CN102251273A - 一种金红石晶体的熔盐生长方法 - Google Patents
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Abstract
一种新的助熔剂熔盐法生长金红石单晶。本发明的核心内容是采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2:NaBSiO4:MoO3=1:3:（0～2）（摩尔比），转速15r/min，降温速率0.2℃/day～2℃/day，生长得到单晶金红石。本发明采用新助熔剂体系，有效降低粘度，易于得到金红石单晶。
Description
技术领域
本发明专利涉及晶体生长领域，特别是一种金红石晶体的熔盐生长方法。
背景技术
金红石晶体（化学式TiO2）是一种具有大的介电常数，高的折射率和双折射率，良好的近红外波段透过性晶体，作为介电材料、红外窗户材料以及制作光隔离器等广泛用于光学领域。与YVO4相比，具有物理化学稳定性更好。
金红石晶体是一种高熔点氧化物晶体，目前生长方法有焰熔法、光浮区加热法和水热法等，熔盐法具有生长温度低，工艺简单，适合产业化生产等特点。
本发明采用熔盐法，新助熔剂体系，生长金红石单晶。
发明内容
本发明的目的是采用新的助熔剂体系，熔盐法生长金红石单晶。
本发明通过如下方式实现：采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2:NaBSiO4:MoO3=1:3:（0～2）（摩尔比），转速15r/min，降温速率0.2℃/day～2℃/day，生长得到单晶金红石。
具体实施方式
实施例一：采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠为原料，根据化学式：Na2B2O4＋2SiO2→2 NaBSiO4，TiO2: NaBSiO4=1:3mol/mol，将二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠于950℃熔融至透明，移入生长炉，转速15r/min，
降温速率0.2℃/day～1℃/day，生长得到单晶金红石。
实施例二：采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，根据化学式：Na2B2O4＋2SiO2→2 NaBSiO4，TiO2: NaBSiO4:MoO3=1:3:1（摩尔比），将二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠于950℃熔融至透明，往熔融透明的熔体中加入三氧化钼至熔透为止，移入生长炉，转速15r/min，降温速率0.2℃/day～1℃/day，生长得到单晶金红石。
Claims (1)
1.一种新助熔剂熔盐法生长金红石单晶，其特征在于采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2:NaBSiO4:MoO3的摩尔比为1:3:0-2，转速15r/min，降温速率0.2℃/day～2℃/day。
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