CN102364700A - 太阳能电池rie工艺温度补偿方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池RIE制绒技术领域,特别是一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,具体步骤如下:首先每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度;然后此温度值将反馈至操作系统,系统根据温度值计算出实际工艺时间,工艺时间计算公式如下:T=T0+a*ln(T1)+b;T:补偿后的工艺时间;T0:设定工艺时间;T1:基板温度;a和b:常数,根据收集的温度与工艺时间数据计算出;最后设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。本发明的有益效果是:通过此发明可解决RIE工艺中反射率随工艺温度波动的缺陷,通过引入温度补偿,自动调节工艺时间,提高RIE工艺稳定性。

Description

太阳能电池RIE工艺温度补偿方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池RIE制绒技术领域,特别是一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法。
背景技术
反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching)简称RIE,是结合(1)物理性的离子轰击与(2)化学反应的蚀刻。此种方式兼具非等向性与高蚀刻选择比等双重优点,蚀刻的进行主要靠化学反应来达成,以获得高选择比。加入离子轰击的作用有二:一是将被蚀刻材质表面的原子键结破坏,以加速反应速率。二是将再沉积于被蚀刻表面的产物或聚合物(Polymer)打掉,以使被蚀刻表面能再与蚀刻气体接触。而非等向性蚀刻的达成,则是靠再沉积的产物或聚合物,沉积在蚀刻图形上,在表面的沉积物可为离子打掉,故蚀刻可继续进行,而在侧壁上的沉积物,因未受离子轰击而保留下来,阻隔了蚀刻表面与反应气体的接触,使得侧壁不受蚀刻,而获得非等向性蚀刻。通过调整气体流量及射频能量可获得非常低的反射率,提高短路电流,因而可应用于多晶太阳能电池的制绒工艺上。
现有RIE工艺在连续作业时,因为等离子体的轰击,基板温度逐渐升高,制作出的电池片反射率随之升高。这将导致最终的电池片电性能受影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,引入温度补偿系数以稳定反射率,提高RIE工艺的稳定性。
本发明解决其技术问题所采用的方案是:一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,具体步骤如下:
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度;
b)此温度值将反馈至操作系统,系统根据温度值计算出实际工艺时间,工艺时间计算公式如下:
T=T0+a*ln(T1)+b;
T:补偿后的工艺时间;
T0:设定工艺时间;
T1:基板温度;
a和b:常数,根据收集的温度与工艺时间数据计算出;
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。
进一步地,根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法(过程)为:
假设基板温度T1=X1时,根据实际的反射率结果手动调整工艺时间,当反射率达到要求时,得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1:
Y1=T0+a*X1+b
按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2,带入公式可得到公式2:
Y2=T0+a*X2+b
公式1和公式2中只有a和b为未知数,因此可根据这两个公式计算出a,b值。
本发明的有益效果是:通过此发明可解决RIE工艺中反射率随工艺温度波动的缺陷,通过引入温度补偿,自动调节工艺时间,提高RIE工艺稳定性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明;
图1是本发明所使用的设备的结构示意图;
图中,1.气体管路、2.喷淋头,3.基板,4.热电偶或红外线温度侦测仪,5.控制系统,6.流量控制器。
具体实施方式
一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,具体步骤如下:
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度;
b)此温度值将反馈至操作系统,系统根据温度值计算出实际工艺时间,工艺时间计算公式如下:
T=T0+a*ln(T1)+b;
T:补偿后的工艺时间;
T0:设定工艺时间;
T1:基板温度;
a和b:常数,根据收集的温度与工艺时间数据计算出;
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。
d)进一步地,根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法(过程)为:
e)假设基板温度T1=X1时,根据实际的反射率结果手动调整工艺时间,当反射率达到要求时,得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1:
f)Y1=T0+a*X1+b
g)按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2,带入公式可得到公式2:
h)Y2=T0+a*X2+b
i)公式1和公式2中只有a和b为未知数,因此可根据这两个公式计算出a,b值。
RIE设备结构如图1所示,包括反应腔、气体管路1和喷淋头2,电池片4放置在反应腔内,基板3位于反应腔内,硅片放置在基板3上,喷淋头2位于反应腔的顶部,反应气体通过气体管路1输送,从喷淋头2进入反应腔,在气体管路1上设置流量控制器6,可调整流量。通过热电偶或红外线温度侦测仪4侦测基板温度,在控制系统5中,根据本发明的方法对工艺时间进行补偿,并将补偿后的工艺时间作为实际工艺时间。
实施例1:
当系统初始设定工艺时间T0=65;
a=50.34;
b=172.54;
当温度T1=34度时,带入公式计算计算出的实际工艺时间为70s,RIE设备以该实际工艺时间进行制绒作业;
当温度T1=37.55度时,带入公式计算计算出的实际工艺时间为75s,RIE设备以该实际工艺时间进行制绒作业。

Claims (2)

1.一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,其特征是:具体步骤如下:
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度;
b)此温度值将反馈至操作系统,系统根据温度值计算出实际工艺时间,工艺时间计算公式如下:
T=T0+a*ln(T1)+b;
T:补偿后的工艺时间;
T0:设定工艺时间;
T1:基板温度;
a和b:常数,根据收集的温度与工艺时间数据计算出;
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,其特征是:根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法为:
假设基板温度T1=X1时,根据实际的反射率结果手动调整工艺时间,当反射率达到要求时,得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1:
Y1=T0+a*X1+b
按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2,带入公式可得到公式2:
Y2=T0+a*X2+b
根据这两个公式计算出a,b值。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102903796A (zh) * 2012-10-22 2013-01-30 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池rie制绒装置
WO2023123629A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 一种高温硅片间接控温方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161868A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06104209A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH1161868A (ja) * 1997-08-13 1999-03-05 Kobe Steel Ltd 繊維強化樹脂製マンホール蓋
US6156629A (en) * 1998-10-01 2000-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for patterning a polysilicon gate in deep submicron technology
CN1873914A (zh) * 2005-06-02 2006-12-06 东京毅力科创株式会社 基板处理方法、基板处理程序及存储介质
WO2009158552A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Carben Semicon Limited Patterned integrated circuit and method of production thereof
US20110046916A1 (en) * 2009-08-21 2011-02-24 First Solar, Inc. Pyrometer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161868A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06104209A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH1161868A (ja) * 1997-08-13 1999-03-05 Kobe Steel Ltd 繊維強化樹脂製マンホール蓋
US6156629A (en) * 1998-10-01 2000-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for patterning a polysilicon gate in deep submicron technology
CN1873914A (zh) * 2005-06-02 2006-12-06 东京毅力科创株式会社 基板处理方法、基板处理程序及存储介质
WO2009158552A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Carben Semicon Limited Patterned integrated circuit and method of production thereof
US20110046916A1 (en) * 2009-08-21 2011-02-24 First Solar, Inc. Pyrometer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102903796A (zh) * 2012-10-22 2013-01-30 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池rie制绒装置
CN102903796B (zh) * 2012-10-22 2015-05-20 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池rie制绒装置
WO2023123629A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 一种高温硅片间接控温方法

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