CN102354665A - 内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供了一种内置光刻胶检测单元的退火装置，包括：叉件，用于运输晶圆；晶舟，所述叉件将晶圆运输至晶舟内；退火单元，移动晶舟，使晶圆进入退火单元内；光刻胶检测单元，在进行退火之前，叉件将晶圆放入光刻胶检测单元内，进行光刻胶残留检测。相应的，本发明的实施例还提供了一种采用上述退火装置进行光刻胶检测的方法，在对晶圆退火处理前，先利用光刻胶检测单元判断所述晶圆表面是否残留有光刻胶，避免表面残留有光刻胶的晶圆进入退火单元并对其造成污染，保证了后续形成的半导体器件的质量稳定。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法。
背景技术
半导体器件的形成过程中，通常利用光刻工艺将掩模板上的掩膜图形转移到晶圆(wafer)表面的光刻胶层中，再将掩膜图形通过刻蚀工艺转移到晶圆中，或者以所述光刻胶层为掩膜对晶圆进行离子注入，最后再将光刻胶层去除。通常为了使后续形成的半导体器件的性能更好，还需要在离子注入工艺结束后或在沉积某一功能层后进行退火处理。
请参考图1，现有技术的半导体器件的形成工艺包括：
步骤S101，提供晶圆；形成位于所述晶圆表面的图形化的光刻胶层；
步骤S103，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述晶圆或对所述晶圆进行离子注入；
步骤S105，待刻蚀所述晶圆或对所述晶圆进行离子注入后，去除所述光刻胶层；
步骤S107，对去除光刻胶层后的晶圆进行退火处理。
现有技术的退火装置极易受到污染。
更多关于半导体器件的形成工艺请参考公开号为“US20080308910A1”的美国专利。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法，有效防止表面具有光刻胶的晶圆进入退火装置退火，不会污染退火装置。
为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种内置光刻胶检测单元的退火装置，包括：
叉件，用于运输晶圆；
晶舟，所述叉件将晶圆运输至晶舟内；
退火单元，移动晶舟，使晶圆进入退火单元内；
光刻胶检测单元，在进行退火之前，叉件将晶圆放入光刻胶检测单元内，进行光刻胶残留检测。
可选地，所述光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪。
可选地，所述红外光谱仪包括：光源，发射单光束；干涉仪，接收光源出射的单光束，将所述单光束分光为第一光束、第二光束，并使所述第一光束和第二光束发生干涉，形成干涉光信号；样品室，承载样品，样品接收干涉仪入射的干涉光信号，干涉光信号经过反射后，形成反射光信号；检测器，接收从样品室出射的反射光信号，得到样品的检测光谱；分析单元，获取检测器测得的检测光谱，并将所述检测光谱和单元内的光刻胶的特征光谱进行比较，判断样品表面是否具有光刻胶。
可选地，所述干涉仪包括：分光部件，接收光源出射的单光束，将所述单光束分光为第一光束、第二光束，反射所述第一光束，透射所述第二光束；固定反射镜，接收并反射由分光部件反射的第一光束；运动反射镜，接收并反射由分光部件透射的第二光束。
可选地，所述分光部件为半透半反镜。
可选地，退火装置外具有晶圆盒，所述叉件先从晶圆盒中取出晶圆，并将晶圆放于光刻胶检测单元内。
可选地，所述晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离为6-7mm。
可选地，所述退火单元位于所述晶舟的上方。
可选地，所述退火单元为炉管。
可选地，所述晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离为5-6mm。
可选地，所述叉件包括5-10个相互平行的子叉件。
