CN109471009B - 偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法 - Google Patents
偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109471009B CN109471009B CN201710807369.7A CN201710807369A CN109471009B CN 109471009 B CN109471009 B CN 109471009B CN 201710807369 A CN201710807369 A CN 201710807369A CN 109471009 B CN109471009 B CN 109471009B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- current
- avalanche photodiode
- current sensor
- resistor
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法。检测电路用于在雪崩光电二极管处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管的偏流值。检测电路包括DA转换电路、电流传感器、电流源、AD转换电路、电阻R1~R3。电流传感器的反相端一方面连接雪崩光电二极管的阳极,另一方面经由电阻R1连接同相端,又一方面经由电阻R2接地,同相端还电性连接DA转换电路;电流传感器采用双电源供电,输出端经由电阻R3后,一方面连接电流源,另一方面连接AD转换电路,AD转换电路的信号输出端作为整个检测电路的信号输出端。电流传感器的双电源均为负电压且电压值的大小取决于当没有电流经过电阻R1时,AD转换电路的输入电压是0V。
Description
技术领域
本发明涉及量子通信技术领域中的一种检测电路,尤其涉及一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路及其检测方法、一种单光子探测器强光攻击检测电路及其检测方法。
背景技术
传统方式是使用PIN光电二极管将攻击者EVE发送的强光窄脉冲信号转换成窄脉冲电流,并输出和窄脉冲电流成正比例的窄脉冲电压,被后续主控芯片识别来判断是否有强光攻击发生。然而,传统采用PIN管检测的方法,灵敏度低,线性度差,精确度差,不能精确测量APD(Avalanche Photo Diode,雪崩光电二极管)偏流值。
目前也有Linear开发出APD偏流检测专用芯片,通过检测APD管输出的电流值判断是否有强光攻击发生。然而,APD偏流检测专用芯片缺点是不能应用在APD偏压是负高压的环境。
发明内容
为解决单光子探测器使用光电转换器件为APD,且APD工作偏压为负高压时,产生的光电流非常微弱,在nA~μA级,难以精确测量的技术问题,本发明提供一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路及其检测方法、一种单光子探测器强光攻击检测电路及其检测方法。
本发明的解决方案是:一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路,其用于在雪崩光电二极管处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管的偏流值;所述检测电路包括电流传感器、电流源、AD转换电路、电阻R1、电阻R2、电阻R3、DA转换电路;电流传感器的反相端一方面电性连接雪崩光电二极管的阳极,另一方面经由电阻R1电性连接电流传感器的同相端,又一方面经由电阻R2电性接地,电流传感器的同相端还电性连接DA转换电路;电流传感器采用双电源供电;电流传感器的输出端经由电阻R3后,一方面电性连接电流源,另一方面电性连接AD转换电路,AD转换电路的信号输出端作为整个检测电路的信号输出端;其中,电流传感器的双电源均为负电压且电压值的大小取决于当没有电流经过电阻R1时,AD转换电路的输入电压是0V。
作为上述方案的进一步改进,电流传感器的GND引脚和Vcc引脚各接一个负高压实现电流传感器的双电源供电,Vcc引脚接的负高压比GND引脚接的负高压高6.8V。
作为上述方案的进一步改进,电流传感器采用比较器实现。
作为上述方案的进一步改进,电流源采用电源芯片实现。
本发明还提供一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测方法,其应用于上述实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路中,用于在雪崩光电二极管处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管的偏流值;所述检测方法为:将雪崩光电二极管达到雪崩状态时产生的偏流通过电阻R1,以将电流转换成电压;电流传感器将所述电压放大输出;电流源输出恒电流,使得电阻R3有固定电压差,将电流传感器的输出电压变化传递到AD转换电路的信号输入端。
本发明还提供一种单光子探测器强光攻击检测电路,其用于在单光子探测器使用的光电转换器为雪崩光电二极管且雪崩光电二极管处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管是否处于强光攻击;所述检测电路包括电流传感器、电流源、AD转换电路、电阻R1、电阻R2、电阻R3、数据处理器、DA转换电路;电流传感器的反相端一方面电性连接雪崩光电二极管的阳极,另一方面经由电阻R1电性连接电流传感器的同相端,又一方面经由电阻R2电性接地,电流传感器的同相端还电性连接DA转换电路;电流传感器采用双电源供电;电流传感器的输出端经由电阻R3后,一方面电性连接电流源,另一方面经由AD转换电路电性连接数据处理器;
其中,电流传感器的双电源供电均为负电压且电压值的大小取决于当没有电流经过电阻R1时,AD转换电路的输入电压是0V;当雪崩光电二极管正常工作时,数据处理器通过一条偏流拟合曲线计算出雪崩光电二极管当前正常的电流值I0,当雪崩光电二极管有强光攻击时,数据处理器根据AD转换电路的输出信号得到的电流值I1,判断电流值I1与电流值I0的差值ΔI是否超过设定的阈值,如果差值ΔI超过设定的阈值,则数据处理器判定雪崩光电二极管受强光攻击事件发生。
作为上述方案的进一步改进,电流传感器的GND引脚和Vcc引脚各接一个负高压实现电流传感器的双电源供电,Vcc引脚接的负高压比GND引脚接的负高压高6.8V。
作为上述方案的进一步改进,当雪崩光电二极管没有达到雪崩状态时,通过数据处理器控制DA转换电路调节电流传感器同相端输入的电压值-HV,改变经过电阻R1的电流大小,经过电阻R1的电流通过电流传感器放大并通过AD转换电路转换为数字信号,建立电压值-HV与数字信号之间的一一对应关系以拟合出所述偏流拟合曲线。
本发明还提供一种单光子探测器强光攻击检测方法,其应用于上述任意单光子探测器强光攻击检测电路中,用于在单光子探测器使用的光电转换器为雪崩光电二极管且雪崩光电二极管处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管是否处于强光攻击;当雪崩光电二极管正常工作时,数据处理器通过一条偏流拟合曲线计算出雪崩光电二极管当前正常的电流值I0,当雪崩光电二极管有强光攻击时,数据处理器根据AD转换电路的输出信号得到的电流值I1,判断电流值I1与电流值I0的差值ΔI是否超过设定的阈值,如果差值ΔI超过设定的阈值,则数据处理器判定雪崩光电二极管受强光攻击事件发生。
作为上述方案的进一步改进,当雪崩光电二极管没有达到雪崩状态时,通过数据处理器控制DA转换电路调节电流传感器同相端输入的电压值-HV,改变经过电阻R1的电流大小,经过电阻R1的电流通过电流传感器放大并通过AD转换电路转换为数字信号,建立电压值-HV与数字信号之间的一一对应关系以拟合出所述偏流拟合曲线。
本发明的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路及其检测方法,通过电流源和电阻R3实现将负电压变化转换为正电压变化,从而使AD转换电路能够实时精确检测APD管的偏流值。本发明的单光子探测器强光攻击检测电路及其检测方法采用电流传感器将微弱的电流信号放大,利用AD转换电路得到雪崩光电二极管的偏流值,并通过数据处理判断是否强光攻击。电流传感器的设计使得整个检测电路具有高精度、长期稳定的特点;电阻R2和电阻R3的设计使得整个检测电路具有高精度、长期稳定的特点;本发明可以应用在APD管工作偏压为负高压的APD管偏流检测,且偏流检测精确、稳定。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路的电路图。
图2是本发明实施例2提供的单光子探测器强光攻击检测电路的电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
本发明的实施例1的检测电路为一种实时精确检测雪崩光电二极管(也即APD管)偏流值的检测电路,如图1所示,用于在雪崩光电二极管1处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管1的偏流值。APD管可以为国产也可以为进口产品,不局限于单光子探测性能的APD管。
检测电路包括电流传感器2、电流源3、AD转换电路4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、DA转换电路5。
电流传感器2的反相端一方面电性连接雪崩光电二极管1的阳极,另一方面经由电阻R1电性连接电流传感器2的同相端,又一方面经由电阻R2电性接地,电流传感器2的同相端还电性连接DA转换电路5。电流传感器2采用双电源供电,如电流传感器2的接地端即GND引脚8和电流端Vcc引脚7分别电性连接两个供电电源,两个供电电源均为负电压且电压值的大小取决于当没有电流经过电阻R1时,AD转换电路4的输入电压是0V。
电流传感器2的输出端经由电阻R3后,一方面电性连接电流源3,另一方面电性连接AD转换电路4,AD转换电路4的信号输出端作为整个偏流值检测电路的信号输出端,AD转换电路4用于将检测到的模拟信号转换为数字信号供后续电路分析。
本发明的实施例1的检测电路将雪崩光电二极管1达到雪崩状态时产生的偏流通过电阻R1,以将电流转换成电压;电流传感器2将所述电压放大输出;电流源3输出恒电流,使得电阻R3有固定电压差,将电流传感器2的输出电压变化传递到AD转换电路4的信号输入端。
电流传感器2的GND引脚8和Vcc引脚7可各接一个负高压实现电流传感器2的双电源供电,Vcc引脚7接的负高压比GND引脚8接的负高压高6.8V。电流传感器2可采用比较器实现,电流源3可采用电源芯片实现。
在本实施例中,电流传感器2具有高精度、长期稳定的特点;电阻R2和电阻R3具有高精度、长期稳定的特点;通过电流源3和电阻R3实现将负电压变化转换为正电压变化,从而使AD转换电路4能够实时精确检测APD管的偏流值。本发明可以应用在APD管工作偏压为负高压的APD管偏流检测,且偏流检测精确、稳定。
实施例2
本发明实施例2提供一种单光子探测器强光攻击检测电路,用于在单光子探测器使用的光电转换器为雪崩光电二极管1且雪崩光电二极管1处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管1是否处于强光攻击,与实施例1的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路相比,实施例2是对AD转换电路4实时精确检测的APD管偏流值做信号处理,从而判断雪崩光电二极管1是否处于强光攻击。
