CN102298204A - 用于量测的反射折射照射系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于量测的反射折射照射系统。一种反射折射光学系统在宽的光谱范围中操作。在实施例中，反射折射光学系统包括：第一反射表面，定位和配置成反射辐射；第二反射表面，定位和配置成将从所述第一反射表面反射的辐射反射作为准直束，所述第二反射表面具有孔阑以允许辐射透射穿过所述第二反射表面；和通道结构，从所述孔阑朝向所述第一反射表面延伸，且具有在所述第一反射表面和第二反射表面之间的出口，以将辐射供给至所述第一反射表面。

Description

用于量测的反射折射照射系统
技术领域
本发明主要涉及一种光学系统，尤其涉及一种反射折射光学系统。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底或衬底的一部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在平板显示器、集成电路(IC)以及涉及精细结构的其它装置的制造中。在传统的设备中，可以称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成对应于IC、平板显示器或其它装置的单层的电路图案。可以通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来将该图案转移到衬底(例如，玻璃板、晶片等)的全部或一部分上。
图案形成装置可以用于产生例如IC图案。图案形成装置可以另外地或可替代地用于产生其它图案，例如彩色滤光片图案或点的矩阵。图案形成装置可以是图案化的阵列而不是掩模，所述图案化的阵列包括独立可控元件的阵列。与基于掩模的系统相比，在这样的系统中可以更加快速地和更低成本地变化图案。
在图案化衬底之后，通常进行测量和检验。测量和检验步骤通常用作两个目的。首先，期望检测其中显影的抗蚀剂中的图案有缺陷的任何目标区域。如果足够数量的目标区域是有缺陷的，那么可以从衬底上剥离掉图案化的抗蚀剂且有望正确地被再次曝光，而不是对于带缺陷的图案进行例如蚀刻等处理步骤来使得缺陷成为永久的。其次，测量可以允许光刻设备中的误差(例如照射设定或曝光剂量)对于随后的曝光被检测和校正。
然而，在光刻设备中的许多误差不能容易地从抗蚀剂中所印刷的图案检测或量化。缺陷的检测不总是直接找到其诱因。因此，用于检测和测量光刻设备中的误差的各种离线程序(即除了衬底的正常处理之外所进行的工序)也是已知的。这些可能涉及用测量装置替换衬底或执行对特定的测试图案的曝光，例如在各种不同的机器设定下进行。这样的离线技术花费时间(通常时间量相当大)，从而减少了制造时间，在此期间设备的最终产品将具有未知的品质，直到测量结果成为可用的为止。在线测量和检验工序(即在衬底的正常处理期间进行的工序)也是已知的。
光学量测技术可以用于执行测量和检验。例如，散射量测术是一种光学量测技术，其可以用于临界尺寸(CD)和重叠的测量。具有两种主要的散射量测技术：
(1)分光镜散射量测术测量作为波长的函数的在固定角度下被散射的辐射的性质，通常使用宽带光源(诸如基于氙、氘或卤素的光源，例如氙弧灯)。所述固定角度可以是垂直入射或倾斜入射。
(2)角分辨散射量测术测量了作为入射角的函数的在固定波长被散射的辐射的性质，通常使用激光器作为单一波长光源。
通过使用散射量测术，产生反射光谱的结构被重建，例如使用实时回归(regression)或通过与由模拟获得的图案库进行比较。重建涉及最小化成本函数。两种方法计算了通过周期性结构对光的散射。最常见的技术是严格耦合波分析(RCWA)，尽管辐射散射还可以通过其它技术(诸如时域有限差分法(FDTD)或积分方程技术)进行计算。
发明内容
然而，已知的散射仪具有一个或更多的缺点。例如，传统的散射仪仅一次检测一个波长。结果，具有多于一个波长的光谱必须被时分多路复用(time-multiplexed)，其增加了检测和处理光谱所花费的总获取时间。
因此，期望例如具有能够处理宽范围波长的量测工具。
根据本发明的一个实施例，提供了一种量测工具，包括：物镜，用于传递辐射至表面和接收被所述表面改向的辐射；检测器，用于接收来自所述物镜的所述被改向的辐射；和照射系统，用于将用于改向的辐射传递至所述物镜，所述照射系统包括反射折射光学系统。反射折射光学系统的使用可以便于工具处理宽范围的波长。
根据本发明的实施例，提供了一种反射折射光学系统，包括：第一反射表面，定位和配置成反射辐射；第二反射表面，定位和配置成将从所述第一反射表面反射的辐射反射为准直束，所述第二反射表面具有孔阑以允许辐射透射穿过所述第二反射表面；和通道结构，所述通道结构朝向所述第一反射表面从所述孔阑延伸，且具有在所述第一反射表面和第二反射表面之间的出口，以将辐射供给至所述第一反射表面。
根据本发明的实施例，提供了一种量测方法，包括：使用物镜将辐射传递至表面；使用所述物镜接收被所述表面改向的辐射；使用来自所述物镜的改向的辐射来检测所述表面的参数；和使用反射折射光学系统将用于改向的辐射传递至所述物镜。
本发明的另外的实施例、特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作被在下文参考附图进行了详细描述。
附图说明
包含在此处的且形成了说明书的一部分的附图显示出本发明，且还与所述描述一起用于说明本发明的原理和使得相关领域的技术人员制造和使用本发明。
图1示出了根据本发明的实施例的光刻投影设备。
图2A至2C示意性地示出角分辨和分光镜散射量测术的原理。
图3示意性地示出另一例子的散射仪。
图4示意性地示出根据本发明的实施例的包括反射折射物镜的感测和对准系统。
图5-8示意性地示出根据本发明的实施例的各种反射折射光学系统。
