/或氧屏障。在本发明的上下文中，防止有害的水分和/或氧扩散进入层堆叠的层被称为水分和/或氧屏障。如果观察到发射的光显著的寿命减少，则扩散被定义为有害的。根据现有技术水平，标准的OLED设备得到大约100000小时或更多的保质期。显著的减少指以约2或更大的因子减小的寿命。

光学透明向外耦合体可以由玻璃、塑料或任何其他光学透明的材料制成，且特征可以为具有横截面的纵向延伸，该横截面能够是三角形的、棱柱形的、抛物线形的、半圆的或例如椭圆的，而光学透明向外耦合体优选地通过注模工艺制作。在用于将向外耦合元件附至衬底电极的胶的帮助下，向外耦合体形成从衬底电极的表面到向外耦合体的上侧的平滑、连贯的过渡。

在优选的实施例中，多个光学透明向外耦合体被布置在衬底电极的顶部上，在多个光学透明向外耦合体之间具有中间的间隔，以形成网格结构，其优选表现为矩形网格、六角形网格或不规则网格。在优选的实施例中，向外耦合体形成对称阵列，而阵列优选是六角形阵列。所述向外耦合体的布置可以跨整个电致发光设备的发射场而延伸。

有利地，与胶结合以将向外耦合体粘至衬底电极的表面上的光学透明向外耦合体和具体地由多个向外耦合体形成的网格，形成了保护装置。在另一个优选的实施例中，胶以不导电胶为特征。

在优选的实施例中，胶至少部分地覆盖朝向电致发光层堆叠的光学透明向外耦合体的表面，以防止在衬底电极上出现阴影边缘。这在光学透明向外耦合体的顶部上提供了连续层，避免了由于在光学透明向外耦合体周围的层缺陷而导致短路的风险。此外，当电压被施加在所述两个电极上时，平滑的结构防止了电场的任何增强。

根据另一实施例，电致发光设备包括在至少一个光学透明向外耦合体顶部上的至少一个电接触装置，用以使对置电极电接触电源，而不导电保护装置被布置为至少完全覆盖接触装置下面的区域。所述电接触装置优选地以导电胶为特征。这样的好处在于提供了三维接触模式并具有最小的短路风险。接触装置必须完全地施加在光学透明向外耦合体上以避免对置电极和衬底电极之间的任何短路风险。

通常地，导电胶由具有导电片或导电颗粒的形式的导电填料的有机胶构成。在胶的设置过程中，胶可以呈现一定程度的收缩，该收缩迫使一些填料颗粒进入下面的层，产生衬底电极和对置电极之间的短路。为防止这个情况发生，有利的是使用不导电的且介于衬底电极和对置电极之间的保护装置。

因此，所有已知的导电胶能够用于使对置电极接触电源。保护装置必须覆盖接触装置被施加至对置电极的整个区域，因为该区域可能是短路的源头，保护装置也可以大于接触装置的区域。为避免对置电极和衬底电极之间的直接接触，优选的是，保护装置具有厚度和/或硬度，其保证了接触装置不能与衬底电极进行电接触。为达到这个目的，在优选的实施例中，保护装置可以包括不导电胶和不导电、透明光学向外耦合体。通常，光学向外耦合体足够厚和硬以达到期望的保护。本领域技术人员可以在本发明的范围内选择其他不导电材料。

使用导电胶作为接触装置实现的另一优点是，能够使用具有仅一个连续电极的衬底，该连续电极被用作电致发光设备的衬底电极。在已知的OLED中，在衬底上的电极被至少构造为两个电分离区域：一个作为衬底电极而另一个连接至对置电极。因此，衬底电极和对置电极均在一个平面内被引至衬底的边缘，在该处它们可以与标准装置接触。该二维接触方案的缺点在于衬底电极和对置电极必须共享OLED的外围用以接触，因此衬底上的电极需要被分为至少两个不相交的区域，即衬底电极和用于与对置电极接触的第二电极，以避免使设备短路。所公开的三维接触消除了二维接触的这一严重缺陷。

