CN102246058A - 用于硅光电倍增管和其他单光子计数器的温度补偿电路 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 75
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 11
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 claims 2
- 238000003325 tomography Methods 0.000 claims 1
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 abstract 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000002600 positron emission tomography Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229940121896 radiopharmaceutical Drugs 0.000 description 6
- 239000012217 radiopharmaceutical Substances 0.000 description 6
- 230000002799 radiopharmaceutical effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000002603 single-photon emission computed tomography Methods 0.000 description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 238000013170 computed tomography imaging Methods 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012633 nuclear imaging Methods 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000005258 radioactive decay Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2985—In depth localisation, e.g. using positron emitters; Tomographic imaging (longitudinal and transverse section imaging; apparatus for radiation diagnosis sequentially in different planes, steroscopic radiation diagnosis)
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/037—Emission tomography
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Molecular Biology (AREA)
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Abstract
一种PET扫描器(8)，包括围绕成像区域(12)的探测器模块(10)环。每个探测器模块包括至少一个探测器像素(24、34)。每个探测器像素包括闪烁体(20、30)，该闪烁体光学耦合至在Geiger模式下在击穿区域中偏置的一个或多个传感器APD(54)。传感器APD响应于来自闪烁体的、与单个入射辐射光子相对应的光而输出脉冲。也在Geiger模式下在击穿区域中偏置的参考APD(26、36)被光学屏蔽于光并输出温度相关信号。至少一个温度补偿电路(40)基于温度相关信号而调整施加至传感器APD的偏置电压。
Description
本发明涉及核辐射探测器领域。其特别与用于诸如单光子发射计算机断层摄影(SPECT)成像器、正电子发射断层摄影成像器、平面X射线成像器等的采用辐射透射或放射性药物的核医学成像器的辐射探测器一起应用，并且，将特别对其进行参考而描述。将意识到，本发明还可以应用于其他辐射成像模态，并且，可以应用于诸如天文学和机场行李筛查的采用辐射探测器的系统及方法中。
在单光子发射计算机断层摄影(SPECT)中，将放射性药物施予至成像受试者，并且，一般被称为伽马相机的一个或多个辐射探测器用于探测经由由于放射性衰变事件而引起的辐射发射的放射性药物。典型地，每个伽马相机包括辐射探测器阵列和设置在辐射探测器阵列的前面的蜂窝式准直器。蜂窝式准直器定义直线或小角度锥形视线，从而所探测的辐射包括投影数据。如果伽马相机遍及角度视野的范围而移动，例如，遍及180°或360°的角度范围，那么，能够使用滤波反投影、期望最大化或另一成像技术来将得到的投影数据重建成成像受试者中的放射性药物分布的图像。有利地，能够将放射性药物设计为集中在所选择的组织中，以提供那些所选择的组织的优先成像。
在正电子发射断层摄影(PET)中，将放射性药物施予至成像受试者，其中，放射性药物的放射性衰减事件产生正电子。每个正电子与电子相互作用，以产生发射两个相对指向的伽马射线的正电子-电子湮没事件。使用符合探测器电路，围绕成像受试者的辐射探测器阵列环探测与正电子-电子湮没相对应的符合的相对指向的伽马射线事件。连接两个符合探测的响应线(LOR)包含正电子-电子湮没事件的位置。这样的响应线与投影数据相似并且，能够重建以产生二维或三维图像。在飞行时间PET(TOF-PET)中，两个符合γ射线事件的探测之间的微小的时间差用于沿着LOR(响应线)定位湮没事件。
在平面X射线成像中，辐射源照射成像受试者，并且，设置在成像受试者的相对侧的辐射探测器阵列探测透射的辐射。由于成像受试者中的组织对辐射的衰减，因此所探测的辐射提供成像受试者中的骨骼或其他硬的辐射吸收结构的二维平面表示。这样的基于透射的成像在透射计算机断层摄影成像中得到了改进，在透射计算机断层摄影成像中，使X射线管或其他辐射源绕成像受试者旋转，以提供遍及扩展的角度范围的透射视角或投影数据，例如，遍及180°或360°的跨度的角度视角。使用滤波反投影或另一图像重建技术，将辐射投影数据重建成二维或三维图像表示。
SPECT、PET以及其他基于辐射的医学成像所共有的一个需求为紧凑且鲁棒的辐射探测器模块。这样的辐射探测器模块也在诸如天文学和行李筛查的其他区域中使用。过去，SPECT和PET辐射探测器模块典型地包括与闪烁体晶体光学耦合的光电倍增管(PMT’s)的阵列。闪烁体晶体将所吸收的辐射粒子转换成由光电倍增管测量的光爆发。光电倍增管稳定，并提供高增益(～106)特性，但光电倍增管庞大，易碎，要求高电压，并且，对磁场非常敏感。在某些辐射探测系统中，光电倍增管已被产生与光爆发的强度成比例的模拟信号的光电二极管取代。虽然光电二极管在高光情形下提供光电倍增管的具有成本效益的低电压的替代物，但光电二极管在低光(低伽马射线通量)感测应用中未提供足够的增益，因而导致较差的信噪比。
为了解决这些困难，已开发硅光电倍增管(SiPM)探测器，该探测器将光电倍增管的高增益和稳定性与模拟光电二极管的具有成本效益且低电压的性质一起并入。SiPM探测器使用各自光学耦合至相应的闪烁晶体的小雪崩光电二极管(APD)的像素化阵列。APD在击穿区域中偏置。在该区域中，APD变得对单载波敏感。这些载波、电子和/或空穴能够是热生成的，因而导致引起噪声的暗计数，或者，是通过二极管的敏感区域中的单个或多个光子的吸收而光生成的。电子和空穴这两者都能够启动二极管的击穿，从而产生强输出信号。在击穿事件之后，定位成接近每个二极管的无源或有源充电电路将二极管重新设置成敏感状态。在模拟SiPM中，输出信号包括大量无源猝灭的二极管的累积电荷。相反，数字SiPM单独地基于电压脉冲而探测击穿事件，其中，电压脉冲由逻辑门数字化，并且，由定位成接近APD的数字计数器计数。
在数字Geiger模式下，APD响应于来自相应的闪烁晶体中的辐射事件的光的光子而击穿，并且，产生输出脉冲。对用作二元1’s的输出脉冲进行计数，以确定由撞击相应的闪烁体的辐射事件而生成的光子的数量。该光子计数与所探测的辐射事件的能量相对应。