图9示意性地示出横贯图8的反射折射光学系统的射线。
图10示意性地示出将非常高的数值孔径转换成低数值孔径的反射折射光学系统。
图11示意性地示出根据本发明的实施例的散射仪的照射支路。
图12示意性地示出根据本发明的实施例的反射折射聚光透镜。
图13示意性地示出根据本发明的实施例的反射折射聚光透镜。
在结合附图时，本发明的特征和优点将从下文阐述的详细描述变得更加清楚，在附图中相应的参考标记在全文中表示相应的元件。在附图中，同样的参考标记通常表示一致的、功能类似的和/或结构类似的元件。
在说明书中，对“一个实施例”、“一种实施例”、“示例性实施例”等的参考表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每一实施例可以不必包括特定的特征、结构或特性。此外，这样的措词不必表示相同的实施例。另外，在关于实施例描述特定的特征、结构或特性时，解释为它在本领域技术人员的知识范围内，以与其它实施例相联系来实施这样的特征、结构或特性，不论被明确地描述与否。
具体实施方式
在提供根据本发明的一个或更多的实施例的光学系统的另外的细节之前，首先描述可以使用这样的光学系统的示例性的光刻环境和散射量测系统是非常有益的。
示例性光刻环境
图1示出根据本发明一种实施例的光刻设备。图1的设备包括照射器IL、支撑结构MT、衬底台WT和投影系统。如本文在图1中描述的，所述设备是透射类型(例如在投影系统中采用折射光学元件)。可替代地，所述设备可以是反射类型(例如在投影系统中基本上仅采用反射元件)。
照射器IL配置成调节辐射束B(例如如由汞弧灯所提供的UV辐射束或由KrF准分子激光器或ArF准分子激光器产生的DUV辐射束)。所述照射器IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、衍射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构(例如掩模台)MT构造成支撑具有图案形成装置图案MP的图案形成装置(例如掩模)MA且连接至配置成根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM。
衬底台(例如晶片台)WT构造成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W且连接至根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW。
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS配置成将用图案形成装置MA的图案MP调制的辐射束B投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多的管芯)上。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任意术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。投影系统可以使得图案形成装置的图案成像，使得图案一致地形成在衬底上。可替代地，投影系统可以使得辅助源成像，图案形成装置的元件用作对于辅助源的遮光器。关于这一点，投影系统可以包括聚焦元件的阵列(诸如微透镜阵列(已知为MLA))或菲涅耳透镜阵列，以形成辅助源和使得斑成像到衬底上。聚焦元件的阵列(例如MLA)包括至少10个聚焦元件、至少100个聚焦元件、至少1000个聚焦元件、至少10000个聚焦元件、至少100000个聚焦元件、或至少1000000个聚焦元件。
所述支撑结构MT保持所述图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PA)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于调制辐射束的横截面(例如将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束B)以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。所述装置可以是静止的图案形成装置(例如掩模或掩模版)或动态(例如可编程元件的阵列)的图案形成装置。这样的图案形成装置的例子包括掩模版、可编程反射镜阵列、激光二极管阵列、发光二极管阵列、光栅光阀以及LCD阵列。
应当注意，被赋予辐射束B的图案可能不与在衬底W的目标部分C上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。类似地，在衬底上最终产生的图案可能不对应于在独立可控元件的阵列上在任一瞬时形成的图案。这可以是在衬底的每一部分上形成的最终图案被在给定时间段上或给定数量的曝光上建立的布置中的情形，在此期间，独立可控元件的阵列上的图案和/或衬底的相对位置发生变化。
通常，在衬底的目标部分上产生的图案将对应于在目标部分上形成的器件中的特定的功能层，例如集成电路或平板显示器(例如平板显示器中的彩色滤光层或平板显示器中的薄膜晶体管层)。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束，所述辐射源SO诸如例如用于提供g线或i线的UV辐射的汞弧灯，或用于提供波长小于约270nm(诸如例如约248、193、157和126nm)的DUV辐射的准分子激光器。辐射源提供的辐射的波长为至少5nm、至少10nm、至少11-13nm、至少50nm、至少100nm、至少150nm、至少175nm、至少200nm、至少250nm、至少275nm、至少300nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm。可替代地，由辐射源SO提供的辐射的波长为至多450nm、至多425nm、至多375nm、至多360nm、至多325nm、至多275nm、至多250nm、至多225nm、至多200nm或至多175nm。辐射可以具有的波长包括436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm和/或126nm。
