CN102242391B - 铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置 - Google Patents

铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102242391B
CN102242391B CN 201110160796 CN201110160796A CN102242391B CN 102242391 B CN102242391 B CN 102242391B CN 201110160796 CN201110160796 CN 201110160796 CN 201110160796 A CN201110160796 A CN 201110160796A CN 102242391 B CN102242391 B CN 102242391B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heater
single crystal
ingot furnace
ingot
moves
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201110160796
Other languages
English (en)
Other versions
CN102242391A (zh
Inventor
石坚
熊涛涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ANYANG FENGHUANG PV TECHNOLOGICAL Co Ltd
Original Assignee
ANYANG FENGHUANG PV TECHNOLOGICAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ANYANG FENGHUANG PV TECHNOLOGICAL Co Ltd filed Critical ANYANG FENGHUANG PV TECHNOLOGICAL Co Ltd
Priority to CN 201110160796 priority Critical patent/CN102242391B/zh
Publication of CN102242391A publication Critical patent/CN102242391A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102242391B publication Critical patent/CN102242391B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置，涉及锭炉内加热器加热装置，在GT铸锭炉或四面加顶部加热器的铸锭炉内，将加热器电阻调大，加热器同时向上移动；所述的加热器电阻调大指：加热器电阻由0.03Ω调到0.04～0.08Ω。所述的加热器同时向上移动指：加热器在现有的位置上向上移动5～150mm。本发明的有益效果在于：通过本方法的控制，使晶种固化在炉底，不熔化或漂浮，同时可以进一步降低晶种高度，通过本方法，可将晶种控制在20mm以下。晶种高度的下降，可有效地降低生产成本。

Description

铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置
技术领域
本发明涉及晶体生长领域，进一步涉及锭炉内加热器加热装置，具体涉及一种铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置。
背景技术
生产硅锭的方法有：CZ法生产单晶硅锭，铸锭法生产多晶硅锭，FZ法生产单晶硅锭、EFG生产硅带等方法。由于成本问题，目前太阳能电池片主要使用CZ法单晶硅片和铸造法多晶硅片。CZ法单晶硅由于制造成本是铸锭多晶硅的4～5倍，能耗上高出5～7倍，导致CZ单晶硅的市场份额越来越少。但由于铸锭法生产多晶硅锭，存在大量的位错、晶界，使得铸锭法多晶硅片制成的电池片，存在效率偏低的情况，一直使铸锭法多晶硅锭无法完全取代CZ单晶硅锭。
在国际上，跨国巨头BP公司的对用铸锭炉生产类似单晶（准单晶）硅锭的工艺已开发多年，2010年被ALD收购，使得ALD多晶铸锭炉已经小规模开发出铸锭法生产类似单晶硅锭的设备和工艺。
目前，尚未见到针对在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶（准单晶）过程中，铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进方法的内容的公开报道或专利申请。
由于铸锭炉生长晶体需要从底部开始生长，类似单晶的生长也只能从底部开始，这就要求在硅料熔化时，底部的晶种不能熔化或漂起。由于GT铸锭炉或四面加顶部加热器的铸锭炉化料和生长温度曲线并不平整，如果没有好的化料及生长等温曲线，晶种在熔化过程中会出现边缘熔化而中心无法正常熔接的情况，必须需要30mm高度以上的晶种才能保持化料后，炉底依然有晶种存在。这样势必增加晶种成本，导致类似单晶成本偏高，无法批量化生产。或者导致无法生产类似单晶。
发明内容
本发明的目的就是提供一种铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置，采用该方法，在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶（准单晶）过程中，可解决类似单晶晶种熔化问题，解决类似单晶生产的高成本问题。
本发明通过改变GT炉或四面加热器加顶部加热器的结构，使加热热场内部温度曲线平整，从而实现本发明的目的。
本发明的目的是通过以下方案实现的：
铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置，其特征在于：在GT铸锭炉或四面加顶部加热器的铸锭炉内，将加热器电阻调大，加热器同时向上移动；
所述的加热器电阻调大指：侧面单面单片加热器电阻由0.03Ω（欧姆，下同）调到0.04～0.08Ω；
所述的加热器同时向上移动指：侧面加热器在现有的位置上［侧加热器上沿至顶部加热器间的距离为15～30cm（厘米，下同）］向上移动5～150mm。
本发明的目的进一步通过以下方案实现：
所述的侧面单面单片加热器电阻由0.03Ω调到0.04～0.07Ω，进一步是电阻由0.03Ω调到0.04～0.06Ω。
所述的侧面加热器在现有的位置上向上移动10～140mm（毫米，下同），进一步是向上移动30～120mm。
具体可以是5～10mm，10～20mm，20～30mm，30～40mm，40～50mm，50～60mm，60～70mm，70～80mm，80～90mm，90～100mm，100～110mm，110～120mm，120～130mm，130～140mm，140～150mm等等。
本发明的有益效果在于：通过本装置的改进，使晶种固化在炉底，不熔化或漂浮，同时可以进一步降低晶种高度，通过本方法，可将晶种控制在20mm以下。晶种高度的下降，可有效地降低生产成本。
附图说明
图1为原技术示意图；图2为本发明示意图。
图中：1、导热块；2、石墨底护板；3、石墨护板；4、侧面加热器；5、陶瓷坩埚；6、顶部加热器；7、隔热笼；8、模拟的等温曲线。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例1：
如图1、2所示，导热块1置于石墨底护板2下部，石墨底护板2上放置有陶瓷坩埚5；陶瓷坩埚5的侧部设置有石墨护板3；在陶瓷坩埚5的四周上方设置有侧面加热器4，在陶瓷坩埚5的上方设置有顶部加热器6；侧面加热器4和顶部加热器6的四周设置有隔热笼7；形成的模拟等温曲线8如图。
图1侧面加热器4位置处于：侧加热器4上沿至顶部加热器6间的距离为15～30cm处。
图2与图1的不同之处在侧面加热器4提升。
侧面加热器4在现有的位置上向上移动5～10mm。如10 mm。
侧面加热器4的单面单片电阻由0.03Ω调到0.04～0.05Ω。如0.04Ω。
实施例2：
如图1、2所示，导热块1置于石墨底护板2下部，石墨底护板2上放置有陶瓷坩埚5；陶瓷坩埚5的侧部设置有石墨护板3；在陶瓷坩埚5的四周上方设置有侧面加热器4，在陶瓷坩埚5的上方设置有顶部加热器6；侧面加热器4和顶部加热器6的四周设置有隔热笼7；形成的模拟等温曲线8如图。
图1侧面加热器4位置处于：侧加热器4上沿至顶部加热器6间的距离为15～30cm处。
图2与图1的不同之处在侧面加热器4提升。
侧面加热器4在现有的位置上向上移动140～150mm。如150mm。
侧面加热器4的单面单片电阻由0.03Ω调到0.07～0.08Ω。如0.08Ω。
实施例3：
如图1、2所示，导热块1置于石墨底护板2下部，石墨底护板2上放置有陶瓷坩埚5；陶瓷坩埚5的侧部设置有石墨护板3；在陶瓷坩埚5的四周上方设置有侧面加热器4，在陶瓷坩埚5的上方设置有顶部加热器6；侧面加热器4和顶部加热器6的四周设置有隔热笼7；形成的模拟等温曲线8如图。
图1侧面加热器4位置处于：侧加热器4上沿至顶部加热器6间的距离为15～30cm。
图2与图1的不同之处在侧面加热器4提升。
侧面加热器4在现有的位置上向上移动80mm。
侧面加热器4的单面单片电阻由0.03Ω调到0.05Ω。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.铸造法生产类似单晶硅锭炉内的加热器，其特征在于：在四面加顶部加热器的铸锭炉内，将加热器电阻调大，加热器同时向上移动；
所述的加热器电阻调大指：侧面加热器的单面单片电阻由0.03Ω调到0.04～0.08Ω；
所述的加热器同时向上移动指：侧面加热器在现有的位置上向上移动5～150mm。
2.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内的加热器，其特征在于：侧面加热器的单面单片电阻由0.03Ω调到0.04～0.07Ω。
3.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内的加热器，其特征在于：侧面加热器的单面单片电阻由0.03Ω调到0.04～0.06Ω。
4.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内的加热器，其特征在于：所述的侧面加热器在现有的位置上向上移动10～140mm。
5.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内的加热器，其特征在于：所述的侧面加热器在现有的位置上向上移动20～130mm。
6.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内的加热器，其特征在于：所述的侧面加热器在现有的位置上向上移动30～120mm。
CN 201110160796 2011-06-15 2011-06-15 铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置 Expired - Fee Related CN102242391B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110160796 CN102242391B (zh) 2011-06-15 2011-06-15 铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110160796 CN102242391B (zh) 2011-06-15 2011-06-15 铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102242391A CN102242391A (zh) 2011-11-16
CN102242391B true CN102242391B (zh) 2013-09-25