请参阅图2,单光子探测器强光攻击检测电路在实施例1的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路的基础上,增加数据处理器10,使数据处理器10对AD转换电路4的输出信号做信号处理。
当雪崩光电二极管1正常工作时,数据处理器10通过一条偏流拟合曲线计算出雪崩光电二极管1当前正常的电流值I0,当雪崩光电二极管1有强光攻击时,数据处理器10根据AD转换电路4的输出信号得到的电流值I1,判断电流值I1与电流值I0的差值ΔI是否超过设定的阈值,如果差值ΔI超过设定的阈值,则数据处理器10判定雪崩光电二极管1受强光攻击事件发生,还可以采用相应的措施。
当雪崩光电二极管1没有达到雪崩状态时或者不接APD管时,通过数据处理器10控制DA转换电路5调节从电流传感器2同相端输入的电压值-HV,改变经过电阻R1的电流大小,经过电阻R1的电流通过电流传感器2放大并通过AD转换电路4转换为数字信号,建立电压值-HV与数字信号之间的一一对应关系以拟合出偏流拟合曲线,数据处理器10可以根据AD转换电路4输出并使用偏流拟合曲线计算出当前的APD偏流值,偏流拟合曲线是作为判定强光攻击的依据,其中R2是偏流拟合曲线的核心部件,它用于产生经过R1的电流。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路,其用于在雪崩光电二极管(1)处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管(1)的偏流值;其特征在于:所述检测电路包括电流传感器(2)、电流源(3)、AD转换电路(4)、电阻R1、电阻R2、电阻R3、DA转换电路(5);电流传感器(2)的反相端一方面电性连接雪崩光电二极管(1)的阳极,另一方面经由电阻R1电性连接电流传感器(2)的同相端,又一方面经由电阻R2电性接地,电流传感器(2)的同相端还电性连接DA转换电路(5);电流传感器(2)采用双电源供电;电流传感器(2)的输出端经由电阻R3后,一方面电性连接电流源(3),另一方面电性连接AD转换电路(4),AD转换电路(4)的信号输出端作为整个检测电路的信号输出端;
其中,电流传感器(2)的双电源均为负电压且电压值的大小为当没有电流经过电阻R1时,AD转换电路(4)的输入电压是0V时的值。
2.如权利要求1所述的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路,其特征在于:电流传感器(2)的GND引脚(8)和Vcc引脚(7)各接一个负高压实现电流传感器(2)的双电源供电;Vcc引脚(7)接的负高压比GND引脚(8)接的负高压高6.8V。
3.如权利要求1所述的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路,其特征在于:电流传感器(2)采用比较器实现。
4.如权利要求1所述的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路,其特征在于:电流源(3)采用电源芯片实现。
5.一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测方法,其应用于如权利要求1至4中任意一项所述的实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路中,用于在雪崩光电二极管(1)处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管(1)的偏流值;其特征在于:所述检测方法为:
将雪崩光电二极管(1)达到雪崩状态时产生的偏流通过电阻R1,以将电流转换成电压;
电流传感器(2)将所述电压放大输出;
电流源(3)输出恒电流,使得电阻R3有固定电压差,将电流传感器(2)的输出电压变化传递到AD转换电路(4)的信号输入端。
6.一种单光子探测器强光攻击检测电路,其用于在单光子探测器使用的光电转换器为雪崩光电二极管(1)且雪崩光电二极管(1)处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管(1)是否处于强光攻击;其特征在于:所述检测电路包括电流传感器(2)、电流源(3)、AD转换电路(4)、电阻R1、电阻R2、电阻R3、数据处理器(10)、DA转换电路(5);电流传感器(2)的反相端一方面电性连接雪崩光电二极管(1)的阳极,另一方面经由电阻R1电性连接电流传感器(2)的同相端,又一方面经由电阻R2电性接地,电流传感器(2)的同相端还电性连接DA转换电路(5);电流传感器(2)采用双电源供电;电流传感器(2)的输出端经由电阻R3后,一方面电性连接电流源(3),另一方面经由AD转换电路(4)电性连接数据处理器(10);
其中,电流传感器(2)的双电源均为负电压且电压值的大小为当没有电流经过电阻R1时,AD转换电路(4)的输入电压是0V时的值;当雪崩光电二极管(1)正常工作时,数据处理器(10)通过一条偏流拟合曲线计算出雪崩光电二极管(1)当前正常的电流值I0,当雪崩光电二极管(1)有强光攻击时,数据处理器(10)根据AD转换电路(4)的输出信号得到的电流值I1,判断电流值I1与电流值I0的差值ΔI是否超过设定的阈值,如果差值ΔI超过设定的阈值,则数据处理器(10)判定雪崩光电二极管(1)受强光攻击事件发生。
7.如权利要求6所述的单光子探测器强光攻击检测电路,其特征在于:电流传感器(2)的GND引脚(8)和Vcc引脚(7)各接一个负高压实现电流传感器(2)的双电源供电;Vcc引脚(7)接的负高压比GND引脚(8)接的负高压高6.8V。