该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整在图案形成装置高度水平处的所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面IPU中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在图案形成装置高度水平处在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。照射器IL或与其相关的另外的部件还可以被布置以将辐射束分成多个子束，所述子束例如每个可以与独立可控元件阵列中的一个或多个独立可控元件相关联。二维衍射光栅可以例如用于将辐射束分成子束。在本发明的描述中，术语“辐射的束”和“辐射束”包括但不限于所述束由多个这样的辐射子束构成的情形。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上或从其中射出，并且通过所述图案形成装置MA根据图案MP进行调制。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。
投影系统具有与照射器光瞳IPU共轭的光瞳PPU。一部分辐射从在照射器光瞳IPU处的强度分布发射出，且在不受在图案形成装置图案处的衍射的影响的情况下穿过图案形成装置图案，形成了在照射器光瞳IPU处的强度分布的图像。
借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。
在一个例子中，可以借助于形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以理解，辐射束B可替代地/另外地是可移动的，而物体台和/或图案形成装置可以具有固定的位置以提供所需要的相对移动。这样的布置可以帮助限制设备的尺寸。作为另外的替代方法，其可以例如应用在平板显示器的制造中，衬底台WT和投影系统PS的位置可以是固定的，衬底W可以被布置以相对于衬底台WT移动。例如，衬底台WT可以设置有系统，用于在大致恒定的速度下横跨衬底W来对衬底W进行扫描。
可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记P1、P2占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记M1和M2可以位于所述管芯之间。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台和/或图案形成装置台的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
光刻设备还可以是其中至少一部分衬底可以被相对高折射率的“浸没液体”(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在图案形成装置和投影系统之间。在本领域中公知，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
在一个例子中，诸如在图1中显示的实施例，衬底W具有大致圆形形状，可选地具有沿着其周界的一部分的凹口和/或平坦的边缘。在另一例子中，衬底为多边形形状，例如矩形形状。
衬底为大致圆形形状的例子包括衬底的直径为至少25mm，至少50mm，至少75mm，至少100mm，至少125mm，至少150mm，至少175mm，至少200mm，至少250mm，或至少300mm的例子。可替代地，衬底的直径为至多500mm，至多400mm，至多350mm，至多300mm，至多250mm，至多200mm，至多150mm，至多100mm，或至多75mm。
衬底为多边形(例如矩形)的例子包括衬底的至少1条边、至少2条边或至少3条边的长度为至少5cm，至少25cm，至少50cm，至少100cm，至少150cm，至少200cm，或至少250cm的例子。
衬底的至少一条边的长度为至多1000cm，至多750cm，至多500cm，至多350cm，至多250cm，至多150cm，或至多75cm。
在一个例子中，衬底W是晶片，例如半导体晶片。晶片材料可以从由Si，SiGe，SiGeC，SiC，Ge，GaAs，InP和InAs构成的组中选择。衬底可以是III/V化合物半导体晶片、硅晶片、陶瓷衬底、玻璃衬底或塑料衬底。衬底可以是透明的(对于人的肉眼)、带颜色的或没有颜色的。
衬底的厚度可以变化，且一定程度上可以依赖于衬底材料和/或衬底尺寸。厚度可以是至少50μm，至少100μm，至少200μm，至少300μm，至少400μm，至少500μm，或至少600μm。可替代地，衬底的厚度可以是至多5000μm，至多3500μm，至多2500μm，至多1750μm，至多1250μm，至多1000μm，至多800μm，至多600μm，至多500μm，至多400μm，或至多300μm。
这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在一个例子中，抗蚀剂层设置在衬底上。
可以理解，虽然描述涉及光刻术，但是，在不背离本发明的范围的情况下，图案形成装置MA可以形成在显示系统中(例如在LCD电视或投影仪中)。因此，被投影的图案化的束可以被投影到许多不同类型的物体上，例如，衬底、显示器件等。
可以将图1中的所述设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在脉冲模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
4.除了衬底W被相对于调制的辐射束B以大致恒定的速度扫描和在辐射束B跨过衬底W扫描且曝光衬底时更新独立可控元件的阵列上的图案之外，连续扫描模式实际上与脉冲模式相同。可以使用被与独立可控元件阵列上的图案的更新同步的大致恒定的辐射源或脉冲辐射源。
5.在可以使用图1中的光刻设备进行的像素栅格成像模式中，衬底W上形成的图案通过由斑产生器形成的斑的随后曝光来实现，其中所述斑被引导到图案形成装置MA上。被曝光的斑具有大致相同的形状。在衬底W上，斑被印刷到基本上一个栅格上。在一个例子中，斑尺寸大于所印刷的像素栅格的节距，但是远小于曝光斑的栅格。通过改变所印刷的斑的强度，实现了图案。在曝光闪光之间中，改变斑上的强度分布。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
示例性的散射量测设备
图2A-2C示意性地显示出根据本发明的一种实施例的角分辨和分光镜散射量测术的原理，通过其可以确定衬底W的表面的一个或更多的性质。在一种实施例中，参考图2A，散射仪包括辐射源2(例如宽带(白光)辐射源)，其引导辐射到衬底W上。反射的辐射传递到传感器4(例如分光计检测器)，所述传感器4测量镜面反射辐射的光谱10(作为波长的函数的强度)。根据这一数据，产生所检测的光谱的结构或轮廓可以被重建，例如通过严格耦合波分析和非线性回归或通过与模拟光谱库进行比较来实现，如在图2B和2C中显示的。通常，为了重建，结构的一般形式是已知的，根据结构被进行的处理的知识假定一些参数，从而仅留下结构的几个参数由散射量测数据来确定。
散射仪可以是正入射散射仪或斜入射散射仪。还可以使用散射量测的变形，在其中以单个波长在一角度范围测量反射，而不是以单个角度在一波长范围测量反射。
图3示意性地示出根据本发明的一实施例的散射仪。由辐射源2发射的辐射通过照射系统11-14进行收集，且经由物镜15和部分反射镜16被聚焦到覆盖衬底W上的目标的斑上。物镜15具有高的数值孔径(NA)，在一个实施例中是至少0.9或至少0.95。浸没式散射仪可以甚至具有数值孔径大于1的透镜。被衬底反射的辐射之后通过部分反射表面16透射进入到检测器4中，用于检测散射光谱。检测器4位于透镜15的后投影光瞳面中，或光瞳面可以替代地用辅助光学装置17再次成像到检测器4上。光瞳面是辐射的径向位置限定了入射角且角位置限定了辐射的方位角的平面。辐射源2可以是散射仪的一部分，或可以简单地是来自外部辐射产生器的辐射的导管。
在一种实施例中，检测器是2维检测器，使得可以测量衬底目标的二维角散射光谱。检测器4可以例如是CCD或CMOS传感器的阵列，且可以具有例如每帧40毫秒的积分时间。
检测器4可以测量单个波长(或窄波长范围)处的散射辐射的强度、分别在多个波长处的强度或在一波长范围上的积分的强度。此外，检测器可以分别地测量横向磁场极化和横向电场极化辐射的强度、和/或横向磁场极化和横向电场极化辐射之间的相位差。
使用宽带辐射源(即具有宽范围的辐射频率或波长的辐射源，因此是彩色的)是可以的，其提供了大的展度，从而允许混合多个波长。几种辐射“源”可以是扩展的辐射源的通过使用纤维束分成的不同的部分。这样，角分辨率散射光谱可以并行地在几个波长处被测量。3D光谱(波长和两个不同的角度)可以被测量，其包括比2D光谱更多的信息。这允许测量更多的信息，其增加了量测处理的鲁棒性。
衬底W上的目标被选择，使得它对将被研究的光刻处理的参数是灵敏的，例如焦距、剂量或重叠。它可以是被印刷的光栅，使得在显影之后，条纹由实体抗蚀剂线形成。所述条纹可以替代地蚀刻到衬底中。可以通过处理单元PU使用所印刷的光栅的散射光谱测量数据，以重建目标来从其中获得处于研究中的参数的值。可以根据印刷步骤和/或其它的散射量测处理的知识将理想目标的一个或更多的参数(诸如线宽和形状)输入到重建过程中。可替代地或另外地，表示处于研究中的参数的信息可以直接从散射量测数据获得，例如通过诸如主成分分析的技术获得。
散射仪SM的照射系统可以被看成由两个部分形成：由透镜11、13表示的第一部分，形成了辐射源2的中间图像2’，而由透镜14表示的第二部分与高NA透镜15合作将中间图像2’成像到衬底W上。
在一种实施例中，照射孔阑刀片12设置在照射系统的第一部分中，且被成像到高NA透镜15的后焦面中。照射孔阑刀片限定了对于预期的测量(例如重叠)适合的照射模式(例如环状照射)。因为照射孔阑刀片12阻挡了源2的一些空间频率，衬底上的源的图像被加宽，辐射溢出到期望的目标区域的外面。被在目标区域外面的结构反射的辐射可能导致散射量测数据中的噪声(无效数据)。因此，场阑19设置在辐射源2的中间图像2’处。场阑19期望仅略微大于理想的几何斑宽度(例如直径)，因此阻挡被衍射的在几何斑外面的辐射，从而确保了被投影到衬底上的斑具有尽可能大的锐度。
注意到，场阑19还用作在高NA透镜15的后焦面中的孔阑刀片12的图像的低通滤光片，由此使得照射模式模糊化。这可能减小了检测器4上的衍射级的角分辨率。然而，通过使用变迹场阑(apodizedfield stop)，即从透明到不透明的转变是渐进式的不是台阶式的场阑，可以获得图像平面中的杂散辐射和衍射级的角分辨率之间的优化平衡。
用于散射量测的反射折射光学系统
在一种实施例中，散射仪包括反射折射光学系统。
反射折射光学系统可以用作临界尺寸(CD)和重叠测量的UV-可见光散射仪中的专用物镜，例如在下文关于图4显示的和描述的。
反射折射物镜可以与如例如在下文关于图11显示和描述的散射仪的照射系统一起使用。
在一种实施例中，反射折射光学系统可以包括(i)用于提供高数值孔径和色差的反射镜系统，和(ii)用于校正一个或更多的像差(诸如慧差)的几乎远焦的折射元件。
散射仪中的反射折射光学系统可以具有几种期望的特性。例如，反射折射光学系统可以具有非常高的数值孔径(诸如例如大约0.95)且在宽光谱范围(诸如例如大约193纳米至1050纳米)中操作。另外，反射折射光学系统可以在感测支路中产生低的遮蔽量(大约15％)。另外，反射折射光学系统与传统的散射仪相比可以在感测支路中包括较少的光学表面，由此减小或最小化在感测支路中产生的散射和重影图像。另外，反射折射光学系统与传统的散射仪相比具有更小的尺寸和重量。
根据本发明的一种实施例的消色差的高数值孔径的反射折射光学系统包括凸球面和凹非球面，该凹非球面被定位以接收来自凸球面的电磁辐射。
图4示出可以感测衬底490的表面中的一个或更多的性质的散射量测系统400。散射量测系统400与图3中的散射量测系统是相类似的。例如，图3中的元件11、13和14类似于图4中的元件420，422，424，432。类似地，图3中的物镜15可以是图4中的反射折射光学系统480或包括图4中的反射折射光学系统480。
系统400具有对准支路和感测支路，且包括反射折射光学系统480。在图4显示的实施例中，反射折射光学系统480包括光学元件434(例如分束器)和物镜系统470。在下文更详细地描述了对准支路、感测支路以及反射折射光学系统480。
对准支路用于将系统400与衬底490上的特征对准。对准支路包括照射源412(诸如宽带发光二极管(LED))，所述照射源412提供第一辐射束。在一例子中，第一束的光谱范围在450纳米和600纳米之间。第一束穿过光学元件430和432，之后入射到光学元件434上。第一束之后被引导穿过物镜470或靠近物镜470，且聚焦到衬底490的一部分上。第一束之后被改向(例如反射和/或折射)返回穿过光学元件434(例如如果第一束被经由物镜470引导至衬底，则其经由物镜470返回穿过光学元件434)。分束器436引导第一束穿过聚焦透镜450和分束器452，且之后引导到第一传感器454(例如电荷耦合器件(CCD))上。通过传感器454提供的衬底490的图像被用于将系统400与衬底490的特定的部分对准。
感测支路用于根据已知的散射量测技术(诸如上文描述的散射量测技术)感测或检测衬底490的被对准的部分上的特征。感测支路包括提供第二辐射束的照射源410(诸如具有干涉滤光片的钨照射源)。在一个例子中，第二束具有约10纳米的带宽，且落入到约300纳米至800纳米的光谱范围内。第二束穿过光学元件420，422，424，430和透镜432。光学元件434之后引导第二束穿过物镜系统470且引导到衬底490的被对准的部分上。通过衬底490的被对准的部分使得第二束改向，且第二束被引导返回穿过物镜系统470和光学元件434。第二束穿过分束器436、透镜440、孔阑442和透镜444，且之后射到第二检测器446(例如第二CCD)上。第二检测器446提供了衬底490的对准部分的图像，其被用于检测衬底490的表面上的特征。
如上所述，反射折射光学系统480包括光学元件434和物镜系统470。反射折射光学系统480在宽的光谱范围(诸如约193纳米至1050纳米)中是无色差的。当用在系统400中时，反射折射光学系统480在感测支路中具有低的遮蔽量(诸如半径范围的约15％)。它具有较小的尺寸和重量以及仅几个表面，从而减小了散射和消除重影。在用于感测时，物镜系统470可以具有高的数值孔径(诸如例如约0.90或0.95)且不使用折射元件。结果，物镜系统470在宽的光谱范围(诸如约193纳米至1050纳米)上适合地操作。
在一种实施例中，对准支路和感测支路都可以分享反射折射光学系统480。在一种实施例中，反射折射光学系统480在对准支路和感测支路的光谱规格内适合地起作用。在这样的实施例中，对准支路的折射元件位于被反射折射光学系统480的小球面反射镜所遮蔽的体积中。对准支路中的第一表面(或表面组)具有与感测支路中的凸反射表面公共的表面(或多个表面)。凸反射表面可以是部分地反射性的(诸如例如80％的反射率)或具有依赖光谱的反射，其提供在感测和对准支路之间的辐射分布。例如，凸反射表面可以被调节(例如被涂覆)以使得它具有：(i)来自对准支路的电磁辐射的折射性质和(ii)来自感测支路的电磁辐射的反射性质。在用在系统400的对准支路中时，反射折射光学系统480在对准支路中基本上没有遮蔽。可替代地，反射折射光学系统480可以用在仅包括感测支路的系统中。
在下文描述和示出了根据本发明的实施例的另外的反射折射光学系统，例如在图5-9中。在图5-9中示出的实施例中的每一个中，来自照射系统的被准直的电磁辐射被聚焦到衬底(例如晶片)上的小斑(诸如约10微米)上。每一实施例可以用于散射量测，每一实施例具有极其宽的数值孔径(诸如约0.95的数值孔径)，且在宽的光谱范围(诸如约193纳米至1050纳米)中操作。
图5显示根据一种实施例的示例性的反射折射光学系统600。如图5所示，反射折射光学系统600包括校正板610、球面凸反射镜616以及非球面凹反射镜612。
校正板610调节辐射束，以校正一个或更多的光学像差(诸如慧差)。如图5所示，校正板610包括非球面表面s2和球面表面s3。通过校正板610调节的辐射穿过非球面凹反射镜612中的孔614，且射到球面凸反射镜616上。球面凸反射镜616包括球面反射表面s6，所述球面反射面s6被定位以反射由校正板610调节的辐射。非球面凹反射镜612接收由球面反射表面s6反射的辐射。非球面凹反射镜612包括非球面反射表面s7，所述非球面反射表面s7将这一辐射聚焦到衬底的目标部分上。例如，在图5中示出了由非球面反射表面s7反射的示例性的射线611。
