CN102368520A - 一种倒金字塔形结构led芯片的制备方法 - Google Patents
一种倒金字塔形结构led芯片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102368520A CN102368520A CN2011103311738A CN201110331173A CN102368520A CN 102368520 A CN102368520 A CN 102368520A CN 2011103311738 A CN2011103311738 A CN 2011103311738A CN 201110331173 A CN201110331173 A CN 201110331173A CN 102368520 A CN102368520 A CN 102368520A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cut
- sapphire substrate
- preparation
- led chip
- inverted pyramid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,通过两条激光划痕的角度控制,使多余的蓝宝石衬底分离出来,再经过腐蚀或者机械抛光工艺,使划痕侧面光滑平整。最后,得到外观较好的倒金字塔形LED芯片。
Description
技术领域
本发明涉及GaN基半导体发光器件的制造方法,尤其是一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法。
背景技术
随着氮化镓基化合物发光二极管(LED)在显示和照明领域的广泛应用,客观上对LED需求数量呈现几何级数增加,这样对LED的亮度提出了更高的要求。
众所周知,倒金字塔结构的LED芯片能够大大提高芯片正面的发光效率,目前,制备倒金字塔结构的LED芯片有用切片刀具切割的方法制备,也有利用化学腐蚀的方法直接腐蚀出倒金字塔结构。但是,GaN基LED芯片衬底材料为蓝宝石,硬度较高,化学性质稳定,机械加工中,对刀具的磨损和昂贵的金刚石刀具限制了机械加工的使用。化学腐蚀的方法不易控制倒金字塔结构的倾斜角度,而且在与目前的工艺结合中,往往需要引进新的设备和材料,增加投资,也有可能对芯片带来污染。
目前,在激光切割的过程中,其切割的形貌是一条狭窄而深的划痕,划痕中央为切割后的碎屑,划痕部分分离蓝宝石衬底。因此,可以利用两条划痕组合,将不需要的蓝宝石衬底分离出来,制备倒金字塔形的芯片。整个过程不加工芯片正面的发光层,对内量子效应影响较小。
化学腐蚀是使侧面光滑的一种方法,由于光滑面出光较粗糙面少,因此将激光切割后的侧面划痕加工为光滑面,可以进一步减小侧面出光,提高正面的发光效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,该方法利用激光切割结合抛光工艺技术,在LED芯片上制备倒金字塔结构。
本发明的技术方案为:一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,该方法包括使用激光对管芯侧面倾斜切割,可以使用两束激光同时切割或者一束激光切割多次的方法,在去除多余蓝宝石衬底后,抛光划痕。两次划片的划痕在芯片的衬底内相交,使多余的蓝宝石衬底分离。可以使用蓝膜粘附分离多余蓝宝石衬底,也可以使用超声洗涤工艺,使切割后多余蓝宝石衬底剥离。使划痕侧面光滑,可以使用化学腐蚀方法,也可以使用机械抛光工艺。
本发明的优点在于:1、制备周期短:激光切割可以很快的去除大部分的衬底,化学腐蚀只需要很短的时间即可抛光切割面。2、倾斜角度可控:只需要控制切割的倾斜角度,即可以控制倾斜面的倾斜角度。3、对目前的工艺改变较小,推广容易:只需要在目前的激光切割技术和侧腐技术的基础上作小范围更改。
附图说明
图1为:两颗芯片利用本发明对应的激光倾斜切割示意图;
图2为:两颗芯片利用本发明对应的蓝膜粘附剥离示意图;
图3为:三颗芯片利用本发明对应的切割-剥离方法处理后示意图;
图4为:三颗芯片利用本发明对应的切割-剥离-腐蚀方法处理后示意图;
图5为:裂片后得到的单颗LED芯片示意图;
图6为;裂片后得到的单颗LED芯片示意图。
具体实施方式
按照本发明的LED加工方法,可以使用一束激光分两次切割,使多余蓝宝石衬底分离,也可以使用多束激光同时对衬底进行加工。
按照本发明的LED加工方法,可以使用蓝膜粘附剥离,或者使用其他粘附、冲刷方法,使多余蓝宝石衬底分离。
按照本发明的LED芯片加工方法,可以使用化学方法使侧面光滑,例如腐蚀,也可以使用机械方法,例如砂轮等,使切割后侧面光滑。
需要特别指出的是,本文所使用的制造倒金字塔形结构的加工方法,也可以应用于其他材料的加工。
下面结合附图对本发明进行说明:
图1A中,以两颗芯片为例,7、8、9、10、12、13、14、15均为发光二极管(LED)电极,6为发光层,5为蓝宝石衬底,1、2为激光器,3、4为激光,11为激光切割后划痕。
图1B,以三颗芯片为例,16、17为抛光前划痕,18、19为抛光后划痕,划痕中间的芯片可以形成近似倒金字塔结构的衬底。
图1C为切割后,裂片得到单颗倒金字塔形结构的芯片,20、21为光滑倾斜划痕。
在切割的过程中,使用激光以一定的角度切割蓝宝石衬底,然后在此角度的互补角度上以相同的切割参数进行切割,控制好切割参数,使切割后的划痕在芯片内部相交。于是,多余的蓝宝石衬底被分离出来,划痕分别分离芯片两边的蓝宝石衬底,得到倒金字塔形结构的芯片。由于激光切割后,划痕两边布满碎屑,划痕两边也比较粗糙,因此,使用化学腐蚀或者机械研磨的方法,将多余的碎屑去除,使划痕两边平整光滑。
Claims (4)
1.一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,其特征在于:该方法包括使用激光对管芯侧面倾斜切割,可以使用两束激光同时切割或者一束激光切割多次的方法,在去除多余蓝宝石衬底后,抛光划痕。
2.根据权利要求1所述倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,其特征在于:两次划片的划痕在芯片的衬底内相交,使多余的蓝宝石衬底分离。
3.根据权利要求1或2所述倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,其特征在于:可以使用蓝膜粘附分离多余蓝宝石衬底,也可以使用超声洗涤工艺,使切割后多余蓝宝石衬底剥离。
4.根据权利要求1或2所述倒金字塔形结构LED芯片的制备方法,其特征在于:使划痕侧面光滑,可以使用化学腐蚀方法,也可以使用机械抛光工艺。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011103311738A CN102368520A (zh) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 一种倒金字塔形结构led芯片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011103311738A CN102368520A (zh) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 一种倒金字塔形结构led芯片的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102368520A true CN102368520A (zh) | 2012-03-07 |
Family
ID=45761078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011103311738A Pending CN102368520A (zh) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 一种倒金字塔形结构led芯片的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102368520A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102629651A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-08 | 华灿光电股份有限公司 | 一种倒金字塔形发光二极管的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060243993A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Light emitting diode chip and light emitting diode using the same |
CN101728280A (zh) * | 2008-10-17 | 2010-06-09 | 探微科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
CN102130253A (zh) * | 2011-01-27 | 2011-07-20 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 一种高出光效率的led晶片及其制造方法 |
CN201985156U (zh) * | 2011-01-27 | 2011-09-21 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 一种高出光效率的led晶片 |
-
2011
- 2011-10-27 CN CN2011103311738A patent/CN102368520A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060243993A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Light emitting diode chip and light emitting diode using the same |
CN101728280A (zh) * | 2008-10-17 | 2010-06-09 | 探微科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
CN102130253A (zh) * | 2011-01-27 | 2011-07-20 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 一种高出光效率的led晶片及其制造方法 |
CN201985156U (zh) * | 2011-01-27 | 2011-09-21 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 一种高出光效率的led晶片 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102629651A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-08 | 华灿光电股份有限公司 | 一种倒金字塔形发光二极管的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104157757B (zh) | 一种透明衬底的四元发光二极管及其制备方法 | |
TWI254468B (en) | Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof | |
CN102751398B (zh) | 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 | |
EP1950800A3 (en) | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method | |
TW200605985A (en) | Chemical mechanical polishing pad, manufacturing process thereof and chemical mechanical polishing method for semiconductor wafers | |
CN103943744A (zh) | 一种能提高led光效的芯片加工方法 | |
TW201133954A (en) | Fabrication method of light emitting diode chip having phosphor coating layer | |
JP2013258234A (ja) | 光デバイスの加工方法 | |
TWI229902B (en) | Method for cutting semiconductor wafer using laser scribing process | |
CN102368520A (zh) | 一种倒金字塔形结构led芯片的制备方法 | |
CN110465883B (zh) | 一种led芯片的研磨结构、研磨方法及led芯片 | |
CN102779912A (zh) | 一种白光发光二极管的结构及其制造方法 | |
JP2013165186A (ja) | サファイアウェーハの分割方法 | |
TW200512828A (en) | Method for separating sapphire wafer into chips using dry-etching | |
CN102185046A (zh) | 垂直结构氮化镓基led的制作方法 | |
CN103028767A (zh) | 一种led铝基板v型槽制作方法 | |
CN202378185U (zh) | 一种高速切割用预变形金刚石线锯 | |
CN103325910A (zh) | 基于微切削的led表面强化出光结构的制作方法及多齿刀具 | |
CN102629651A (zh) | 一种倒金字塔形发光二极管的制备方法 | |
CN202503027U (zh) | 一种矩阵式蓝宝石衬底 | |
CN112447890B (zh) | 一种改善led芯片制造良率的方法 | |
CN101350386A (zh) | 发光二极管晶粒切割的方法 | |
JP2007012740A (ja) | 化合物半導体基板の加工方法 | |
TW200903836A (en) | A method of chip cutting of light emitting diodes | |
CN202127041U (zh) | 白光led芯片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120307 |