CN102237287A - 基板的制作方法及其结构 - Google Patents

Abstract

一种在基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层以形成一金属线路层；形成一表面金属层；以及其后再形成一芯片层于表面金属层上。此外，本发明亦可以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层并使部分化学阻障层露出后；再压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于表面金属层上。本发明并提供一种根据前述方法制作的基板结构。

Description

基板的制作方法及其结构

技术领域

本发明是关于一种在基板的制作方法及其结构，尤其是指一种在基板上制作金属线路的方法及其结构。

背景技术

近年来由于电子产业的蓬勃发展，电子产品需求渐增，因此电子产品进入多功能及高效能发展等方向。尤其是可携式电子产品种类日渐众多，需求使用量日渐增加，也使得电子产品的体积与重量的规模也越来越小，因此在电子产品中基板及其金属线路间的设计重要性亦随的增加。因此，基板及其金属线路间绝缘性、以及避免制作金属线路时湿式蚀刻对基板产生影响等问题，变得值得重视。

公知技术中，欲在金属基板(如铝基板)表面制作金属线路时，由于后续工艺中蚀刻等步骤往往会造成铝基板的侵蚀作用，故而大幅降低了铝基板的实用性。为解决此问题，若使用此铝基板时必须使用金属胶及涂布印刷方式来制作金属线路。然而，用此方式制作的金属线路会导致导电度低及无法制作所欲形成的金属线路，进而应用上受到很大的限制。

中国台湾申请第94117337号公开一种携带式电子装置外壳及其制造方法，其揭示使用类钻石薄膜层形成于铝基材表面以作为保护电子装置外壳的用途；然而，该所属领域并非如本发明应用在电路基板。另，中国台湾申请第94221298号公开一种可于导热基材表面设置绝缘散热层的特征，其中该导热基材可为一金属材料或一陶瓷材料，该绝缘散热层可为陶瓷材料、纳米碳管等。然而，若使用该申请的结构应用于基板及其金属线路的制作时，仍会造成因湿式蚀刻对基板的侵蚀，且无法有效抑止金属线路与基板之间的电性绝缘。

据此，如何改善基板制作方法以增加金属线路层与金属基板之间的电性绝缘，防止金属基板于后续制作金属线路工艺中，因湿式蚀刻所造成的破坏，进而提升在基板上制作金属线路的方法实为重要的课题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基板的制作方法及其结构，以增加后续工艺中金属线路层与金属基板之间的电性绝缘，并防止金属基板于后续制作金属线路工艺中，因湿式蚀刻所造成的破坏，进而解决公知金属基板无法形成薄膜线路的问题。

为实现上述目的，本发明提供的基板制作方法，包括下列步骤：

提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，其中该金属层可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式，移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层；在未移除的金属线路层上亦可经表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的一表面金属层，用以增加金属线路层与芯片的黏着性；以及其后再形成一芯片层于部分表面金属层上。

此外，根据本发明的方法，可依实际需要，于该金属基板的另一表面还包括：

形成一氧化层；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，其中，该金属层可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层，在未移除的金属线路层上亦可经表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的一表面金属层，用以增加金属线路层与芯片的黏着性；以及其后再形成一芯片层于部分表面金属层上。于此，根据本发明的方法，可在金属基板两侧皆制作金属线路的结构，亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。

本发明提供的基板的制作方法，包括下列步骤：

提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上，其中该金属层可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层，并使部分化学阻障层露出；压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分表面金属层上；至于表面金属层可为镍、金、银、锡或其合金。

此外，根据本发明的方法，可依实际需要，于该金属基板的另一表面还包括：形成一氧化层；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，其中该金属层可为铜或其合金；以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层，并使部分化学阻障层露出；压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分表面金属层上；至于表面金属层可为镍、金、银、锡或其合金。于此，根据本发明的方法，可在该金属基板两侧皆制作金属线路的结构，亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。

换言之，根据本发明在基板上制作金属线路的方法，可选择性地将金属线路层形成于绝缘黏着层上，由此增加金属线路层与下方金属基板之间的电性绝缘。

根据本发明的方法，若有需要，还可包括形成防焊层于金属线路层上，该防焊层使用种类没有限制，较佳为一类钻碳层，以增加在基板上制作金属线路整体结构的散热性及耐用性。

根据本发明的方法，中间层是以蒸镀法或溅镀法形成于化学阻障层上，而该中间层的使用材料没有限制，其是用以增加化学阻障层与后续制作的金属线路层或芯片层的附着性，较佳为使用铬、钛、钼、钨、或其合金。

根据本发明的方法，绝缘黏着层的使用材料没有限制，只要可耐高温如250℃以上的热固性树脂皆可，较佳为使用至少一选自由环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、氨基树脂及硅脂树脂所组成群组的热固性树脂。

再者，根据本发明的方法，金属基板可包括一铝金属基板或一铝基复合材料基板；而形成于金属基板上的氧化层可为于金属基板的表面以阳极化处理方式形成，或直接于金属基板的表面以涂布氧化物的方式形成，该氧化层较佳为氧化铝。

根据本发明的方法，化学阻障层的形成方式没有限制，较佳为由化学气相沉积法、物理气相沉积法或涂布法形成于氧化层上；其中，化学气相沉积法可包括等离子体辅助化学气相沉积法或微波等离子体化学气相沉积法，至于物理气相沉积法可包括蒸镀法、溅镀法或阴极电弧(cathodicarc)。

根据本发明的方法，化学阻障层的使用种类及厚度没有限制，只要其可防止氧化层或金属基板于后续工艺中，因湿式蚀刻而造成的破坏，较佳地使用厚度为0.01～50μm的氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺。其中，碳化物可使用如类钻碳膜或钻石膜；氮化物可使用如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、或氮化硼(BN)；氧化物为二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)，氧化铍(BeO)。特别是类钻碳膜作为化学阻障层时，亦可视需要添加一掺杂物，该掺杂物的浓度小于20原子百分比(atom％)，包括氟、硅、氮、硼或其混合物，以增加化学阻障层的附着性。

根据本发明的方法，氧化层的厚度没有特别限制，较佳为3～100μm。在该氧化层的表面还包括有封孔处理的步骤，其中该封孔处理包括使用Ni(CH₃COO)₂或NiF₂等无机金属盐类，使其与氧化层产生水合作用后，将该氧化层表面所具有的孔洞填平，以增加金属基板与后续制作金属线路层间的绝缘性。

本发明提供的根据前述方法所制作的基板结构，其包括：

一金属基板；一氧化层形成于金属基板的一表面；一化学阻障层形成于氧化层上；一中间层形成于化学阻障层上；一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于中间层上后，再移除部分的中间层及金属层而形成；一表面金属层形成于该金属线路层表面；以及一芯片层形成于部分表面金属层上；其中，在氧化层的表面还包括有一封孔处理的结构。

根据本发明的结构，可依实际需要，于该金属基板的另一表面还包括：

一氧化层；一化学阻障层形成于氧化层上；一中间层形成于化学阻障层上；一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于该中间层上后，再移除部分的该中间层及该金属层而形成；一表面金属层形成于金属线路层表面；以及一芯片层形成于部分表面金属层上；其中，在氧化层的表面还包括有一封孔处理的结构。于此，根据本发明的结构，可在该金属基板两侧皆制作金属线路的结构，亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。

本发明提供的基板结构，还包括：

一金属基板；一氧化层形成于金属基板的一表面；一化学阻障层形成于氧化层上；一中间层形成于化学阻障层上；一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于中间层上后，再移除部分的中间层及金属层而形成；一绝缘黏着层及一金属线路层压合于露出的化学阻障层上；一表面金属层形成于金属线路层表面；以及一芯片层形成于表面金属层上；其中，在氧化层的表面还包括有一封孔处理的结构。

此外，根据本发明的结构，可依实际需要，于该金属基板的另一表面还包括：

一氧化层；一化学阻障层形成于氧化层上；一中间层于化学阻障层上；一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于中间层上后，再移除部分的中间层及金属层而形成；一绝缘黏着层及一金属线路层压合于露出的化学阻障层上；一表面金属层形成于金属线路层表面；以及一芯片层形成于表面金属层上；其中，在氧化层的表面还包括有一封孔处理的结构。于此，根据本发明的结构，可在该金属基板两侧皆制作金属线路的结构，亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。换言之，根据本发明在基板上制作金属线路的结构，可选择性地将金属线路层形成于绝缘黏着层上，由此增加金属线路层与下方金属基板之间的电性绝缘。

根据本发明的结构，中间层的使用材料没有限制，其是用以增加化学阻障层与后续制作的金属线路层或芯片层的附着性，较佳为使用铬、钛、钼、钨或其合金。绝缘黏着层的使用材料没有限制，只要可耐高温如250℃以上的热固性树脂皆可，较佳为使用至少一选自由环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、氨基树脂及硅脂树脂所组成群组的热固性树脂。再者，本发明的表面金属层包括镍、金、锡、银或其合金，其可避免因高温接合时，造成芯片层的损坏。

再者，根据本发明的结构，金属基板可包括一铝金属基板或一铝基复合材料基板；而形成于金属基板上的氧化层可为于金属基板的表面以阳极化处理方式形成，或直接于金属基板的表面以涂布氧化物的方式形成，该氧化层较佳为氧化铝。

根据本发明的结构，化学阻障层的使用种类及厚度没有限制，只要其可防止氧化层或金属基板于后续工艺中，因湿式蚀刻而造成的破坏，较佳地使用厚度为0.01～50μm的氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺。其中，碳化物可使用如类钻碳膜或钻石膜；氮化物可使用如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)或氮化硼(BN)；氧化物为二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)或氧化铍(BeO)。特别是类钻碳膜作为化学阻障层时，亦可视需要添加一掺杂物，该掺杂物的浓度小于20原子百分比(atom％)，包括氟、硅、氮、硼或其混合物，以增加化学阻障层的附着性。

根据本发明的结构，氧化层的厚度没有特别限制，较佳为3～100μm。在该氧化层的表面具有封孔处理的结构，其包括使用Ni(CH₃COO)₂或NiF₂等无机金属盐类，使其与氧化层产生水合作用后，将该氧化层表面所具有的孔洞填平，以增加金属基板与后续制作金属线路层间的绝缘性。

根据本发明基板的制作方法及其结构，可有效增加金属线路层与金属基板之间的电性绝缘，并防止金属基板于后续制作金属线路工艺中，因湿式蚀刻所造成的破坏，进而解决公知金属基板无法形成薄膜线路的问题，并提升在基板上制作金属线路的实用性。

附图说明

图1A至1I是本发明一较佳实施例的制作方法及其结构示意图。

图2是本发明另一较佳实施例的剖视图。

图3A至3I是本发明又一较佳实施例的制作方法及其结构示意图。

图4是本发明再一较佳实施例的剖视图。

附图中主要组件符号说明：

100金属基板，110、115、210、410氧化层，120、220、420封孔结构，130、230、430化学阻障层，140、240、440中间层，145、475绝缘黏着层，150、250、350金属层，155、255、355、455、555金属线路层，160、260、460表面金属层，170、270、470芯片层。

具体实施方式

以下，将详述本发明基板的制作方法，及根据该方法所制作基板的结构。

实施例1

请参阅图1A至1H，为本发明基板的制作方法，及根据该方法所制作结构的实施方式。首先，如图lA所示，提供一金属基板100，该金属基板100的材质可使用铝金属基板或铝基复合材料基板，在本实施例中是使用铝金属基板。其后，如图1B所示在该金属基板100其中的一表面形成一氧化层110，用以增加金属基板100与后续制作金属线路层间的绝缘性。形成该氧化层110的方式可包括使用电化学方式，亦即将该金属基板100浸泡于酸液中，将该金属基板100其中的一表面进行阳极化处理。换言之，根据本较佳实施例中所使用的铝金属基板，在其表面进行阳极化处理后，可形成一氧化铝的氧化层于该金属基板其中的一表面。形成氧化层110的方式亦可依选择使用不同的方式，例如：使用涂布氧化物的方式后再利用电化学形成该氧化层，或仅浸泡该金属基板于一欲形成氧化物的溶液中(未通电)等方式。

氧化层110的厚度没有特别限制，只要可有效达成金属基板100与后续制作金属线路层间的绝缘性，若氧化层110的厚度小于3μm，其难以有效地避免金属基板100与后续制作金属线路层155间的绝缘性，故根据本实施例，可形成约3～100μm厚的氧化层。

接着，如图1C，在氧化层110的表面还包括有一封孔处理以形成一封孔结构120的步骤，其中该封孔处理包括使用Ni(CH₃COO)₂或NiF₂等无机金属盐类，使其与氧化层110产生水合作用后，将该氧化层110表面所具有的孔洞填平，以增加金属基板100与后续制作金属线路层155间的绝缘性。根据本实施例所形成氧化铝的氧化层，在由上述封孔处理的步骤后，可形成氢氧化物(如Ni(OH)₂或Al(OH)₃)或氟化物(AlF₃)，将该氧化层110表面所具有的孔洞填平的封孔结构120。

其后，如图1D，形成一化学阻障层130于氧化层110上，形成化学阻障层130的方式可为化学气相沉积法、物理气相沉积法或涂布法。化学气相沉积法可包括等离子体辅助化学气相沉积法或微波等离子体化学气相沉积法，至于物理气相沉积法可包括蒸镀法、溅镀法或阴极电弧。根据本实施例是使用等离子体辅助化学气相沉积法来形成化学阻障层130于氧化层110上。化学阻障层130的使用种类及厚度没有限制，只要其可防止氧化层110或金属基板100于后续工艺中，因湿式蚀刻而造成的破坏，较佳地使用厚度为0.01～50μm的氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺；其中，碳化物可使用如类钻碳膜或钻石膜；氮化物可使用如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、或氮化硼(BN)；而氧化物可使用二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)或氧化铍(BeO)。根据本实施例是使用一类钻碳膜作为化学阻障层130。此外，当如本实施例使用类钻碳膜作为化学阻障层130时，亦可视需要添加小于20原子百分比(atom％)的掺杂物，该掺杂物可包括氟、硅、氮、硼或其混合物，以增加类钻碳膜作为化学阻障层130时的附着性。

最后，如图1E至1H，分别形成一中间层140于化学阻障层130上，以及形成一金属层150于中间层140上。如图1F至1G，以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的中间层140及金属层150，使金属层150形成一金属线路层155。在金属线路层155上亦可以表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的表面金属层160，用以增加金属线路层155与芯片170的黏着性。根据本实施例，中间层140可以蒸镀法或溅镀法形成于化学阻障层130上，而该中间层140主要用以增加化学阻障层130与后续制作的金属线路层155的附着性，故在中间层140的使用上，较佳为铬、钛、钼、钨或其合金。而金属层150可为铜或其合金，以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式形成金属线路层155后，并提供表面金属层160于金属线路层155上，以形成一芯片层170于部分表面金属层160上，并使芯片层170与金属线路层155彼此电性连接。

再者，根据本实施例，可选择性地在金属基板100的另一表面上还形成一氧化层115，但仅在金属基板100的一侧制作金属线路，如图1I所示。

根据本实施例，还可包括形成一防焊层(图中未示)于金属线路层上，该防焊层使用种类没有限制，较佳为一类钻碳层，以增加在基板上制作金属线路整体结构的散热性及耐用性。

实施例2

请参阅图2，为本发明另一基板的制作方法，及根据该方法所制作结构的实施方式。本实施例的制作方法及其结构与实施例1相同，其差异仅在于实施例1是在金属基板100其中的一表面上制作金属线路，本实施例是在金属基板100的另一表面上形成一氧化层210、一化学阻障层230、一中间层240及一金属层，其中，该氧化层210的表面亦可包括有一封孔处理220的结构，而金属层亦以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，以形成一金属线路层255，并提供一表面金属层260于金属线路层255上，以形成一芯片层270于部分表面金属层260上。于此，根据本实施例的方法及根据该方法所制作的结构，亦可达成如实施例1所欲达成的目的及功效。

再者，根据本实施例，可选择地形成复数个通孔(图未示)贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。

实施例3

请参阅图3A至3H，为本发明又一基板的制作方法，及根据该方法所制作结构的实施方式。本实施例图3A至3D的制作方法及其结构与实施例1图1A至1D相同。其差异仅在于，如图3E至3H，先形成一中间层140于化学阻障层130上，以及形成一金属层150于中间层140上后，经由湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分中间层140和金属层150以使金属层150形成一金属线路层155，并使化学阻障层130露出。其后，压合另一金属层350及一绝缘黏着层145于露出的化学阻障层130上，再将金属层350以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式形成一金属线路层355，最后在未移除的该金属线路层155、355表面形成一表面金属层160，最后形成一芯片层170于部分表面金属层160上。上述金属层150，350可为铜或其合金。

再者，根据本实施例，可选择性地在金属基板100的另一表面上还形成一氧化层115，但仅在金属基板100的一侧制作金属线路，如图3I所示。根据本实施例，绝缘黏着层145的使用材料只要可耐高温如250℃以上的热固性树脂皆可，较佳为使用至少一选自由环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、氨基树脂、及硅脂树脂所组成群组的热固性树脂。在本实施例中是使用环氧树脂。

实施例4

请参阅图4，为本发明再一基板的制作方法，及根据该方法所制作结构的实施方式。本实施例的制作方法及其结构与实施例3相同，其差异仅在于实施例3是在金属基板100其中的一表面上依实施例3的方式制作金属线路。故根据本实施例，可在金属基板100的另一表面上形成一氧化层410；一化学阻障层430形成于氧化层410上；一中间层440于化学阻障层上；一金属线路层455，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于中间层440上后，再移除部分的中间层440及金属层而形成；一绝缘黏着层445及一金属线路层555压合于露出的化学阻障层430上；一表面金属层460形成于金属线路层455、555表面；以及一芯片层470形成于部分表面金属层460上；其中，在氧化层的表面还包括有一封孔处理的结构420。于此，根据本实施例的方法及根据该方法所制作的结构，亦可达成如实施例3所欲达成的目的及功效。

再者，根据本实施例，可选择地形成复数个通孔(图中未示)贯穿于整体结构中，以增加其散热效果。

上述实施例仅为了方便说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请的权利要求范围所述为准，而非仅限于上述实施例。

Claims (39)

1.一种基板的制作方法，包括：

提供一金属基板；

形成一氧化层于该金属基板的至少一表面；

形成一化学阻障层于该氧化层上；

形成一中间层于该化学阻障层上；

形成一金属层于该中间层上；以及

以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；

其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，包括：

在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分该表面金属层上；

其中，该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

3.如权利要求1所述的方法，包括：

压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的该化学阻障层上；

进行蚀刻以移除部分的该金属层，使该金属层亦形成一金属线路层；

在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及

形成一芯片层于部分该表面金属层上；

其中，该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该中间层是以蒸镀法或溅镀法形成于该化学阻障层上。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该氧化层是于该金属基板的该表面以阳极化处理方式形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该氧化层是于该金属基板的该表面以涂布一氧化物的方式形成。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该化学阻障层是以化学气相沉积法、物理气相沉积法或涂布法形成于该氧化层上。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该化学气相沉积法包括等离子体辅助化学气相沉积法或微波等离子体化学气相沉积法。

9.如权利要求7所述的方法，其中，该物理气相沉积法包括蒸镀法、溅镀法或阴极电弧。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该化学阻障层为氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该碳化物为类钻碳膜或钻石膜。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该类钻碳膜具有一掺杂物，该掺杂物包括氟、硅、氮、硼或其混合物，该掺杂物的浓度小于20原子百分比。

13.如权利要求10所述的方法，其中，该氮化物为氮化铝、氮化硅或氮化硼。

14.如权利要求10所述的方法，其中，该氧化物为二氧化硅、二氧化钛或氧化铍。

15.如权利要求1所述的方法，其中，该封孔处理是以一无机金属盐类，使其与该氧化层产生水合作用。

16.如权利要求15所述的方法，其中，该无机金属盐类包括Ni(CH₃COO)₂或NiF₂。

17.如权利要求2或3所述的方法，其中，包括形成一防焊层形成于该金属线路层上。

18.如权利要求2所述的方法，其中，于该金属基板的另一表面包括：

形成一氧化层；

形成一化学阻障层于该氧化层上

形成一中间层于该化学阻障层上；

形成一金属层于该中间层上；

以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；

在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及

形成一芯片层于部分该表面金属层上；

其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤，且该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

19.如权利要求3所述的方法，其中，于该金属基板的另一表面包括：

形成一氧化层；

形成一化学阻障层于该氧化层上

形成一中间层于该化学阻障层上；

形成一金属层于该中间层上；

以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；

压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的该化学阻障层上；

进行蚀刻以移除部分的该金属层，使该金属层亦形成一金属线路层；

在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及

形成一芯片层于部分该表面金属层上；

其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤，且该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

20.如权利要求18或19所述的方法，其中，包括有形成复数个通孔贯穿于该金属基板、该氧化层、及该化学阻障层。

21.一种基板结构，包括：

一金属基板；

一氧化层形成于该金属基板的至少一表面；

一化学阻障层形成于该氧化层上；

一中间层形成于该化学阻障层上；以及

一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于该中间层上后，再移除部分的该中间层及该金属层而形成；

其中，该氧化层的表面包括有一封孔处理的结构。

22.如权利要求21所述的基板结构，包括：

一表面金属层形成于该金属线路层表面；以及

一芯片层形成于部分该表面金属层上；

其中，该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

23.如权利要求21所述的基板结构，包括：

一绝缘黏着层及一金属线路层压合于露出的该化学阻障层上；

一表面金属层形成于该金属线路层表面；以及

一芯片层形成于部分该表面金属层上；

其中，该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

24.如权利要求21所述的基板结构，其中，该中间层包括铬、钛、钼、钨或其合金。

25.如权利要求23所述的基板结构，其中，该绝缘黏着层包括至少一选自由环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、氨基树脂及硅脂树脂所组成群组的热固性树脂。

26.如权利要求21所述的基板结构，其中，该金属基板包括一铝金属基板或一铝基复合材料基板。

27.如权利要求21所述的基板结构，其中，该氧化层为氧化铝。

28.如权利要求21所述的基板结构，其中，该化学阻障层为氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺。

29.如权利要求28所述的基板结构，其中，该碳化物为类钻碳膜或钻石膜。

30.如权利要求29所述的基板结构，其中，该类钻碳膜具有一掺杂物，该掺杂物包括氟、硅、氮、硼或其混合物，该掺杂物的浓度小于20原子百分比。

31.如权利要求28所述的基板结构，其中，该氮化物为氮化铝、氮化硅或氮化硼。

32.如权利要求28所述的基板结构，其中，该氧化物为二氧化硅、二氧化钛或氧化铍。

33.如权利要求21所述的基板结构，其中，该金属层包括铜或其合金。

34.如权利要求21所述的基板结构，其中，该氧化层的厚度为3～100μm。

35.如权利要求21所述的基板结构，其中，该化学阻障层的厚度为0.01～50μm。

36.如权利要求21所述的基板结构，其中，包括有一防焊层形成于该金属线路层上。

37.如权利要求22所述的基板结构，于该金属基板的另一表面包括：

一氧化层；

一化学阻障层形成于该氧化层上；

一中间层形成于该化学阻障层上；

一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于该中间层上后，再移除部分的该中间层及该金属层而形成；

一表面金属层形成于该金属线路层表面；以及

一芯片层形成于该表面金属层上；

其中，该氧化层的表面包括有一封孔处理的结构，且该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

38.如权利要求23所述的基板结构，于该金属基板的另一表面包括：

一氧化层；

一化学阻障层形成于该氧化层上；

一中间层形成于该化学阻障层上；

一金属线路层，是以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，将一金属层形成于该中间层上后，再移除部分的该中间层及该金属层而形成；

一绝缘黏着层及一金属线路层压合于露出的该化学阻障层上；

一表面金属层形成于该金属线路层表面；以及

一芯片层形成于该表面金属层上；

其中，该氧化层的表面包括有一封孔处理的结构，且该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。

39.如权利要求37或38所述的基板结构，其中，包括有复数个通孔贯穿于该金属基板、该氧化层及该化学阻障层。

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