8.如权利要求7所述的单光子探测器强光攻击检测电路,其特征在于:当雪崩光电二极管(1)没有达到雪崩状态时,通过数据处理器(10)控制DA转换电路(5)调节电流传感器(2)同相端输入的电压值-HV,改变经过电阻R1的电流大小,经过电阻R1的电流通过电流传感器(2)放大并通过AD转换电路(4)转换为数字信号,建立电压值-HV与数字信号之间的一一对应关系以拟合出所述偏流拟合曲线。
9.一种单光子探测器强光攻击检测方法,其应用于如权利要求6或7或8所述的单光子探测器强光攻击检测电路中,用于在单光子探测器使用的光电转换器为雪崩光电二极管(1)且雪崩光电二极管(1)处于雪崩状态时,检测雪崩光电二极管(1)是否处于强光攻击;其特征在于:
当雪崩光电二极管(1)正常工作时,数据处理器(10)通过一条偏流拟合曲线计算出雪崩光电二极管(1)当前正常的电流值I0,当雪崩光电二极管(1)有强光攻击时,数据处理器(10)根据AD转换电路(4)的输出信号得到的电流值I1,判断电流值I1与电流值I0的差值ΔI是否超过设定的阈值,如果差值ΔI超过设定的阈值,则数据处理器(10)判定雪崩光电二极管(1)受强光攻击事件发生。
10.如权利要求9所述的单光子探测器强光攻击检测方法,其特征在于:当雪崩光电二极管(1)没有达到雪崩状态时,通过数据处理器(10)控制DA转换电路(5)调节电流传感器(2)同相端输入的电压值-HV,改变经过电阻R1的电流大小,经过电阻R1的电流通过电流传感器(2)放大并通过AD转换电路(4)转换为数字信号,建立电压值-HV与数字信号之间的一一对应关系以拟合出所述偏流拟合曲线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710807369.7A CN109471009B (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710807369.7A CN109471009B (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109471009A CN109471009A (zh) | 2019-03-15 |
CN109471009B true CN109471009B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=65658204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710807369.7A Active CN109471009B (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109471009B (zh) |
Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6919716B1 (en) * | 2002-08-28 | 2005-07-19 | Cisco Technology, Inc. | Precision avalanche photodiode current monitor |
CN101387658A (zh) * | 2008-10-23 | 2009-03-18 | 成都优博创技术有限公司 | 自动测试雪崩光电二极管雪崩电压值的测定电路与方法 |
CN201219257Y (zh) * | 2008-04-21 | 2009-04-08 | 上海大学 | 模拟-数字级联转换器 |
CN201387487Y (zh) * | 2009-03-23 | 2010-01-20 | 山东交通职业学院 | 激光测距仪接收电路 |
CN201601136U (zh) * | 2010-01-13 | 2010-10-06 | 山东交通职业学院 | 一种用于激光接收电路的温度补偿电路 |
CN101859117A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-10-13 | 天台县源华软件技术有限公司 | 模拟量输出电路 |
CN101882062A (zh) * | 2010-05-21 | 2010-11-10 | 房慧龙 | 真随机比特流发生器 |
CN201654763U (zh) * | 2010-05-21 | 2010-11-24 | 房慧龙 | 一种真随机比特流发生器 |
CN102013676A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-04-13 | 成都优博创技术有限公司 | 一种雪崩光电二极管的保护设备及保护方法 |
CN102246058A (zh) * | 2008-12-15 | 2011-11-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于硅光电倍增管和其他单光子计数器的温度补偿电路 |
CN102519522A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种雪崩光电探测器信号补偿装置和方法 |
CN203116857U (zh) * | 2013-02-07 | 2013-08-07 | 华东师范大学 | 一种适用于mppc的高速门模式探测电路 |
CN203276080U (zh) * | 2013-01-31 | 2013-11-06 | 安徽问天量子科技股份有限公司 | 基于雪崩光电二极管的单光子探测器偏压产生电路 |
CN203522167U (zh) * | 2013-10-11 | 2014-04-02 | 武汉电信器件有限公司 | 具有雪崩光电二极管和跨阻放大器的光检测器的过载保护电路 |
