CN102386250A - 光传感器、光传感器制造方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供简便地提高电性能以及感光特性的光传感器、光传感器制造方法及显示装置。本发明包括：基板；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接；以及光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。

Description

光传感器、光传感器制造方法及显示装置
技术领域
本发明涉及光传感器、光传感器制造方法及显示装置，更具体地，涉及能够简便地提高电学特性以及感光特性的光传感器、光传感器制造方法及显示装置。
背景技术
光传感器具有受光部，用于执行感测射入的光的功能。近来，这种光传感器被广泛地应用于多个领域。
尤其，显示装置中也使用光传感器。近来，携带方便、可以在多种外部环境中使用的平板显示装置替代传统显示装置已成为了趋势。
而且，在这种平板显示装置中，根据外部的光照度，影像的可视性产生变化。在平板显示装置上形成光传感器，光传感器感测从外部射入的光。通过此感测外部的光照度，由此调整在显示平板显示装置的影像的多个像素部中所产生光的亮度，从而使影像的可视性达到最佳。
但是，在提高光传感器的光感测效率、制造工序等特性时受到一定的限制。
发明内容
本发明可提供简便地提高电学特性以及感光特性的光传感器，光传感器制造方法及显示装置。
本发明公开了一种光传感器，其包括：基板；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成为一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接；以及光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。
本发明中所述受光部可含有非晶硅。
本发明中所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一邻接部面向所述基板的面的反面以及所述第二邻接部面向所述基板的面的反面可处于同一平面上。
本发明中所述第一邻接部以及第二邻接部可含有晶化硅，所述第一邻接部可掺杂有P型杂质，所述第二邻接部可掺杂有N型杂质。
本发明中所述第一邻接部可含有晶化硅，所述第二邻接部可含有非晶硅。
本发明中可以以P型杂质掺杂所述第一邻接部，可以以N型杂质掺杂所述第二邻接部。
本发明中可以以N型杂质掺杂所述第一邻接部，可以以P型杂质掺杂所述第二邻接部。
根据本发明的另一方面，公开了一种光传感器制造方法，包括：在所述基板上形成受光部、第一邻接部以及第二邻接部，其中，受光部含有非晶半导体物质，所述第一邻接部以及所述第二邻接部与所述受光部成为一体并由所述受光部相互隔离；以及形成与所述第一邻接部电连接的光传感器第一电极以及与所述第二邻接部电连接的光传感器第二电极，其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶化半导体物质。本发明中所述形成受光部、第一邻接部以及第二邻接部的步骤，可以包括：在所述基板上形成非晶半导体物质层；所述半导体物质层选择性地结晶化至少一个区域，其中所述至少一个区域对应于所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个。
本发明中进行所述结晶化步骤后，可进行一次构图工序形成所述受光部、第一邻接部以及第二邻接部。
本发明中所述受光部可含有非晶硅。
本发明中所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一邻接部面向所述基板的面的反面以及所述第二邻接部面向所述基板的面的反面可被形成为处于同一平面上。
本发明中所述第一邻接部以及第二邻接部可含有晶化硅，可以以P型杂质掺杂所述第一邻接部，可以以N型杂质掺杂所述第二邻接部。
本发明中，所述半导体物质层含有硅，形成所述受光部、第一邻接部以及第二邻接部的步骤可包括：在所述基板上形成半导体物质层；以及所述半导体物质层的区域中，可选择性地结晶化所述第一邻接部的区域。
本发明中，可以以P型杂质掺杂所述第一邻接部，可以以N型杂质掺杂所述第二邻接部。
本发明中，可以以N型杂质掺杂所述第一邻接部，可以以P型杂质掺杂所述第二邻接部。
根据本发明的另一方面，提供了一种含有光传感器的显示装置，所述光传感器包括：基板；显示器件；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接，以及光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。
本发明中，所述显示器件可以为有机发光器件或者液晶显示器件。
根据本发明的光传感器，光传感器制造方法及显示装置可简便地提高电性能以及感光特性。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的光传感器的简要示意截面图；
图2a至图2f是依次显示制造图1的光传感器的方法示意图；
图3是根据本发明另一实施例的光传感器的简要示意截面图；
图4a至图4f是依次显示制造图3的光传感器的方法示意图；
图5是根据本发明一实施例的显示装置简要示意截面图。
附图标记说明：
100、200：光传感器；
101、201、301：基板；
111、211、311：受光部；
112、212、312：第一邻接部；
113、213、313：第二邻接部；
118、218、318：光传感器第一电极；
119、219、319：光传感器第二电极；
300：显示装置；
327：有机发光器件。
具体实施方式
以下参考附图中图示的本发明的实施例，对本发明的结构及作用进行详细说明。
图1是根据本发明一实施例的光传感器100的简要示意截面图。
如图1所示，本实施例的光传感器100包括：基板101、受光部111、第一邻接部112、第二邻接部113、光传感器第一电极118以及光传感器第二电极119。
基板101可以由以SiO2为主要成分的玻璃材质形成。但是基板101不限于此，即，也可以由塑料材质形成。此时，形成基板101的塑料材质可以为选自聚醚砜膜(Polyethersulfone，简称PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，简称PAR)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide，简称PEI)、聚邻苯二甲酸酯(Polyethylene naphthalate，简称PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，简称PET)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，简称PPS)、聚芳酯(Polyarylate)、聚酰亚胺(Polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate，简称PC)、三醋酸纤维素(Cellulose Triacetate，简称TAC)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，简称CAP)的绝缘有机物。
并且，基板101也可以由金属薄膜形成。
在基板101上形成缓冲层102。由缓冲层102在基板101的上部提供平坦的面，并防止水分以及异物向基板101方向渗透。
在缓冲层102上，形成受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113。尤其，将受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113形成为一体。
以非晶硅形成受光部111。非晶硅对外部光反应敏感。通过此，光传感器100可精密地感测光。
第一邻接部112及第二邻接部113含有晶化硅。
由于将受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113形成为一体，因此受光部111的一侧面以及与此相接的第一邻接部112的一侧面之间没有缺陷以及杂质地相互完美连接；受光部111的另一侧与第二邻接部113的一侧面之间没有缺陷以及杂质地相互完美连接。由此，提高了光传感器100的效率及电学特性。
受光部111的各个面中的上表面(即面向所述基板101的面的反面)、第一邻接部112的上表面以及第二邻接部113的上表面处于同一平面上。通过此，第一绝缘层115可有效地与受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113紧密接合。并且，提高第一绝缘层115以及第二绝缘层117的阶梯覆盖(step coverage)特性。
可分别以P型杂质、N型杂质掺杂第一邻接部112以及第二邻接部113。但是本发明不限于此，即，也可以不掺杂第一邻接部112及第二邻接部113。
在受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113上形成第一绝缘层115，在第一绝缘层115上形成第二绝缘层117。
在第二绝缘层117上形成光传感器第一电极118以及光传感器第二电极119。具体地，形成与第一邻接部112区域连接的光传感器第一电极118，所述第一邻接部112区域为未被第一绝缘层115以及第二绝缘层117所覆盖并且露出的区域；形成与第二邻接部113区域连接的光传感器第二电极119，所述第二邻接部113区域为未被第一绝缘层115以及第二绝缘层117所覆盖并且露出的区域。
形成光传感器第一电极118以及光传感器第二电极119的物质可以为如金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)、镍(Ni)、铑(Rh)、钌(Ru)、铱(Ir)、锇(Os)、铝(Al)、钼(Mo)等金属，也可以使用这些金属的合金，但不限于此。
虽未图示，但是还可以形成保护膜，用于覆盖光传感器第一电极118及光传感器第二电极119。
简单说明光传感器100的工作如下。
向光传感器第一电极118和光传感器第二电极119施加彼此不同的电压，光射入至受光部111，由入射光在受光部111产生电子及空穴。在受光部111产生的电子以及空穴，向光传感器第一电极118或者光传感器第二电极119移动，由此电流向一方向流动。通过此，光传感器100可感测有无入射光以及入射光的强度。
本实施例的光传感器100，因为受光部111含有非晶硅，对光的反应敏感，所以具有精密的感光特性。
并且，在光传感器100中，由于将受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113形成为一体，因此受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113不会因冲击而分离，从而提高整体的耐久性能。并且能够减少制造工序，提高工序的便利性。
而且，受光部111与第一邻接部112的接触特性以及受光部111与第二邻接部113的接触特性得到了提高，从而提高了光传感器100的电学特性。
受光部111的上表面、第一邻接部112的上表面及第二邻接部113的上表面处于同一平面上，因此提高第一绝缘层115与受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113的结合力，提高第一绝缘层115以及第二绝缘层117的阶梯覆盖特性。
并且，受光部111、第一邻接部112及第二邻接部113形成同一平面，因此可简便地缩小光传感器100的厚度。
图2a至图2f是依次显示制造图1光传感器的方法示意图。
首先，如图2a及图2b所示，在基板101上形成缓冲层102以及半导体物质层110a。图2b是从A方向观看图2a的平面图。缓冲层102以及半导体物质层110a可以不具有另外的图案。半导体物质层110a可含有多种半导体物质，但优选为含有硅。具体地，半导体物质层110a可以含有非晶硅。
此后，如图2c所示，进行结晶化工序。在半导体物质层110a上，选择地对C1区域以及C2区域进行结晶化工序。可利用多种方法进行结晶化工序，例如可利用激光进行结晶化工序。尤其，利用掩模(mask)对C1区域以及C2区域可选择地进行结晶化工序。
图2c中，C1区域以及C2区域包括在后续工序中将要形成第一邻接部112以及第二邻接部113的区域。并且，C1区域和C2区域之间的区域是没有进行结晶化工序的区域，该区域包括在后续工序中将要形成受光部111的区域。
如图2d以及图2e所示，进行结晶化工序后，进行诸如光刻(photolithography)的构图(patterning)工序，形成受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113。图2e是沿图2d的IIE-IIE线获取的截面图。具体地，受光部111含有非晶硅，第一邻接部112以及第二邻接部113含有晶化硅。
由于通过进行一次光刻可形成受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113，因此提高了光传感器100制造工序的便利性。并且，通过减少制造工序，可轻易地减少对受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113构图的过程中产生的不良。
虽未图示，但可分别以P型杂质、N型杂质掺杂第一邻接部112以及第二邻接部113。可以在多个阶段进行这种掺杂工序，进行完如图2c所示的结晶化工序后，可进行掺杂工序。
但是本发明不限于此。即，第一邻接部112以及第二邻接部113可以不被掺杂。
此后，如图2f所示，在受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113上形成第一绝缘层115以及第二绝缘层117，在第二绝缘层117上形成光传感器第一电极118以及光传感器第二电极119。通过此，最终制造光传感器100。
受光部111的上表面、第一邻接部112的上表面以及第二邻接部113的上表面处于同一平面上，因此可提高第一绝缘层115与受光部111、第一邻接部112与第二邻接部113的结合力。并且，可提高第一绝缘层115以及第二绝缘层117的阶梯覆盖特性。
虽未图示，但还可以形成保护膜，以覆盖光传感器第一电极118以及光传感器第二电极119。
本实施例中只是对第一邻接部112以及第二邻接部113选择性地进行结晶化工序，受光部111仍由非晶硅形成。通过此，光传感器100可精密地感测光。
本实施例中，将受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113形成为一体，因此在受光部111的一侧面和第一邻接部112的一侧面之间没有缺陷及杂质地完美连接；在受光部111的另一侧面和第二邻接部113的一侧面之间没有缺陷及杂质地完美连接。通过此，可提高光传感器100的光感测效率以及电学特性。
并且，本实施例中制造光传感器100时，利用半导体物质层110a，受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113形成为一体结构。通过此，简化了形成受光部111、第一邻接部112以及第二邻接部113的工序，从而可减少工序时间以及减少进行工序时所产生的不良。
并且，受光部111与第一邻接部112的接触特性以及受光部111与第二邻接部113的接触特性得到了提高，从而提高了光传感器100的电学特性。
图3是根据本发明另一实施例的光传感器200的简要示意截面图。为方便说明，主要说明与前述实施例不同的部分。
如图3所示，本实施例的光传感器200包括：基板201、受光部211、第一邻接部212、第二邻接部213、光传感器第一电极218以及光传感器第二电极219。
具体说明如下。在基板201上形成缓冲层202。在缓冲层202上形成受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213。尤其，将受光部211、第一邻接部212、第二邻接部213形成为一体。
以非晶硅形成受光部211。非晶硅对外光反应敏感。通过此，光传感器200可精密地感测光。
第一连接部212含有晶化硅，第二邻接部213含有非晶硅。
将受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213形成为一体，因此受光部211的一侧面与第一邻接部212的一侧面之间没有缺陷及杂质地完美连接；受光部211的一侧面与第二邻接部213的一侧面可没有缺陷及杂质地完美连接。通过此，提高了光传感器200的光感测效率以及电性能。