图6示出根据另外的实施例的示例性的反射折射光学系统700。如图6所示，反射折射光学系统700包括校正板710、球面凸反射镜716和单片玻璃元件712。
校正板710调节电磁辐射束以校正一个或更多的光学像差(诸如慧差)。校正板710包括非球面表面s2。
球面凸反射镜716包括球面反射表面s4，所述球面反射表面s4被定位以反射通过校正板710调节的电磁辐射。在图6显示的实施例中，球面凸反射镜716定位在单片玻璃元件712的表面s6上。单片玻璃元件712的非球面表面s5具有反射部分和透明部分。透明部分以光轴为中心且尺寸基于输入束的横截面尺寸。结果，表面s5透过来自校正板710的辐射束，但是反射来自球面反射镜716的射线。也就是，通过校正板710调节的电磁辐射穿过单片玻璃元件712中的表面s5的透明部分，且射到球面凸反射镜716上。
单片玻璃元件712包括表面s4、s5和s6。单片玻璃元件712的表面s5接收由球面凸反射镜716(表面s4)反射的辐射，且朝向衬底的目标部分反射这一辐射。在射到衬底的目标部分上之前，辐射穿过单片玻璃元件的表面s6。反射离开非球面反射表面s5的射线大致垂直于表面s6从单片玻璃元件712中射出，且因此基本上没有被表面s6折射。结果，反射折射光学系统700是无色差的。
图7示出根据另外的实施例的示例性的反射折射光学系统800。如图7所示，反射折射光学系统800包括校正板810、球面凸反射镜816、非球面凹反射镜812和元件820。
校正板810调节辐射束以校正一个或更多的光学像差(诸如慧差)。校正板810包括非球面表面s1和表面s2。如图7所示，校正板810定位在非球面凹反射镜812的孔814中。
球面凸反射镜816包括球面反射表面s3，所述球面反射表面s3被定位以反射由校正板810调节的辐射。在图7显示的实施例中，球面凸反射镜816被定位在元件820的表面s5上。通过校正板810调节的辐射射到球面凸反射镜816上。
非球面凹反射镜812包括非球面反射表面s4。非球面凹反射镜812的非球面反射表面s4接收被球面凸反射镜816反射的辐射，且朝向元件820(例如弯液面)反射这一辐射。
元件820包括第一表面s5和第二表面s6。被非球面凹反射镜812反射的辐射基本上垂直于第一表面s5和第二表面s6穿过元件820，因此在元件820的两表面处都基本上没有被折射。结果，反射折射光学系统800是无色差的。
图8示出了根据另外的实施例的照射系统和反射折射光学系统900。反射折射光学系统900具有约0.95的照射数值孔径，且在从约300纳米至800纳米的宽光谱范围中工作。反射折射光学系统900在衬底910上产生了小斑(诸如例如约10微米的斑)。
反射折射光学系统900包括球面折射表面920、平面反射表面930、非球面反射表面940、光学元件960、透镜组970、辅助透镜980以及与衬底910上的斑共轭的照射源990。照射源990提供传播通过辅助透镜980和透镜970的辐射。透镜970具有至少一个非球面表面。透镜970功能是校正反射折射光学系统900的像差(诸如慧差)。透镜970可以形成远焦透镜组970。光学元件960引导来自透镜970的辐射，以反射离开平面反射表面930。电磁辐射之后反射离开非球面反射表面940，穿过球面折射表面920，并聚焦到衬底910上。辐射沿着基本上垂直于表面920的方向穿过球面折射表面920。结果，反射折射光学系统900是无色差的。
反射折射光学系统900可以用于测试或感测衬底910的特征。在感测模式中，反射折射光学系统900作为高数值孔径傅里叶物镜工作，其中辐射沿着图8中显示的方向的相反方向传播。具体地，辐射将被衬底910的表面改向，穿过反射折射光学系统900、然后射到位于与反射折射光学系统的后焦面(即光瞳面)共轭的平面中的CCD上。位于CCD上的不同点处的辐射斑对应于来自衬底910的表面的以不同角度改向的辐射束。通过使用已知的散射量测技术，这些斑可以用于分析衬底910的特征(诸如CD和重叠)。
例如，图9示出在感测模式中传播通过反射折射光学系统900的三个改向的辐射束913，915，和917(对应于来自衬底910的表面的以约0、30和72度改向的射线)。改向的辐射束在反射折射光学系统900的光瞳面中产生了傅里叶图案。
非球面反射镜940、平面反射镜930以及折射球面表面920可以由单片玻璃光学元件912制成。单片玻璃光学元件912可以由在约193纳米至1050纳米的光谱范围中具有透射性的玻璃(例如SiO2)来制造。在这一例子中，平面反射镜930包括环形区，该环形区具有定位在环形区的中心中的折射球面表面920。单片玻璃光学元件912定向成使得衬底910上的照射斑与平面反射镜930和折射球面表面920是同心的。光学元件960可以由与单片玻璃元件912相同的材料制造，且通过使得它光学地接触单片玻璃元件912而被组装。
图10示出了根据另外的实施例的示例性的反射折射光学系统1200。反射折射光学系统1200包括级联在一起的第一单片玻璃元件1210、第二单片玻璃元件1220、以及折射透镜组1230。单片玻璃元件1210从约0.95的数值孔径转变成约0.4的数值孔径(反之亦然)。级联的单片玻璃元件1210和1220从约0.95的数值孔径转变成约0.02的数值孔径。
第一单片玻璃元件1210包括折射表面s2、非球面反射表面s3、平面反射表面s4以及折射表面s5。如图10所示，折射表面s2定位在平面反射表面s4的中心，折射表面s5定位在非球面反射表面s3的中心。
第二单片玻璃元件1220包括反射表面s7和反射表面s8。反射表面s7和s8每个包括中心透明部分。
折射透镜组1230包括光学表面s9，s10，s11，s12，s13，和s14，其被定位和成形以校正一个或更多的像差(诸如慧差)。
这一光学设计功能类似于图8和9中显示的设计，但是仅具有一个非球面表面(第一单片玻璃元件1210的非球面反射表面s3)和较宽的光谱范围(约193至1050纳米)。
例如，辐射穿过折射透镜组1230进入反射折射光学系统1200。辐射穿过折射透镜组1230，且之后穿过反射表面s8的中心透明部分。
穿过反射表面s8的中心透明部分的辐射被反射表面s7反射且之后被反射表面s8接收。反射表面s8将辐射聚焦到穿过反射表面s7的中心透明部分的辐射的聚焦斑中。也就是，第二单片玻璃元件1220配置成提供聚焦的辐射斑。
第一单片玻璃元件1210的折射表面s5定位成与来自第二单片玻璃元件1220的辐射的聚焦斑同心。因此，来自第二单片玻璃元件1220的辐射基本上垂直于折射表面s5进入到第一单片玻璃元件1210中。反射表面s4接收这一辐射且将其朝向非球面反射表面s3反射。非球面反射表面s3将辐射聚焦到衬底的聚焦斑上(未在图10中具体地显示)。折射表面s2定位成与衬底上的聚焦斑同心，从而使得辐射基本上垂直于折射表面s2从第一单片玻璃元件1210射出。
因为辐射基本上垂直于折射表面s5和s2进入和射出第一单片玻璃元件1210。所以反射折射光学系统基本上是无色差的，即具有约193至1050纳米的光谱范围。
量测工具(诸如上文讨论的散射仪)可以在宽光谱范围(例如约193至1050纳米)中操作且具有高的数值孔径。然而，这样的量测工具可以有效地具有较短的光谱带(例如300-800nm)，这是因为用于量测工具的照射系统不能够提供该宽的光谱范围。这是由于照射系统中的折射元件的色彩限制。
图11显示根据本发明的一种实施例的散射仪的示意图。图11实质上显示散射仪的照射系统，所述照射系统供给辐射至物镜15(其如上文所讨论的可以是反射折射光学系统或包括反射折射光学系统)。参考图11，照射系统包括照射光纤1300以使得辐射从光源2(未显示)到达照射系统。照射系统还包括聚光透镜11和中继透镜13和14。
为了使得照射系统提供宽光谱范围，应当提供具有输入NA＞0.05的无色差聚光透镜11，其可以有效地收集来自高NA照射光纤1300的光。
根据本发明的一种实施例，反射折射光学系统提供作为聚光透镜11，在下文是反射折射聚光透镜。它执行聚光透镜的功能但是是无色差的，且在从约193至1050nm的宽光谱范围中操作。反射折射聚光透镜的设计参数可以被选择，以具有最小的中心遮蔽量。在一种实施例中，反射折射聚光透镜的遮蔽量可以与物镜15的遮蔽量匹配。例如，该遮蔽量可以小于或等于物镜15中的遮蔽量。在所述情形中，反射折射聚光透镜将不会在系统中引入除了通过物镜15所提供的辐射损失之外的辐射损失。在一种实施例中，该遮蔽量可以比物镜的遮蔽量高出达20％。在一种实施例中，该遮蔽量是光瞳半径的约15％或更小。中继透镜13和14可以由CaF2和/或SiO2制造作为双联体，且提供在反射折射聚光透镜的下游的照射场尺寸与物镜的光瞳的尺寸的匹配。
图12示意性地示出根据本发明的一种实施例的反射折射聚光透镜11。反射折射聚光透镜11包括第一透明材料块1310和第二透明材料块1320。第一块1310和第二块1320可以是分离的光学部件，其在界面1340处被制造成单个件，或可以是透明材料的单片元件。第一块1310和/或第二块1320的材料可以是熔融的硅石(SiO2)、氟化钙(CaF2)或玻璃。
第一块1310包括球面反射镜1350。在一种实施例中，第一块1310具有输出表面1360(例如平坦表面)，其中具有腔，所述腔形成了球面反射镜1350。所述腔可以是例如镀银的。在一种实施例中，所述腔可以填充有材料。所述腔中的材料可以不同于第一块1310的材料，在该情形中镀银可能是不需要的。
第二块1320包括反射表面1370。在一种实施例中，反射表面1370是非球面的。在一种实施例中，反射表面1370可以是内嵌在如图所示的第二块1320中。这可以例如通过使得第二块1320的镀银的第一部分与具有表面1390的第二块1320的相符的第二部分接触而被制造。第二块1320的第二部分的材料可以不同于第二块1320的第一部分的材料，在该情形中镀银可能是不需要的。在一种实施例中，所述表面1390可以是反射表面1370。
第二块1320还包括从第二块1320的表面1390延伸到第二块1320中的孔1380。在一种实施例中，所述孔是圆柱形的。
光纤1300延伸到第二块1320的孔1380中且终止于光纤1300的出口1330处。在一种实施例中，出口1330终止于第一块1310和第二块1320之间的界面1340处。照射光纤1300的出口1330用作输入照射源。在一种实施例中，光纤1300包括具有反射内表面的圆柱形中空管，用于传递照射辐射。在一种实施例中，出口1330位于反射镜1350和反射表面1370之间，在一种实施例中，出口1330位于反射镜1350和反射表面1370的大约中间或更靠近反射镜1350。
来自出口1330的辐射被从反射镜1350反射，传播通过第一块1310和第二块1320的所有部分或一部分，且之后从反射表面1370反射以形成穿过输出表面1360的准直的辐射束1400。因为辐射束被在反射镜1350附近反射，所以辐射束1400具有中心遮蔽量。在一种实施例中，输出表面1360基本上垂直于来自反射表面1370的辐射束的方向。这便于形成无色差束。例如，输出表面1360是平坦的。
下文在表1中显示出反射折射聚光透镜的示例性的光学方案。
Figure BDA0000070256830000211
表1-用于反射折射聚光透镜的示例性的光学方案，反射表面1370是圆锥形的且K＝-0.8431，光纤1300的直径假定是200μm，反射折射聚光透镜的材料是UV熔融硅石，输出束1400直径是4.8mm。
图12和表1显示和描述的设计具有约～15％的中心遮蔽量，以匹配物镜15中的遮蔽量。设计参数可以被成比例的缩放或修改以满足特定的量测工具的封装需要(例如依赖于光纤直径、物镜光瞳尺寸、中继系统的放大倍数等)。
在一种实施例中，在反射表面1350和反射表面1370之间的空间以及至少在反射表面1350的外横向边界中或反射表面1350内的空间可以用气体(例如空气或氮气)或液体填充，照射光纤1300埋入到被气体或液体包围的中空安装管的内部。所述管连接至反射表面1370的中心，且至少延伸到反射表面1350和反射表面1370之间的气体或液体中。在一种变体中，安装管可以具有反射内表面，照射光纤1300终止在所述管的进口处，如类似地关于图13在下文所描述的。辐射将进入所述管、从内表面反射且从出口1330输出。
在一种实施例中，参考在很多方面类似于图12的图13，光纤1300被从孔1380移除，且填充有具有比第二块1320中的材料更大的折射率的光学介质(例如诸如玻璃或液体等透明材料)。出口1330靠近孔1380的辐射出口或与之接触。因此，孔1380用作波导以传递照射辐射至点1410。
结论
已经描述了用于量测工具(诸如散射仪)的反射折射光学系统。虽然在上文描述了本发明的各实施例，但是应当理解它们仅通过举例的方式显示出且不是限制性的。相关领域的技术人员应当明白，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以在本文中进行形式和细节上的各种变化。例如，此处描述的实施例的一个或更多的特征可以与此处描述的另一实施例的一个或更多的特征组合或用其替换。例如，如果被适合地修改以输出准直的束，那么用于物镜15的上文描述的反射折射光学系统可以用在照射系统中。
相关领域的技术人员可以修改和再次优化上述的实施例以更好地遵循包含在感测支路和对准支路中的光学装置的制造过程。例如，(分别是图5，6，7和12的)凸球面反射镜616，716，816，和1350可以被凹或非球面反射镜替换。相关领域的技术人员将明白上述的实施例的这些和其它的修改，且这些和其它的修改意图是要落入本发明的精神和范围内。
此外，应当理解，所述描述可以阐述一个或更多的如由发明人所设想的本发明的示意性实施例，但是不是本发明的所有的示例性实施例，且因此不是要以任何方式限制本发明和随附的权利要求。因此，本发明的宽度和范围不应当受任何上述的示例性实施例的限制，而是仅应当根据随附的权利要求和它们的等价物进行限定。

Claims (15)

1.一种量测工具，包括：
物镜，用于将辐射传递至表面和接收被所述表面改向的辐射；
检测器，用于接收来自所述物镜的所述被改向的辐射；和
照射系统，用于将用于改向的辐射传递至所述物镜，所述照射系统包括照射系统反射折射光学系统。
2.根据权利要求1所述的量测工具，其中所述物镜包括物镜反射折射光学系统。
3.根据权利要求1所述的量测工具，其中所述量测工具是散射仪。
4.根据权利要求1所述的量测工具，其中所述照射系统反射折射光学系统包括：
第一反射表面，所述第一反射表面定位和配置成反射辐射；
第二反射表面，所述第二反射表面定位和配置成将从所述第一反射表面反射的辐射反射作为准直束，所述第二反射表面具有孔阑以允许辐射透射穿过所述第二反射表面；和
通道结构，所述通道结构从所述孔阑朝向所述第一反射表面延伸，且具有在所述第一反射表面和第二反射表面之间的出口，以将辐射供给至所述第一反射表面。
5.根据权利要求4所述的量测工具，其中所述第二反射表面形成第一实心透射元件部分的表面或位于第一实心透射元件部分的表面上，所述通道结构包括穿过所述第一实心透射元件部分的通道孔阑。
6.根据权利要求1所述的量测工具，配置成透射从约193至1050纳米的范围的所有波长的辐射。
7.根据权利要求1所述的量测工具，配置成遮蔽光瞳半径范围的约15％或更少的辐射。
8.一种反射折射光学系统，包括：
第一反射表面，所述第一反射表面定位和配置成反射辐射；
第二反射表面，所述第二反射表面定位和配置成将从所述第一反射表面反射的辐射反射作为准直束，所述第二反射表面具有孔阑以允许辐射透射穿过所述第二反射表面；和
通道结构，所述通道结构从所述孔阑朝向所述第一反射表面延伸，且具有在所述第一反射表面和第二反射表面之间的出口，以将辐射供给至所述第一反射表面。
9.根据权利要求8所述的反射折射光学系统，其中所述第二反射表面形成所述第一实心透射元件部分的表面或位于所述第一实心透射元件部分的表面上。
10.根据权利要求9所述的反射折射光学系统，其中所述第一反射表面形成与所述第一实心透射元件部分相邻的第二实心透射元件部分的表面，或位于与所述第一实心透射元件部分相邻的第二实心透射元件部分的表面上。
11.根据权利要求9所述的反射折射光学系统，其中所述通道结构包括穿过所述第一实心透射元件部分的通道孔阑。
12.根据权利要求8所述的反射折射光学系统，其中流体围绕所述通道结构，在所述第一和第二反射表面之间延伸，和位于至少所述第一反射表面或所述第二反射表面的外横向边界中。
13.根据权利要求8所述的反射折射光学系统，还包括在所述通道结构中延伸的光纤或形成所述通道结构的光纤。
14.一种量测方法，包括步骤：
使用物镜将辐射传递至表面；
使用所述物镜接收被所述表面改向的辐射；
使用来自所述物镜的改向的辐射来检测所述表面的参数；和
使用反射折射光学系统将用于改向的辐射传递至所述物镜。
15.根据权利要求14所述的量测方法，其中所述传递所述辐射的步骤包括：
使用所述反射折射光学系统的第一反射表面反射辐射；和
使用第二反射表面反射从所述第一反射表面反射的辐射，以形成准直束，所述第二反射表面具有孔阑以允许辐射透射穿过所述第二反射表面，
其中，通道结构从所述孔阑朝向所述第一反射表面延伸，且具有在所述第一反射表面和第二反射表面之间的出口，以将辐射供给至所述第一反射表面。
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