CN104296866A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-01-21 | 东南大学 | 应用于工作在线性模式下的雪崩光电二极管的接口电路 |
CN105136429A (zh) * | 2015-07-24 | 2015-12-09 | 中国科学院半导体研究所 | 一种提高光时域反射计动态范围的信号检测装置及方法 |
CN105743340A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-07-06 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 雪崩光电二极管的偏压产生电路及相关的控制电路 |
CN205450860U (zh) * | 2016-03-16 | 2016-08-10 | 深圳市比特原子科技有限公司 | 一种小型可调式恒流源电路 |
CN106197692A (zh) * | 2015-05-25 | 2016-12-07 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种单光子探测器的测试装置及其测试方法 |
CN106443175A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 贾玉淑 | 一种用于单相电能表的输入放大单元 |
CN106973456A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-07-21 | 通用电气公司 | 保护电路组合件和方法 |
CN107063452A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-08-18 | 电子科技大学 | 一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路 |
CN107091687A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-08-25 | 重庆理工大学 | 一种apd单光子探测器电路及雪崩信号甄别方法 |
-
2017
- 2017-09-08 CN CN201710807369.7A patent/CN109471009B/zh active Active
Patent Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6919716B1 (en) * | 2002-08-28 | 2005-07-19 | Cisco Technology, Inc. | Precision avalanche photodiode current monitor |
CN201219257Y (zh) * | 2008-04-21 | 2009-04-08 | 上海大学 | 模拟-数字级联转换器 |
CN101387658A (zh) * | 2008-10-23 | 2009-03-18 | 成都优博创技术有限公司 | 自动测试雪崩光电二极管雪崩电压值的测定电路与方法 |
CN102246058A (zh) * | 2008-12-15 | 2011-11-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于硅光电倍增管和其他单光子计数器的温度补偿电路 |
CN201387487Y (zh) * | 2009-03-23 | 2010-01-20 | 山东交通职业学院 | 激光测距仪接收电路 |
CN201601136U (zh) * | 2010-01-13 | 2010-10-06 | 山东交通职业学院 | 一种用于激光接收电路的温度补偿电路 |
CN101882062A (zh) * | 2010-05-21 | 2010-11-10 | 房慧龙 | 真随机比特流发生器 |
CN201654763U (zh) * | 2010-05-21 | 2010-11-24 | 房慧龙 | 一种真随机比特流发生器 |
CN101859117A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-10-13 | 天台县源华软件技术有限公司 | 模拟量输出电路 |
CN102013676A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-04-13 | 成都优博创技术有限公司 | 一种雪崩光电二极管的保护设备及保护方法 |
CN102519522A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种雪崩光电探测器信号补偿装置和方法 |
CN203276080U (zh) * | 2013-01-31 | 2013-11-06 | 安徽问天量子科技股份有限公司 | 基于雪崩光电二极管的单光子探测器偏压产生电路 |
CN203116857U (zh) * | 2013-02-07 | 2013-08-07 | 华东师范大学 | 一种适用于mppc的高速门模式探测电路 |
CN203522167U (zh) * | 2013-10-11 | 2014-04-02 | 武汉电信器件有限公司 | 具有雪崩光电二极管和跨阻放大器的光检测器的过载保护电路 |
CN104296866A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-01-21 | 东南大学 | 应用于工作在线性模式下的雪崩光电二极管的接口电路 |
