CN102315316B - 光伏电池以及半导体元件的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光伏电池以及半导体元件的制作方法，该光伏电池的制作方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；进行一纳米压印工艺与一蚀刻工艺以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及以一导电材料填满该沟槽。本发明可高效率且符合成本效益地量产光伏电池。

Description

光伏电池以及半导体元件的制作方法
技术领域
本发明涉及光伏电池(photovoltaiccell)，尤其涉及光伏电池以及半导体元件的制作方法。
背景技术
光伏电池(也称为太阳能电池)可将光能转换为电能。光伏电池及其制作方法持续地发展，以提供更高的转换效率(conversionefficiency)。举例来说，已采用埋入式接点太阳能电池(buriedcontactsolarcell，其包括形成在基板的沟槽中的接点)来提供较高的效率。选择性的射极区(emitterregion)通常形成在基板的沟槽中以进一步提高转换效率。公知形成埋入式接点(电极)/选择性射极结构(selectiveemitterstructure)的方法包括激光刻划(laserscribing)、机械加工(mechanicalmachining)、网板印刷(screenprinting)、蚀刻、光刻或前述的组合。虽然激光刻划/机械加工可定义出选择性射极/埋入式接点结构的尺寸与位置，但是这种工艺会导致基板表面损坏，以至于影响光电元件的产能(throughput)。此外，激光刻划/机械加工不易控制选择性射极/埋入式接点结构的深度。网板印刷法难以定义较小的图案特征(patternfeature)，有时会有准确度偏低的问题，且容易导致不完全的(或损坏的)埋入式接点线。若是不进行光刻工艺，则蚀刻工艺将难以定义电极线的图案(尺寸/位置)。虽然光刻工艺可以较高的准确性来定义埋入式接点(电极)线且可轻易地控制电极图案的尺寸/位置，然而，光刻工艺相当昂贵且产能(throughput)较低。此外，公知的方法，例如上述的方法，在提供光伏电池的量产能力(massproductioncapability)上仍有限制。因此，虽然现行的方法已逐渐满足预定的目的，但是仍未完全满足各方面的需求。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明一实施例提供一种光伏电池的制作方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；进行一纳米压印工艺与一蚀刻工艺以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及以一导电材料填满该沟槽。
本发明又一实施例提供一种半导体元件的制作方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一纹理结构化表面；提供一模具，该模具具有一可设计的图案特征，该可设计的图案特征定义出一电极线的位置；于该半导体基板上形成一光致抗蚀剂层；将具有该可设计的图案特征的该模具压入该光致抗蚀剂层中；由该光致抗蚀剂层移除该模具，并留下一图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层具有一开口，该开口暴露出该半导体基板；蚀刻该半导体基板的由该开口所暴露出的部分，以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽由该纹理结构化表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第一掺杂区；以及以一导电材料填满该沟槽，以形成该电极线。
本发明另一实施例提供一种半导体元件的制作方法，包括：提供一半导体基板；于该半导体基板中形成一沟槽，其中形成该沟槽的方法包括进行一纳米压印工艺，以暴露出一部分的半导体基板，并在该半导体基板的暴露部上进行一蚀刻工艺，以于该半导体基板中形成该沟槽；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的选择性射极区；以及以一导电材料填满该沟槽，以形成一埋入式接点。
本发明可高效率且符合成本效益地量产光伏电池。
附图说明
图1示出本发明的各个实施例的光伏元件的制作方法的流程图。
图2至图10示出图1的制作方法的各个制作阶段的光伏元件的侧视图。
其中，附图标记说明如下：
100～光伏元件的制作方法；
102、104、106、108、110～步骤；
200～光伏元件；
210～基板；
215～纹理结构化表面；
216～非纹理结构化表面(平坦的表面)、底面、背面；
217A、217B、217C...217N～开口；
218A、218B～(纹理结构化表面的)部分；
220～掺杂区；
230～材料层；
230A～图案化材料层；
240～模具；
241～凸起结构；
242、244～沟槽或凹槽、开口；
250～蚀刻工艺；
252、254～沟槽；
260～掺杂物；
262、264～掺杂区；
272、274～埋入式接点。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
可以了解的是，下述内容将提供许多不同的实施例，或是例子，以实施本发明的不同的特征。为简洁起见，以下将以特定成分与排列举例说明。当然，在此仅用以作为范例，并非用以限定本发明。此外，本披露书在不同实施例中可能使用重复的标号及/或标示。此重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。此外，当以下述及将一结构形成在另一结构上或是使一结构连接至(及/或耦接至)另一结构时，可包括该结构与该另一结构是直接接触地形成的实施例、以及间隔有其他结构于该结构与该另一结构之间的实施例，如此则该结构可不与该另一结构直接接触。另外，空间的相对性用语，例如“较低”、“较高”、“水平”、“垂直”、“之上”、“之下”、“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”等、以及前述的衍生词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等)用以简化本披露书中结构之间的相对关系。空间的相对性用语涵盖这些结构的元件的不同方向。
图1示出光伏元件的制作方法100的一实施例的流程图。如同以下将讨论的，利用方法100形成一具有一选择性射极与埋入式接点结构的光伏电池。在方法100的步骤102中，提供一半导体基板，其具有一第一表面与相对于该第一表面的一第二表面。在步骤104中，一第一掺杂区形成在该半导体基板中并邻近该第一表面。在步骤106中，利用纳米压印技术(nanoimprinttechnology)与蚀刻工艺在该基板中形成一沟槽。该沟槽自该第一表面延伸入该基板中。在多个实施例中，纳米压印技术利用热纳米压印光刻技术(包括热塑性与热固性纳米压印)、直接压印技术(也称为浮花压制法，embossing)、紫外线纳米压印光刻(UVnanoimprintinglithography，UV-NIL)技术(也可称为紫外线固化纳米压印)或前述的组合。或者是，纳米压印技术利用其他本领域已知的纳米压印光刻技术，包括未来发展出的纳米压印光刻技术及前述的组合。可在一适合的环境下进行纳米压印光刻工艺，例如在真空环境或是大气环境下。纳米压印光刻工艺还利用许多不同的对准技术(alignmenttechnique)。蚀刻工艺为干式蚀刻工艺、湿式蚀刻工艺、其他适合的蚀刻工艺、或前述的组合。在步骤108、110中，在基板中形成一位于沟槽内的第二掺杂区，且以一导电材料填满该沟槽。在进行制作方法100之前、之时、之后可加入另外的步骤，且在该制作方法的其他实施例中，可取代或是删除部分的前述步骤。以下将介绍可以图1的制作方法100制得的光伏元件的多个实施例。
图2至图10示出图1的制作方法的各个制作阶段的部分或是全部的光伏元件200(也称为太阳能电池)的侧视图。光伏元件200为一埋入式接点太阳能电池。为清楚说明起见，已简化图2至图10，以更佳地解释本披露书的发明概念。可在光伏元件200中加入另外的结构(未示出)，且在其他光伏元件200的实施例中，可取代或是删除以下描述的部分结构。
在图2中，提供一基板210。基板210为任何适于作为光伏元件的基板。在所示出的实施例中，基板210为一含硅的半导体基板。硅基板可为单晶硅、多结晶体硅(multi-crystallinesilicon)、多晶硅(polycrystallinesilicon)或是非晶硅。或者是，基板210可为另一种元素半导体(也即锗，germanium)、化合物半导体(也即碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟、及/或锑化铟)、合金半导体(也即SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、及/或GaInAsP)、或是前述的组合。基板210可具有任何适合的晶体方向(crystallographicorientation)，例如(100)、(110)或(111)晶体方向。在所示出的实施例中，基板210为一P型掺杂的硅基板。一般的P型掺杂物包括硼、镓、铟、或前述的组合。因为光伏元件200是一具有P型掺杂基板的光伏元件，因此，下述的掺杂结构应被解读为与P型掺杂基板一致。光伏元件200可视情况而包括一N型掺杂基板，此时，下述的掺杂结构应被解读为与N型掺杂基板一致(也即掺杂结构具有相反的导电性)。
基板210包括一纹理结构化表面215以及一非纹理结构化表面(平坦的表面)216。在所示出的实施例中，纹理结构化表面215可被称为基板210的顶面或是第一表面，而不具有特定结构的平坦表面216可被称为基板210的底面或是第二表面。纹理结构化表面215包括位于基板210的正面中的各种开口217A、217B、217C...217N。图2示出纹理结构化表面215的部分218A、218B，其为顶面的平坦部并大体上平行于基板210的背面216。在所示出的实施例中，部分218A、218B是基板210的顶面的平坦且连续的(未被开口中断的)区域，其构成光伏元件200的接触区域。光伏元件200的接触区域可形成于不包括平坦部(例如部分218A、218B)的纹理结构化表面215的区域中。可以适合的工艺形成纹理结构化表面215，例如纳米压印光刻与蚀刻技术。或者是，可以其他已知的方法形成纹理结构化表面215，例如湿式蚀刻、干式蚀刻、激光刻划、机械加工、或前述的组合。
基板210包括一掺杂区220。在所示出的实施例中，掺杂区220为一N型掺杂区，其形成于基板210的形成有纹理结构化表面215的部分中。掺杂区220邻近于基板210的纹理结构化表面215。在所示出的实施例中，P型掺杂的硅基板210以及N型掺杂区220构成一P-N结。N型掺杂区220可称为射极层。N型掺杂区220包括N型掺杂物，例如磷、砷、锑、锂、其他适合的N型掺杂物、或是前述的组合。可以热扩散工艺、离子注入工艺或是其他适合的工艺形成N型掺杂区220。
在此，在基板中定义出选择性射极与埋入式接点结构的位置与尺寸。举例来说，于基板中形成一沟槽(也可称为纹道、凹槽或是开口)，以定义出选择性射极/埋入式接点结构(或可称为电极线)的位置与尺寸。之后，掺杂基板的位于该沟槽中的部分，以形成选择性射极结构，且将一导电材料填入该沟槽中以形成埋入式接点结构(电极)。一般形成沟槽的方法是利用激光及/或机械刻划/加工、网板印刷、蚀刻、光刻或前述的组合。激光或机械刻划/加工可定义选择性射极/埋入式接点结构的尺寸与位置，但会伤害基板表面。此外，不易借由激光或是机械刻划/加工来控制沟槽的深度。网板印刷法有时会准确度偏低，且会导致产生不完整的(或是损坏的)沟槽线。难以用网板印刷法定义较小的图案特征。就蚀刻工艺而言，若是没有使用光刻工艺，则将难以定义电极的图案(尺寸/位置)。虽然光刻工艺可高准确性地定义电极线且容易控制电极图案的尺寸/位置，但是光刻工艺相当昂贵且速度慢。由于上述的问题，这些方法难以量产光伏电池。
因此，请参照图3-图10，本披露使用纳米压印技术以形成光伏元件200的选择性射极/埋入式接点结构。纳米压印技术可轻易地以高准确性定义出具有任何特征尺寸(featuresize)的电极线图案(选择性射极/埋入式接点结构图案)的尺寸与位置。利用纳米压印技术较为便宜，且可提供比前述公知的方法更高的产能，而仍可达到相似于光刻工艺的特性(例如准确性与深度控制)。因此，高效率且低成本地量产光伏元件是有可能的，特别是对于制作具有选择性射极/埋入式接点的光伏元件而言。
请参照图3，以旋转涂布、平刮(flatscrubbing)、或是其他适合的工艺于基板210上(特别是在基板210的纹理结构化表面215上)形成一材料层230(也可称为中间物或是遮蔽层)。在形成材料层230之前，可进行一清洁工艺(例如RCA清洁工艺)，以移除基板210的纹理结构化表面215上的污染物。材料层230为一光致抗蚀剂层(resistlayer)。光致抗蚀剂层为一均聚合物光致抗蚀剂(homopolymerresist)，例如聚甲基丙烯酸酯，(polymethylmethacrylate，PMMA)或是聚苯乙烯(polystyrene，PS)；热塑性光致抗蚀剂；紫外光固化光致抗蚀剂；光致抗蚀剂包括硅氧烷共聚物(siloxanecopolymer)，例如聚二甲基硅氧烷((poly(dimethylsiloxane))，PDMS)有机嵌段(organicblock)或是接枝共聚物(graftcopolymer)；热固性液态光致抗蚀剂(thermallycurableliquidresist)；紫外光固化液态光致抗蚀剂(例如用于室温下的纳米压印工艺)；其他本领域已知且适合的光致抗蚀剂；未来发展出的光致抗蚀剂；或前述的组合。可借由将氧化金属颗粒分散在溶液中的方式形成光致抗蚀剂层。材料层230可包括一多层结构。材料层230具有一适当的厚度，例如，约为几百埃(angstroms，)至几微米(μm)。在所示出的实施例中，材料层230的厚度约为1000埃。
请参照图4-图6，将一模具240压入材料层230中，然后移除模具240，从而在材料层230上压印出一预定的图案。模具240是由适合的材料制成，例如石英(二氧化硅)、硅、碳化硅、氮化硅、金属、蓝宝石、钻石、树脂、其他本领域已知的适合的模具材料、未来发展出的模具材料、或前述的组合。在一实施例中，模具240可为具有图案化金属层(例如铬)的石英，该图案化金属层形成该预定的图案。在另一实施例中，模具240可为具有图案化硅化钼层的石英，该图案化硅化钼层形成该预定的图案。模具240包括凸起结构241以及开口242(也可称为沟槽或是凹槽)，其形成该预定的图案。该预定的图案可为任何适合的设计，因此，可依据需要的特定图案或是结构而使凸起结构241以及开口242具有各种形状与设计。在所示出的实施例中，模具240的预定图案定义出电极线(或是接触线)的位置与尺寸。此外，在所示出的实施例中，模具240的凸起结构241对齐基板210的接触区域(纹理结构化表面215的部分218A、218B)。如上所述，纹理结构化表面215可能不具有平坦部，例如部分218A、218B。在这个情况下，凸起结构241仍可对齐光伏元件200的接触区域，其为基板210的预定为接触区域的区域。
如上所述，在适当的温度与压力下，将模具240压入材料层230(图4与图5)中，从而在材料层230中产生一厚度差(thicknesscontrast)。更详细而言，模具240的预定图案转移到材料层230上，因为材料层230的位于凸起结构241下方的部分被移开并被转移到模具240的沟槽或凹槽242中(图5)。可根据模具240与材料层230的特性选择温度与压力，且可在真空或是大气环境下进行压印工艺。固化并硬化材料层230，以使材料层230硬化并保持其移位过的形状，以确保材料层230在移除模具240之后不会流回移位所产生的空间中。举例来说，材料层230为一热光致抗蚀剂(thermalresist)，可将温度升到高于其玻璃转换温度以将材料层230转换成液态，以使其移位并转移到模具240的沟槽或凹槽242中。一旦材料层230符合模具240的图案，可将温度降至低于材料层的玻璃转换温度以固化材料层230。在另一实施例中，材料层230为一热固性或是紫外光固化性材料，材料层230可一开始为液态，以便于当将模具240压入材料层230中时材料层230可符合模具240，然后，以热固化、紫外光固化、或前述的组合固化材料层230。可使用其他固化与硬化工艺。
如图6所示，在移除模具240之后，留下一图案化材料层230A。在所示出的实施例中，图案化材料层230A包括一用来形成选择性射极/埋入式接点结构的图案。开口242、244暴露出部分基板210，特别是基板210的顶面的部分。暴露的部分定义出选择性射极/埋入式接点结构(电极线)的位置，特别是光伏元件200的接触区域218A、218B。图案化材料层230A在后续的工艺(例如蚀刻工艺)中遮蔽了基板210的其他部分。材料层230的一层薄残留层可能会留在基板210的暴露的部分上。
在图7中，在基板210上进行一蚀刻工艺250。特别是，当图案化材料层230A保护其他的区域时，蚀刻基板210的暴露部(纹理结构化表面215的部分218A、218B)。蚀刻工艺250可为干式蚀刻工艺、湿式蚀刻工艺、其他适合的蚀刻工艺、或前述的组合。在所示出的实施例中，蚀刻工艺250为干式蚀刻工艺。干式蚀刻工艺例如为等离子体蚀刻工艺，其利用氟化硫、氟化碳、氯气或前述的组合。可利用本领域所知的其他干式蚀刻工艺，包括未来发展出的干式蚀刻工艺。或者是，蚀刻工艺250为湿式蚀刻工艺。湿式蚀刻工艺所用的蚀刻溶液例如为氢氟酸(hydrofluoricacid)。可使用本领域所知的其他湿式蚀刻工艺，包括未来发展出的湿式蚀刻工艺。若是材料层230的一层薄残留层留在基板210的暴露部上，蚀刻工艺250移除该残留层，或是在进行蚀刻工艺250之前利用干式蚀刻工艺(例如反应性离子蚀刻工艺)移除残留层。
蚀刻工艺250使图案化材料层230A中的开口242、244延伸入基板210中，以形成沟槽252、254(也可称为纹道、开口或是凹槽)。沟槽252、254自基板210的纹理结构化表面215(特别是基板210的掺杂区220)延伸入基板210中。选择性射极与埋入式接点形成在构槽252、254中。在所示出的实施例中，半导体基板210的部分定义出沟槽252、254的底部，半导体基板210与掺杂区220的部分定义出沟槽252、254的侧壁。可依照光伏元件200的设计需求而使沟槽252、254具有适合的形状与尺寸。
在图8中，添加掺杂物260以于基板210中形成位于构槽252、254中的掺杂区262、264。掺杂区262、264形成光伏元件200的选择性射极区。在所示出的实施例中，掺杂区262、264形成于部分的基板210中，该部分的基板210定义出沟槽252、254的底部。掺杂区262、264可形成于部分的基板中，且该部分的基板定义出沟槽252、254的侧壁。在所示出的实施例中，掺杂区262、264包括与掺杂区220相同类型的掺杂物，因此，掺杂区262、264为N型掺杂区。可借由添加N型掺杂物至基板210的定义出沟槽252、254的底部的部分中形成N型掺杂区220。N型掺杂物可为磷、砷、锑、锂、其他适合的N型掺杂物、或是前述的组合。或者是，掺杂区262、264可包括一不同于掺杂区220的掺杂类型的掺杂物，例如P型掺杂物。掺杂区262、264的掺杂浓度大于掺杂区220。举例来说，掺杂区262、264为N+型掺杂区(或是双倍N型掺杂区)，且掺杂区220为一N型掺杂区。
在所示出的实施例中，借由热扩散工艺添加掺杂物260。或者是，使用离子注入工艺。在又一实施例中，可结合热扩散工艺与离子注入工艺形成掺杂区262、264。当将掺杂物260加至部分基板210中时，图案化材料层230A可作为一遮蔽物以保护基板210的掺杂区220免于受到掺杂物260的影响。可以注意到，掺杂物260可被添加至作为遮蔽物的图案化材料层230A中。之后，在图9中，以适合的工艺移除图案化遮蔽层230A，例如剥除工艺(strippingprocess)，并留下沟槽252、254。举例来说，可利用一溶液移除图案化材料层230A，该溶液包括硫酸以及过氧化氢。或者是，可以本领域所知的其他溶液(包括未来发展的溶液)移除图案化材料层230A。
在图10中，在基板210的沟槽252、254中填入一导电材料以形成埋入式接点272、274(也可称为金手指)。导电材料例如包括铜、金、铝、钛、钨、镍、铬、钼、铅、钯、银、锡、铂、透明导电氧化材料、其他适合的导电材料、前述的金属合金、前述的金属硅化物、或前述的组合。埋入式接点272、274可包括一多层结构。在所示出的实施例中，以本领域所知的网板印刷工艺(包括未来发展出的网板印刷工艺)形成埋入式接点272、274。或者是，以本领域所知的其他适合的工艺形成埋入式接点272、274。可形成额外的结构，例如在基板210的底面(或背面)216上形成一接点。在一实施例中，另一掺杂区形成于基板210中，例如邻近底面216。也可于基板210的底面216上形成一电极。电极的材质可为导电材料，例如铜或铝。电极可沿着底面216形成并邻近掺杂区。
本发明的光伏电池工艺可使光伏电池具有较高的转换效率，而比以传统的方法所制作出的光伏电池进步许多。相较于以传统的方法所制作出的光伏电池的转换效率只有16％至17％，以本发明的工艺制作出的光伏电池可出现大于20％的转换效率。可以注意到的是，本发明的光伏元件可增加电子空穴对。此外，如上述，本发明的光伏电池工艺使用纳米压印技术来定义电极线的位置(在所示出的实施例中，埋入式接点/选择性射极结构的位置)，以轻易且高准确性地定义出任何特征尺寸的电极线图案的尺寸与位置。此外，纳米压印技术可制作出光刻特征而无需使用光刻工艺，进而大幅降低制作成本。因此，本发明的光伏电池工艺可高效率且符合成本效益地量产光伏电池，特别是对于具有选择性射极/埋入式接点的光伏元件。可以了解的是，不同的实施例可以具有不同的优点，且没有特定的优点是每个实施例都需要具备的。
本发明虽以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种光伏电池的制作方法，包括：
提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面，其中使该第一表面形成一纹理结构，其包括定义出一接触区域的平坦部分；
在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；
在该半导体基板的该第一表面上形成一遮蔽层；
提供一模具，该模具具有一图案，该图案包括至少一凸起结构；
将该模具的凸起结构对齐该接触区域，然后将该模具压入该遮蔽层中，以使该凸起结构插入并贯穿该遮蔽层；
移除该模具，并留下一图案化遮蔽层，该图案化遮蔽层具有一暴露出部分该半导体基板的开口；
以该图案化遮蔽层为罩幕，进行一蚀刻工艺，以蚀刻该图案化遮蔽层的该开口所暴露出的部分该半导体基板，从而于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；
于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及
以一导电材料填满该沟槽。
2.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中该蚀刻工艺的方法包括：
进行一干式蚀刻工艺或是一湿式蚀刻工艺，其中进行该干式蚀刻工艺的方法包括使用氟化硫、氟化碳或氯气等离子体，进行该湿式蚀刻工艺的方法包括使用氢氟酸溶液。
3.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中形成该第二掺杂区的方法包括：
进行一热扩散工艺或一离子注入工艺。
4.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中以该导电材料填满该沟槽的方法包括：
进行一网板印刷工艺。
5.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中：
该半导体基板为一P型掺杂的基板；
该第一掺杂区为一N型掺杂区；以及
该第二掺杂区为一N+型掺杂区。
6.一种半导体元件的制作方法，包括：
提供一半导体基板，该半导体基板具有一纹理结构化表面；
提供一模具，该模具具有一可设计的图案特征，该可设计的图案特征定义出一电极线的位置，其中该可设计的图案特征包括至少一凸起结构；
于该半导体基板上形成一光致抗蚀剂层；
将具有该可设计的图案特征的该模具压入该光致抗蚀剂层中，其中该凸起结构插入并贯穿该光致抗蚀剂层；
由该光致抗蚀剂层移除该模具，并留下一图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层具有一开口，该开口暴露出该半导体基板；
蚀刻该半导体基板的由该开口所暴露出的部分，以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽由该纹理结构化表面延伸入该半导体基板中；
于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第一掺杂区；以及
以一导电材料填满该沟槽，以形成该电极线；
其中该基板的该纹理结构化表面包括一平坦表面部，该平坦表面部定义出一接触区域，且该凸起结构定义出该电极线的位置；以及
其中将具有该可设计的图案特征的该模具压入该光致抗蚀剂层的方法包括：
使该凸起结构与该接触区域对齐。
7.如权利要求6所述的半导体元件的制作方法，还包括：
形成一邻近该纹理结构化表面的第二掺杂区，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第二掺杂区的掺杂浓度。
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