虽然对单个光子事件敏感，但每个APD的击穿电压受到运行温度的影响。假设是在恒定的偏置条件下，则温度引起的击穿电压的漂移导致相应的过电压的变化。光子探测受到过电压的变化的影响，因为：(1)在击穿期间产生的电荷脉冲与二极管电容和过电压的乘积成比例，并且，(2)过电压确定设备内侧的场强，因而导致光子探测概率的漂移。将所探测的光子作为测量的电荷信号计数的模拟SiPM受到这两个因素的影响，并且，变得对温度非常敏感。相反，在电压感测数字SiPM中，电压脉冲必须超过将被探测的门级阈值，并且，所以，该类型的SiPM仅受到光子探测概率的漂移的影响。然而，光子探测概率的漂移仍然可能降低探测器的能量分辨率。由于暗电流率(DCR)每8℃加倍，为了减少传感器的噪声(DCR)且避免由于APD中的温度变化而导致的误差，因而作出提议以冷却探测器。对于空气冷却，穿过探测器而提供空气流动通道增加了体积。即使利用空气冷却，也可能发生温度波动。液体冷却可能更有效，但增加了系统复杂性。即使利用液体冷却，也可能发生某些波动。
本申请预期克服上面提及的问题及其他的新的且改进的核成像探测器模块装置及方法。
根据一个方面，提供一种用于在诊断成像中使用的辐射探测器模块。该模块具有至少一个探测器像素，每个探测器像素包括闪烁体，闪烁体光学耦合至在Geiger模式下在击穿区域中偏置的一个或多个雪崩光电二极管。传感器雪崩光电二极管配置为响应于来自闪烁体的、与单个入射辐射光子相对应的光而输出脉冲。至少一个参考探测器配置为输出温度相关信号。至少一个温度补偿电路配置为基于温度相关信号而调整施加至传感器雪崩光电二极管的偏置电压。
根据另一个方面，提供一种PET扫描器。该扫描器包括围绕成像区域的如上所述的多个辐射探测元件。符合探测器探测成对的所探测的辐射事件，并且，确定与符合对相对应的响应线。重建处理器将响应线重建成图像表示。
根据另一个方面，提供一种补偿辐射探测器的温度变化的方法。从传感器雪崩光电二极管生成输出脉冲，该传感器雪崩光电二极管响应于来自相关联的闪烁体的、令一个或多个传感器雪崩光电二极管击穿的光而在Geiger模式下在击穿区域中偏置。根据传感器雪崩光电二极管的所感测的温度而生成温度相关信号。基于温度相关信号而调整施加至传感器雪崩光电二极管的偏置电压。
根据另一个方面，提供一种制作辐射探测器模块的方法。形成雪崩光电二极管的阵列。将阵列的传感器雪崩光电二极管与闪烁体光学耦合。在与传感器雪崩光电二极管相同的过程中将阵列的参考雪崩光电二极管形成于同一衬底上。将参考雪崩光电二极管光学屏蔽。将参考雪崩光电二极管与调整施加至传感器光电二极管的偏置电压的温度补偿电路连接。
一个优点在于由于探测器像素和参考雪崩光电二极管的热等量环境而改进温度稳定性。
在阅读并理解下列详细的说明的基础上，更进一步的优点和益处将对本领域普通技术人员显而易见。
本申请可以采取各种构件和构件的布置的形式，并且，可以采取各种步骤和步骤的安排的形式。附图仅出于图解说明优选实施例的目的，并且，不被解释为限制本申请。
图1示意地示出采用温度补偿电路的透射辐射系统；
图2示出具有参考二极管的辐射探测器模块的一个实施例的横截面视图；
图3示出探测器模块之一的另一实施例的横截面视图；
图4是示出温度补偿电路之一的一般控制图；
图5示出辐射探测器模块的一个物理布局实施例的横截面视图，其中，传感器APD和参考APD设置在光电二极管层中，并且，温度补偿电路和数字电路设置在与光电二极管层分开并与光电二极管层电耦合的数字电路层中；
图6示出具有传感器APD、参考APD以及温度补偿电路的辐射探测器模块的另一个实施例的透视图；
图7示出辐射探测器模块的另一实施例的透视图，其中，参考APD设置为与每个像素的角相邻；以及，
图8示出辐射探测器模块的另一实施例的透视图，其中，参考APD设置在单个像素内的传感器APD之间的间隙中。
