CN102233484A - 被加工物的加工方法、分割方法及雷射加工装置 - Google Patents

被加工物的加工方法、分割方法及雷射加工装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种减少于加工痕的光吸收、提高来自蓝宝石的光的取出效率、可高速处理的于被加工物形成分割起点的加工方法及实现该方法的雷射加工装置。该被加工物的加工方法包括：通过以脉冲雷射光的个别的单位脉冲光的被照射区域于被加工物被离散形成的方式对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，在前述被照射区域之间使被加工物的劈开或裂开依序产生，以于前述被加工物形成分割的起点。

Description

被加工物的加工方法、分割方法及雷射加工装置
技术领域
本发明涉及照射雷射光以加工被加工物的雷射加工方法，特别是指一种被加工物的加工方法、被加工物的分割方法及雷射加工装置。 
背景技术
做为照射脉冲雷射光以加工被加工物的技术(以下亦仅称为雷射加工或雷射加工技术)，各种技术已为公知(例如参照专利文献1至4)。 
揭示于专利文献1的技术是于分割为被加工物的芯片之际，以雷射消熔沿分割预定线形成剖面V字形的槽(折断槽)，以此槽为起点分割芯片的手法。另外，揭示于专利文献2的技术是通过沿被加工物(被分割体)的分割预定线照射散焦状态的雷射光使被照射区域产生结晶状态比周围差的剖面大致V字形的熔解改质区域(变质区域)，以此熔解改质区域的最下点为起点分割被加工物的手法。 
在使用于专利文献1或专利文献2揭示的技术形成分割起点的场合，不论何者，为了使其后的分割良好地进行，沿雷射光的扫瞄方向即分割预定线方向形成均一形状的V字形剖面(槽剖面或变质区域剖面)皆为重要。做为对应该目的，是控制雷射光的照射以使例如每1脉冲的雷射光的被照射区域(光束点)前后重复。 
在例如设雷射加工的最基本的参数即重复频率(单位kHz)为R、扫瞄速度(单位mm/sec)为V时两者的比V/R为光束点的中心间隔，在于专利文献1及专利文献2揭示的技术中，为了于光束点间产生重迭而以V/R为1μm以下的条件进行雷射光的照射及扫瞄。 
此外，于专利文献3有揭示通过使聚光点配合于表面具有积层部的基板的内部照射雷射光而于基板内部形成改质区域，以此改质区域为切断的起点的态 样。 
此外，于专利文献4有揭示对1个分离线重复复数次的雷射光扫瞄，于深度方向的上下形成于分离线方向连续的槽部及改质部、于分离线方向不连续的内部改质部的态样。 
另一方面，于专利文献5有揭示使用脉冲宽度为psec数量级的超短脉冲的雷射光的加工技术，通过调整脉冲雷射光的聚光点位置，从被加工物(板体)的表层部位至表面形成微小裂痕群生的微小融解痕，形成此等融解痕相连的线状的分离容易化区域的态样。 
专利文献1：日本特开2004-9139号公报 
专利文献2：国际公开第2006/062017号 
专利文献3：日本特开2007-83309号公报 
专利文献4：日本特开2008-98465号公报 
专利文献5：日本特开2005-271563号公报 
发明内容
以雷射光形成分割起点，其后以折断器进行分割的手法比起以往的为机械性切断法的钻石刻划，于自动性、高速性、安定性、高精度性方面有利。 
然而，在将于由蓝宝石等硬脆性且光学上透明的材料构成的基板上形成有LED构造等发光组件构造的被加工物分割为芯片(分割素片)单位的场合，雷射加工的结果所产生的加工痕会吸收在发光组件内部产生的光而有使来自组件的光的取出效率降低的问题。特别是在使用折射率较高的蓝宝石基板的发光组件构造的场合该问题更加显著。 
本发明的发明人累积锐意检讨的结果，得知于被加工物的被加工位置形成利用该被加工物的劈开性或裂开性的微细的凹凸以使在该位置的全反射率降低的做法在解决上述问题点并即使与雷射加工痕不存在的钻石刻划比较亦实现更高的光的取出效率上甚为有效，且该凹凸的形成可通过使用超短脉冲的雷射光而非常合适地进行。 
于专利文献1至专利文献5中，未见对该问题有所认知，针对利用被加工 物的劈开性或裂开性的态样没有任何揭示或隐含。 
本发明是鉴于上述课题而为，以提供减少于加工痕的光吸收、提高来自蓝宝石的光的取出效率、可高速处理于被加工物形成分割起点的加工方法及实现该方法的雷射加工装置为目的。 
[解决课题的手段] 
为了解决上述课题，1的发明是一种被加工物的加工方法，用于被加工物形成分割起点，其特征在于：通过以脉冲雷射光的个别的单位脉冲光的被照射区域于被加工物被离散形成的方式对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，在前述被照射区域之间使被加工物的劈开或裂开依序产生，以于前述被加工物形成分割的起点。 
2的发明是一种被加工物的加工方法，用于被加工物形成分割起点，其特征在于：以脉冲雷射光的个别的单位脉冲光被离散照射于被加工物的方式对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，通过前述个别的单位脉冲光被照射于被照射位置时的冲击或应力在与前一刻或同时被照射的前述单位脉冲光的被照射位置之间使劈开或裂开产生，以于前述被加工物形成为了前述分割的起点。 
3的发明是如1或2所述的被加工物的加工方法，其中，前述脉冲雷射光是脉冲宽度为psec数量级的超短脉冲光。 
4的发明是如1至3中任一项所述的被加工物的加工方法，其中，将至少2个前述被照射区域形成为于前述被加工物的劈开或裂开容易方向相邻。 
5的发明是如4所述的被加工物的加工方法，其中，于前述被加工物的相异的2个前述劈开或裂开容易方向交互进行前述至少2个前述被照射区域的形成。 
6的发明是如4所述的被加工物的加工方法，其中，沿前述被加工物的劈开或裂开容易方向形成所有前述被照射区域。 
7的发明是如1至3中任一项所述的被加工物的加工方法，其中，于对前述被加工物的相异的2个劈开或裂开容易方向等价的方向形成前述被照射区域。 
8的发明是如1至5中任一项所述的被加工物的加工方法，其中，通过使前述脉冲雷射光的射出源与前述被加工物相对移动并同时使前述脉冲雷射光的射出方向在与该相对移动方向垂直的面内周期性变化而于前述被加工物形成满足交错状的配置关系的复数前述被照射区域。 