受光部211的各个面中的上表面、即面向所述基板201的面的反面、第一连接部212的上表面以及第二邻接部213的上表面处于同一平面上。通过此，第一绝缘层215可有效地附着于受光部211、第一邻接部212、第二邻接部213。并且可提高第一绝缘层215以及第二绝缘层217的阶梯覆盖特性。
可分别以P型杂质、N型杂质掺杂第一邻接部212以及第二邻接部213。即，以P型杂质掺杂第一邻接部212，以N型杂质掺杂第二邻接部213。但是本发明不限于此，即，也可以以N型杂质掺杂第一邻接部212，以P型杂质掺杂第二邻接部213。
并且，也可以不掺杂第一邻接部212以及第二邻接部213。
受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213上形成第一绝缘层215，在第一绝缘层215上形成第二绝缘层217。
第二绝缘层217上形成光传感器第一电极218以及光传感器第二电极219。具体地，形成与第一邻接部212区域连接的光传感器第一电极218，所述第一邻接部212区域为未被第一绝缘层215以及第二绝缘层217所覆盖并且露出的区域；形成与第二邻接部213区域连接光传感器第二电极219，所述第二邻接部213区域为未被第一绝缘层215以及第二绝缘层217所覆盖并且露出的区域。
虽未图示，但是还可以形成保护膜，以覆盖光传感器第一电极218以及光传感器第二电极219。
在本实施例的光传感器200中，受光部211含有非晶硅，对光的反应敏感，从而具有精密地感测光的特性。
并且，光传感器200，由于将受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213形成为一体，因此受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213不会因冲击而分离，从而提高其整体的耐久性能。并且可减少制造工序，提高工序的便利性。
而且，受光部211与第一邻接部212的接触特性以及受光部211与第二邻接部213的接触特性得到了提高，从而可提高光传感器200的电学特性。
受光部211的上表面、第一邻接部212的上表面以及第二邻接部213的上表面处于同一平面上，因此可提高第一绝缘层215与受光部211、第一邻接部212与第二邻接部213的结合力。并且，提高第一绝缘层215以及第二绝缘层217的阶梯覆盖特性。
并且，将受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213形成为同一平面，因此可轻易地减少光传感器200的厚度。
图4a至图4f是按顺序显示制造图3的光传感器方法示意图。
首先，如图4a以及图4b所示，基板201上形成缓冲层202以及半导体物质层210a。图4b是从A方向观看图4a的平面图。缓冲层202以及半导体物质层210a可以不具有另外的图案。半导体物质层210a可含有多种半导体物质，但优选为含有硅。具体地，半导体物质层210a可含有非晶硅。
此后，如图4c所示，进行结晶化工序。在半导体物质层210a上，对C1区域选择性地进行结晶化工序。可利用多种方法进行结晶化工序，例如可利用激光进行结晶化工序。尤其，利用掩模对C1区域选择性地进行结晶化工序。
图4c中，C1区域包括：在后续工序中将要形成第一邻接部212的区域。并且，与C1区域邻接且没有进行结晶化工序的非结晶状态的区域包括：在后续工序中将要形成受光部211的区域。并且，与C1区域隔离且没有进行结晶化工序的非结晶状态的区域包括：在后续工序中将要形成第二邻接部213的区域。
进行结晶化工序后，如图4d以及图4e所示，进行诸如光刻的构图工序，形成受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213。图4e是沿图4d的IVE-IVE获取的截面图。具体地，受光部211、第二邻接部213含有非晶硅，第一邻接部212含有晶化硅。
由于通过进行一次光刻可形成受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213，因此提高了光传感器200制造工序的便利性。并且，通过减少制造工序，可轻易地减少对受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213构图的过程中产生的不良。
虽未图示，但是可分别以P型杂质、N型杂质掺杂第一邻接部212以及第二邻接部213。但是本发明不限于此，即，也可以以N型杂质掺杂第一邻接部212，以P型杂质掺杂第二邻接部213。
可以在多个阶段进行这种掺杂工序，进行完如图4c所示的结晶化工序后，可进行掺杂工序。
并且，也可以不掺杂第一邻接部212及第二邻接部213。
此后，如图4f所示，在受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213上形成第一绝缘层215以及第二绝缘层217，在第二绝缘层217上形成光传感器第一电极218以及光传感器第二电极219。通过此，最终制造光传感器200。
形成第一绝缘层215时，受光部211的上表面、第一邻接部212的上表面以及第二邻接部213的上表面处于同一平面上，从而可提高第一绝缘层215与受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213的结合力。并且，可提高第一绝缘层215以及第二绝缘层217的阶梯覆盖特性。
虽未图示，但是还可以形成保护膜，以覆盖光传感器第一电极218以及光传感器第二电极219。
本实施例中，对第一邻接部212选择性地进行结晶化工序，受光部211由非晶硅形成。通过此，光传感器200可精密地感测光。
本实施例中，受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213形成一体，因此在受光部211的一侧面和第一邻接部212的一侧面之间没有缺陷及杂质地完美连接；在受光部211的另一侧面与第二邻接部213的一侧面没有缺陷及杂质地完美连接。通过此，可提高光传感器200的光感测效率以及电学特性。
并且，本实施例中，制造光传感器200时，利用半导体物质层210a将受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213形成一体。通过此，简化了形成受光部211、第一邻接部212以及第二邻接部213的工序，从而可减少工序时间以及进行工序时所产生的不良。
并且，受光部211与第一邻接部212的接触特性及受光部211与第二邻接部213的接触特性得到了提高，从而提高了光传感器200的电学特性。
图5是根据本发明一实施例的显示装置简要示意截面图。
本实施例的显示装置300是具有有机发光器件327的有机发光显示装置。但是本发明不限于此，即，还可以是具有如液晶显示器件等的其它显示器件。
如图5所示，对显示装置300进行详细说明。其中，基板301上形成有缓冲层302。
缓冲层302上形成预定图案的活性层314。活性层314可以由非晶硅(amorphous silicon)或者多晶硅(poly silicon)等无机半导体或者有机半导体形成，其包括源区域、漏区域以及沟道区。以杂质掺杂由非晶硅或者晶化硅形成的活性层314，从而可以形成源区域以及漏区域。以三族元素硼等进行掺杂，即可形成P型半导体；以五族元素氮等进行掺杂，即可形成N型半导体。
在缓冲层302上，与活性层314相隔离地形成受光部311、第一邻接部312以及第二邻接部313。尤其，将受光部311、第一邻接部312以及第二邻接部313形成为一体。受光部311由非晶硅形成。非晶硅对外部光反应敏感。本实施例中受光部311、第一邻接部312以及第二邻接部313可以具有与如图1至图3所示的结构相同的结构，所以在此省略详细说明。
在形成活性层314时，由一次结晶化工序可选择地结晶化第一邻接部312以及第二邻接部313。
活性层314、受光部311、第一邻接部312以及第二邻接部313的上部形成栅绝缘膜315，在栅绝缘膜315的上部的预定区域形成栅电极316。
栅电极316可由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或者铝钕、钼钨合金等金属或者金属合金形成，但不限于此，考虑紧密性、平坦性、电阻以及加工性等，可使用多种材料。栅电极316与施加电信号的栅线(未图示)连接。
栅电极316的上部形成层间绝缘膜317。层间绝缘膜317以及栅绝缘膜315被形成为露出源区域以及漏区域，源电极320以及漏电极321被形成为与活性层314的露出区域相接触。
并且，层间绝缘膜317以及栅绝缘膜315被形成为露出第一邻接部312的预定区域以及第二邻接部313的预定区域。光传感器第一电极318被形成为与该第一邻接部312的露出区域相接触，光传感器第二电极319被形成为与第二邻接部313的露出区域相接触。
可使用与光传感器第一电极318以及光传感器第二电极319相同的材料形成源电极320以及漏电极321。
形成钝化层322，以覆盖源电极320、漏电极321、光传感器第一电极318以及光传感器第二电极319。可使用无机绝缘膜或有机绝缘膜形成钝化层322。并且，也可以以无机绝缘膜和有机绝缘膜的复合层叠体形成钝化层322。
钝化层322被形成为露出漏电极321。形成有机发光器件327以与露出的漏电极321电连接。有机发光器件327包括：像素电极323、相对电极326以及中间层325。具体地，像素电极323与漏电极321接触。
具体地，像素电极323上以绝缘物形成像素限定层324(pixel definelayer)。像素限定层324上形成预定的开口，以露出像素电极323。露出的像素电极323上形成中间层325。然后，形成第二电极326以与中间层325连接。
中间层325具有有机发光层，通过像素电极323和相对电极326施加电压，显示可视光。
像素电极323、相对电极326分别具有正极性、负极性。当然，像素电极323、相对电极326的极性可变换。
虽未图示，但相对电极326上还可以设置密封部件。
本实施例的显示装置300具有受光部311、第一邻接部312、第二邻接部313、光传感器第一电极318以及光传感器第二电极319，从而可简便地感测光。通过此，可根据外光的照度简便地调节有机发光器件327产生的可视光的亮度。
本发明以附图所示的实施例进行了说明，但是这种说明仅为示例性的说明，应理解为本技术领域的技术人员由此可获得多种变型及等同的其它实施例。由此，应由权利要求书的技术思想来限定本发明真正的技术保护范围。

Claims (18)

1.一种光传感器，包括：
基板；
受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；
第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成为一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；
光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接；以及
光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，
其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。
2.根据权利要求1所述的光传感器，其中，
所述受光部含有非晶硅。
3.根据权利要求1所述的光传感器，其中，
所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一邻接部面向所述基板的面的反面、以及所述第二邻接部面向所述基板的面的反面处于同一平面上。
4.根据权利要求1所述的光传感器，其中，
所述第一邻接部以及第二邻接部含有晶化硅，
所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。
5.根据权利要求1所述的光传感器，其中，
所述第一邻接部含有晶化硅，所述第二邻接部含有非晶硅。
6.根据权利要求5所述的光传感器，其中，
所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。
7.根据权利要求5所述的光传感器，其中，
所述第一邻接部掺杂有N型杂质，所述第二邻接部掺杂有P型杂质。
8.一种光传感器的制造方法，包括：
在基板上形成受光部、第一邻接部以及第二邻接部，其中，受光部含有非晶半导体物质，所述第一邻接部以及所述第二邻接部与所述受光部成为一体并由所述受光部相互隔离；以及
形成与所述第一邻接部电连接的光传感器第一电极以及与所述第二邻接部电连接的光传感器第二电极，
其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶化半导体物质。
9.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中所述形成受光部、第一邻接部以及第二邻接部的步骤，包括：
在所述基板上形成非晶半导体物质层；以及
所述半导体物质层中选择性地结晶化至少一个区域，其中所述区域对应于所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个。
10.根据权利要求9所述的光传感器的制造方法，其中，
进行所述结晶化步骤后，进行一次构图工序以形成所述受光部、第一邻接部以及第二邻接部。
11.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，
所述受光部含有非晶硅。
12.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，
所述受光部面向所述基板的面的反面、所述第一邻接部面向所述基板的面的反面以及所述第二邻接部面向所述基板的面的反面被形成为处于同一平面上。
13.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，
所述第一邻接部以及第二邻接部含有晶化硅，
所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。
14.根据权利要求8所述的光传感器的制造方法，其中，
所述半导体物质层含有硅，
形成所述受光部、第一邻接部以及第二邻接部的步骤，包括：
在所述基板上形成半导体物质层；以及
在所述半导体物质层的区域中，选择性地结晶化所述第一邻接部的区域。
15.根据权利要求14所述的光传感器的制造方法，其中，
所述第一邻接部掺杂有P型杂质，所述第二邻接部掺杂有N型杂质。
16.根据权利要求14所述的光传感器的制造方法，其中，
所述第一邻接部掺杂有N型杂质，所述第二邻接部掺杂有P型杂质。
17.一种显示装置，含有光传感器，所述光传感器包括：
基板；
显示器件；
受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；
第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；
光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接；以及
光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，
其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。
18.权利要求17所述的显示装置，其中，
所述显示器件为有机发光器件或者液晶显示器件。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106549075A (zh) * 2015-09-23 2017-03-29 三星显示有限公司 光传感器和包括光传感器的显示设备
CN108231943A (zh) * 2017-12-14 2018-06-29 上海集成电路研发中心有限公司 一种红外探测器及其制造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101391695B1 (ko) 2012-04-24 2014-05-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장비 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
TWI553836B (zh) * 2014-05-07 2016-10-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
KR102265752B1 (ko) * 2014-09-01 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109166892B (zh) * 2018-08-30 2022-11-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制造方法、oled显示面板
CN113299674B (zh) * 2021-05-08 2022-09-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5346850A (en) * 1992-10-29 1994-09-13 Regents Of The University Of California Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic
CN101236977A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 统宝光电股份有限公司 图像显示系统
WO2010035544A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 シャープ株式会社 フォトダイオードおよびその製造方法ならびにフォトダイオードを備えた表示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
JP4112184B2 (ja) 2000-01-31 2008-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エリアセンサ及び表示装置
JP4737956B2 (ja) 2003-08-25 2011-08-03 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置および光電変換素子
EP1697993A2 (en) 2003-12-15 2006-09-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix pixel device with photo sensor
US8164719B2 (en) 2006-10-13 2012-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2008171871A (ja) 2007-01-09 2008-07-24 Hitachi Displays Ltd 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置
CN101663758B (zh) * 2007-04-25 2011-12-14 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
JP2008306080A (ja) 2007-06-11 2008-12-18 Hitachi Ltd 光センサ素子、およびこれを用いた光センサ装置、画像表示装置
KR100922066B1 (ko) 2007-08-01 2009-10-16 삼성모바일디스플레이주식회사 광 감지센서 및 이를 이용한 발광표시장치
CN102203922A (zh) * 2009-01-20 2011-09-28 夏普株式会社 薄膜二极管及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5346850A (en) * 1992-10-29 1994-09-13 Regents Of The University Of California Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic
CN101236977A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 统宝光电股份有限公司 图像显示系统
WO2010035544A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 シャープ株式会社 フォトダイオードおよびその製造方法ならびにフォトダイオードを備えた表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106549075A (zh) * 2015-09-23 2017-03-29 三星显示有限公司 光传感器和包括光传感器的显示设备
CN108231943A (zh) * 2017-12-14 2018-06-29 上海集成电路研发中心有限公司 一种红外探测器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120024244A (ko) 2012-03-14
US9159866B2 (en) 2015-10-13
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US20120056179A1 (en) 2012-03-08

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