CN102299262A - 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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谭占鳌
张文庆
钱德平
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Abstract

本发明公开了属于聚合物太阳能电池技术领域的一种聚合物太阳能电池及其制备方法。聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层(可以没有)和低功函阴极层，所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼膜。在衬底上制备透明导电金属氧化物电极层，作为电池的阳极；在透明导电阳极上旋涂二(乙酰丙酮)氧化钼与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到阳极修饰层；或者在阳极修饰层上依次制备光电活性层、阴极修饰层(可以没有)和低功函阴极层，得到所述聚合物太阳能电池。将二(乙酰丙酮)氧化钼膜作为阳极修饰层，可以有效的实现空穴的收集，提高ITO的功函，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。

Description

一种聚合物太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明属于聚合物太阳能电池技术领域，特别涉及一种聚合物太阳能电池及其制备方法。
背景技术
近年兴起的有机和聚合物薄膜太阳能电池具有成本低、重量轻、制作工艺简单、可制备成大面积柔性器件等突出优点而备受关注。通过优化设计合成新型的聚合物给体材料和富勒烯衍生物受体材料以及优化活性层中给受体的微相分离结构，使本体异质结聚合物太阳能电池光电转化效率已经超过8％，接近非晶硅电池的水平。在传统的本体异质结聚合物太阳能电池中，由于阳极ITO的功函较低(4.7eV)，不能与大多数共轭聚合物光伏材料的最高占据分子轨道能级(5.0eV左右)匹配，常用PEDOT:PSS做为阳极修饰层以提高阳极的功函，从而增加空穴的收集能力。但是PEDOT:PSS本身具有一定的酸性，长期使用会腐蚀阳极ITO，从而造成阳极界面的不稳定，最终影响太阳能电池的长期稳定性。因此用高功函的中性溶液来制备阳极修饰层越来越引起人们的关注。如图1，聚合物太阳能电池主要包含依次层叠的衬底1，透明导电金属氧化物电极层2，阳极修饰层3，光电活性层4，阴极修饰层(也可以没有)5以及低功函阴极层6等，电池以金属导线8与负载或测试装置7连接，入射光9从衬底1方向射入。
二(乙酰丙酮)氧化钼是浅黄、灰绿至黄棕色结晶粉末，其结构如式1所示，相对分子量或原子量为326.15；熔点为184℃；20℃时的溶解度为8.52g/100mL水，0.31g/100mL乙醇，1.84g/100mL苯。该材料主要用途是构成一种功能性的复合物用于研究钼血清转移酶。本发明首次将其用作阳极修饰材料应用于聚合物太阳能电池中。
Figure BDA0000079849340000021
(式1)
发明内容
本发明的目的是提供一种聚合物太阳能电池及其制备方法。
本发明所提供的聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层(也可以没有)和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼膜。
在本发明中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的优选厚度为10-500
Figure BDA0000079849340000022
。
其中，本发明聚合物太阳能电池的衬底可选用玻璃或聚酯薄膜；
透明导电金属氧化物电极层为In、Sn、Zn、Cd的氧化物或其复合多元氧化物；
光电活性层为电子给体和电子受体共混膜，其中所述的电子给体材料选自：聚(对亚苯基亚乙烯)类、聚(亚芳基亚乙烯基)类、聚(对亚苯基)类、聚(亚芳基)类、聚噻吩类、聚喹啉类、卟啉类、酞菁类或者选自由吸电子共轭单元如吡咯并吡咯二酮(DPP)、苯并噻二唑(BT)、噻吩并吡咯二酮(TP)与给电子共轭单元如咔唑(Cz)、芴(F)、苯并二噻吩(BDT)、二噻吩并苯(BDP)偶联等组成的共聚物等，电子受体材料选自：富勒烯或其衍生物、苝或其衍生物、萘或其衍生物、醌类或者选自III-V族和II-VI族半导体纳米晶等；
所述阴极修饰层为碱金属的氟化物、碱土金属的氟化物、Ti或Zn的氧化物或其复合多元氧化物；
所述低功函阴极层为Ca、Mg、Cs、Al或其复合电极。
上述聚合物太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
(1)在衬底上制备透明导电金属氧化物电极层，作为聚合物太阳能电池的阳极；
(2)在透明导电阳极上旋涂二(乙酰丙酮)氧化钼与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到阳极修饰层；
(3)在阳极修饰层上依次制备光电活性层和低功函阴极层，或者在阳极修饰层上依次制备光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层，得到所述聚合物太阳能电池。
在制备过程中，主要利用旋涂的转速来控制二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度，转速优选1000-5000rpm。烘烤的温度可为20-250℃，时间可为1分钟到48小时。
步骤(2)中，混合溶液中二(乙酰丙酮)氧化钼的浓度优选2-10mg/mL。
步骤(2)中，所述溶剂为异丙醇、异辛醇、乙醇、乙酸乙酯或石油醚中的任意一种或几种。
本发明的有益效果为：阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼为阳极修饰材料，将其引入聚合物太阳能电池中，实现了空穴的高效收集；并且与现有的PEDOT:PSS相比，本发明还具有修饰层不腐蚀阳极、光电转换效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
本发明应用二(乙酰丙酮)氧化钼膜作为阳极修饰层，可以有效的实现空穴的收集，提高ITO的功函，在聚合物太阳能电池中表现出优异的性能。
附图说明
图1为聚合物太阳能电池结构示意图；
图2为ITO/二(乙酰丙酮)氧化钼/P3HT:PCBM/Ca/Al的电流-电压特性曲线；
图3为ITO/二(乙酰丙酮)氧化钼/P3HT:IC60BA/Ca/Al的电流-电压特性曲线；
图4为ITO/二(乙酰丙酮)氧化钼/P3HT:IC70BA/Ca/Al的电流-电压特性曲线；
图中标号：
1-衬底；2-透明导电金属氧化物层；3-阳极修饰层；4-光电活性层；5-阴极修饰层；6-低功函阴极层；7-负载或测试装置；8-金属导线；9-入射光。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业技术人员更全面的理解本发明，但不以任何方式限制本发明。
实施例1
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在4000rpm的转速下旋涂3.75mg/mL的二(乙酰丙酮)氧化钼异丙醇溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层。然后将20mg/mL的P3HT与PCBM 1∶1(质量比)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，作为光电活性层。最后，在5×10-5帕下真空蒸镀20纳米的钙和100nm的铝作阴极。所得的聚合物太阳能电池中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为200
Figure BDA0000079849340000041
。图2给出了该器件在未经光照射和经100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下的电流-电压曲线。所制得的器件在100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下开路电压为0.56伏，短路电流为11.53毫安每平方厘米，填充因子为0.639，转换效率为4.12％。
实施例2
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在6000rpm的转速下旋涂5mg/mL的二(乙酰丙酮)氧化钼异丙醇溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层。然后将20mg/mL的P3HT与PCBM 1∶1(质量比)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，作为光电活性层。最后，在5×10-5帕下真空蒸镀20纳米的钙和100nm的铝作阴极。所得的聚合物太阳能电池中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为100。图2给出了该器件在未经光照射和经100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下的电流-电压曲线。所制得的器件在100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下开路电压为0.57伏，短路电流为10.59毫安每平方厘米，填充因子为0.699，转换效率为4.18％。
实施例3
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在4000rpm的转速下旋涂5mg/mL的二(乙酰丙酮)氧化钼异丙醇溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层。然后将20mg/mL的P3HT与PCBM 1∶1(质量比)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，作为光电活性层。最后，在5×10-5帕下真空蒸镀20纳米的钙和100nm的铝作阴极。所得的聚合物太阳能电池中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为200
Figure BDA0000079849340000052
。图2给出了该器件在未经光照射和经100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下的电流-电压曲线。所制得的器件在100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下开路电压为0.58伏，短路电流为11.16毫安每平方厘米，填充因子为0.668，转换效率为4.32％。
实施例4
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在4000rpm的转速下旋涂5mg/mL的二(乙酰丙酮)氧化钼异丙醇溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层。然后将17mg/mL的P3HT与IC60BA 1∶1(质量比)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，作为光电活性层。最后，在5×10-5帕下真空蒸镀20纳米的钙和100nm的铝作阴极。所得的聚合物太阳能电池中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为200
Figure BDA0000079849340000061
。图3给出了该器件在未经光照射和经100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下的电流-电压曲线。所制得的器件在100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下开路电压为0.85伏，短路电流为10.43毫安每平方厘米，填充因子为0.721，转换效率为6.39％。
实施例5
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在4000rpm的转速下旋涂5mg/mL的二(乙酰丙酮)氧化钼异丙醇溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层。然后将17mg/mL的P3HT与IC70BA 1∶1(质量比)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，作为光电活性层。最后，在5×10-5帕下真空蒸镀20nm的钙和100nm的铝作阴极。所得的聚合物太阳能电池中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为200
Figure BDA0000079849340000062
。图4给出了该器件在未经光照射和经100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下的电流-电压曲线。所制得的器件在100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下开路电压为0.84伏，短路电流为10.95毫安每平方厘米，填充因子为0.707，转换效率为6.51％。
实施例6
将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在4000rpm的转速下旋涂3.75mg/mL的二(乙酰丙酮)氧化钼异丙醇溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层。然后将20mg/mL的P3HT与PCBM 1∶1(质量比)的混合溶液在800rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，作为光电活性层。最后，在5×10-5帕下真空蒸镀1纳米的氟化锂阴极修饰层和100nm的铝作阴极。所得的聚合物太阳能电池中，二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为200
Figure BDA0000079849340000071
。所制得的器件在100毫瓦每平方厘米的模拟太阳光照射下开路电压为0.57伏，短路电流为10.82毫安每平方厘米，填充因子为0.65，转换效率为4％。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种聚合物太阳能电池，包括依次层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、阳极修饰层和光电活性层，光电活性层上设置低功函阴极层或者光电活性层上层叠阴极修饰层后再设置低功函阴极层，其特征在于：所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼膜。
2.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度为10-500
Figure FDA0000079849330000011
。
3.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述衬底选用玻璃或聚酯薄膜；
透明导电金属氧化物电极层为In、Sn、Zn、Cd的氧化物或其复合多元氧化物；
光电活性层为电子给体和电子受体共混膜；
所述阴极修饰层为碱金属的氟化物、碱土金属的氟化物、Ti或Zn的氧化物或其复合多元氧化物；
所述低功函阴极层为Ca、Mg、Cs、Al或其复合电极。
4.根据权利要求3所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述光电活性层中，所述的电子给体材料选自：聚(对亚苯基亚乙烯)类、聚(亚芳基亚乙烯基)类、聚(对亚苯基)类、聚(亚芳基)类、聚噻吩类、聚喹啉类、卟啉类、酞菁类或者选自由吸电子共轭单元与给电子共轭单元偶联组成的共聚物，电子受体材料选自：富勒烯或其衍生物、苝或其衍生物、萘或其衍生物、醌类或者选自III-V族和II-VI族半导体纳米晶。
5.根据权利要求4所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述吸电子共轭单元为吡咯并吡咯二酮、苯并噻二唑或者噻吩并吡咯二酮，所述给电子共轭单元为咔唑、芴、苯并二噻吩或者二噻吩并苯。
6.权利要求1至5任意一个权利要求所述的聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)在衬底上制备透明导电金属氧化物电极层，作为聚合物太阳能电池的阳极；
(2)在透明导电阳极上旋涂二(乙酰丙酮)氧化钼与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到阳极修饰层；
(3)在阳极修饰层上依次制备光电活性层和低功函阴极层，或者在阳极修饰层上依次制备光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层，得到所述聚合物太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：在制备过程中，主要利用旋涂的转速来控制二(乙酰丙酮)氧化钼膜的厚度，转速为1000-5000rpm。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：烘烤的温度为20-250℃，时间为1分钟到48小时。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，混合溶液中二(乙酰丙酮)氧化钼的浓度为2-10mg/mL。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述溶剂为异丙醇、异辛醇、乙醇、乙酸乙酯或石油醚中的的任意一种或几种。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102945926A (zh) * 2012-10-23 2013-02-27 华北电力大学 一种聚合物太阳能电池阳极修饰材料及其修饰方法
CN113233508A (zh) * 2021-05-10 2021-08-10 北京化工大学 一种α-MoO3溶液的制备方法及其应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101002344A (zh) * 2004-08-27 2007-07-18 昭和电工株式会社 有机电致发光器件及其制造方法
CN101123296A (zh) * 2006-08-08 2008-02-13 中国科学院化学研究所 一种聚合物太阳能电池及其制备方法
CN101290973A (zh) * 2008-07-08 2008-10-22 中国科学院长春应用化学研究所 一种叠层结构聚合物薄膜太阳能电池
CN101293865A (zh) * 2007-04-25 2008-10-29 株式会社半导体能源研究所 有机化合物以及蒽衍生物
WO2010059240A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Plextronics, Inc. Doped interfacial modification layers for stability enhancement for bulk heterojunction organic solar cells
CN101882664A (zh) * 2010-06-13 2010-11-10 西南大学 功能层为单层有机材料的有机太阳能电池
JP2011049547A (ja) * 2009-07-31 2011-03-10 Dainippon Printing Co Ltd 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101002344A (zh) * 2004-08-27 2007-07-18 昭和电工株式会社 有机电致发光器件及其制造方法
CN101123296A (zh) * 2006-08-08 2008-02-13 中国科学院化学研究所 一种聚合物太阳能电池及其制备方法
CN101293865A (zh) * 2007-04-25 2008-10-29 株式会社半导体能源研究所 有机化合物以及蒽衍生物
CN101290973A (zh) * 2008-07-08 2008-10-22 中国科学院长春应用化学研究所 一种叠层结构聚合物薄膜太阳能电池
WO2010059240A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Plextronics, Inc. Doped interfacial modification layers for stability enhancement for bulk heterojunction organic solar cells
JP2011049547A (ja) * 2009-07-31 2011-03-10 Dainippon Printing Co Ltd 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法
CN101882664A (zh) * 2010-06-13 2010-11-10 西南大学 功能层为单层有机材料的有机太阳能电池

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102945926A (zh) * 2012-10-23 2013-02-27 华北电力大学 一种聚合物太阳能电池阳极修饰材料及其修饰方法
CN102945926B (zh) * 2012-10-23 2015-06-10 华北电力大学 一种聚合物太阳能电池阳极修饰材料及其修饰方法
CN113233508A (zh) * 2021-05-10 2021-08-10 北京化工大学 一种α-MoO3溶液的制备方法及其应用

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