为防止对置电极和衬底电极的直接接触，优选的是保护装置具有厚度和/或硬度，其保证了接触装置不能与衬底电极进行电接触。为达到这个目的，在优选的实施例中，保护装置可以包括不导电胶和不导电、透明光学向外耦合体。通常，光学向外耦合体足够厚和硬以达到期望的保护。本领域技术人员可以在本发明的范围内选择其他不导电材料。

电致发光设备包括封装装置，其被布置为封装至少所述电致发光层堆叠，而电接触装置优选地被布置在所述封装装置和对置电极之间以使对置电极与封装装置电接触。封装装置也可以封装电致发光设备的各层的整个堆叠或只是形成层的整个堆叠的一部分的多个层。优选地，封装装置被提供为气密元件，覆盖至少有机电致发光层和对置电极。通过使用气密封装装置，防止了环境因素（诸如水或氧）损坏封装层。封装装置可以形成气密盖。该盖可以由玻璃或金属形成。也可能通过提供给电致发光设备的一个或多个层或只是其的一部分来形成封装装置。所述层可以包括硅树脂、氧化硅树脂、氮化硅树脂、氧化铝或氮氧化硅树脂。所有被提到的封装装置防止机械的和/或环境的因素有害地影响电致发光设备的层堆叠。作为实例，封装装置可以由金属、玻璃、陶瓷或这些的组合制成。它由导电或非导电胶、融化的玻璃原料或金属焊料附至衬底。因此，也可以为电致发光设备提供机械稳定性，而施加在层和封装装置之间的胶至少部分是导电的以接触对置电极。

根据本发明的又一实施例，包括至少一个电分流装置，其可以被施加于衬底电极以最小化衬底电极横向范围内的电压降，其中电分流装置被布置在衬底电极的表面上，且所述向外耦合体以这样的方式覆盖电分流装置：电分流装置被布置在所述衬底电极和所述光学向外耦合体之间。这样，光学向外耦合体能够通过以上所述的以高折射率为特征的光学透明胶粘至衬底电极。电分流装置可以是包括电线、金属条纹或金属箔的组中的至少一个元件。此外所述电分流装置由导电胶固定至衬底电极，被限制在电分流装置的区域部分。

优选地，电分流装置电气地至少连接在端点且可以连接在中间的某些点。结果，胶胶布置（glue-in-glue-arrangement）可以用于通过导电胶的使用而使电分流装置电接触衬底电极，但是在光学向外耦合体和衬底电极之间的剩余区域由具有高折射率和透明度的不导电胶填充。为将所述电分流装置以类似三明治的方式布置在光学向外耦合体和衬底电极的表面之间，所述光学向外耦合体可以在底面具有某种凹槽以容纳所述电线、金属条纹或箔。

本发明也针对具有增加了的光的向外耦合的电致发光设备的制造方法，而该方法包括至少在衬底电极的顶部上提供至少一个光学透明向外耦合体和随后在光学透明向外耦合体和衬底电极的表面上施加电致发光层堆叠和对置电极的步骤。此外，该方法体现在至少一个光学透明向外耦合体，其由透明的胶粘在衬底电极的顶部上。有利地，胶被至少部分地施加在光学透明向外耦合体朝向电致发光层堆叠的表面的顶部上，以防止在衬底电极上出现阴影边缘。

在优选的实施例中，胶被至少部分地施加在光学透明向外耦合体朝向电致发光层堆叠的表面的顶部上，以防止在衬底上出现阴影边缘。胶（优选地，不导电胶）的施加在衬底电极的表面和向外耦合体的上侧之间形成了平滑且平坦的过渡。胶的施加导致了衬底电极顶部上的所述层的改进的沉积工艺，并且具有到向外耦合体的表面的平滑地过渡，其中可以制备电致发光层堆叠和对置电极的连续层。相比之下，阴影边缘将造成在阴影边缘周围沉积较少量的材料或没有材料被沉积。通过应用根据本发明的使用不导电胶的方法，可以避免在向外耦合体的区域内电场的局部增强。