Family

ID=44960624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110160796 Expired - Fee Related CN102242391B (zh) 2011-06-15 2011-06-15 铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102242391B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102732947B (zh) * 2012-06-20 2014-11-26 常州天合光能有限公司 一种生长纯净准单晶的铸锭热场
CN102925960B (zh) * 2012-11-27 2015-09-09 英利能源（中国）有限公司 降低硅锭中部缺陷的方法和应用该方法的铸锭炉

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101851782A (zh) * 2010-05-19 2010-10-06 绍兴县精功机电研究所有限公司 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼
CN101949056A (zh) * 2010-09-25 2011-01-19 王敬 在坩埚侧壁底端设置有保温部件的定向凝固炉

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101851782A (zh) * 2010-05-19 2010-10-06 绍兴县精功机电研究所有限公司 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼
CN101949056A (zh) * 2010-09-25 2011-01-19 王敬 在坩埚侧壁底端设置有保温部件的定向凝固炉

Also Published As

Publication number Publication date
CN102242391A (zh) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102776554B (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN102296354B (zh) 一种硅料的铸锭方法
CN102776560B (zh) 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN102242392B (zh) 铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定于炉底的方法
CN103014833A (zh) 硅锭的制备方法
CN102140673A (zh) 顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置
CN102978687B (zh) 一种多晶硅锭的晶体生长方法
CN101851782A (zh) 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼
CN102644104A (zh) 铸造法生产类似单晶硅锭热场梯度改进装置
CN103628127A (zh) 一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法
CN102242391B (zh) 铸造法生产类似单晶硅锭炉内加热器改进装置
CN102433585B (zh) 准单晶铸锭炉热场结构
CN202164380U (zh) 高产出多晶硅铸锭炉热场结构
CN102534772A (zh) 一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法
CN102242390B (zh) 铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法
CN104862778A (zh) 多晶硅锭的制备方法、多晶硅锭及多晶硅片
CN104294358B (zh) 一种多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭
CN106676628A (zh) 一种<100>晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法
CN103628126A (zh) 一种类单晶晶体硅锭的制作方法和多晶硅铸锭炉
CN202755096U (zh) 铸锭炉用隔热装置
CN102877125A (zh) 一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法
CN102703968B (zh) 一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置
CN202193877U (zh) 一种热交换装置
CN102653881A (zh) 一种铸造大晶粒硅锭的方法
CN204111924U (zh) 一种大尺寸硅锭多晶铸锭炉新型热场结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130925

Termination date: 20140615

EXPY Termination of patent right or utility model