9的发明是如1至5中任一项所述的被加工物的加工方法，其中，通过使前述脉冲雷射光的复数射出源与前述被加工物相对移动并同时使来自前述复数射出源的各自的前述单位脉冲光的照射时机周期性变化而于前述被加工物形成满足交错状的配置关系的复数前述被照射区域。 
10的发明是一种被加工物的分割方法，用于分割被加工物，其特征在于：沿前述分割起点分割以1至9中任一项所述的被加工物的加工方法形成有分割起点的被加工物。 
11发明是一种雷射加工装置，具备发出脉冲雷射光的光源；载置被加工物的载台；其特征在于：通过以前述脉冲雷射光的个别的单位脉冲光的被照射区域于载置于前述载台的前述被加工物被离散形成的方式使前述载台移动并同时对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，在前述被照射区域之间使被加工物的劈开或裂开依序产生，以于前述被加工物形成分割的起点。 
12的发明是一种雷射加工装置，具备发出脉冲雷射光的光源；载置被加工物的载台；其特征在于：以前述脉冲雷射光的个别的单位脉冲光被离散照射于载置于前述载台的被加工物的方式使前述载台移动并同时对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，通过前述个别的单位脉冲光被照射于被照射位置时的冲击或应力在与前一刻或同时被照射的前述单位脉冲光的被照射位置之间使劈开或裂开产生，以于前述被加工物形成为了前述分割的起点。 
13的发明是如11或12所述的雷射加工装置，其中，进一步具备光路设定手段，实际或假想设定复数从前述光源被发出的前述脉冲雷射光被对前述被加工物照射时的前述脉冲雷射光的光路，并在已设定的复数光路之中依序切换前述脉冲雷射光的前述个别的单位脉冲光被对前述被加工物照射时的光路。 
14的发明是如13所述的雷射加工装置，其中，通过使前述由光路设定手 段进行的光路的切换时机与来自前述光源的前述单位脉冲光的射出时机同步，对个别的前述单位脉冲光的被照射区域的形成预定位置以前述复数光路之中的对应于前述形成预定位置的光路照射前述单位脉冲光。 
15的发明是如13或14所述的雷射加工装置，其中，前述光路设定手段是通过使从前述光源被发出的前述脉冲雷射光的光路分歧为复数来设定前述复数光路，在复数光路之中依序切换前述脉冲雷射光的前述个别的单位脉冲光被对前述被加工物照射时的光路。 
16的发明是如15所述的雷射加工装置，其中，前述光路设定手段是通过在通过前述复数光路的前述脉冲雷射光之中仅使已达于前述被加工物形成被照射区域的时机的前述脉冲雷射光对前述被加工物射出并使未达前述时机的前述脉冲雷射光遮断或减衰，在复数光路之中依序切换前述脉冲雷射光的前述个别的单位脉冲光被对前述被加工物照射时的光路。 
17的发明是如16所述的雷射加工装置，其中，前述光路设定手段具备可对通过前述复数光路的前述脉冲雷射光的各光设定使对前述被加工物照射的通过状态与使遮断或减衰的非通过状态的光路选择机构；前述光路选择机构是在通过前述复数光路的前述脉冲雷射光之中仅使已达于前述被加工物形成被照射区域的时机的前述脉冲雷射光为通过状态并使对前述被加工物射出，使未达前述时机的前述脉冲雷射光为非通过状态。 
[发明的效果] 
利用1至17的发明，通过将被加工物的变质或飞散等的产生限制为局部性且使被加工物的劈开或裂开积极生成，可比以往极高速对被分割体形成分割起点。 
特别是利用5及7至9的发明，于在沿形成的分割起点分割被加工物的场合的分割剖面即被分割体的表面附近可形成分割起点以形成相邻的劈开或裂开面所导致的凹凸。在被加工物为于由蓝宝石等硬脆性且光学透明的材料构成的基板上形成有LED构造等发光组件构造者的场合，于基板的分割剖面形成此种凹凸形状可使发光组件的发光效率提升。 
特别是利用13至17的发明，可更高速且有效率地进行成为相异的2个劈开或裂开容易方向的对称轴的方向成为加工预定线的方向的加工。 
附图说明
图1是针对第1加工模式的加工说明的图； 
图2是关于在第1加工模式的以劈开/裂开加工形成分割起点的被加工物的表面的光学显微镜像； 
图3是将以第1加工模式的加工形成分割起点的蓝宝石C面基板沿该分割起点分割后的从表面(C面)至剖面的SEM像； 
图4是示意显示第2加工模式的加工态样的图； 
图5是关于在第2加工模式的以劈开/裂开加工形成分割起点的被加工物的表面的光学显微镜像； 
图6是将以第2加工模式的加工形成分割起点的蓝宝石C面基板沿该分割起点分割后的从表面(C面)至剖面的SEM像； 
图7是示意显示第3加工模式的加工态样的图； 
图8是显示第3加工模式中的加工预定线与被照射区域的形成预定位置的关系的图； 
图9是概略显示本发明的实施形态的雷射加工装置50的构成的示意图； 
图10是示意显示光路设定手段5的构成的图。 
【主要组件符号说明】 
1控制器 
2控制部 
3记录部 
4透明片 
5光路设定手段 
7载台 
7m  移动机构 
10  被加工物 
50  雷射加工装置 
53  半反射镜 
54  反射镜 
55  光路选择机构 
C1～C3、C11a、C11b、C21～C24  劈开/裂开面 
D  (载台7的)移动方向 
L  加工预定线 
LB、LB0、LB1、LB2雷射光 
M1、M2、M3加工痕 
RE、RE1～RE4、RE11～RE15、RE21～RE25被照射区域 
SL  雷射光源 
SW  光学开关 
具体实施方式
<加工的原理> 
首先说明以下显示的各实施形态中被实现的加工的原理。于本发明中被进行的加工概略而言是通过扫瞄脉冲雷射光(以下亦仅称为雷射光)并同时对被加工物的上面照射，在个别的脉冲的被照射区域之间使被加工物的劈开或裂开依序产生，以形成分割的起点(分割起点)做为于各自被形成的劈开面或裂开面的连续面。 
另外，于本实施形态中，所谓裂开是指被加工物沿劈开面以外的结晶面大致规则产生裂痕的现象，将该结晶面称为裂开面。另外，除完全沿结晶面的微观现象的劈开或裂开以外，亦可能有巨观的裂痕沿大致一定的结晶方位产生。随物质不同而主要可能只有劈开、裂开、裂痕其中之一产生，但以下为了避免说明的烦杂，不区别劈开、裂开、裂痕而以劈开/裂开等总称。另外，如上述的态样的加工亦可能仅以劈开/裂开加工总称。 
于以下是以被加工物为六方晶的单结晶物质，其a1轴、a2轴、a3轴的各轴方向为劈开/裂开容易方向的场合为例说明。例如，C面蓝宝石基板等即该当于此。六方晶的a1轴、a2轴、a3轴是于C面内呈各120度的角度而位于彼此对称的位置。于本发明的加工中，因此等轴的方向与加工预定线的方向(加工预定方向)的关系而有数种模式。以下针对此等说明。另外，于以下的说明中，将以个别的脉冲被照射的雷射光称为单位脉冲光。 