前述的电致发光设备和/或方法，以及要求保护的组件和在已描述的实施例中根据本发明使用的组件不受任何关于尺寸、形状或材料选择的任何特别限制。在相关领域中已知的诸如选择标准之类的技术构思可以不受限制地被应用。本发明的目的的附加的细节、特征和优点公开在从属权利要求和下面的对各个附图的描述中，这些附图仅仅是示例的形式，示出根据本发明的电致发光设备的多个优选实施例。

附图说明

将关于以下附图对本发明进一步的实施例进行描述，在以下附图中示出：

图1 根据本发明的电致发光设备的实施例，其具有以第一反射原理施加在衬底电极上的向外耦合体，

图2 具有以第二反射原理施加在衬底电极上的向外耦合体的电致发光设备的实施例，

图3 具有向外耦合体和电分流装置的电致发光设备的实施例，

图4 具有向外耦合体和电接触装置以电接触对置电极的电致发光设备的实施例，显示在详细的横截面中以及

图5 包括光学向外耦合体和分流装置的电致发光设备的实施例的侧视图和横截面视图。

具体实施方式

在图1中，示出了根据本发明实施例的电致发光设备10。电致发光设备10包括在该实施例和以下实施例中代表电致发光层堆叠的衬底电极20、对置电极30和有机电致发光层50。有机电致发光层50被布置在衬底电极20和对置电极30之间，形成所述层堆叠。该些层被布置在衬底40上，形成电致发光设备10的载体材料。在示出的实施例中，衬底电极20由约100nm厚的ITO层构成，该ITO层是透明且导电的材料。有机电致发光层50被沉积在衬底电极20上。如果在衬底电极20和对置电极30之间施加电压，在有机电致发光层50内的某些有机分子被激发，导致人造光的发射，该人造光由电致发光层50发射。对置电极30由铝层构成，作为镜反射通过衬底电极20和衬底40的人造光。为将光发射进入周围环境，在该实施例中衬底40由玻璃制成的。因此，电致发光设备10是底部发射OLED。在以下图中示出的电致发光设备10以及组件和根据本发明使用的组件并未以其真实比例示出。特别是电极20和30、有机电致发光层50和衬底40的厚度并不表示真实比例。所有的图仅仅为了阐明本发明。

如详细示出的，电致发光设备10包括光学透明向外耦合体71。光学透明向外耦合体71具有特定的空间几何形状，三角形或棱柱形，仅代表多个可能的形状中的一种实施例。光学透明向外耦合体71导致由有机电致发光层50产生的光的改善的向外耦合，有机电致发光层50被示例性地由有机电致发光点50’示出。光学透明向外耦合体71由具有这样的折射率的光学透明材料制成，该折射率几乎等于或大于电致发光设备10的衬底40的折射率。由有机电致发光点50’发射并进入光学向外耦合体71的光在向外耦合体71的上侧朝向衬底电极20被再次反射。被反射的光现在具有允许其通过衬底40的底部表面的方向。借助于所述向外耦合体71，由电致发光设备10发射的光的部分因此被增加。为保证光学向外耦合体71的上表面中的光的反射，光学向外耦合体71以反射装置72为特征。

如同在绘图中示出的，表示电致发光层堆叠和对置电极30的有机电致发光层50被施加在衬底电极20的表面和光学透明向外耦合体71的上侧上。有机电致发光层50和对置电极30在所述表面顶部上的施加基于本领域技术人员知晓的真空沉积工艺。胶70防止在衬底电极20和反射装置72之间的电流，该反射装置72可以由具有导电性的金属覆盖元件或表面层形成。

图2示出了一个实施例，其中进入光学向外耦合体71的光的反射发生在向外耦合体后面的对置电极30上。光进入光学向外耦合体71并在上侧再次离开光学向外耦合体71，向对置电极30传播以在对置电极30的内部反射表面73上反射。如所示，通过使用透明的胶70，光学向外耦合体71被附至衬底电极20。胶70在向外耦合体71的布置的下方覆盖衬底电极20的表面并延伸到向外耦合体71的邻近区域内。胶70存在于衬底表面和向外耦合体71的上侧之间的过渡区域，这导致了向外耦合体和衬底电极之间平坦、平滑的过渡。由于所述胶的存在，避免了阴影效应，且分别地至少包括有机电致发光层50和对置电极30的层系统的沉积可以以提高的可靠性来进行。

图3示出了说明光学向外耦合体71的根据本发明的电致发光设备10的另一实施例，而光学向外耦合体71覆盖施加在衬底电极20的表面上的电分流装置122。因此，类似三明治，在所述衬底电极20和所述光学向外耦合体71之间执行电分流装置122的布置。此外，光学向外耦合体71与不导电胶70组合形成了保护装置70，以防止电分流装置122和对置电极30之间的短路。

图4示出了包括接触装置60的电致发光设备10的布置。电致发光设备10可以包括至少一个或多个所描述的接触装置60，该接触装置60被布置以使对置电极30与电源电接触。因此接触装置60是自对置电极30引导至电源的路径的一部分。在现有技术中，接触柱被用作接触装置60，其被施加于对置电极30。这样的接触柱具有缺点：它们被机械地施加至对置电极30并时常导致对置电极30和衬底电极20之间的短路。为克服该缺点，本发明公开了接触装置60是施加至对置电极30的导电胶。

接触装置60可以由导电胶形成，布置为与对置电极30和所示的封装装置90直接电接触。因此，容易通过所述封装装置90将对置电极30电连接至电源。使用者仅仅需要将导电装置施加至封装装置90。然后封装装置90和对置电极30之间的导电胶将电流引导至对置电极30。

当导电胶用于形成电接触装置60时，所公开的电致发光设备10的优选实施例包括保护装置70，其由胶70和光学透明向外耦合体71形成。如图所示，不导电保护装置70被布置为至少完全地覆盖接触装置60下方的区域。保护装置70被布置在衬底电极20上，且电分流装置122被类似三明治地布置在体现为光学透明向外耦合体71的保护装置70和衬底电极20的表面之间，用于分流衬底电极20。该布置保护了接触装置60下方的区域且也可以形成光学向外耦合系统和分流系统。因此，使用保护装置70的该布置满足三个目的，即完全地覆盖分流装置122并完全地覆盖电接触装置60下方的区域，要求不导电胶形成保护装置70。此外，提高了由有机电致发光层50发射的光的光学向外耦合。

图5以侧视图和横截面示出了电致发光设备10的另一实施例。如图所示，分流装置122可以被引出包括光学透明向外耦合体71和层系统的布置，该层系统至少包括有机电致发光层50和对置电极30。电分流装置122被施加在衬底电极20的表面上并在所述层的布置、特别是光学透明向外耦合体71的布置旁边在横向方向上延伸。如仅以示例方式示出的，对置电极30通过连接装置93接触。电分流装置122可以通过接触装置74在两个端点和沿其长度的一些点上接触衬底电极20，以均衡跨有机电致发光设备10的发射场的电压。具体地，通过施加电分流装置122，在操作期间，电致发光设备10的中心处的电压与电致发光设备10的发射场外部区域中的电压匹配。

作为实例，描述的实施例包括在层堆叠内的有机电致发光层50。在本发明范围内的可替换实施例中，电致发光层堆叠可以包括附加于有机电致发光层50的层，例如空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子阻挡层、电荷注入层、以及导电层等等。

附图标记列表：

10               电致发光设备

20               衬底电极

30               对置电极

40               衬底

50               有机电致发光层或电致发光层堆叠

50’           有机电致发光点

60               电接触装置

70               胶、保护装置

71               光学透明向外耦合体

72               反射装置

73               反射表面

74               接触装置

90               封装装置

93               连接装置

93’           连接装置

122             电分流装置

170             消气剂

180             散射装置

Claims (16)

1.一种包括层系统的电致发光设备（10），该层系统具有衬底（40）和在衬底（40）顶部上的衬底电极（20）、对置电极（30）和具有被布置在衬底电极（20）和对置电极（30）之间的至少一个有机电致发光层（50）的电致发光层堆叠，

其特征在于至少一个光学透明向外耦合体（71）被提供在衬底电极（20）顶部上，以增加由至少部分地覆盖该光学透明向外耦合体（71）的至少一个有机电致发光层（50）产生的光的向外耦合。

2.根据权利要求1所述的电致发光设备（10），其特征在于光学透明向外耦合体（71）具有高折射率且优选地至少匹配衬底（40）的折射率。

3.根据权利要求1或2所述的电致发光设备（10），其特征在于光学透明向外耦合体（71）具有带横截面的纵向延伸，该横截面被形成为矩形的、三角形的、棱柱形的、抛物线形的、半圆的或椭圆的，而光学透明向外耦合体（71）优选地通过注模工艺制造。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电致发光设备（10），其特征在于光学透明向外耦合体（71）朝向电致发光层堆叠和/或对置电极（30）的表面用反射装置（72）覆盖，优选地用银、铝、介质镜或其组合覆盖。

5.根据以上任意权利要求所述的电致发光设备（10），其特征在于由胶（70）将至少一个光学透明向外耦合体（71）粘在衬底电极（20）的顶部上。

6.根据权利要求5所述的电致发光设备（10），其特征在于用于将至少一个光学透明向外耦合体（71）粘至衬底电极（20）的胶（70）形成光学透明胶（70），其具有高折射率且优选地至少匹配衬底（40）的折射率。

7.根据权利要求5或6所述的电致发光设备（10），其特征在于胶（70）是不导电的，形成适于防止衬底电极（20）和对置电极（30）之间的电接触的保护装置（70）。

8.根据权利要求5至7中任意项权利要求所述的电致发光设备（10），其特征在于胶（70）至少部分地覆盖光学透明向外耦合体（71）朝向电致发光层堆叠（50）的表面，以防止在衬底电极（5）上出现阴影边缘。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电致发光设备（10），其特征在于电致发光设备（10）包括在至少一个光学透明向外耦合体（71）顶部上的至少一个电接触装置（60），用以使对置电极（30）电接触电源，而所述电接触装置（60）优选地以导电胶为特征。

10.根据权利要求9所述的电致发光设备（10），其特征在于封装装置（90）被布置为封装至少所述电致发光层堆叠，而电接触装置（60）优选地被布置在所述封装装置（90）和对置电极（30）之间以使对置电极（30）电接触封装装置（90）。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电致发光设备（10），其特征在于至少一个电分流装置（122）被施加于衬底电极（20）以调整在衬底电极（20）横向范围内的电位，其中电分流装置（122）被布置在衬底电极（20）的表面上，而所述向外耦合体（71）以这样的方式覆盖电分流装置（122）：电分流装置（122）被布置在所述衬底电极（20）和所述光学向外耦合体（71）之间。

12.根据前述权利要求中任一项所述的电致发光设备（10），其特征在于多个光学透明向外耦合体（71）被布置在衬底电极（20）的顶部上，所述多个光学透明向外耦合体（71）之间具有中间的间隔。

13.根据权利要求12所述的电致发光设备（10），其特征在于多个光学透明向外耦合体（71）形成网格结构，其优选表现为矩形网格、六角形网格或不规则网格。

14.一种制造具有增加的光的向外耦合的电致发光设备（10）的方法，该电致发光设备（10）包括层系统，该层系统具有衬底（40）和在衬底（40）顶部上的衬底电极（20）、对置电极（30）和具有被布置在衬底电极（20）和对置电极（30）之间的至少一个有机电致发光层（50）的电致发光层堆叠，而该方法至少包括以下步骤：

a）在衬底电极（20）的顶部上提供至少一个光学透明向外耦合体（71）且

b）在至少一个光学透明向外耦合体（71）上和衬底电极（20）的表面上施加电致发光层堆叠和对置电极（30）。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于至少一个光学透明向外耦合体（71）由胶（70）粘在衬底电极（20）的顶部上。

16.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于胶（70）被至少部分地施加在光学透明向外耦合体（71）朝向电致发光层堆叠（50）的表面的顶部上，以防止在衬底电极（20）上出现阴影边缘。

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