可选地，相邻两个子叉件之间的距离可以调整，使所述相邻两个子叉件之间的距离与晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离或晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离相等。
一种采用上述内置光刻胶检测单元的退火装置的光刻胶的检测方法，包括：
存在一批晶圆，其中一部分所述晶圆表面残留有光刻胶；
采用叉件夹取晶圆，将夹取的所述晶圆放入光刻胶检测单元内；
光刻胶检测单元对夹取的晶圆表面进行光刻胶残留检测；
采用叉件将经过光刻胶检测单元检测、表面没有光刻胶残留的晶圆放置到晶舟中；
将所述装有晶圆的晶舟放置到退火单元内，进行退火处理。
可选地，所述光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪。
可选地，所述红外光谱仪进行光刻胶残留检测的具体步骤包括：光源发射单光束；干涉仪接收光源出射的单光束，并将所述单光束分光为第一光束和第二光束，并使所述第一光束和第二光束发生干涉，形成干涉光信号；所述干涉光进入承载有样品的样品室，样品接收干涉仪入射的干涉光信号，干涉光信号经过反射后，形成反射光信号；检测器接收从样品室出射的反射光信号，得到样品的检测光谱；分析单元将所述检测光谱和分析单元内的光刻胶的特征光谱进行比较，判断样品表面是否具有光刻胶。
可选地，所述判断样品表面是否具有光刻胶的具体方法为：若所述检测光谱中包含光刻胶的特征光谱的波峰，则所述晶圆表面残留有光刻胶；若所述检测光谱中不包含光刻胶的特征光谱的波峰，则所述晶圆表面没有光刻胶残留。
可选地，所述光刻胶的特征光谱为C-O键的特征光谱。
与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：
本发明实施例中，退火装置内部包括光刻胶检测单元，所述光刻胶检测单元可以在进入退火单元之前，预先对晶圆的表面进行检测，判断从晶圆盒中取出的晶圆表面是否残留有光刻胶，再将表面没有光刻胶残留的晶圆装在晶舟中进入退火单元退火，有效防止了表面具有光刻胶的晶圆进入退火单元内，光刻胶经碳化后的物质污染退火装置中的退火单元，保证了后续形成的半导体器件的质量稳定。
进一步的，本发明实施例的光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪，将叉件夹取出的晶圆放在晶舟中进入退火单元进行退火前，对所述夹取出的晶圆进行光谱检测，获得检测光谱，然后将所述检测光谱与光刻胶的特征光谱(C-O特征光谱)进行对比，判断所述从晶圆盒取出的晶圆表面是否残留有光刻胶，判断方法简单有效。
更进一步的，本发明实施例采用的叉件中相邻两个子叉件的距离可以根据晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离和晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离做出相应的调节。本发明实施例在调节相邻两个子叉件的距离的同时，对所述从晶圆盒取出的晶圆进行光谱检测，节省了工序和工艺时间。
附图说明
图1是本发明实施例的半导体器件的形成方法的流程结构示意图；
图2是本发明实施例的内置光刻胶检测单元的退火装置的结构示意图；
图3是本发明实施例的红外光谱仪的结构示意图；
图4是本发明实施例的干涉仪的结构示意图；
图5是本发明实施例的晶圆盒的剖面结构示意图；
图6是本发明实施例的晶舟的剖面结构示意图；
图7是本发明实施例的光刻胶的检测方法的流程结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术的退火装置容易受到污染。经过研究，本发明的发明人发现，现有技术半导体器件的形成过程中，有可能误将还未去除光刻胶层的晶圆送到退火装置内退火，或者将虽然去除了光刻胶层，但晶圆的局部表面还残留有光刻胶的晶圆送到退火装置内退火，此类表面具有光刻胶层或局部残留有光刻胶的晶圆，进入到退火装置退火污染了退火装置。
经过进一步研究，本发明的发明人发现，光刻胶中的主要成分是C-O，光刻胶在退火工艺时，其中的C-O会被碳化形成颗粒物(particle)，所述颗粒物无论是位于所述晶圆的表面或内部，都会对后续工艺造成影响。
更进一步的，本发明的发明人发现，在进行下一工艺步骤之前，可以先采用光谱仪对去除光刻胶层后的晶圆进行光谱检测，将检测得到的检测光谱与光刻胶的特征光谱(即C-O的特征光谱)进行比较，判断所述晶圆表面是否有光刻胶层残留，将晶圆表面没有光刻胶层残留的晶圆进行下一工艺步骤。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
请参考图2，图2为本发明实施例的内置光刻胶检测单元的退火装置的结构示意图。
本发明实施例的内置光刻胶检测单元的退火装置200，包括：
叉件203，用于运输晶圆；
晶舟205，所述叉件203将晶圆运输至晶舟205内；
退火单元207，移动晶舟205，使晶圆进入退火单元207内；
光刻胶检测单元201，在进行退火之前，叉件203将晶圆放入光刻胶检测单元201内，进行光刻胶残留检测。
其中，为了保护从一个工艺机台运送到另一个工艺机台过程中晶圆不受污染，所述退火装置外具有晶圆盒100，所述晶圆装在晶圆盒100中，当装有晶圆的晶圆盒100运送到退火装置后，叉件203用于从晶圆盒100中取出晶圆，运输所述晶圆。在本发明的实施例中，为节省工艺时间，所述叉件位于所述晶圆盒100和晶舟205之间。
需要说明的是，本发明实施例采用的晶圆盒100的结构请参考图5，所述晶圆盒100内相邻两个晶圆601之间的距离h1为6-7mm。本发明实施例中，所述晶圆盒100内相邻两个晶圆601之间的距离h1为6.35mm。
为了一次能够取出多个晶圆，节省工艺时间，提高工作效率，所述叉件203包括多个相互平行的子叉件(未图示)，例如5-10个子叉件。相连两个子叉件之间的距离可以调整，使所述相邻两个子叉件之间的距离与晶圆盒100内相邻两个晶圆601之间的距离h1(请参考图5)或晶舟205中相邻两个晶圆槽603之间的距离h2(请参考图6)相等。在本发明的实施例中，所述叉件203包括5个相互平行的子叉件。
所述光刻胶检测单元201，位于晶圆盒100和晶舟205之间、且位于叉件203的上方，用于将从晶圆盒100中取出的晶圆放在晶舟205中进入退火单元207退火处理前，对从晶圆盒100中取出的晶圆表面进行光刻胶残留检测。
发明人考虑到，若将所述光刻胶检测单元201设在退火装置的外部，所述光刻胶检测单元201的位置必须位于所述装有晶圆的晶圆盒100从上一工艺机台到退火装置的路径中，然而实际过程中，上一工艺机台并不是固定不变的，而且在用机械手或人工搬运晶圆盒从上一工艺机台到退火装置的路径并不是固定的，实际操作不易实现；若在紧挨着上一工艺机台或退火装置处设置一个小平台用于设置光刻胶检测单元201，虽然可以解决上述问题，但是增加了工序，效率低下。因此，为了便于操作，且不增加原有工序，提高效率，本发明实施例的发明人将光刻胶检测单元201集成到了所述退火装置的内部，并且位于所述晶圆盒100到晶舟205之间的路径上方。
在本发明的实施例中，所述光刻胶检测单元201采用的仪器为红外光谱仪。请参考图3，图3示出了本发明实施例的红外光谱仪的结构示意图。
本发明实施例的红外光谱仪包括：光源301，发射单光束；干涉仪303，接收光源出射的单光束，将所述单光束分光为第一光束、第二光束，并使所述第一光束和第二光束发生干涉，形成干涉光信号；样品室305，承载样品，样品接收干涉仪入射的干涉光信号，干涉光信号经过反射后，形成反射光信号；检测器307，接收从样品室305出射的反射光信号，得到样品的检测光谱；分析单元309，获取检测器307测得的检测光谱，并将对所述检测光谱和单元内的光刻胶的特征光谱进行比较，判断样品表面是否具有光刻胶。
其中，请参考图4，所述干涉仪包括：分光部件501，接收光源301发出的单光束，将所述单光束分光为第一光束I、第二光束II，反射所述第一光束I，透射所述第二光束II；固定反射镜503，接收并反射由光源出射的501反射的第一光束I；运动反射镜505，用于不断运动、接收并反射由光源出射的501透射的第二光束II，最后经固定反射镜503反射的第一光束I和经运动反射镜505的第二光束II发生干涉，获得干涉光信号。本发明的实施例中，所述分光部件501为半透半反镜。