CN105743340A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-07-06 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 雪崩光电二极管的偏压产生电路及相关的控制电路 |
CN106197692A (zh) * | 2015-05-25 | 2016-12-07 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种单光子探测器的测试装置及其测试方法 |
CN105136429A (zh) * | 2015-07-24 | 2015-12-09 | 中国科学院半导体研究所 | 一种提高光时域反射计动态范围的信号检测装置及方法 |
CN106973456A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-07-21 | 通用电气公司 | 保护电路组合件和方法 |
CN205450860U (zh) * | 2016-03-16 | 2016-08-10 | 深圳市比特原子科技有限公司 | 一种小型可调式恒流源电路 |
CN106443175A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 贾玉淑 | 一种用于单相电能表的输入放大单元 |
CN107063452A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-08-18 | 电子科技大学 | 一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路 |
CN107091687A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-08-25 | 重庆理工大学 | 一种apd单光子探测器电路及雪崩信号甄别方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
基于MAX5026的单光子探测器直流偏压源设计;彭孝东;翟颂彬;宋淑然;周金运;;现代电子技术(第08期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109471009A (zh) | 2019-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Cho et al. | A high-sensitivity and low-walk error LADAR receiver for military application | |
CN109100018B (zh) | 基于雪崩光电二极管阵列芯片的大动态范围弱光探测系统 | |
US20110163233A1 (en) | Optical Proximity Sensor with Improved Dynamic Range and Sensitivity | |
CN105548848A (zh) | 用于测量击穿电压的装置、设备及方法 | |
US8901475B1 (en) | Avalanche photodiode biasing system including a current mirror, voltage-to-current converter circuit, and a feedback path sensing an avalanche photodiode voltage | |
US9030651B2 (en) | Laser range finding device and distance measurement method thereof | |
TW201314403A (zh) | 自動功率控制系統、裝置、補償電壓運算模組及偵測模組 | |
WO2021213103A1 (zh) | 用于激光雷达的光电探测模块、激光雷达和环境光检测方法 | |
CN201215954Y (zh) | 一种数字光接收器的光功率检测监控电路 | |
CN102788641B (zh) | 一种光强检测电路 | |
CN105241796A (zh) | 粉尘检测装置 | |
CN107966167B (zh) | 一种光信号接收装置和光电检测设备 | |
CN109471009B (zh) | 偏流值检测电路和单光子探测器强光攻击检测电路、方法 | |
CN218673908U (zh) | 一种平衡光电探测器 | |
CN102346216A (zh) | 一种利用线性光耦实现交流电过零信号精确测量的电路 | |
CN104407193A (zh) | 一种线性电压采样电路 | |
CN109709400B (zh) | 一种恒流源电路 | |
CN207181517U (zh) | 一种实时精确检测雪崩光电二极管偏流值的检测电路 | |
EP3296761B1 (en) | Distance measuring device | |
CN209102101U (zh) | 一种光电检测单元以及一种光电检测系统 | |
CN207649766U (zh) | 微弱光电流检测电路 | |
CN114389715B (zh) | 一种qkd的同步光检测与监控纠正系统 | |
CN116165420B (zh) | 一种电流检测电路及装置 | |
CN218239068U (zh) | 一种光功率监控电路 | |
CN216118003U (zh) | 一种激光雷达接收电路及激光雷达接收机 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |