CN102364700B - 太阳能电池rie工艺温度补偿方法 - Google Patents

太阳能电池rie工艺温度补偿方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102364700B
CN102364700B CN2011103294427A CN201110329442A CN102364700B CN 102364700 B CN102364700 B CN 102364700B CN 2011103294427 A CN2011103294427 A CN 2011103294427A CN 201110329442 A CN201110329442 A CN 201110329442A CN 102364700 B CN102364700 B CN 102364700B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
process time
technology
rie
compensation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2011103294427A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102364700A (zh
Inventor
钟明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trina Solar Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd filed Critical Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Priority to CN2011103294427A priority Critical patent/CN102364700B/zh
Publication of CN102364700A publication Critical patent/CN102364700A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102364700B publication Critical patent/CN102364700B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及太阳能电池RIE制绒技术领域，特别是一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法，具体步骤如下：首先每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度；然后此温度值将反馈至操作系统，系统根据温度值计算出实际工艺时间，工艺时间计算公式如下：T＝T0+a*ln(T1)+b；T：补偿后的工艺时间；T0：设定工艺时间；T1：基板温度；a和b：常数，根据收集的温度与工艺时间数据计算出；最后设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。本发明的有益效果是：通过此发明可解决RIE工艺中反射率随工艺温度波动的缺陷，通过引入温度补偿，自动调节工艺时间，提高RIE工艺稳定性。

Description

太阳能电池RIE工艺温度补偿方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池RIE制绒技术领域，特别是一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法。
背景技术
反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching)简称RIE，是结合(1)物理性的离子轰击与(2)化学反应的蚀刻。此种方式兼具非等向性与高蚀刻选择比等双重优点，蚀刻的进行主要靠化学反应来达成，以获得高选择比。加入离子轰击的作用有二：一是将被蚀刻材质表面的原子键结破坏，以加速反应速率。二是将再沉积于被蚀刻表面的产物或聚合物(Polymer)打掉，以使被蚀刻表面能再与蚀刻气体接触。而非等向性蚀刻的达成，则是靠再沉积的产物或聚合物，沉积在蚀刻图形上，在表面的沉积物可为离子打掉，故蚀刻可继续进行，而在侧壁上的沉积物，因未受离子轰击而保留下来，阻隔了蚀刻表面与反应气体的接触，使得侧壁不受蚀刻，而获得非等向性蚀刻。通过调整气体流量及射频能量可获得非常低的反射率，提高短路电流，因而可应用于多晶太阳能电池的制绒工艺上。
现有RIE工艺在连续作业时，因为等离子体的轰击，基板温度逐渐升高，制作出的电池片反射率随之升高。这将导致最终的电池片电性能受影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法，引入温度补偿系数以稳定反射率，提高RIE工艺的稳定性。
本发明解决其技术问题所采用的方案是：一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法，具体步骤如下：
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度；
b)此温度值将反馈至操作系统，系统根据温度值计算出实际工艺时间，工艺时间计算公式如下：
T=T0+a*ln(T1)+b；
T:补偿后的工艺时间；
T0：设定工艺时间；
T1：基板温度；
a和b：常数，根据收集的温度与工艺时间数据计算出；
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。
进一步地，根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法（过程）为：
假设基板温度T1＝X1时，根据实际的反射率结果手动调整工艺时间，当反射率达到要求时，得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1：
Y1＝T0+a*X1+b
按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2，带入公式可得到公式2：
Y2=T0+a*X2+b
公式1和公式2中只有a和b为未知数，因此可根据这两个公式计算出a,b值。
本发明的有益效果是：通过此发明可解决RIE工艺中反射率随工艺温度波动的缺陷，通过引入温度补偿，自动调节工艺时间，提高RIE工艺稳定性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；
图1是本发明所使用的设备的结构示意图；
图中，1.气体管路、2.喷淋头，3.基板，4.热电偶或红外线温度侦测仪，5.控制系统，6.流量控制器。
具体实施方式
一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法，具体步骤如下：
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度；
b)此温度值将反馈至操作系统，系统根据温度值计算出实际工艺时间，工艺时间计算公式如下：
T=T0+a*ln(T1)+b；
T:补偿后的工艺时间；
T0：设定工艺时间；
T1：基板温度；
a和b：常数，根据收集的温度与工艺时间数据计算出；
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。
d)进一步地，根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法（过程）为：
e)假设基板温度T1＝X1时，根据实际的反射率结果手动调整工艺时间，当反射率达到要求时，得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1：
f)Y1=T0+a*X1+b
g)按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2，带入公式可得到公式2：
h)Y2=T0+a*X2+b
i)公式1和公式2中只有a和b为未知数，因此可根据这两个公式计算出a,b值。
RIE设备结构如图1所示，包括反应腔、气体管路1和喷淋头2，电池片4放置在反应腔内，基板3位于反应腔内，硅片放置在基板3上，喷淋头2位于反应腔的顶部，反应气体通过气体管路1输送，从喷淋头2进入反应腔，在气体管路1上设置流量控制器6，可调整流量。通过热电偶或红外线温度侦测仪4侦测基板温度，在控制系统5中，根据本发明的方法对工艺时间进行补偿，并将补偿后的工艺时间作为实际工艺时间。
实施例1：
当系统初始设定工艺时间T0=65；
a=50.34；
b=172.54；
当温度T1＝34度时，带入公式计算计算出的实际工艺时间为70s，RIE设备以该实际工艺时间进行制绒作业；
当温度T1＝37.55度时，带入公式计算计算出的实际工艺时间为75s，RIE设备以该实际工艺时间进行制绒作业。

Claims (1)

1.一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法，其特征是：具体步骤如下：
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度；
b)此温度值将反馈至操作系统，系统根据温度值计算出实际工艺时间，工艺时间计算公式如下：
T=T0+a*ln(T1)+b；
T:补偿后的工艺时间；
T0：设定工艺时间；
T1：基板温度；
a和b：常数，根据收集的温度与工艺时间数据计算出；
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间；
根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法为：
假设基板温度T1＝X1时，根据实际的反射率结果手动调整工艺时间，当反射率达到要求时，得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1：
Y1＝T0+a*X1+b
按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2，带入公式可得到公式2：
Y2=T0+a*X2+b
根据这两个公式计算出a,b值。
CN2011103294427A 2011-10-26 2011-10-26 太阳能电池rie工艺温度补偿方法 Active CN102364700B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103294427A CN102364700B (zh) 2011-10-26 2011-10-26 太阳能电池rie工艺温度补偿方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103294427A CN102364700B (zh) 2011-10-26 2011-10-26 太阳能电池rie工艺温度补偿方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102364700A CN102364700A (zh) 2012-02-29
CN102364700B true CN102364700B (zh) 2013-03-27

Family

ID=45691258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103294427A Active CN102364700B (zh) 2011-10-26 2011-10-26 太阳能电池rie工艺温度补偿方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102364700B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102903796B (zh) * 2012-10-22 2015-05-20 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池rie制绒装置
CN115111929B (zh) * 2021-12-30 2023-01-10 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 一种高温硅片间接控温方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161868A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06104209A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH1161868A (ja) * 1997-08-13 1999-03-05 Kobe Steel Ltd 繊維強化樹脂製マンホール蓋
US6156629A (en) * 1998-10-01 2000-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for patterning a polysilicon gate in deep submicron technology
JP4594800B2 (ja) * 2005-06-02 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理プログラム及び記憶媒体
WO2009158552A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Carben Semicon Limited Patterned integrated circuit and method of production thereof
US20110046916A1 (en) * 2009-08-21 2011-02-24 First Solar, Inc. Pyrometer

Also Published As

Publication number Publication date
CN102364700A (zh) 2012-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103915308B (zh) 一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
KR102265231B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101408456B1 (ko) 다중-구역 종료점 검출기
US7430496B2 (en) Method and apparatus for using a pressure control system to monitor a plasma processing system
JP2019537240A5 (zh)
TWI552222B (zh) 用於介電蝕刻的負離子控制
CN104347340B (zh) 蚀刻速率模拟及其在室内和室对室匹配中的用途
US10699909B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
Ayon et al. Influence of coil power on the etching characteristics in a high density plasma etcher
CN103866257B (zh) 一种三频高密度等离子体辅助磁控溅射薄膜的制备方法
CN1998069A (zh) 利用v－i探针识别的等离子体蚀刻终点检测方法
CN102364700B (zh) 太阳能电池rie工艺温度补偿方法
EP2924000B1 (en) Substrate etching method
CN115461494A (zh) 用于监测半导体过程的系统和方法
Nakazaki et al. Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products
CN104183514A (zh) 改善tsv刻蚀工艺的系统及刻蚀终点监测方法
JP5967710B2 (ja) プラズマエッチングの終点検出方法
KR20170035790A (ko) 저 전력 전압 모드 동작을 위한 사이클 평균된 주파수 튜닝
Chen et al. Time-resolved ion energy distribution in pulsed inductively coupled argon plasma with/without DC bias
CN103745945A (zh) 一种深硅通孔刻蚀装置及其刻蚀方法
JP2014072269A5 (zh)
CN108573867A (zh) 硅深孔刻蚀方法
KR20170021217A (ko) 스페이서 측벽 마스크를 스컬프팅하기 위한 방법 및 시스템
CN103646897B (zh) 铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法
Scofield et al. Investigation of dilute SF 6 discharges for application to SiC reactive ion etching

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou

Patentee after: trina solar Ltd.

Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou

Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd.

Address after: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou

Patentee after: TRINASOLAR Co.,Ltd.

Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou

Patentee before: trina solar Ltd.