所述干涉仪的工作原理为：将光源301发出的单束光经过干涉仪303，分光成第一光束I和第二光束II，通过连续改变干涉仪303中的运动反射镜503的位置，可在检测器307上得到一个干涉强度Is对光程差S或时间t和辐射频率的干涉图。
请结合参考图3和图4，所述红外光谱仪的工作原理为：用所述经过干涉仪303后的光照射叉件从晶圆盒中取出的晶圆，所述晶圆吸收了干涉光信号中某些频率的能量，使得反射光信号的强度较之前的干涉光信号发生了变化，得到了检测光谱。
所述红外光谱仪的光源301、干涉仪303、样品室305、检测器307均集成在退火装置内部，构成图2所示的光刻胶检测单元201。
需要说明的是，红外光谱仪的分析单元309通过电脑中的分析软件实现，所述分析软件可以安装在用于监测退火装置的退火过程的电脑中。
请继续参考图2，所述晶舟205用于放置晶圆，然后将所述放有晶圆的晶舟205放入退火单元207内，用于后续退火。请参考图6，所述晶舟包括晶圆槽603，所述晶舟205中相邻两个晶圆槽603之间的距离h2为5-6mm。本发明实施例中，所述晶舟205中相邻两个晶圆槽603之间的距离h2为5.2mm。
本发明实施例中，考虑到晶圆盒中相邻两个晶圆之间的距离h1和晶舟205中相邻两个晶圆槽603之间的距离h2先将所述叉件203的相邻子叉件的距离设为6.35mm，待从所述晶圆盒100中取出晶圆后，将所述叉件203的相邻子叉件的距离调整为5.2mm。本发明实施例中，所述叉件203在所述光刻胶检测单元201的样品室中调整相邻子叉件的距离，节省了工艺时间。
所述退火单元207位于所述晶舟205的上方，用于对晶圆进行退火处理。在本发明的实施例中，所述退火单元207为炉管。若进入炉管中退火的晶圆表面残留有光刻胶，那么光刻胶在退火时会碳化形成颗粒状物质，一部分会附着在晶圆表面或进入晶圆内部，影响后续形成的半导体器件的质量，另一部分会残留在炉管内，污染了炉管，影响退火工艺的正常进行，需要定期进行清洁。
本发明实施例中，由于预先对晶圆进行了光刻胶检测，有效防止了表面具有光刻胶或残留有部分光刻胶的晶圆进入炉管，从根本上解决了退火装置容易受到污染的问题。
相应的，请参考图7，本发明实施例的发明人还提供了一种采用上述内置光刻胶检测单元的退火装置的光刻胶的检测方法，包括：
步骤S401，存在一批晶圆，其中一部分所述晶圆表面残留有光刻胶；
步骤S403，采用叉件夹取晶圆，将夹取的所述晶圆放入光刻胶检测单元内；
步骤S405，光刻胶检测单元对夹取的晶圆表面进行光刻胶残留检测；
步骤S407，采用叉件将经过光刻胶检测单元检测、表面没有光刻胶残留的晶圆放置到晶舟中；
步骤S409，将所述装有晶圆的晶舟放置到退火单元内，进行退火处理。
具体的，请继续参考图2，所述光刻胶检测单元201采用的仪器为红外光谱仪。所述红外光谱仪的结构示意图请参考图3和关于内置光刻胶检测单元的退火装置中的描述，所述红外光谱仪进行光刻胶残留检测的具体步骤包括：光源301发射单光束；干涉仪303接收光源301出射的单光束，并将所述单光束分光为第一光束和第二光束，并使所述第一光束和第二光束发生干涉，形成干涉光信号；所述干涉光进入承载有样品的样品室305，样品接收干涉仪入射的干涉光信号，干涉光信号经过反射后，形成反射光信号；检测器307接收从样品室305出射的反射光信号，得到样品的检测光谱；分析单元309将所述检测光谱和分析单元309内的光刻胶的特征光谱进行比较，判断样品表面是否具有光刻胶。
采用叉件203取出晶圆盒100中的晶圆时，所述相邻子叉件之间的距离与所述晶圆盒100中相邻两个晶圆的距离h1相同，在本发明的实施例中，从晶圆盒100中取出晶圆时，所述相邻子叉件之间的距离为6.35mm。
需要说明的是，由于本发明实施例的晶圆盒100内相邻两个晶圆之间的距离h1与晶舟205中的相邻两个晶圆槽之间的距离h2并不相同，所述叉件在将经过光刻胶检测后合格的晶圆放到晶舟205内之前，还需要调整叉件203中相邻两个子叉件之间的距离，调整所述相邻两个子叉件之间的距离需要花费的时间0.5-3S。在本发明的实施例中，调整所述相邻两个子叉件之间的距离需要花费的时间为1S，为了节省工艺时间，调整所述叉件203的相邻两个子叉件之间的距离与光刻胶检测同时进行。
