CN102375600B - 触摸基底和制造该触摸基底的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种触摸基底和制造该触摸基底的方法。所述触摸基底包括基体基底、第一感测元件和第一可变电压部分。所述第一感测元件感测第一光并包括：第一有源图案，设置在所述基体基底上；第一感测源电极，设置在所述第一有源图案上；第一感测漏电极，设置在所述第一有源图案上并与所述第一感测源电极隔开；第一感测栅电极，设置在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上。所述第一可变电压部分在接收所述第一光的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到所述第一感测栅电极，其中，所述第二感测栅极电压的电平高于所述第一感测栅极电压的电平。

Description

触摸基底和制造该触摸基底的方法

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种触摸基底和一种制造该触摸基底的方法。更具体地讲，本发明的示例性实施例涉及一种包括灵敏度得到提高的感测元件的触摸基底和一种制造该触摸基底的方法。

背景技术

通常，液晶显示(LCD)面板包括：第一基底，薄膜晶体管形成在第一基底上，以驱动像素区域；第二基底，与第一基底相对设置；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间。

LCD面板可用作由外部触摸操作的触摸面板。在传统的LCD触摸面板中，LCD面板的第二基底可包括感测元件以及控制该感测元件的开关元件。当触摸LCD面板时，感测元件吸收波长在预定波长范围内的入射光，以产生光电流。连接到LCD面板的中央处理单元可利用该光电流以及在入射光被吸收之前所确定的感测元件的暗电流(dark current)来确定触摸位置。

感测元件通常具有不同于开关元件的电特性。开关元件通常利用栅极信号来控制导通和截止。相比之下，LCD面板的感测元件产生光电流，所以感测元件可对入射光具有高灵敏度。为了提高感测元件的灵敏度，可大幅增加接收入射光的有源图案的尺寸，或者可大幅增加有源图案的厚度。然而，当有源图案的尺寸增加时，设置在触摸面板上的感测元件的数量可能会大幅减少。此外，当有源图案的厚度增加时，处理时间可能会大幅增加，并且基体基底可能会因高应力而弯曲。

发明内容

本发明的示例性实施例提供一种触摸灵敏度得到提高的触摸基底。

本发明的示例性实施例还提供一种制造所述触摸基底的方法。

在示例性实施例中，触摸基底包括基体基底、第一感测元件和第一可变电压部分。所述第一感测元件感测第一光，并包括：第一有源图案，设置在所述基体基底上；第一感测源电极，设置在所述第一有源图案上；第一感测漏电极，设置在所述第一有源图案上并与所述第一感测源电极隔开；第一感测栅电极，设置在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上。所述第一可变电压部分在接收所述第一光的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到所述第一感测栅电极，其中，所述第二感测栅极电压的电平高于所述第一感测栅极电压的电平。

在示例性实施例中，当没有接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分可将所述第一感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极，当接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分可将所述第二感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极。

在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括：第一开关元件，所述第一开关元件包括第一开关栅电极、第二有源图案、第一开关源电极和第一开关漏电极，所述第二有源图案设置在所述第一开关栅电极上，所述第一开关源电极设置在所述第二有源图案上，所述第一开关漏电极设置在所述第二有源图案上并与所述第一开关源电极隔开；第一感测栅极线，电连接到所述第一开关栅电极，以将第一感测栅极信号传输到所述第一开关栅电极；第一偏置电压线，电连接到所述第一感测源电极，以将第一偏置电压传输到所述第一感测源电极；第二偏置电压线，电连接到所述第一可变电压部分，以将第二偏置电压传输到所述第一可变电压部分。

在示例性实施例中，所述第一可变电压部分可包括：第一光阻挡图案，阻挡所述第一光；第一可变源电极，设置在所述第一光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线；第二可变源电极，电连接到所述第二偏置电压线；第一共漏电极，与所述第一可变源电极和所述第二可变源电极分开地设置在所述第一可变源电极和所述第二可变源电极之间，其中，所述第一共漏电极电连接到所述第一感测栅电极；第一公共有源图案，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极之下；第一共栅电极，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极上，并与所述第一公共有源图案叠置。

在示例性实施例中，所述第一共栅电极可电连接到所述第二可变源电极，以接收所述第二偏置电压。

在示例性实施例中，所述第一可变电压部分可包括：第一光阻挡图案，阻挡所述第一光；第一输入电极，设置在所述第一光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线；第二输入电极，电连接到所述第二偏置电压线；第一共输出电极，与所述第一输入电极和所述第二输入电极分开地设置在所述第一输入电极和所述第二输入电极之间，其中，所述第一共输出电极电连接到所述第一感测栅电极；第一公共有源图案，设置在所述第一输入电极、所述第二输入电极以及所述第一共输出电极之下。

在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括：第二开关元件，所述第二开关元件包括第二开关栅电极、第三有源图案、第二开关源电极和第二开关漏电极，所述第三有源图案设置在所述第二开关栅电极上，所述第二开关源电极设置在所述第三有源图案上，所述第二开关漏电极设置在所述第三有源图案上并与所述第二开关源电极隔开；第二感测元件，感测第二光，其中，所述第二感测元件包括第二感测漏电极、第二感测源电极、第四有源图案和第二感测栅电极，所述第二感测漏电极电连接到所述第二开关源电极，所述第二感测源电极与所述第二感测漏电极分开设置，所述第四有源图案设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极之下，所述第二感测栅电极设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极上；第二可变电压部分，在接收所述第二光的基础上将第三感测栅极电压和第四感测栅极电压中的至少一种提供到所述第二感测栅电极，其中，所述第四感测栅极电压的电平高于所述第三感测栅极电压的电平。

在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括：第二感测栅极线，电连接到所述第二开关栅电极；第一读出线，电连接到所述第一开关漏电极，以从所述第一感测元件输出第一感测信号；第二读出线，电连接到所述第二开关漏电极，以从所述第二感测元件输出第二感测信号。

在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括：第二光阻挡图案，设置在所述第一感测元件之下，其中，所述第一光是红外光，所述第二光是可见光，所述第二光阻挡图案透射所述第一光并吸收所述第二光。

在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括：第二光阻挡图案，设置在所述第二感测元件之下，其中，所述第一光是可见光，所述第二光是红外光，所述第二光阻挡图案透射所述第二光并吸收所述第一光。

在另一示例性实施例中，一种制造触摸基底的方法包括：在基体基底上设置第一光阻挡图案；在设置有所述第一光阻挡图案的所述基体基底上设置第一有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第一光阻挡图案叠置；在所述第一有源图案上设置第一感测源电极和第一感测漏电极，其中，所述第一感测源电极与所述第一感测漏电极彼此隔开；在所述第一公共有源图案上设置第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极，其中，所述第一可变源电极、所述第一共漏电极与所述第二可变源电极相互隔开；在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极，在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极和所述第一共漏电极上设置第一共栅电极。

在示例性实施例中，所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅锗。

在示例性实施例中，所述方法还可包括：在形成所述第一有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第二光阻挡图案，其中，可将所述第二光阻挡图案设置成与所述第一有源图案叠置。

在示例性实施例中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅。

在示例性实施例中，所述方法还可包括：在所述第一感测源电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一感测漏电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层，在所述第二可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层；在所述绝缘层上形成接触孔，其中，所述接触孔使所述第二可变源电极暴露，其中，通过所述接触孔将所述第一共栅电极连接到所述第二可变源电极。

在另一示例性实施例中，一种制造触摸基底的方法包括：在基体基底上设置第一光阻挡图案；在设置有所述第一光阻挡图案的所述基体基底上设置第一有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第一光阻挡图案叠置；在所述第一有源图案上设置第一感测源电极和第一感测漏电极，其中，所述第一感测源电极与所述第一感测漏电极彼此隔开；在所述第一公共有源图案上设置相互隔开的第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极；在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极。

在示例性实施例中，所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅锗。

在示例性实施例中，所述方法还可包括：在设置所述第一有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第二光阻挡图案，其中，将所述第二光阻挡图案设置成与所述第一有源图案叠置。

在示例性实施例中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅。

在示例性实施例中，控制施加到感测红外光和/或可见光的感测元件的感测栅电极的感测栅极电压，使得感测元件的光电流大幅增加。因此，大幅提高感测元件的灵敏度。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他方面、特征和优点将会变得更加清楚，在附图中：

图1是根据本发明的显示设备的示例性实施例的剖视图；

图2是图1的触摸基底的示例性实施例的俯视图；

图3是示出图2的触摸基底的等效电路图；

图4是沿着图2的I-I’线截取的剖视图；

图5是沿着图2的II-II’线截取的剖视图；

图6A至图6F是示出制造图4的触摸基底的方法的示例性实施例的剖视图；

图7是根据本发明的触摸基底的可选示例性实施例的俯视图；

图8是示出图7的触摸基底的等效电路图；

图9是沿着图7的III-III’线截取的剖视图；

图10是沿着图7的IV-IV’线截取的剖视图；

图11是示出第一可变电压部分的示例性实施例的感测栅极电压根据第二偏置电压的变化的曲线图；

图12A和图12B是示出第一感测元件的示例性实施例的电流-电压特性的曲线图。

具体实施方式

以下，将参照附图来更加充分地描述本发明，本发明的实施例在附图中示出。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，并不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相同的标号始终指示相同的元件。

应该理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。

应该理解的是，尽管在此可使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

在此所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例的目的，而不意在成为本发明的限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。还应该理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，表明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，在此可使用相对关系术语，例如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”，来描述如图中所示的一个元件与其他元件的关系。应该理解的是，所述相对关系术语意在包括除图中示出的方位之外的装置的不同方位。例如，如果将一幅图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件那时将被定位为在所述其他元件的“上”侧。因此，根据图的具体方位，示例性术语“下”可包括“下”和“上”两个方位。类似地，如果将一幅图中的装置翻转，则被描述为“在”其他元件“之下”或“下方”的元件那时将被定位为“在”其他元件“之上”。因此，示例性术语“在......之下”或“在......下方”可包括“在......之上”和“在......之下”两个方位。

除非另外限定，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的意思与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同。还应该理解的是，除非在此明确定义，否则术语(诸如那些在通用字典里定义的术语)应该被解释为具有与本公开和相关领域上下文中它们的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于正式的含义来解释它们。

在此参照作为本发明的理想实施例的示意图的剖视图来描述本发明的示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的示出的形状变化。因此，本发明的实施例不应该被解释为限于在此示出的区域的具体形状，而应该被解释为包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是圆的。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意在示出区域的精确形状，也不意在限制本发明的范围。

除非在此另有指示或者通过上下文另外清楚地否定，否则在此所描述的所有方法可以以合适的顺序执行。除非另有声明，否则任何和全部示例的使用或者示例性语言(如“例如”)仅意在更好地阐明本发明，并不限制本发明的范围。说明书中的语言不应该被解释为指示在此所使用的任何未声明的元件对实施本发明是必要的。

以下，将参照附图对本发明的示例性实施例进行详细说明。

图1是根据本发明的显示设备的示例性实施例的剖视图。

参照图1，显示设备1000包括触摸面板400以及向触摸面板400提供光的背光组件500。

在示例性实施例中，触摸面板400包括：显示基底100；触摸基底200，与显示基底100相对设置；液晶层300，设置在显示基底100和触摸基底200之间。

显示基底100可包括：像素开关元件110，设置在第一基体基底101上；像素电极PE，电连接到像素开关元件110；绝缘层120。绝缘层120可包括：栅极绝缘层(未示出)，设置在像素开关元件110的栅电极(未示出)上；钝化层(未示出)，设置在像素开关元件110的源电极和漏电极(未示出)上。

触摸基底200可包括第一感光部分LSP1、第二感光部分LSP2、第一可变电压部分(未示出)以及第二可变电压部分(未示出)。第一感光部分LSP1可包括：第一感测元件(未示出)，感测红外光；第一开关元件(未示出)，驱动第一感测元件。第二感光部分LSP2可包括：第二感测元件(未示出)，感测可见光；第二开关元件(未示出)，驱动第二感测元件。第一可变电压部分电连接到第一感测元件的感测栅电极并提供可变栅极电压。第二可变电压部分电连接到第二感测元件的感测栅电极并提供可变栅极电压。

触摸基底200还可包括黑色矩阵BM、滤色器层CF、覆层OC以及共电极CE。共电极CE可被设置为面对像素电极PE，并在液晶层300中产生电场。

背光组件500设置在显示基底100之下。背光组件500可包括：第一光源(未示出)，产生红外光；第二光源(未示出)，产生可见光。在示例性实施例中，第一光源和第二光源可以是发光二极管。

图2是图1的触摸基底的示例性实施例的俯视图。图3是示出图2的触摸基底的等效电路图。图4是沿着图2的I-I’线截取的剖视图。图5是沿着图2的II-II’线截取的剖视图。

参照图2至图5，触摸基底200可包括第一感测栅极线SGL1、第一偏置电压线BVL1、第二偏置电压线BVL2、第一读出线ROL1、第一感光部分LSP1(图1)、第一光阻挡图案BP1、第一可变电压部分240以及第一电容器252。

第一感测栅极线SGL1基本上沿第一方向延伸并传输第一感测栅极信号。

第一偏置电压线BVL1基本上沿与第一方向相交的第二方向延伸并传输第一偏置电压。第二偏置电压线BVL2基本上沿第二方向延伸并传输第二偏置电压。

第一读出线ROL1基本上沿第二方向延伸。第一读出线ROL1在一帧中将参考电压施加到第一感光部分LSP1的第一开关元件SWTR1，并在随后的一帧中从第一感光部分LSP1的第一感测元件STR1读出感测信号。

第一感光部分LSP1包括第一感测元件STR1和第一开关元件SWTR1。

第一开关元件SWTR1可包括第一开关栅电极SWG1、第一有源图案AP1、第一开关源电极SWS1以及第一开关漏电极SWD1。第一开关栅电极SWG1电连接到第一感测栅极线SGL1。第一有源图案AP1被设置为与第一开关栅电极SWG1叠置。栅极绝缘层210设置在第一有源图案AP1和第一开关栅电极SWG1之间。第一有源图案AP1可包括第一半导体层222和第一欧姆接触层224。第一半导体层222可包括非晶硅(a-Si)，第一欧姆接触层224可包括高浓度掺杂N型掺杂剂的N+氢化非晶硅(n+a-Si)。第一开关源电极SWS1和第一开关漏电极SWD1彼此分开地设置在第一有源图案AP1上。第一开关漏电极SWD1电连接到第一读出线ROL1。

在示例性实施例中，第一开关元件SWTR1还可包括第一顶栅电极TG1。第一顶栅电极TG1可通过第一接触孔CNT1电连接到第一开关栅电极SWG1。第一顶栅电极TG1电连接到第一偏置电压线BVL1，以接收第一偏置电压。第一开关元件SWTR1可具有包括第一开关栅电极SWG1和第一顶栅电极TG1的双栅极结构。

第一感测元件STR1感测第一光，例如，红外光。第一感测元件STR1包括第二有源图案AP2、第一感测源电极SS1、第一感测漏电极SD1以及第一感测栅电极SG1。第二有源图案AP2可包括第二半导体层232和第二欧姆接触层234。在示例性实施例中，第二半导体层232可包括a-SiGe(非晶硅锗)，第二欧姆接触层234可包括高浓度掺杂N型掺杂剂的n+a-Si。第一感测源电极SS1和第一感测漏电极SD1彼此分开地设置在第二有源图案AP2上。第一感测源电极SS1通过第二接触孔CNT2电连接到第一偏置电压线BVL1。第一感测漏电极SD1电连接到第一开关源电极SWS1。在示例性实施例中，第一感测源电极SS1和第一感测漏电极SD1中的每个均可包括具有重复的U形图案的锯齿形图案，以使第一感测元件STR1的沟道区域增加。第一感测栅电极SG1设置在第一感测源电极SS1和第一感测漏电极SD1上。

第一光阻挡图案BP1设置在第一感测元件STR1之下。第一光阻挡图案BP1可包括半导体。在示例性实施例中，第一光阻挡图案BP1可包括a-SiGe。第一光阻挡图案BP1透射红外光并通过吸收可见光来阻挡可见光。第一光阻挡图案BP1可通过第三接触孔CNT3电连接到第一感测栅电极SG1。因此，第一感测元件STR1可具有包括第一感测栅电极SG1和第一光阻挡图案BP1的双栅极结构。

第一可变电压部分240电连接到第一感测栅电极SG1。第一可变电压部分240在接收第一光(例如，红外光)的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到第一感测栅电极SG1。第二感测栅极电压的电平高于第一感测栅极电压的电平。在示例性实施例中，当没有接收到红外光时，第一可变电压部分240可将第一感测栅极电压提供到第一感测栅电极SG1。当接收到红外光时，第一可变电压部分240可将第二感测栅极电压提供到第一感测栅电极SG1。在示例性实施例中，第一感测栅极电压可具有负(-)电平。在示例性实施例中，第二感测栅极电压可具有约0V至约5V的电平。

第一可变电压部分240可包括第一公共有源图案CAP1、第一可变源电极VS1、第一共漏电极CD1、第二可变源电极VS2、第一共栅电极CG1以及第二光阻挡图案BP2。第一公共有源图案CAP1可包括第二半导体232和第二欧姆接触层234。第一可变源电极VS1设置在第一公共有源图案CAP1上，并通过第四接触孔CNT4电连接到第一偏置电压线BVL1。第一共漏电极CD1设置在第一可变源电极VS1和第二可变源电极VS2之间。第一共漏电极CD1与第一可变源电极VS1隔开，并通过第五接触孔CNT5电连接到第一感测栅电极SG1。第二可变源电极VS2与第一共漏电极CD1隔开，并通过第六接触孔CNT6电连接到第二偏置电压线BVL2。第一共栅电极CG1设置在第一可变源电极VS1、第一共漏电极CD1以及第二可变源电极VS2上，并被设置为与第一公共有源图案CAP1叠置。第一共栅电极CG1通过第六接触孔CNT6电连接到第二可变源电极VS2。在一个示例性实施例中，第一共栅电极CG1可电连接到附加信号线，以接收栅极信号。

第一光敏电阻开关元件LTR1(在图3中)由第一公共有源图案CAP1、第一可变源电极VS1、第一共漏电极CD1以及第一共栅电极CG1共同限定。第二光敏电阻开关元件LTR2(在图3中)由第一公共有源图案CAP1、第二可变源电极VS2、第一共漏电极CD1以及第一共栅电极CG1共同限定。因此，第一可变电压部分240可具有包括并联连接到第一感测栅电极SG1的第一光敏电阻开关元件LTR1和第二光敏电阻开关元件LTR2的结构。

可按照如下的式1来限定施加到第一感测栅电极SG1的感测栅极电压。

<式1>

$V_G=\frac{R2}{R1+R2}(V_{B1}-V_{B2})+V_S$

这里，V_G是感测栅极电压，R1是第一光敏电阻开关元件LTR1的电阻，R2是第二光敏电阻开关元件LTR2的电阻，V_B1是施加到第一可变源电极VS1的第一偏置电压，V_B2是施加到第二可变源电极VS2的第二偏置电压，V_S是施加到第一感测元件STR1的第一感测源电极SS1的源极电压。

第二光阻挡图案BP2设置在第一光敏电阻开关元件LTR1之下。第二光阻挡图案BP2阻挡照射到第一光敏电阻开关元件LTR1的红外光。因此，第一光敏电阻开关元件LTR1的电阻R1可基本上保持不变。第二光敏电阻开关元件LTR2的电阻R2可基本上与照射到第二光敏电阻开关元件LTR2的红外光成比例地减小。当没有接收到红外光时，第一光敏电阻开关元件LTR1的电阻R1与第二光敏电阻开关元件LTR2的电阻R2可基本上彼此相等。

第一光敏电阻开关元件LTR1和第二光敏电阻开关元件LTR2中的每个均可具有比第一感测元件STR1的宽长比(W/L)相对小的宽长比(W/L)。在示例性实施例中，第一光敏电阻开关元件LTR1和第二光敏电阻开关元件LTR2中的每个的宽长比(W/L)均可在从约1至约10的范围内。

第一电容器252由电连接到第一感测漏电极SD1的第一电极252a、电连接到第二偏置电压线BVL2的第二电极252b、设置在第一电极252a和第二电极252b之间的钝化层270以及包括有机层280的介电层共同限定。第一电容器252充入由照射到第一感测元件STR1的第二有源图案AP2的红外光所产生的电荷。

以下，将对通过第一开关元件SWTR1和第一感测元件STR1来感测红外光的过程进行详细描述。

当第一开关元件SWTR1导通时，第一电容器252通过从第一读出线ROL1施加的参考电压而被充电。当将红外光照射到第一感测元件STR1的第二有源图案AP2时，光电流流经第一感测源电极SS1和第一感测漏电极SD1，从而释放在第一电容器252中充入的电压。当第一开关元件SWTR1在随后的一帧中导通时，在第一电容器252中充入的电压通过第一读出线ROL1被传输到读出驱动器(未示出)。读出驱动器利用在第一电容器252中充入的电压以及参考电压来检测由第一感测元件STR1感测的光的强度。电连接到读出驱动器的触摸确定部分(未示出)基于由第一感测元件STR1感测的光的强度来确定触摸位置。

触摸基底200还可包括第二感测栅极线SGL2、第二读出线ROL2、第二感光部分LSP2、第二可变电压部分260以及第二电容器254。第二感光部分LSP2包括第二开关元件SWTR2和第二感测元件STR2。

第二感测栅极线SGL2基本上沿所述第一方向延伸并且基本上平行于第一感测栅极线SGL1。第二感测栅极线SGL2施加第二感测栅极信号。

第二读出线ROL2基本上沿所述第二方向延伸。第二读出线ROL2在一帧中将参考电压施加到第二开关元件SWTR2，并在随后的一帧中读出由第二感测元件STR2感测的感测信号。

第二开关元件SWTR2可包括第二开关栅电极SWG2、第三有源图案AP3、第二开关源电极SWS2以及第二开关漏电极SWD2。第二开关栅电极SWG2电连接到第二感测栅极线SGL2。第三有源图案AP3与第二开关栅电极SWG2叠置。栅极绝缘层210设置在第三有源图案AP3和第二开关栅电极SWG2之间。第三有源图案AP3可包括第一半导体层222和第一欧姆接触层224。第二开关源电极SWS2和第二开关漏电极SWD2彼此分开地设置在第三有源图案AP3上。第二开关漏电极SWD2电连接到第二读出线ROL2。

第二开关元件SWTR2还可包括第二顶栅电极TG2。第二顶栅电极TG2可通过第七接触孔CNT7电连接到第二开关栅电极SWG2。因此，第二开关元件SWTR2可具有包括第二开关栅电极SWG2和第二顶栅电极TG2的双栅极结构。

第二感测元件STR2感测可见光。第二感测元件STR2包括第四有源图案AP4、第二感测源电极SS2、第二感测漏电极SD2以及第二感测栅电极SG2。第四有源图案AP4可包括第一半导体层222和第一欧姆接触层224。第二感测源电极SS2和第二感测漏电极SD2彼此分开地设置在第四有源图案AP4上。第二感测源电极SS2通过第八接触孔CNT8电连接到第二偏置电压线BVL2。第二感测漏电极SD2电连接到第二开关源电极SWS2。第二感测源电极SS2和第二感测漏电极SD2中的每个均可包括具有重复的U形图案的锯齿形图案，以使第二感测元件STR2的沟道区域增加。第二感测栅电极SG2设置在第二感测源电极SS2和第二感测漏电极SD2上。

第二可变电压部分260电连接到第二感测栅电极SG2。第二可变电压部分260在接收可见光的基础上将可变感测栅极电压提供到第二感测栅电极SG2。即，第二可变电压部分260在接收第二光(例如，可见光)的基础上将第三感测栅极电压和第四感测栅极电压中的至少一种提供到第二感测栅电极SG2。第四感测栅极电压的电平高于第三感测栅极电压的电平。在示例性实施例中，当没有接收到可见光时，第二可变电压部分260可将所述第三感测栅极电压提供到第二感测栅电极SG2。当接收到可见光时，第二可变电压部分260可将所述第四感测栅极电压提供到第二感测栅电极SG2。

第二可变电压部分260可包括第二公共有源图案CAP2、第三可变源电极VS3、第二共漏电极CD2、第四可变源电极VS4、第二共栅电极CG2以及第三光阻挡图案BP3。第二公共有源图案CAP2可包括第一半导体222和第一欧姆接触层224。第三可变源电极VS3设置在第二公共有源图案CAP2上，并通过第九接触孔CNT9电连接到第一偏置电压线BVL1。第二共漏电极CD2与第三可变源电极VS3隔开，并通过第十接触孔CNT10电连接到第二感测栅电极SG2。第四可变源电极VS4与第二共漏电极CD2隔开，并通过第十一接触孔CNT11电连接到第二偏置电压线BVL2。第二共栅电极CG2设置在第三可变源电极VS3、第二共漏电极CD2以及第四可变源电极VS4上，并被设置为与第二公共有源图案CAP2叠置。第二共栅电极CG2通过第十一接触孔CNT11电连接到第四可变源电极VS4。在示例性实施例中，第二共栅电极CG2可电连接到附加信号线，以接收栅极信号。

第三光敏电阻开关元件LTR3(在图3中)由第二公共有源图案CAP2、第三可变源电极VS3、第二共漏电极CD2以及第二共栅电极CG2共同限定。第四光敏电阻开关元件LTR4(在图3中)由第二公共有源图案CAP2、第四可变源电极VS4、第二共漏电极CD2以及第二共栅电极CG2共同限定。因此，第二可变电压部分260可具有包括并联连接到第二感测栅电极SG2的第三光敏电阻开关元件LTR3和第四光敏电阻开关元件LTR4的结构。

第三光阻挡图案BP3设置在第三光敏电阻开关元件LTR3之下。第三光阻挡图案BP3阻挡照射到第三光敏电阻开关元件LTR3的可见光。因此，第三光敏电阻开关元件LTR3的电阻基本上保持不变。由第三光敏电阻开关元件LTR3和第四光敏电阻开关元件LTR4分压的感测栅极电压被施加到第二感测元件STR2的第二感测栅电极SG2。

第三光敏电阻开关元件LTR3和第四光敏电阻开关元件LTR4中的每个均可具有比第二感测元件STR2的宽长比(W/L)相对小的宽长比(W/L)。在示例性实施例中，第三光敏电阻开关元件LTR3和第四光敏电阻开关元件LTR4中的每个的宽长比(W/L)均可在从约1至约10的范围内。

第二电容器254由电连接到第二感测漏电极SD2的第一电极254a、电连接到第二偏置电压线BVL2的第二电极254b、设置在第一电极254a和第二电极254b之间的钝化层270以及包括有机层280的介电层共同限定。第二电容器254充入由照射到第二感测元件STR2的第四有源图案AP4的可见光所产生的电荷。

以下，将对通过第二开关元件SWTR2和第二感测元件STR2来感测可见光的过程进行详细描述。

当第二开关元件SWTR2导通时，第二电容器254通过从第二读出线ROL2施加的参考电压而被充电。当将可见光照射到第二感测元件STR2的第四有源图案AP4时，光电流流经第二感测源电极SS2和第二感测漏电极SD2，从而释放在第二电容器254中充入的电压。当第二开关元件SWTR2在随后的一帧中导通时，在第二电容器254中充入的电压通过第二读出线ROL2被传输到读出驱动器(未示出)。电连接到读出驱动器的触摸确定部分(未示出)基于由第二感测元件STR2感测的光强度来确定触摸位置。

触摸基底200还可包括黑色矩阵BM、滤色器层CF、覆层OC以及共电极CE。

黑色矩阵BM设置于限定在第二基体基底201中的像素区域R、G和B之间的外围区域中，并防止漏光。

滤色器层CF设置在像素区域R、G和B中。滤色器层CF可包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。

覆层OC设置在滤色器层设置于其上的第二基体基底201上。

共电极CE设置在覆层OC上。共电极CE基本上设置在触摸基底200的整个表面中。

图6A至图6F是示出制造图4的触摸基底的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图4和图6A，在第二基体基底201上设置(例如，形成)第一光阻挡图案BP1和第二光阻挡图案BP2。在示例性实施例中，可在第二基体基底201上形成包括a-SiGe的半导体层。可将半导体层图案化，从而形成第一光阻挡图案BP1和第二光阻挡图案BP2。

参照图4和图6B，在第二基体基底201上设置(例如，形成)包括第一开关栅电极SWG1的第一栅极金属图案。在示例性实施例中，可在第二基体基底201上形成第一栅极金属层，然后将第一栅极金属层图案化，从而形成第一栅极金属图案。

然后，在设置有第一光阻挡图案BP1、第二光阻挡图案BP2以及栅极金属图案的第二基体基底201上设置(例如，形成)栅极绝缘层210。

参照图4和图6C，在设置有栅极绝缘层210的第二基体基底201上设置(例如，形成)第一有源图案AP1。在示例性实施例中，可在第二基体基底201上形成第一半导体层222和第一欧姆接触层224。可将第一半导体层222和第一欧姆接触层224图案化，从而形成第一有源图案AP1。将第一有源图案AP1设置成与第一开关栅电极SWG1叠置。

参照图4和图6D，在设置有栅极绝缘层210的第二基体基底201上设置(例如，形成)第二有源图案AP2和第一公共有源图案CAP1。在示例性实施例中，可在第二基体基底201上形成第二半导体层232和第二欧姆接触层234。可将第二半导体层232和第二欧姆接触层234图案化，从而形成第二有源图案AP2和第一公共有源图案CAP1。将第二有源图案AP2设置成与第一光阻挡图案BP1叠置，并将第一公共有源图案CAP1设置成与第二光阻挡图案BP2叠置。

参照图4和图6E，在设置有第一有源图案AP1、第二有源图案AP2以及第一公共有源图案CAP1的第二基体基底201上设置(例如，形成)源极金属层。在示例性实施例中，将源极金属层图案化，从而形成源极金属图案。源极金属图案包括第一开关源电极SWS1和第一开关漏电极SWD1、第一感测源电极SS1和第一感测漏电极SD1、第一可变源电极VS1和第二可变源电极VS2以及第一共漏电极CD1。

参照图4和图6F，在设置有源极金属图案的第二基体基底上依次设置(例如，形成)钝化层270和有机层280。然后，将栅极绝缘层、钝化层270和有机层280的位于第一开关栅电极SWG1上的部分去除，从而形成第一接触孔CNT1。将钝化层270和有机层280的位于第一可变源电极VS1上的部分去除，从而形成第四接触孔CNT4。将钝化层270和有机层280的位于第一共漏电极CD1上的部分去除，从而形成第五接触孔CNT5。将钝化层270和有机层280的位于第二可变源电极VS2上的部分去除，从而形成第六接触孔CNT6。

然后，在形成有第一接触孔CNT1、第四接触孔CNT4、第五接触孔CNT5以及第六接触孔CNT6的第二基体基底201上设置(例如，形成)第二栅极金属层。在示例性实施例中，将第二栅极金属层图案化，从而形成第二栅极金属图案。第二栅极金属图案可包括第一顶栅电极TG1、第一感测栅电极SG1以及第一共栅电极CG1。

在设置有第二栅极金属图案的第二基体基底201上设置(例如，形成)黑色矩阵BM、滤色器层CF、覆层OC以及共电极CE。如上所述，可制造触摸基底200的示例性实施例。

除了第三有源图案AP3和第四有源图案AP4的半导体层的材料之外，设置第二开关元件SWTR2、第二感测元件STR2和第二可变电压部分260的过程与参照图6A至图6F所描述的过程基本上相同。因此，将省略或简化对其的任何重复的详细描述。

在示例性实施例中，作为第二开关元件SWTR2、第二感测元件STR2和第二可变电压部分260的一部分的第三有源图案AP3、第四有源图案AP4和第二公共有源图案CAP2包括相同的半导体材料。因此，可利用单个掩模来形成第三有源图案AP3、第四有源图案AP4和第二公共有源图案CAP2。

在示例性实施例中，可利用第一可变电压部分240和第二可变电压部分260来控制施加到第一感测栅电极SG1或第二感测栅电极SG2的感测栅极电压。当照射红外光或可见光时，感测栅极电压可增加，从而第一感测元件STR1和第二感测元件STR2的光电流增加。因此，第一感测元件STR1和第二感测元件STR2的灵敏度大幅提高。

图7是根据本发明的触摸基底的可选示例性实施例的俯视图。图8是示出图7的触摸基底的等效电路图。图9是沿着图7的III-III’线截取的剖视图。图10是沿着图7的1V-IV’线截取的剖视图。

除了触摸基底600之外，包括图7中的触摸基底的显示设备的可选示例性实施例与在图1中示出的显示设备1000基本上相同。因此，除了触摸基底200之外，相同的标号将用于相同的元件。除了第一可变电压部分610和第二可变电压部分620之外，图7中的触摸基底600与图2中示出的触摸基底200基本上相同。因此，在图7中示出的相同或相似的元件以与上面描述图2中的触摸基底200的示例性实施例所使用的参考符号(reference character)相同的参考符号来标记，在下文中，将省略或简化对其的任何重复的详细描述。

参照图7、图8和图9，触摸基底600的示例性实施例包括第一开关元件SWTR1、第一感测元件STR1、第一可变电压部分610、第二开关元件SWTR2、第二感测元件STR2以及第二可变电压部分620。

第一可变电压部分610电连接到第一感测元件STR1的第一感测栅电极SG1，以提供可变栅极电压。

第一可变电压部分610可包括第一公共有源图案CAP1、第一输入电极612、第一共输出电极614、第二输入电极616以及第二光阻挡图案BP2。第一公共有源图案CAP1可设置在第一输入电极612、第一共输出电极614和第二输入电极616之下。第一公共有源图案CAP1包括第二半导体层232和第二欧姆接触层234。第二半导体层232可包括a-SiGe，第二欧姆接触层234可包括n+a-Si。第一输入电极612通过第四接触孔CNT4电连接到第一偏置电压线BVL1，以接收第一偏置电压。第一共输出电极614与第一输入电极612和第二输入电极616分开地设置在第一输入电极612和第二输入电极616之间。第一共输出电极614通过第五接触孔CNT5电连接到第一感测栅电极SG1。第二输入电极616通过第六接触孔CNT6电连接到第二偏置电压线BVL2，以接收第二偏置电压。

第一光导体PC1(在图8中)由第一公共有源图案CAP1、第一输入电极612和第一共输出电极614共同限定。第二光导体PC2(在图8中)由第一公共有源图案CAP1、第二输入电极616和第一共输出电极614共同限定。在示例性实施例中，第一可变电压部分610可具有包括并联连接到第一感测栅电极SG1的第一光导体PC1和第二光导体PC2的结构。

第二光阻挡图案BP2设置在第一光导体PC1之下。第二光阻挡图案BP2阻挡照射到第一光导体PC1的红外光。因此，第一光导体PC1的电阻基本上保持不变。第二光导体PC2的电阻基本上与照射到第二光导体PC2的红外光的量成比例地减小。

第二可变电压部分620电连接到第二感测元件STR2的第二感测栅电极SG2，以提供可变感测栅极电压。

第二可变电压部分620可包括第二公共有源图案CAP2、第三输入电极622、第二共输出电极624、第四输入电极626以及第三光阻挡图案BP3。第二公共有源图案CAP2可设置在第三输入电极622、第二共输出电极624和第四输入电极626之下。第二公共有源图案CAP2包括第一半导体层222和第一欧姆接触层224。第一半导体层222可包括a-Si，第一欧姆接触层224可包括n+a-Si。第三输入电极622通过第九接触孔CNT9电连接到第一偏置电压线BVL1，以接收第一偏置电压。第二共输出电极624与第三输入电极622和第四输入电极626分开地设置在第三输入电极622和第四输入电极626之间。第二共输出电极624通过第十接触孔CNT10电连接到第二感测栅电极SG2。第四输入电极626通过第十一接触孔CNT11电连接到第二偏置电压线BVL2，以接收第二偏置电压。

第三光导体PC3(在图8中)由第二公共有源图案CAP2、第三输入电极622和第二共输出电极624共同限定。第四光导体PC4(在图8中)由第二公共有源图案CAP2、第四输入电极626和第二共输出电极624共同限定。在示例性实施例中，第二可变电压部分620可具有包括并联连接到第二感测栅电极SG2的第三光导体PC3和第四光导体PC4的结构。

第三光阻挡图案BP3设置在第三光导体PC3之下。第三光阻挡图案BP3阻挡照射到第三光导体PC3的可见光。因此，第三光导体PC3的电阻可基本上保持不变。第四光导体PC4的电阻基本上与照射到第四光导体PC4的可见光的量成比例地减小。

除了第一可变电压部分610和第二可变电压部分620之外，制造图7中的触摸基底600的方法的示例性实施例与在图6A至图6F中示出的制造触摸基底200的方法的示例性实施例基本上相同。因此，在下文中将省略或简化对其的任何重复的说明。

如图6F中所示，在第二基体基底201上形成第一接触孔CNT1、第四接触孔CNT4、第五接触孔CNT5和第六接触孔CNT6之后，在第二基体基底201上设置(例如，形成)第二栅极金属图案。在形成有第一接触孔CNT1、第四接触孔CNT4、第五接触孔CNT5和第六接触孔CNT6的第二基体基底上设置(例如，形成)第二栅极金属层。可将第二栅极金属层图案化，从而形成第二栅极金属图案。第二栅极金属图案可包括第一顶栅电极TG1和第一感测栅电极SG1。在设置有第二栅极金属图案的第二基体基底201上设置黑色矩阵BM、滤色器层CF、覆层OC以及共电极CE。因此，可如上所述地制造图7中的触摸基底600。

图7中的触摸基底的第一可变电压部分610和第二可变电压部分620的结构可比图2中的触摸基底200的第一可变电压部分240和第二可变电压部分260的结构更加简单。

<感测栅极电压特性测试>

制备包括图2的第一可变电压部分的样品显示设备。当施加到第一可变电压部分的第一可变源电极的第一偏置电压固定在5伏特(V)并且施加到第一可变电压部分的第二可变源电极的第二偏置电压从-20V到20V变化时，测量施加到第一感测栅电极的感测栅极电压。

图11是示出第一可变电压部分的示例性实施例的感测栅极电压(V)根据第二偏置电压的变化的曲线图。

在图11中，X轴表示第二偏置电压，Y轴表示感测栅极电压。

参照图11，如果第二偏置电压为约-10V，则在没有接收到红外光时(以下，称为“暗状态”)，感测栅极电压为约-8.2V，而在接收到红外光时(以下，称为“光状态”)，感测栅极电压为约3.8V。当第二偏置电压为约0V时，感测栅极电压在暗状态下为约3.6V，而在光状态下为约5V。因此，当接收到红外光时，感测栅极电压可增加。

图12A和图12B是示出第一感测元件的示例性实施例的电流-电压特性的曲线图。

在图12A和图12B中，X轴表示感测栅极电压，Y轴表示第一感测元件的漏极电流。

在示例性实施例中，当没有接收到红外光时，将约-6V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极。当接收到红外光时，将约4V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极。

当第一感测元件在暗状态和光状态下具有图12A中示出的电压-电流特性时，在暗状态下，第一感测元件的暗电流为约7.88×10^-12安培(A)。当将约-6V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，在光状态下，第一感测元件的光电流为约4.43×10^-8A。当将约4V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，在光状态下，第一感测元件的光电流为约1.24×10^-7A。当将约-6V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，光电流与暗电流之比为约5,617。当将约4V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，光电流与暗电流之比为约15,706。当感测栅极电压从约-6V增加到约4V时，具有图12A的电压-电流特性的第一感测元件的光电流与暗电流之比增加约2.7倍大。

当第一感测元件在暗状态和光状态下具有图12B中示出的电压-电流特性时，在暗状态下，第一感测元件的暗电流为约3.00×10^-13A。当将约-6V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，在光状态下，第一感测元件的光电流为约3.22×10^-10A。当将约4V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，在光状态下，第一感测元件的光电流为约1.82×10^-8A。当将约-6V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，光电流与暗电流之比为约1,072。当将约4V的感测栅极电压施加到第一感测栅电极时，光电流与暗电流之比为约60,830。当感测栅极电压从约-6V增加到约4V时，具有图12B的电压-电流特性的第一感测元件的光电流与暗电流之比增加约56倍大。

如上所述，可对施加到示出的示例性实施例的第一感测元件和第二感测元件的感测栅极电压进行调节，以使光状态下的光电流与暗状态下的暗电流之比大幅增加。因此，可大幅提高第一感测元件和第二感测元件的灵敏度。

以上所述是用于说明本发明，并且不应该被解释为限制本发明。尽管已经描述了本发明的一些示例性实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在实质上不脱离本发明的新颖性教导和优点的情况下，可以对这些示例性实施例进行多种修改。因此，所有这样的修改意在被包括在由权利要求限定的本发明的范围之内。

在权利要求中，功能性限定(means-plus-function)语句意在涵盖执行所述功能时在此所描述的结构，其不仅涵盖结构上的等同物也涵盖等同的结构。因此，应该理解的是，以上所述是用于说明本发明，并且不应该被解释为限于公开的具体示例性实施例，对公开的示例性实施例进行的修改以及其他示例性实施例意在被包括在权利要求的范围之内。本发明由权利要求及其所包括的等同物限定。

Claims (18)

1.一种触摸基底，所述触摸基底包括：

基体基底；

第一感测元件，感测第一光，其中，所述第一感测元件包括：

第二有源图案，设置在所述基体基底上；

第一感测源电极，设置在所述第二有源图案上；

第一感测漏电极，设置在所述第二有源图案上并与所述第一感测源电极隔开；

第一感测栅电极，设置在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上；

第一可变电压部分，在接收所述第一光的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到所述第一感测元件的所述第一感测栅电极，其中，所述第二感测栅极电压的电平高于所述第一感测栅极电压的电平，

其中，第一可变电压部分包括设置在第一公共有源图案上彼此隔开的第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极，第一感测栅电极电连接到第一共漏电极。

2.如权利要求1所述的触摸基底，其中：

当没有接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分将所述第一感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极，

当接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分将所述第二感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极。

3.如权利要求1所述的触摸基底，所述触摸基底还包括：

第一开关元件，所述第一开关元件包括：

第一开关栅电极；

第一有源图案，设置在所述第一开关栅电极上；

第一开关源电极，设置在所述第一有源图案上；

第一开关漏电极，设置在所述第一有源图案上并与所述第一开关源电极隔开；

第一感测栅极线，电连接到所述第一开关栅电极，以将第一感测栅极信号传输到所述第一开关栅电极；

第一偏置电压线，电连接到所述第一感测源电极，以将第一偏置电压传输到所述第一感测源电极；

第二偏置电压线，电连接到所述第一可变电压部分，以将第二偏置电压传输到所述第一可变电压部分。

4.如权利要求3所述的触摸基底，其中，所述第一可变电压部分还包括：

第二光阻挡图案，阻挡所述第一光；

第一共栅电极，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极上，并与所述第一公共有源图案叠置，

其中，第一可变源电极设置在所述第二光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线，第二可变源电极电连接到所述第二偏置电压线。

5.如权利要求4所述的触摸基底，其中，所述第一共栅电极电连接到所述第二可变源电极，以接收所述第二偏置电压。

6.如权利要求3所述的触摸基底，所述触摸基底还包括：

第二开关元件，所述第二开关元件包括：

第二开关栅电极；

第三有源图案，设置在所述第二开关栅电极上；

第二开关源电极，设置在所述第三有源图案上；

第二开关漏电极，设置在所述第三有源图案上并与所述第二开关源电极隔开；

第二感测元件，感测第二光，其中，所述第二感测元件包括：

第二感测漏电极，电连接到所述第二开关源电极；

第二感测源电极，与所述第二感测漏电极分开设置；

第四有源图案，设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极之下；

第二感测栅电极，设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极上；

第二可变电压部分，在接收所述第二光的基础上将第三感测栅极电压和第四感测栅极电压中的至少一种提供到所述第二感测栅电极，其中，所述第四感测栅极电压的电平高于所述第三感测栅极电压的电平。

7.如权利要求6所述的触摸基底，所述触摸基底还包括：

第二感测栅极线，电连接到所述第二开关栅电极；

第一读出线，电连接到所述第一开关漏电极，以从所述第一感测元件输出第一感测信号；

第二读出线，电连接到所述第二开关漏电极，以从所述第二感测元件输出第二感测信号。

8.如权利要求6所述的触摸基底，所述触摸基底还包括：

第一光阻挡图案，设置在所述第一感测元件之下，

其中，所述第一光是红外光，所述第二光是可见光，

其中，所述第一光阻挡图案透射所述第一光并吸收所述第二光。

9.如权利要求6所述的触摸基底，所述触摸基底还包括：

第一光阻挡图案，设置在所述第二感测元件之下，

其中，所述第一光是可见光，所述第二光是红外光，

其中，所述第一光阻挡图案透射所述第二光并吸收所述第一光。

10.一种制造触摸基底的方法，所述方法包括：

在基体基底上设置第二光阻挡图案；

在设置有所述第二光阻挡图案的所述基体基底上设置第二有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第二光阻挡图案叠置；

在所述第二有源图案上设置第一感测源电极和第一感测漏电极，其中，所述第一感测源电极与所述第一感测漏电极彼此隔开；

在所述第一公共有源图案上设置第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极，其中，所述第一可变源电极、所述第一共漏电极与所述第二可变源电极相互隔开；

在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极，在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极和所述第一共漏电极上设置第一共栅电极。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述第二有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅锗。

12.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

在设置所述第二有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第一光阻挡图案，

其中，将所述第一光阻挡图案设置成与所述第二有源图案叠置。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第二有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅。

14.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

在所述第一感测源电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一感测漏电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层，在所述第二可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层；

在所述绝缘层上形成接触孔，其中，所述接触孔使所述第二可变源电极暴露，

其中，通过所述接触孔将所述第一共栅电极连接到所述第二可变源电极。

15.一种制造触摸基底的方法，所述方法包括：

在基体基底上设置第二光阻挡图案；

在设置有所述第二光阻挡图案的所述基体基底上设置第二有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第二光阻挡图案叠置；

在所述第二有源图案上设置彼此隔开的第一感测源电极和第一感测漏电极；

在所述第一公共有源图案上设置相互隔开的第一输入电极、第一共输出电极和第二输入电极；

在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共输出电极。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅锗。

17.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括：

在设置所述第二有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第一光阻挡图案，

其中，将所述第一光阻挡图案设置成与所述第二有源图案叠置。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第二有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅。