CN102903796A - 一种晶体硅太阳能电池rie制绒装置 - Google Patents

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Abstract

本发明属于晶体硅太阳能电池制绒设备技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置。该装置包括反应室、气体管道、喷淋装置和反应离子挡板，其中，喷淋装置位于反应室的顶部，气体管道上设置有流量控制器；硅片正面上方添加反应离子挡板。本发明可以改善电池片在后续组件的焊接性能，有利于提高组件的稳定性和转化效率；另外，本发明可控性好，灵活性高，适用于晶体硅太阳能电池的工业化生产。

Description

一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置
技术领域
本发明属于晶体硅太阳能电池制绒设备技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置。
背景技术
太阳能作为一种绿色能源，以其取之不竭、无污染、不受地域资源限制等优点越来越受到人们的重视。在太阳电池的研制历程中曾使用过各种半导体，硅是其中最重要的一种。按丰度排列．硅是地球上第二大元素。硅是单元素半导体，无毒，废弃硅对环境没有污染。因此硅至今仍是太阳电池的最佳选用材料。
在太阳能电池的制造工艺流程中，RIE制绒逐渐成为降低晶体硅表面反射率，提高陷光效果的重要方法，尤其是在多晶硅方面，大大的减少了硅的表面反射率，提高了电池的转化效率。但是，在后续电池可靠性方面，电池主栅的焊接拉力也随着降低。这样，在一定程度上增加组件的串联电阻，降低组件效率和功率，在后期的组件稳定性留下了隐患。
发明内容
本发明的目的是针对上述存在的问题而提供的一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，该装置可控性好，灵活性高，适用于晶体硅太阳能电池的工业化生产。
本发明的一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置采用的技术方案为：包括反应室、气体管道、喷淋装置和反应离子挡板，其中，喷淋装置位于反应室的顶部，反应气体通过气体管道由喷淋装置进入反应室，气体管道上设置有流量控制器；在硅片的制绒过程中，在硅片正面上方添加反应离子挡板，通过控制反应离子档板的位置，实现电池主栅区域未制绒的效果。
所述的反应离子挡板位于电池正面上方0-100cm。
所述的反应离子挡板位于电池正面上方0.01-10cm。
反应离子挡板位于硅片正面电池主栅区域正上方，形状与电池主栅区域的形状一致。反应离子挡板的宽度为0-30cm；所述的反应离子挡板的宽度优选为0.01-5cm。
应离子挡板为至少一个，反应离子挡板之间相互平行。
反应离子挡板由耐腐蚀材料制成。反应离子挡板优选由石墨制成；或者是由耐腐蚀的陶瓷材料、金属材料或高分子材料的其中一种或几种制成。
本发明的有益效果是：本发明的一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置包括反应室、气体管道、喷淋装置，喷淋装置位于反应室的顶部，反应气体通过气体管道由喷淋装置进入反应室，气体管道上设置有流量控制器，反应室中还设有反应离子挡板，置于需制绒硅片的正面上方。该装置可控性好，灵活性高，能够准确地在硅片电池主栅区域以外的区域制绒，实现电池主栅区域未制绒的效果，适用于晶体硅太阳能电池的工业化生产。另外，多个反应离子挡板的设计可以更好的适应产线工艺的变更。采用该装置制备的晶体硅太阳能电池可以改善其焊接拉力，提高组件性能的稳定性以及转化效率。
附图说明：
图1所示为本发明的结构示意图；
图2所示为本发明实施效果图。
图中，1.反应室，2. 气体管道，3.喷淋装置， 4.反应离子挡板，5. 流量控制器，6.硅片， 7. 电池主栅区域。
具体实施方式：
为了更好地理解本发明，下面结合附图和实例来说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。
一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，包括反应室1、气体管道2、喷淋装置3和反应离子挡板4，其中，喷淋装置3位于反应室1的顶部，反应气体通过气体管道2由喷淋装置3进入反应室1，气体管道2上设置有流量控制器5；在硅片6的制绒过程中，在硅片6正面上方添加反应离子挡板4，通过控制反应离子档板4的位置，实现电池主栅区域7未制绒的效果。
所述的反应离子挡板4位于硅片6正面上方0-100cm。
所述的反应离子挡板4位于硅片6正面上方0.01-10cm。
反应离子挡板4位于硅片正面电池主栅区域7正上方，形状与电池主栅区域7的形状一致。反应离子挡板4的宽度为0-30cm；所述的反应离子挡板4的宽度优选为0.01-5cm。
所述的反应离子挡板4为至少一个，而且多个反应离子挡板4之间相互平行。
反应离子挡板4由耐腐蚀材料制成。反应离子挡板4优选由石墨制成,或者是由耐腐蚀的陶瓷材料、金属材料或高分子材料的其中一种或几种制成。
采用该装置制备的晶体硅太阳能电池可以改善其焊接拉力，提高组件性能的稳定性以及转化效率。

Claims (10)

1.一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，包括反应室、气体管道、喷淋装置，其特征在于，喷淋装置位于反应室的顶部，反应气体通过气体管道由喷淋装置进入反应室，气体管道上设置有流量控制器，反应室中还设有反应离子挡板，置于需制绒硅片的正面上方。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板位于硅片正面上方0-100cm。
3. 根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板位于硅片正面上方0.01-10cm。
4. 根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板位于硅片正面电池主栅区域正上方，形状与电池主栅区域的形状一致。
5. 根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：遮挡在硅片电池主栅区域上方的反应离子挡板的宽度为0-30cm。
6. 根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：遮挡在硅片电池主栅区域上方的反应离子挡板的宽度为0.01-5cm。
7. 根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板为至少一个，反应离子挡板之间相互平行。
8. 根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板由耐腐蚀材料制成。
9. 根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板由石墨制成。
10. 根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板由耐腐蚀的陶瓷材料、金属材料或高分子材料的其中一种或几种制成。
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