参考图1，PET或其他辐射断层摄影扫描器8包括取向为从成像区域12接收辐射的多个辐射探测器模块10。在图1中，辐射探测器模块10布置在沿着轴向方向的若干个相邻的环中；然而，能够使用辐射探测器模块的其他布置。此外，将意识到，示意地图解说明多个辐射探测器模块10；典型地，辐射探测器模块10安置在断层摄影扫描器8的壳体14内并且因而不可从外侧看见。典型地，每个环包括数百或数千个辐射探测器模块10。在一些扫描器中，仅提供辐射探测器模块10的单个环，在其他扫描器中，提供辐射探测器模块10的高达五个或更多个环。应当意识到，能够使用探测器头，以代替在图1中显示的探测器环结构。断层摄影扫描器8包括用于将对象或人类患者定位在成像区域12中的受试者支撑16。任选地，支撑16可沿与辐射探测器模块10的环大致垂直的轴方向线性地移动，以促进遍及延长的轴向距离的三维成像数据的采集。
参考图2，像素化探测器模块10包括闪烁晶体20或其他闪烁体的阵列。闪烁体被选择为以闪烁爆发的快速时间衰减提供对诱导辐射的高阻止能力。一些合适的材料包括LSO、LYSO、MLS、LGSO、LaBr、CsI(Ti)以及它们的混合物。应当意识到，能够使用其他闪烁体材料。光导22将闪烁体晶体连接至与探测器像素24相对应的有源APD的阵列(例如，1000×1000的阵列)。诸如参考APD的参考探测器26安装在有源探测器像素24中。在所图解说明的实施例中，像素和参考APD形成于共同的衬底28上。响应于被辐射撞击，闪烁体晶体发射爆发的光子。光子撞击探测器像素的APD，令它们被击穿并发射脉冲。脉冲具有促进时间分辨率的尖前缘。当辐射事件稀疏时，对来自每个APD的脉冲进行计数，并且，总和指示所接收到的辐射量。将其输出结合以创建仍具有尖前缘的单个较高的幅度脉冲。
参考图3，在Anger逻辑的实施例中，每个探测器模块10’包括闪烁体30，在诸如伽马辐射的辐射撞击闪烁体30时，该闪烁体30产生闪烁或光的爆发。光的爆发由光导32传播至与每个探测器像素34相对应的若干个APD。诸如APD的参考探测器36在共同的衬底38上形成于探测器像素光电二极管中。在稀疏的辐射状况下，每个辐射事件令闪烁体晶体发射光的若干个光子。接收光子的APD触发击穿并生成脉冲。根据生成脉冲的像素的模式，能够使用Anger逻辑来确定闪烁事件的位置。
参考APD 26、36设置在相邻的探测器像素24、34之间的间隙中。参考APD 26、36被屏蔽于由闪烁体生成的光子。屏蔽物能够是设置为使参考APD 26、36屏蔽于光的金属或其他遮光罩。在一个实施例中，单个参考APD与探测器模块的每个像素相关联并设置为与该像素相邻。在另一个实施例中，多个参考APD 26、36布置为围绕单个像素的周边。参考APD的输出值协同使用，以便进行准确的温度补偿。
传感器APD是在Geiger模式操作类型中偏置的合适的硅雪崩光电二极管(APD)。该操作模式包括利用大于击穿电压的偏置电压来将APD反向偏置，从而由于碰撞电离导致单光子能够触发自维持的雪崩电流。每个光子106的数量级个电子的雪崩电流将继续流动，直到利用猝灭电路来降低偏置电压为止，从而使传感器光电二极管恢复至运行状态。在一个实施例中，猝灭电路是包括单个猝灭电阻的无源猝灭电路，该猝灭电阻由于大负载两端的电压降而使得雪崩电流自猝灭。在将电压偏置降低至低于击穿电压之后恢复，从而允许APD返回至运行或就绪状态。在另一个实施例中，由有源猝灭电路减少缓慢恢复时间或死区时间，在该有源猝灭电路中，例如CMOS或TTL的电子电路探测雪崩电流的上升沿，并且，通过将猝灭脉冲应用于APD而迅速地降低偏置，然后快速地将电压偏置切换回Geiger模式运行。光子计数器(未示出)对预定时间段内的雪崩电流的事例进行计数。
在一个实施例中，除了使参考APD屏蔽于从闪烁体20、30所产生的光子的遮光帽之外，参考APD 26、36与构成像素24、34的传感器APD相同。取代探测光子生成的电子空穴对，参考APD探测热生成的电子空穴对或暗电流。每个参考APD 26、36类似地连接至有源或无源猝灭电路，以便确保热生成的暗电流的高速探测。
热生成的电子空穴对由半导体内的生成重组过程而创建，并且，在没有光子的情况下能够触发雪崩电流。如名称所提示地，热生成的电子空穴对是温度相关的，温度变化引起击穿电压的变化，因为晶格振动直接与在到达足以触发雪崩电流的能级之前令电子空穴对与晶格碰撞的温度成比例。被称为暗电流的热生成的雪崩电流是作为引起错误触发的像素24、34的传感器APD中的噪声源。能够通过降低温度而减少热生成的电子空穴对的数量。能够以系统复杂性和成本为代价改进信噪比(SNR)。通过将恒定的温度维持在+/-0.1°K之内，并且维持与恒定的温度相对应的预定的温度偏移，从而能够防止由于击穿电压的温度诱发漂移而导致的传感器性能的进一步退化。该控制系统温度的方法增加对冷却系统的需求并增加制造及运行成本。
参考图4，温度补偿电路40通过使用来自参考APD 26、36的暗电流来调整电压偏置以维持像素24、34的传感器APD中恒定的击穿过量，从而补偿温度变化。在一个实施例中，被围在不透光的壳体42中的屏蔽的参考APD26、36电连接至有源猝灭电路44。由选通计数器46计算暗计数率，该选通计数器46配置为在预定义的时间段期间对有源猝灭电路44的猝灭脉冲进行探测并计数。在另一实施例中，选通计数器46配置为探测雪崩电流的上升沿，而不是从有源猝灭电路44输出的猝灭脉冲。还应当意识到，还能够使用其他类型的数字计数器，以代替选通计数器。选通计数器46将代表暗计数率的数字值输出至控制器48的输入。在一个实施例中，控制器采用查找表来将暗计数率与经调整的电压偏置互相参照。在另一个实施例中，控制器使用控制回路算法来确定经调整的电压偏置。控制器48将代表经调整的电压偏置的数字值输出至数模转换器50的输入，数模转换器50将经调整的数字电压偏置值转换成模拟信号，并且，将经模拟调整的电压偏置输出至例如电荷泵的可变电压源52。可变电压源52配置为基于控制器48的输出而调整传感器APD 54两端的电压偏置。
参考图5，在一个实施例中，硅衬底28、38具有至少两层。第一层是包括APD 54的光电二极管层60，所述APD 54布置成形成多个像素24、34的每个的阵列。参考APD 26、36设置在相邻的像素24、34之间的例如100μm的间隙的间隙中。在分隔层中，电连接至光电二极管层60的数字电路层64包括负责以下的数字电路：输出诸如辐射探测器模块识别、像素识别、时间戳以及光子计数的光子探测特异性信息。数字电路还可以包括数字偏置电路、数字触发电路以及读出电路。在一个实施例中，一个或多个温度补偿电路40也设置在数字电路层64中。在一个实施例中，针对每个像素的APD而提供数字补偿电路。在另一个实施例中，一个温度补偿电路调整除了参考APD之外的衬底28、38上的所有APD的偏置。
像素24、34以二维阵列布置，以定义辐射探测器模块10、10’的光敏表面。散布在探测器像素中的为在相邻的像素24、34之间的间隙中设置的参考APD26、36。能够使用各种物理布局。
在图6中所示的实施例中，温度补偿电路40设置在光电二极管层60中的像素24、34之间的间隙中。
在图7中所示的实施例中，参考APD 26、36设置为与每个像素24、34的角相邻。每个参考APD与暗电流速率计数器46相连。每个像素24、34的控制器48对来自相应像素的角处的四个参考APD的计数器进行平均。应当意识到，可以采用其他数学算法，例如梯度算子、平均自适应或异常检测。
在图8所示的另一个实施例中，在每个像素24、34内，参考APD 26、36设置在传感器APD 24、34之间。在另一个实施例中，与每个像素相对应的阵列中的一个(或多个)APD被屏蔽于从来自闪烁体的光，并且，该APD被用作参考APD。在另一个实施例中，参考探测器26、36是其他热传感器，例如热敏电阻。
在另一个实施例中，扫描器是TOF-PET扫描器。控制器48还例如通过访问时间校正查找表而针对与每个事件相对应的时间戳生成温度相关时间校正。
在另一个实施例中，控制器48还例如通过访问光子计数校正查找表而针对与每个事件相对应的光子计数生成温度相关光子计数校正。
再次参考图1，利用放射性药物来注射支撑16上的患者。由探测器模块10的像素24、34的传感器APD 54探测辐射事件。时间戳与每个由时间戳电路70感测到的闪烁事件相关联。符合探测器72确定符合对和由每个符合对定义的LOR。重建处理器74将LOR重建成存储在图像存储器76中的图像表示。在TOF-PET系统中，重建处理器还从时间戳电路70接收每个LOR的飞行时间信息。
随着像素24、34的传感器APD 54探测辐射事件，每个探测器模块10的一个或多个温度补偿电路40测量80来自其相应的参考APD的暗电流事件并确定82暗计数率。确定84模块的传感器和参考APD的温度校正偏置电压，并且，将温度校正偏置电压施加86至传感器APD和参考APD。在TOF-PET扫描器中，确定88时间调整，并且，将时间调整应用于时间戳电路。