<第1加工模式> 
第1加工模式是a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向其中之一与加工预定线平行的场合的劈开/裂开加工的态样。更一般而言，是劈开/裂开容易方向与加工预定线的方向一致的场合的加工态样。 
图1是示意显示第1加工模式的加工态样的图。于图1中是显示a1轴方向与加工预定线L平行的场合。图1(a)是显示该场合的a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向与加工预定线L的方位关系的图。图1(b)是显示雷射光的第1脉冲的单位脉冲光被照射于加工预定线L的端部的被照射区域RE1的状态。 
一般而言，单位脉冲光的照射是对被加工物的极微小区域给予高能量，故该照射会于被照射面于单位脉冲光的(雷射光的)被照射区域相当或比被照射区域更广的范围使物质的变质、熔融、蒸发除去等产生。 
然而，若将单位脉冲光的照射时间亦即脉冲宽度设定为极短，存在于比雷射光的光点尺寸小的被照射区域RE1的大致中央区域的物质因从被照射的雷射光获得运动能量而往垂直于被照射面的方向飞散或变质，另一方面，以伴随该飞散而产生的反作用力为首的因单位脉冲光的照射而产生的冲击或应力作用于该被照射区域的周围，特别是劈开/裂开容易方向即a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向。藉此，沿该方向虽看似保持接触状态但有微小的劈开或裂开局部产生，或产生虽未达劈开或裂开但内部存在热变形的状态。换言之，超短脉冲的单位脉冲光的照射可谓发挥做为形成往劈开/裂开容易方向的俯视大致直线状的低强度部分的驱动力的作用。 
于图1(b)中，形成于上述各劈开/裂开容易方向的低强度部分之中，将与加工预定线L的延在方向一致的+a1方向的低强度部分W1以虚线箭头示意表 示。 
接着，如图1(c)所示，雷射光的第2脉冲的单位脉冲光被照射，于加工预定线L上被照射区域RE2于从被照射区域RE1离开既定距离的位置被形成后，与第1脉冲同样地，于此第2脉冲低强度部分亦沿劈开/裂开容易方向被形成。例如，于-a1方向是低强度部分W2a被形成，于+a1方向是低强度部分W2b被形成。 
然而，于此时点，因第1脉冲的单位脉冲光的照射而被形成的低强度部分W1存在于低强度部分W2a的延在方向。亦即，低强度部分W2a的延在方向成为以比其它位置小的能量便可产生劈开或裂开的位置。因此，实际上，在第2脉冲的单位脉冲光的照射被进行后，当时产生的冲击或应力往劈开/裂开容易方向及存在于其前方的低强度部分传播，完全的劈开或裂开从低强度部分W2a至低强度部分W1大致于照射的瞬间产生。藉此，于图1(d)显示的劈开/裂开面C1被形成。另外，劈开/裂开面C1可于被加工物的图面视垂直方向被形成至数μm至数十μm程度的深度。且如后述，于劈开/裂开面C1，受到强冲击或应力的结果而产生结晶面的滑动，于深度方向有起伏产生。 
之后，如图1(e)所示，之后，通过沿加工预定线L扫瞄雷射光而依序对被照射区域RE1、RE2、RE3、RE4...照射单位脉冲光后，对应于此行为，劈开/裂开面C2、C3...依序被形成。以该态样连续形成劈开/裂开面即为第1加工模式中的劈开/裂开加工。 
亦即，于第1加工模式中，沿加工预定线L离散存在的复数被照射区域与形成于此等复数被照射区域之间的劈开/裂开面整体上成为沿加工预定线L分割被加工物时的分割起点。该分割起点的形成后，通过进行使用既定的治具或装置的分割，可以大致沿加工预定线L的态样分割被加工物。 
另外，欲实现此种劈开/裂开加工必须照射脉冲宽度短的短脉冲的雷射光。具体而言，必须使用脉冲宽度为100psec以下的雷射光。例如，使用具有1psec～50psec程度的脉冲宽度的雷射光较理想。 
另外，单位脉冲光的照射节距(被照射点的中心间隔)最大亦为4μm～15μm程度较理想。若照射节距彼此范围大，会有劈开/裂开容易方向的低强度 部分的形成不进展至足以形成劈开/裂开面的程度的场合产生，故从确实形成由如上述的劈开/裂开面构成的分割起点的观点来看并不理想。 
现在，在雷射光的重复频率为R(kHz)的场合，每1/R(msec)会有单位脉冲光从雷射光源被发出。在雷射光对被加工物相对地以速度V移动的场合，照射节距Δ(μm)是以Δ＝V/R决定。因此，雷射光的扫瞄速度V重复频率被决定为Δ为数μm程度。例如，扫瞄速度V为50mm/sec～3000mm/sec程度，重复频率R为10kHz～200kHz程度较理想。V或R的具体的值可考虑被加工物的材质或吸收率、热传导率、熔点等适当决定。 
雷射光以约1μm～10μm程度的光束径被照射较理想。在此场合，雷射光的照射的峰值功率密度为大约0.1TW/cm2～数十TW/cm2。 
此外，雷射光的照射能量(脉冲能量)在0.1μJ～50μJ的范围内适当决定即可。 
图2是关于以在第1加工模式的劈开/裂开加工形成分割起点后的被加工物的表面的光学显微镜像。具体而言，是显示进行以蓝宝石C面基板为被加工物，于该C面上以a1轴方向为加工预定线L的延在方向并以7μm的间隔离散形成被照射点的加工的结果。于图2显示的结果暗示实际的被加工物已被以上述的机制加工。 
此外，图3是将以第1加工模式的加工形成分割起点的蓝宝石C面基板沿该分割起点分割后的从表面(C面)至剖面的SEM(扫瞄电子显微镜)像。另外，于图3中，将表面与剖面的境界部分以虚线显示。 
于图3被观察的大致等间隔存在于离该表面10μm前后的范围的从被加工物的表面往内部具有长度方向的细长三角形状或针状的区域，是因单位脉冲光的照射而有直接变质或飞散除去等现象产生的区域(以下称为直接变质区域)。此外，存在于此等直接变质区域之间的呈于图面视左右方向具有长度方向的筋状部分以次微米节距于图面视上下方向多数相连的区域是劈开/裂开面。比此等直接变质区域及劈开/裂开面更下方是通过分割而被形成的分割面。 
另外，于SEM像中做为筋状部分被观察者实际上是形成于劈开/裂开面的具有0.1μm～1μm程度的高低差的微小凹凸。该凹凸是于以如蓝宝石等硬脆性 的无机化合物为对象进行劈开/裂开加工之际，通过单位脉冲光的照射而使强冲击或应力作用于被加工物，使滑动于特定结晶面产生而被形成者。 
此种微细凹凸虽存在，但由于从图3判断表面与剖面是以波线部分为界大概正交，故只要微细凹凸做为加工误差被容许，即可谓可通过以第1加工模式形成分割起点，沿该分割起点分割被加工物，将被加工物对其表面大概垂直分割。 
另外，如后述，亦有积极形成该微细凹凸较理想的场合。例如，通过第1加工模式的加工亦可能一定程度达成通过后述的第2加工模式的加工而可显著获得的光取出效率的提升的效果。 
<第2加工模式> 
第2加工模式是a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向其中之一与加工预定线垂直的场合的劈开/裂开加工的态样。另外，于第2加工模式使用的雷射光的条件与第1加工模式为相同。更一般而言，是相对相异的2个劈开/裂开容易方向为等价的方向(成为2个劈开/裂开容易方向的对称轴的方向)成为加工预定线的方向的场合的加工态样。 
图4是示意显示第2加工模式的加工态样的图。于图4中是显示a1轴方向与加工预定线L正交的场合。图4(a)是显示该场合的a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向与加工预定线L的方位关系的图。图4(b)是显示雷射光的第1脉冲的单位脉冲光被照射于加工预定线L的端部的被照射区域RE11的状态。 
第2加工模式的场合亦通过照射超短脉冲的单位脉冲光而与第1加工模式同样地形成低强度部分。于图4(b)中，形成于上述各劈开/裂开容易方向的低强度部分之中，将接近加工预定线L的延在方向的-a2方向及+a3方向的低强度部分W11a、W12a以虚线箭头示意表示。 
接着，如图4(c)所示，雷射光的第2脉冲的单位脉冲光被照射，于加工预定线L上被照射区域RE12于从被照射区域RE11离开既定距离的位置被形成后，与第1脉冲同样地，于此第2脉冲低强度部分亦沿劈开/裂开容易方向被形成。例如，于-a3方向是低强度部分W11b被形成，于+a3方向是低强度部分W11c被形成，于-a2方向是低强度部分W12c被形成。 
在该场合亦与第1加工模式的场合同样，由于因第1脉冲的单位脉冲光的照射而被形成的低强度部分W11a、W12a分别存在于低强度部分W11b、W12b的延在方向，故实际上在第2脉冲的单位脉冲光的照射被进行后，当时产生的冲击或应力往劈开/裂开容易方向及存在于其前方的低强度部分传播，亦即，如图4(d)所示，劈开/裂开面C11a、C11b被形成。另外，于该场合，劈开/裂开面C11a、C11b亦可于被加工物的图面视垂直方向被形成至数μm至数十μm程度的深度。 
接着，如图4(e)所示，沿加工预定线L扫瞄雷射光而依序对被照射区域RE11、RE12、RE13、RE14...照射单位脉冲光后，通过于该照射之际产生的冲击或应力，图面视直线状的劈开/裂开面C11a及C11b、C12a及C12b、C13a及C13b、C14a及C14b、...沿加工预定线L依序被形成。 
其结果，劈开/裂开面相对加工预定线L对称存在的状态被实现。于第2加工模式中，沿加工预定线L离散存在的复数被照射区域与其交错状存在的劈开/裂开面整体上成为沿加工预定线L分割被加工物时的分割起点。 
图5是关于以在第2加工模式的劈开/裂开加工形成分割起点后的被加工物的表面的光学显微镜像。具体而言，是显示进行以蓝宝石C面基板为被加工物，于该C面上以正交于a1轴方向的方向为加工预定线L的延在方向并以7μm的间隔离散形成被照射点的加工的结果。根据图5，于实际的被加工物中亦与于图4(e)示意显示者同样地有表面视交错状的(锯齿状的)劈开/裂开面被确认。该结果是暗示实际的被加工物已被以上述的机制加工。 
此外，图6是将以第2加工模式的加工形成分割起点的蓝宝石C面基板沿该分割起点分割后的从表面(C面)至剖面的SEM像。另外，于图6中，将表面与剖面的境界部分以虚线显示。 
由图6确认于离被加工物的剖面的表面10μm前后的范围中被加工物的剖面具有对应于于图4(e)示意显示的交错状的配置的凹凸。形成该凹凸者是劈开/裂开面。另外，图6中的凹凸的节距为5μm程度。与第1加工模式的加工的场合同样，劈开/裂开面并非平坦，是伴随起因于单位脉冲光的照射而于特定的结晶面有滑动产生的次微米节距的凹凸产生。 
此外，对应于该凹凸的凸部的位置而从表面部分往深度方向延在者是直接变质区域的剖面。比起于图3显示的被以第1加工模式的加工形成的直接变质区域其形状较不均匀。且比此等直接变质区域及劈开/裂开面下方是被以分割形成的分割面。 
在第2加工模式的加工的场合，除形成于劈开/裂开面的次微米节距的凹凸外，相邻的劈开/裂开面以数μm程度的节距形成有凹凸。此种形成具有凹凸形状的剖面的态样在于由蓝宝石等硬脆性且光学上透明的材料构成的基板之上将形成有LED构造等发光组件构造的被加工物分割为芯片(分割素片)单位的场合特别有效。在发光组件的场合，于被以雷射加工形成于基板的加工痕的位置，若在发光组件内部产生的光被吸收，来自组件的光的取出效率虽会降低，但在通过进行第2加工模式的加工而于基板的加工剖面刻意形成有如图6所示的凹凸的场合，在该位置的全反射率降低，于发光组件更高的光取出效率被实现。 
<第3加工模式> 
第3加工模式虽在使用超短脉冲的雷射光的方面、a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向其中之一与加工预定线为垂直(相对相异的2个劈开/裂开容易方向为等价的方向成为加工预定线的方向)的方面与第2加工模式相同，但雷射光的照射态样与第2加工模式相异。 
图7是示意显示第3加工模式的加工态样的图。于图7中是显示a1轴方向与加工预定线L正交的场合。图7(a)是显示该场合的a1轴方向、a2轴方向、a3轴方向与加工预定线L的方位关系的图。 
在上述的第2加工模式是在与于图7(a)显示者相同方位关系的前提下，沿加工预定线L的延在方向即a2轴方向、a3轴方向的刚好中间的方向(相对a2轴方向、a3轴方向为等价的方向)直线扫瞄雷射光。在第3加工模式是如图7(b)所示，形成各被照射区域的单位脉冲光被照射，以使个别的被照射区域以交互沿夹加工预定线L的2个劈开/裂开容易方向的态样形成为交错状(锯齿)。若为图7的场合，交互沿-a2方向及+a3方向形成有被照射区域RE21、RE22、RE23、RE24、RE25...。 
在被以该态样照射单位脉冲光的场合亦与第1加工模式、第2加工模式同样，伴随各单位脉冲光的照射，劈开/裂开面于被照射区域之间被形成。若为于图7(b)显示的场合，被照射区域RE21、RE22、RE23、RE24、RE25...依序被形成，使劈开/裂开面C21、C22、C23、C24...依序被形成。 
其结果，于第3加工模式中，通过以加工预定线L为轴的交错状的配置离散存在的复数被照射区域、形成于各自的被照射区域之间劈开/裂开面整体上成为沿加工预定线L分割被加工物时的分割起点。 
此外在沿该分割起点实际进行分割的场合，与第2加工模式同样于离分割后的被加工物的剖面的表面10μm前后的范围中劈开/裂开面的数μm的凹凸被形成。且于各自的劈开/裂开面与第1加工模式及第2加工模式的场合同样，有伴随起因于单位脉冲光的照射而于特定的结晶面有滑动产生的次微米节距的凹凸产生。 
因此，此种第3加工模式的加工的场合亦与第2加工模式的加工同样，除形成于劈开/裂开面的次微米节距的凹凸外，劈开/裂开面使数μm程度的节距的凹凸被形成，故在以发光组件为对象进行第3加工模式的加工的场合，可获得的发光组件从如上述的光的取出效率的提升的观点来看亦成为较理想者。 
另外，随被加工物的种类，为了更确实使劈开/裂开产生，皆于加工预定线L上的位置即图7(b)的被照射区域RE21与被照射区域RE22的中点、被照射区域RE22与被照射区域RE23的中点、被照射区域RE23与被照射区域RE24的中点、被照射区域RE24与被照射区域RE25的中点...形成被照射区域亦可。 
第3加工模式中的被照射区域的配置位置是部分沿劈开/裂开容易方向。如上述于加工预定线L上的中点位置亦形成被照射区域的场合亦同。亦即，亦可谓第3加工模式在使至少2个被照射区域于被加工物的劈开/裂开容易方向相邻形成的方面与第1加工模式共通。因此，若改变看法，第3加工模式可认为是使扫瞄雷射光的方向周期性不同并进行第1加工模式的加工者。 
此外，第1加工模式及第2加工模式的场合，被照射区域位于一直在线，故使雷射光的射出源沿加工预定线于一直在线移动，每到达既定的形成对象位置便照射单位脉冲光以形成被照射区域即可，该形成态样是最有效率。但在第 3加工模式的场合，是将被照射区域形成为非一直在线的交错状(锯齿)，故不仅使雷射光的射出源实际上交错状(锯齿)移动的手法，可以各种手法形成被照射区域。另外，本实施形态中，所谓射出源的移动是指被加工物与射出源的相对移动，不仅被加工物被固定而射出源移动的场合，亦包含射出源被固定而被加工物移动(实际上是载置被加工物的载台移动)的态样。 
例如，通过使射出源与载台平行于加工预定线L以等速相对移动并同时使雷射光的射出方向在垂直于加工预定线L的面内周期性变化，即亦可以满足如上述的交错状的配置关系的态样形成被照射区域。 
或者，通过使复数射出源平行地以等速相对移动并同时使从个别的射出源的单位脉冲光的照射时机周期性变化，即亦可以满足如上述的交错状的配置关系的态样形成被照射区域。 
图8是显示此等2个场合的加工预定线与被照射区域的形成预定位置的关系的图。不论任一场合皆可理解为如图8所示，将被照射区域RE21、RE22、RE23、RE24、RE25...的形成预定位置P21、P22、P23、P24、P25...交互设定于恰平行于加工预定线L的直线Lα、Lβ上，同时并行进行在沿直线Lα的形成预定位置P21、P23、P25...的被照射区域的形成与在沿直线Lβ的形成预定位置P22、P24...的被照射区域的形成。 
另外，在使射出源交错状(锯齿)移动的场合，不论使雷射光的射出源直接移动或通过使被加工物被载置的载台移动而使雷射光相对扫瞄，射出源或载台的移动皆为二轴同时动作。相对于此，仅使射出源或载台平行于加工预定线L移动的动作是一轴动作。因此，于射出源的高速移动亦即实现加工效率的提升方面，后者可谓更适合。 
如于以上的各加工模式显示般，于本实施形态中被进行的劈开/裂开加工是以单位脉冲光的离散照射主要做为赋予为了于被加工物使连续的劈开/裂开产生的冲击或应力的手段而使用的加工态样。被照射区域中的被加工物的变质或飞散等充其量仅是做为附加物而于局部产生者。具有此种特征的本实施形态的劈开/裂开加工是与通过使单位脉冲光的照射区域重迭并连续或断续使变质、熔融、蒸发除去产生来进行加工的以往的加工手法为其机制本质上不同。 
此外，只要对个别的被照射区域有瞬间强冲击或应力作用即可，故可将雷射光以高速扫瞄并照射。具体而言，可实现最大1000mm/sec的极高速扫瞄亦即高速加工。相较于在以往的加工方法的加工速度顶多200mm/sec程度，其差异显著。当然，于本实施形态中被实现的加工方法比起以往的加工方法可谓使生产性大幅提升。 
另外，本实施形态中的劈开/裂开加工虽如上述的各加工模式般在被加工物的结晶方位(劈开/裂开容易方向的方位)与加工预定线L处于既定的关系的场合特别有效，但适用对象并不受限于此，原理上，于两者处于任意的关系的场合或被加工物为多结晶体的场合亦可适用。在此等场合，虽因劈开/裂开产生的方向对加工预定线L并不一定而于分割起点有不规则的凹凸产生，但通过适当设定以被照射区域的间隔、脉冲宽度为首的雷射光的照射条件，可进行该凹凸维持在加工误差的容许范围内的实用上没问题的加工。 
<雷射加工装置的概要> 
其次，针对可实施上述的各种加工模式的加工的雷射加工装置说明。 
图9是概略显示本发明的实施形态的雷射加工装置50的构成的示意图。雷射加工装置50主要具备雷射光照射部50A、观察部50B、由例如石英等透明的构件构成并将被加工物10载置于其上的载台7、控制雷射加工装置50的各种动作(观察动作、对准动作、加工动作等)的控制器1。雷射光照射部50A具备雷射光源SL与光路设定手段5，是对载置于载台7的被加工物10照射雷射光的部位，相当于上述的雷射光的射出源。观察部50B是进行从被照射雷射光之侧(将此侧称为表面)直接观察该被加工物10的表面观察、从载置于载台7之侧(将此侧称为背面)隔着该载台7观察的背面观察的部位。 
载台7是通过移动机构7m而可在雷射光照射部50A与观察部50B之间于水平方向移动。移动机构7m是通过未图标的驱动手段的作用而在水平面内使载台7于既定的XY 2轴方向移动。藉此，实现雷射光照射部50A内的雷射光照射位置的移动或观察部50B内的观察位置的移动或雷射光照射部50A与观察部50B之间的载台7的移动等。另外，关于移动机构7m，亦可与水平驱动独立进行以既定的旋转轴为中心的水平面内的旋转(θ旋转)动作。 
此外，于雷射加工装置50中，是可适当切换地可进行表面观察与背面观察。藉此，可灵活且迅速进行对应于被加工物10的材质或状态的最佳的观察。 
载台7虽是如上述以石英等透明的构件形成，但是于其内部设有为了吸附固定被加工物10的吸气通路的不图示的吸引用配管而成。吸引用配管是例如通过将载台7的既定位置以机械加工等削孔而被设置。 
在将被加工物10载置于载台7上的状态下，以例如吸引泵等吸引手段11对吸引用配管进行吸引，对设于吸引用配管的载台7载置面侧前端的吸引孔给予负压，使被加工物10(及透明片4)固定于载台7。另外，于图9中虽是例示为加工对象的被加工物10贴付于透明片4的场合，但透明基板保护片4的贴付并非必要。 
<照明系统及观察系统> 
观察部50B是对载置于载台7的被加工物10重迭进行从载台7的上方来自落射照明光源S1的落射照明光L1的照射与来自斜光照明光源S2的斜光透射照明光L2的照射，并构成为可进行从载台7的上方侧的使用表面观察手段6的表面观察与从载台7的下方侧的使用背面观察手段16的背面观察。 
具体而言，从落射照明光源S1被发出的落射照明光L1在设于省略图示的镜筒内的半反射镜9被反射，照射于被加工物10。此外，观察部50B具备包含设于半反射镜9的上方(镜筒的上方)的CCD摄影机6a、连接于该CCD摄影机6a的屏幕6b的表面观察手段6，可在使落射照明光L1照射的状态下实时进行被加工物10的明视野像的观察。 
此外，于观察部50B中，于载台7的下方，更理想为具备设于后述的半反射镜19的下方(镜筒的下方)的CCD摄影机16a、连接于该CCD摄影机16a的屏幕16b的背面观察手段16。另外，屏幕16b与于表面观察手段6具备的屏幕6b为共通亦可。 
此外，从于载台7的下方具备的同轴照明光源S3被发出的同轴照明光L3在设于省略图示的镜筒内的半反射镜19被反射，在聚光透镜18被聚光后，透过载台7照射于被加工物10亦可。更理想者是于载台7的下方具备斜光照明光源S4，可透过载台7对被加工物10照射斜光透射照明光L4。此等同轴照 明光源S3或斜光照明光源S4在例如于被加工物10的表面侧有不透明的金属层等而从表面侧的观察会因由该金属层的反射产生而困难的场合等，可适合用于从背面侧观察被加工物10之际。 
<雷射光源> 
做为雷射光源SL是使用波长为500nm～1600nm者。此外，为了实现以上述的加工模式的加工，雷射光LB的脉冲宽度必须为1psec～50psec程度。此外，重复频率R为10kHz～200kHz程度，雷射光的照射能量(脉冲能量)为0.1μJ～50μJ程度较理想。 
另外，从雷射光源SL被射出的雷射光LB的偏光状态可为圆偏光亦可为直线偏光。但直线偏光的场合，由在结晶性被加工材料中的加工剖面的弯曲与能量吸收率的观点，使偏光方向与扫瞄方向大致平行，例如两者的所成角度为±1度以内较理想。此外，出射光为直线偏光的场合，雷射加工装置50具备不图标的衰减器较理想。衰减器是配置于雷射光LB的光路上的适当的位置，负责调整被射出的雷射光LB的强度。 
<光路设定手段> 
光路设定手段5是设定雷射光LB被照射于被加工物10时的光路的部位。依照被光路设定手段5设定的光路，雷射光LB被照射于被加工物10的既定的照射位置(被照射区域的形成预定位置)。 
光路设定手段5是构成为不仅在加工处理的期间使从雷射光源SL被发出的雷射光LB在其光路被固定的状态下照射于被加工物10，亦可实际或假想设定复数从雷射光源SL发出的雷射光LB被对被加工物10照射时的雷射光LB的光路，并在已设定的复数光路之中依序切换雷射光LB的个别的单位脉冲光被对被加工物10照射时的光路。在后者的场合，于被加工物10的上面的复数位置同时进行的扫瞄被进行的状态，或假想被视为如上的状态被实现。换言之，此是可谓已将雷射光LB的光路多数化。 
另外，于图9中虽是例示通过3个雷射光LB 0、LB 1、LB2在3处扫瞄被进行的场合，但光路设定手段5的光路的多数化的态样并不受限于此。关于光路设定手段5的具体的构成是后述。 
<控制器> 
控制器1是控制上述的各部的动作，进一步具备使在后述的各种态样的被加工物10的加工处理实现的控制部2、记录控制雷射加工装置50的动作的程序3p或于加工处理之际被参照的各种数据的记录部3。 
控制部2是以例如个人计算机或微电脑等泛用的计算机实现，通过记录于记录部3的程序3p被读入该计算机并被实行，各种构成要素做为控制部2的机能性构成要素被实现。 
具体而言，控制部2主要具备控制使用移动机构7m的载台7的驱动或聚光透镜18的对焦动作等关于加工处理的各种驱动部分的动作的驱动控制部21、控制使用CCD摄影机6a及CCD摄影机16a的摄影的摄影控制部22、控制来自雷射光源SL的雷射光LB的照射的照射控制部23、控制使用吸引手段11的往载台7的被加工物10的吸附固定动作的吸附控制部24、依被给予的加工位置数据D1(后述)及加工模式设定数据D2(后述)使对加工对象位置的加工处理实行的加工处理部25。 
记录部3是以ROM或RAM及硬盘等记录媒体实现。另外，记录部3可为以实现控制部2的计算机的构成要素实现的态样，于硬盘的场合等，为设为与该计算机不同体的态样亦可。 
于记录部3是记述关于被加工物10被设定的加工预定线L的位置的加工位置数据D1从外部被给予并被记录。此外，于记录部3事先记录有关于雷射光的个别的参数的条件或光路设定手段5中的光路的设定条件或载台7的驱动条件(或此等的可设定范围)等于各加工模式被记述的加工模式设定数据D2。 
另外，操作者对雷射加工装置50给予的各种输入指示利用于控制器1被实现的GUI被进行较理想。例如，以加工处理部25的作用以GUI提供加工处理用选单。操作者基于该加工处理用选单进行后述的加工模式的选择或加工条件的输入等。 
<对准动作> 
于雷射加工装置50中，在加工处理前是先于观察部50B进行微调被加工物10的配置位置的对准动作。对准动作是为了使被决定于被加工物10的XY 坐标轴与载台7的坐标轴一致而进行的处理。该对准处理是于进行以上述的加工模式的加工的场合在使被加工物10的结晶方位与加工预定线L与雷射光LB的扫瞄方向满足于各加工模式中被要求的既定的关系上甚重要。 
对准动作可适用并实行公知的技术，只要对应于加工形态以适当的态样进行即可。例如，若为使用1个母基板切出被制作的多数个组件芯片的场合等，于被加工物10的表面形成有重复图案的场合，以使用型样匹配等手法实现适当的对准动作。在此场合，概略而言，CCD摄影机6a或CCD摄影机16a取得形成于被加工物10的复数对准用标记的摄影影像，加工处理部25基于此等摄影影像的摄影位置的相对关系特定对准量，驱动控制部21对应于该对准量以移动机构7m使载台7移动，实现对准。 
通过进行该对准动作，加工处理的加工位置被正确特定。另外，对准动作结束后，载置有被加工物10的载台7往雷射光照射部50A移动，继续进行照射雷射光LB的加工处理。另外，从观察部50B往雷射光照射部50A的载台7的移动是被保证为于对准动作时被想定的加工预定位置与实际的加工位置不会偏离。 
<加工处理的概略> 
其次，针对本实施形态的雷射加工装置50中的加工处理说明。于雷射加工装置50中是通过组合从雷射光源SL被发出并经过光路设定手段5的雷射光LB的照射与载置固定有被加工物10的载台7的移动而可使经过光路设定手段5的雷射光LB对被加工物10相对扫瞄并进行被加工物10的加工。 
于雷射加工装置50中，在做为(相对)扫瞄雷射光LB的加工处理模式(加工模式)，可择一选择基本模式与多数模式方面为特征。此等加工模式是对应于上述的光路设定手段5中的光路设定态样被设置而成。 
基本模式是光路设定手段5将从雷射光源SL被发出的雷射光LB的光路固定地决定的模式。在基本模式中，雷射光LB始终通过1个光路，通过使载置有被加工物10的载台7以既定的速度移动，以雷射光LB往一方向扫瞄被加工物10的态样的加工被实现。 
基本模式适合用于在进行以上述的第1加工模式及第2加工模式的加工的 场合。亦即，关于加工预定线L被设定为平行于劈开/裂开容易方向的被加工物10，通过对准被加工物10以使该劈开/裂开容易方向与载台7的移动方向一致而进行以基本模式的加工，可进行第1加工模式的加工。另外，关于加工预定线L被设定为垂直于劈开/裂开容易方向的被加工物10，通过对准被加工物10以使该劈开/裂开容易方向与载台7的移动方向正交而进行以基本模式的加工，可进行第2加工模式的加工。 
此外，原理上，通过适当变更载台7的移动方向亦可适用于第3加工模式的加工。 
另一方面，多数模式是将雷射光LB的光路实际或假想多数化而设定复数的光路的模式。此是例如图8所示的通过沿平行于加工预定线L的直线Lα、Lβ或甚至加工预定线L本身使雷射光LB实际或假想扫瞄而结果实现与以重复交叉于加工预定线L的态样扫瞄雷射光LB的场合同样的加工的模式。另外，使复数雷射光LB假想扫瞄是指实际上虽与基本模式同样以1个光路照射雷射光LB，但通过使该光路随时间变化而实现与以复数光路照射雷射光LB的场合同样的扫瞄态样。 
多数模式适合用于进行以第3加工模式的加工的场合。亦即，与第2加工模式的场合同样地，关于加工预定线L被设定为垂直于劈开/裂开容易方向的被加工物10，通过对准被加工物10以使该劈开/裂开容易方向与载台7的移动方向正交而进行以多数模式的加工，可进行第3加工模式的加工。 
加工模式是例如通过加工处理部25的作用而于控制器1可依照被对操作者提供为可利用的加工处理选单选择较理想。加工处理部25是取得加工位置数据D1并从加工模式设定数据D2取得对应于被选择的加工模式的条件，透过驱动控制部21或照射控制部23其它控制对应的各部的动作以使对应于该条件的动作被实行。 
例如，从雷射光源SL被发出的雷射光LB的波长、输出、脉冲的重复频率、脉冲宽度的调整等是被控制器1的照射控制部23实现。依照加工模式设定数据D2的既定的设定信号被从加工处理部25对照射控制部23发出后，照射控制部23依照该设定信号设定雷射光LB的照射条件。 
此外，特别是在以多数模式进行加工的场合，照射控制部23是使光路设定手段5的光路的切换时机同步于来自雷射光源SL的单位脉冲光的射出时机。藉此，对个别的被照射区域的形成预定位置以光路设定手段5设定的复数光路之中的对应于该形成预定位置的光路照射单位脉冲光。 
另外，于雷射加工装置50中，于加工处理时，亦可视需要在刻意使对焦位置从被加工物10的表面偏离的散焦状态下照射雷射光LB。此是例如通过调整载台7与光路设定手段5的相对距离而被实现。 
<光路设定手段的构成例与其动作> 
其次，针对光路设定手段5的具体的构成与其动作的例，主要以多数模式中的动作为对象说明。 
另外，在以下的说明中，于加工处理时，是使载置有被加工物10的载台7沿与加工预定线L的延在方向一致的移动方向D移动并同时进行加工。 
此外，于以多数模式的动作中，于被照射区域RE往加工预定线L上形成时被照射者是雷射光LB0，于被照射区域RE往平行于加工预定线L的直线Lα上形成时被照射者是雷射光LB1，于被照射区域RE往同样平行于加工预定线L且相对加工预定线L位于对称位置的直线Lβ上形成时被照射者是雷射光LB2。 
此外，以多数模式的第3加工模式的加工是通过使依序或同时被形成的复数被照射区域沿劈开/裂开容易方向存在而被实现。 
图10是示意显示光路设定手段5的构成的图。光路设定手段5具备复数半反射镜53、镜54、光路选择机构55、透镜系统52。 
半反射镜53、镜54是为使了从雷射光源SL被射出的雷射光LB的光路于垂直于载台7的移动方向的面内方向分歧而使复数光路(雷射光LB0、LB1、LB2的光路)形成而被设置。另外，半反射镜53的数量是对应于光路的数量决定。图10中是为了获得3个光路而设有2个半反射镜53。通过具备此等半反射镜53与镜54，以使雷射光LB射出并使载台7移动来使复数雷射光LB扫瞄被加工物10的状态被实现。 
光路选择机构55是为了控制复数光路中的往被加工物10的雷射光LB的 射出时机而具备。更具体而言，光路选择机构55于因半反射镜53、镜54而分歧的各雷射光LB的光路的途中具备光学开关SW。光学开关SW是以例如AOM(声音光学调变器)或EOM(电气光学器)等构成，具有ON状态时使入射的雷射光LB通过，OFF状态时使入射的雷射光LB遮断或减衰(使成为非通过状态)的机能。藉此，于光路选择机构55中，仅通过ON状态的光学开关SW的雷射光LB被照射于被加工物10。 
以具备具有此种构成的光路设定手段5的雷射加工装置50的多数模式的动作是通过照射控制部23控制各光学开关SW的ON/OFF动作以使雷射光LB0、LB1、LB2的光路上的光学开关SW对应于依照重复频率R的雷射光LB的单位脉冲光的射出时机依序且周期性成为ON状态而被实现。通过该控制，各雷射光LB0、LB1、LB2仅在到达形成被照射区域的时机各雷射光LB0、LB1、LB2通过光路选择机构55被照射于被加工物10。 
亦即，通过被对被加工物10照射的雷射光LB的光路实际上被设置复数个，使此等复数雷射光LB使各自的单位脉冲光的照射时机不同并同时并行扫瞄，进行以多数模式的动作。 
另外，以基本模式的动作是例如通过仅使雷射光LB0、LB1、LB2其中之一个的光路上的光学开关SW始终为ON状态射出雷射光LB并使载台7移动而为可能。 
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。 

Claims (17)

1.一种被加工物的加工方法，用于被加工物形成分割起点，其特征在于：
通过以脉冲雷射光的个别的单位脉冲光的被照射区域于被加工物被离散形成的方式对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，在前述被照射区域之间使被加工物的劈开或裂开依序产生，以于前述被加工物形成分割的起点。
2.一种被加工物的加工方法，用于被加工物形成分割起点，其特征在于：
以脉冲雷射光的个别的单位脉冲光被离散照射于被加工物的方式对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，通过前述个别的单位脉冲光照射于被照射位置时的冲击或应力在与前一刻或同时被照射的前述单位脉冲光的被照射位置之间使劈开或裂开产生，以于前述被加工物形成为了前述分割的起点。
3.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法，其特征在于，前述脉冲雷射光是脉冲宽度为psec数量级的超短脉冲光。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的被加工物的加工方法，其特征在于，将至少2个前述被照射区域形成为于前述被加工物的劈开或裂开容易方向相邻。
5.根据权利要求4所述的被加工物的加工方法，其特征在于，于前述被加工物的相异的2个前述劈开或裂开容易方向交互进行前述至少2个前述被照射区域的形成。
6.根据权利要求4所述的被加工物的加工方法，其特征在于，沿前述被加工物的劈开或裂开容易方向形成所有前述被照射区域。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的被加工物的加工方法，其特征在于，于相对前述被加工物的相异的2个劈开或裂开容易方向为等价的方向形成前述被照射区域。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的被加工物的加工方法，其特征在于，通过使前述脉冲雷射光的射出源与前述被加工物相对移动并同时使前述脉冲雷射光的射出方向在与该相对移动方向垂直的面内周期性变化而于前述被加工物形成满足交错状的配置关系的复数前述被照射区域。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的被加工物的加工方法，其特征在于，通过使前述脉冲雷射光的复数射出源与前述被加工物相对移动并同时使来自前述复数射出源的各自的前述单位脉冲光的照射时机周期性变化而于前述被加工物形成满足交错状的配置关系的复数前述被照射区域。
10.一种被加工物的分割方法，用于分割被加工物，其特征在于：
沿前述分割起点分割以权利要求第1至9中任一项所述的被加工物的加工方法形成有分割起点的被加工物。
11.一种雷射加工装置，具备
发出脉冲雷射光的光源；
载置被加工物的载台；
其特征在于：
通过以前述脉冲雷射光的个别的单位脉冲光的被照射区域于载置于前述载台的前述被加工物被离散形成的方式使前述载台移动并同时对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，在前述被照射区域之间使被加工物的劈开或裂开依序产生，以于前述被加工物形成分割的起点。
12.一种雷射加工装置，具备
发出脉冲雷射光的光源；
载置被加工物的载台；
其特征在于：
以前述脉冲雷射光的个别的单位脉冲光被离散照射于载置于前述载台的被加工物的方式使前述载台移动并同时对前述被加工物照射前述脉冲雷射光，通过前述个别的单位脉冲光被照射于被照射位置时的冲击或应力在与前一刻或同时被照射的前述单位脉冲光的被照射位置之间使劈开或裂开产生，以于前述被加工物形成为了前述分割的起点。
13.根据权利要求11或12所述的雷射加工装置，其特征在于，进一步具备光路设定手段，实际或假想设定复数从前述光源发出的前述脉冲雷射光被对前述被加工物照射时的前述脉冲雷射光的光路，并在已设定的复数光路之中依序切换前述脉冲雷射光的前述个别的单位脉冲光被对前述被加工物照射时的光路。
14.根据权利要求13所述的雷射加工装置，其特征在于，通过使前述由光路设定手段进行的光路的切换时机与来自前述光源的前述单位脉冲光的射出时机同步，对个别的前述单位脉冲光对被照射区域的形成预定位置以前述复数光路之中的对应于前述形成预定位置的光路照射前述单位脉冲光。
15.根据权利要求13所述的雷射加工装置，其特征在于，前述光路设定手段是通过使从前述光源发出的前述脉冲雷射光的光路分歧为复数来设定前述复数光路，在前述复数光路之中依序切换前述脉冲雷射光的前述个别的单位脉冲光被对前述被加工物照射时的光路。
16.根据权利要求15所述的雷射加工装置，其特征在于，前述光路设定手段是通过在通过前述复数光路的前述脉冲雷射光之中仅使已达于前述被加工物形成被照射区域的时机的前述脉冲雷射光对前述被加工物射出并使未达前述时机的前述脉冲雷射光遮断或减衰，以在复数光路之中依序切换前述脉冲雷射光的前述个别的单位脉冲光被对前述被加工物照射时的光路。
17.根据权利要求16所述的雷射加工装置，其特征在于，前述光路设定手段具备可对通过前述复数光路的前述脉冲雷射光的各光设定使对前述被加工物照射的通过状态与使遮断或减衰的非通过状态的光路选择机构；
前述光路选择机构是在通过前述复数光路的前述脉冲雷射光之中仅将已达于前述被加工物形成被照射区域的时机的前述脉冲雷射光设为通过状态并使对前述被加工物射出，将未达前述时机的前述脉冲雷射光设为非通过状态。
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