将所述取出的所述晶圆放在光刻胶检测单元201内指的是将所述取出的晶圆放在红外光谱仪的样品室305(如图3所示)内。
在对采用叉件203取出的晶圆进行检测时，至少选取其中的一片进行检测。例如，可以抽取其中的一片进行检测，或者对叉件203取出的晶圆逐片进行检测。在本发明的实施例中，为了节省时间，选取位于所述叉件203的最上面的一片晶圆进行光刻胶残留检测，判断所述晶圆表面是否残留有光刻胶。
若检测结果表明所述最顶层的那一片没有光刻胶残留，则认为所述叉件203取出的这一批晶圆的表面均没有光刻胶残留，可以放置到退火装置的退火单元中进行退火处理，若检测结果表明所述最顶层的那一片有光刻胶残留，则需要对所述叉件203取出的这一批晶圆的表面重新去除光刻胶，再进行检测，直到检测结果表明该批晶圆的表面没有光刻胶残留为止。
具体的，所述判断样品表面是否具有光刻胶的具体方法为：若所述检测光谱中包含特征光谱的波峰，则所述晶圆表面残留有光刻胶；若所述检测光谱中不包含特征光谱的波峰，则所述晶圆表面没有光刻胶残留。
需要说明的是，本发明实施例的发明人发现，光刻胶中的主要成分为C-O，因此，所述光刻胶的特征光谱为C-O键的特征光谱。
在光刻胶检测结束后，采用叉件203将经过光刻胶检测单元201检测、表面没有光刻胶残留的晶圆放置到晶舟205中，最后再将所述晶舟205放入退火单元207进行退火处理。
由于放入退火单元进行退火处理的晶圆表面没有光刻胶残留，因此退火单元内不会存在碳化后的光刻胶，退火单元不易受到污染，并且退火后的晶圆表面或内部也没有碳化后的光刻胶，后续形成的半导体器件的性能稳定。
综上，本发明实施例中，退火装置内部包括光刻胶检测单元，所述光刻胶检测单元可以在进入退火单元之前，预先对晶圆的表面进行检测，判断从晶圆盒中取出的晶圆表面是否残留有光刻胶，再将表面没有光刻胶残留的晶圆装在晶舟中进入退火单元退火，有效防止了表面具有光刻胶的晶圆进入退火单元内，光刻胶经碳化后的物质污染退火装置中的退火单元，保证了后续形成的半导体器件的质量稳定。
进一步的，本发明实施例的光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪，将叉件夹取出的晶圆放在晶舟中进入退火单元进行退火前，对夹取出的晶圆进行光谱检测，获得检测光谱，然后将所述检测光谱与光刻胶的特征光谱(C-O特征光谱)进行对比，判断所述从晶圆盒取出的晶圆表面是否残留有光刻胶，判断方法简单有效。
更进一步的，本发明实施例采用的叉件中相邻两个子叉件的距离可以根据晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离和晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离做出相应的调节。本发明实施例在调节相邻两个子叉件的距离的同时，对所述从晶圆盒取出的晶圆进行光谱检测，节省了工序和工艺时间。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (17)
1.一种内置光刻胶检测单元的退火装置，包括：
叉件，用于运输晶圆；
晶舟，所述叉件将晶圆运输至晶舟内；
退火单元，移动晶舟，使晶圆进入退火单元内；
其特征在于，还包括：
光刻胶检测单元，在进行退火之前，叉件将晶圆放入光刻胶检测单元内，进行光刻胶残留检测。
2.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪。
3.如权利要求2所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述红外光谱仪包括：光源，发射单光束；干涉仪，接收光源出射的单光束，将所述单光束分光为第一光束、第二光束，并使所述第一光束和第二光束发生干涉，形成干涉光信号；样品室，承载样品，样品接收干涉仪入射的干涉光信号，干涉光信号经过反射后，形成反射光信号；检测器，接收从样品室出射的反射光信号，得到样品的检测光谱；分析单元，获取检测器测得的检测光谱，并将所述检测光谱和单元内的光刻胶的特征光谱进行比较，判断样品表面是否具有光刻胶。
4.如权利要求3所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述干涉仪包括：分光部件，接收光源出射的单光束，将所述单光束分光为第一光束、第二光束，反射所述第一光束，透射所述第二光束；固定反射镜，接收并反射由分光部件反射的第一光束；运动反射镜，接收并反射由分光部件透射的第二光束。
5.如权利要求4所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述分光部件为半透半反镜。
6.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，退火装置外具有晶圆盒，所述叉件先从晶圆盒中取出晶圆，并将晶圆放于光刻胶检测单元内。
7.如权利要求6所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离为6-7mm。
8.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述退火单元位于所述晶舟的上方。
9.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述退火单元为炉管。
10.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离为5-6mm。
11.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，所述叉件包括5-10个相互平行的子叉件。
12.如权利要求11所述的内置光刻胶检测单元的退火装置，其特征在于，相邻两个子叉件之间的距离可以调整，使所述相邻两个子叉件之间的距离与晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离或晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离相等。
13.一种采用权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置的光刻胶的检测方法，包括：
存在一批晶圆，其中一部分所述晶圆表面残留有光刻胶；
其特征在于，还包括：
采用叉件夹取晶圆，将夹取的所述晶圆放入光刻胶检测单元内；
光刻胶检测单元对夹取的晶圆表面进行光刻胶残留检测；
采用叉件将经过光刻胶检测单元检测、表面没有光刻胶残留的晶圆放置到晶舟中；
将所述装有晶圆的晶舟放置到退火单元内，进行退火处理。
14.如权利要求13所述的光刻胶的检测方法，其特征在于，所述光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪。
15.如权利要求14所述的光刻胶的检测方法，其特征在于，所述红外光谱仪进行光刻胶残留检测的具体步骤包括：光源发射单光束；干涉仪接收光源出射的单光束，并将所述单光束分光为第一光束和第二光束，并使所述第一光束和第二光束发生干涉，形成干涉光信号；所述干涉光进入承载有样品的样品室，样品接收干涉仪入射的干涉光信号，干涉光信号经过反射后，形成反射光信号；检测器接收从样品室出射的反射光信号，得到样品的检测光谱；分析单元将所述检测光谱和单元内的光刻胶的特征光谱进行比较，判断样品表面是否具有光刻胶。
16.如权利要求15所述的光刻胶的检测方法，其特征在于，所述判断样品表面是否具有光刻胶的具体方法为：若所述检测光谱中包含光刻胶的特征光谱的波峰，则所述晶圆表面残留有光刻胶；若所述检测光谱中不包含光刻胶的特征光谱的波峰，则所述晶圆表面没有光刻胶残留。
17.如权利要求15所述的光刻胶的检测方法，其特征在于，所述光刻胶的特征光谱为C-O键的特征光谱。
Priority Applications (1)
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