已参考优选的实施例来描述本申请。在阅读并理解前面的详细说明的基础上，其他人可以进行修改和变更。其意在将本申请解释为包括所有这样的修改和变更，只要它们属于所附权利要求及其等同物的范围内。
Claims (19)
1.一种在诊断成像中使用的辐射探测器模块(10)，所述探测器模块包括：
至少一个探测器像素(24、34)，每个探测器像素包括闪烁体(20、30)，所述闪烁体光学耦合至在Geiger模式下在击穿区域中偏置的一个或多个传感器APD(54)，所述传感器APD配置为响应于来自所述闪烁体的、与单个入射辐射光子相对应的光而输出电流脉冲；
至少一个参考探测器(26、36)，其配置为输出温度相关信号；
至少一个温度补偿电路(40)，其配置为基于所述温度相关信号而调整施加至所述传感器APD的电压偏置。
2.如权利要求1所述的辐射探测器模块(10)，其中，所述参考探测器(26、36)包括：
至少一个参考APD，其在所述Geiger模式下在击穿区域中偏置，并且配置为响应于由电子空穴的热生成对触发的每个击穿事件而输出电流脉冲。
3.如权利要求2所述的辐射探测器模块，还包括：
有源或无源猝灭电路(44)，其与每个参考APD(26、36)耦合。
4.如权利要求3所述的辐射探测器模块，其中，所述温度补偿电路(40)还包括：
选通计数器(46)，其连接至至少一个相应的参考APD以从其接收输出脉冲，并且配置为输出所述至少一个相应的参考APD(26、36)的暗电流计数率；
控制器(48)，其配置为基于所述暗计数率而输出控制信号；
可变电压源(52)，其配置为调整施加至相应的传感器APD(54)的电压偏置；并且
其中，所述参考APD是静态偏置的。
5.如权利要求4所述的辐射探测器模块，其中，所述控制器输出数字控制信号，所述数字控制信号是(i)根据将所述暗计数率并入公式中的算法而确定的，或(ii)根据将所述暗计数率与相应的输出相关联的查找表而确定的，并且，所述辐射探测器模块还包括：
模数转换器(50)，其将所述数字信号转换成施加至所述可变电压源(52)的模拟控制信号。
6.如权利要求1所述的辐射探测器模块，其中，每个参考APD(26、36)设置在邻接的像素(24、34)之间的间隙中。
7.如权利要求2所述的辐射探测器模块，其中，所述传感器APD(54)、所述参考APD(26、36)以及所述至少一个温度补偿电路(40)单块地设置在共同的硅衬底上。
8.一种PET扫描器(8)，包括：
多个如权利要求1所述的辐射探测模块(10)，其围绕成像区域(12)几何地布置；
符合探测器(72)，其探测成对的所探测的辐射事件，并且，确定与符合对相对应的响应线；以及
重建处理器，其将所述响应线重建成图像表示。
9.如权利要求8所述的PET扫描器(8)，其中，每个探测器模块(10)的所述传感器APD(54)还包括将一个或多个时间戳与来自所述像素(24、34)的脉冲相关联的时间戳电路(70)，并且其中，所述温度补偿电路(40)还配置为基于所述温度相关信号而在时间上调整所述时间戳电路。
10.一种补偿在诊断成像中使用的辐射探测器模块(10)的温度变化的方法，所述方法包括：
生成来自像素(24、34)的输出脉冲，每个像素包括至少一个传感器APD(54)，所述至少一个传感器APD(54)响应于来自相关联的闪烁体(20、30)的、令一个或多个所述传感器APD击穿的光而在Geiger模式下在击穿区域中偏置；
根据所述传感器APD的所感测的温度而生成温度相关信号；
基于所述温度相关信号而调整施加至所述传感器APD的偏置电压。
11.如权利要求10所述的方法，其中，生成所述温度相关信号包括：
利用在所述Geiger模式下在击穿区域中偏置并被屏蔽于光的参考APD(26、36)，基于热生成的电子空穴对而生成暗电流。
12.如权利要求11所述的方法，其中，生成所述温度相关信号还包括：
周期性地对所述参考APD(26、36)进行猝灭；以及
对所述暗电流的脉冲率进行计数。
13.如权利要求12所述的方法，其中，生成所述温度相关信号还包括：
将所计数的脉冲率转换成偏置电压；
将所述偏置电压施加至所述传感器APD(54)。
14.一种制作辐射探测器模块(10)的方法，包括：
形成APD的阵列；
将传感器APD(54)与闪烁体(20、30)光学耦合；
将至少一个参考APD(26、36)光学屏蔽；
将所述参考APD与调整施加至所述传感器APD的偏置电压的温度补偿电路(40)连接。
15.如权利要求14所述的方法，其中，将所述传感器APD(54)的阵列形成为在像素(24、34)之间具有间隙，并且，在所述间隙中形成所述至少一个参考APD(26、36)。
16.如权利要求14所述的方法，其中，在耦合至所述闪烁体的所述APD(54)中定义多个所述参考APD(26、36)。
17.多个如权利要求1所述的探测器模块，其中，将所述模块(10)安装成密排阵列。
18.如权利要求17所述的多个探测器模块，其中，每个模块为矩形，并且，所述模块安装成矩形阵列。
19.一种在辐射发射断层摄影中使用的辐射探测器模块(10)，所述探测器模块包括：
至少一个单块设置的探测器像素(24、34)，每个探测器像素包括闪烁体(20、30)，所述闪烁体光学耦合至在Geiger模式下在击穿区域中偏置的一个或多个传感器APD(54)，所述传感器APD配置为响应于来自所述闪烁体的、与单个入射辐射光子相对应的光而输出电流脉冲；
至少一个单块设置的一个参考APD，其在所述Geiger模式下在击穿区域中静态偏置，并且配置为响应于由电子空穴对的热生成触发的每个击穿事件而输出电流脉冲；
至少一个单块设置的温度补偿电路(40)，其配置为基于热生成的击穿事件的速率而确定校正的电压偏置；以及
至少一个单块设置的可变电压源(52)，其配置为调整施加至传感器APD(54)的电压偏置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12247608P | 2008-12-15 | 2008-12-15 | |
| US61/122,476 | 2008-12-15 | ||
| PCT/IB2009/055186 WO2010070487A2 (en) | 2008-12-15 | 2009-11-19 | Temperature compensation circuit for silicon photomultipliers and other single photon counters |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN102246058A true CN102246058A (zh) | 2011-11-16 |
| CN102246058B CN102246058B (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=42269166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US8476594B2 (zh) |
| EP (1) | EP2376942B1 (zh) |
| CN (1) | CN102246058B (zh) |
| WO (1) | WO2010070487A2 (zh) |
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| CN116884985B (zh) * | 2023-09-08 | 2024-05-28 | 无锡鉴微华芯科技有限公司 | 一种像素探测器的读出像素芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010070487A3 (en) | 2011-05-26 |
| US20110248175A1 (en) | 2011-10-13 |
| US8476594B2 (en) | 2013-07-02 |
| EP2376942A2 (en) | 2011-10-19 |
| EP2376942B1 (en) | 2013-03-27 |
| WO2010070487A2 (en) | 2010-06-24 |
| CN102246058B (zh) | 2014-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |