CN102224576B - 由邻近头传送的泡沫的限制区 - Google Patents

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Abstract

在示例实施方式中，线性湿法系统包括腔室里的载架和邻近头。所述邻近头包括按线性排列的三个部分。当半导体晶片用所述载架在所述邻近头下输送时，所述第一部分从所述晶片的所述上表面抽吸流体。所述第二部分设置成让非牛顿流体的清洁泡沫膜（或弯液面）流到所述晶片的所述上表面。所述第三部分设置成在所述邻近头下传输所述晶片时，让所述冲洗流体膜流到所述晶片的所述上表面。所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围且直到所述第一部分，从而所述第三部分和所述第一部分相对于所述室形成所述清洁泡沫的限制区。

Description

由邻近头传送的泡沫的限制区
背景技术
由于半导体器件缩放技术的进步，在半导体器件特征变得更小的同时，其深宽比却变得更大了。因此，半导体器件结构对于来自湿法清洁和干燥的损害变得敏感。由于新材料的使用，在半导体制造的工艺流程中，这样的敏感性加剧了。
针对湿法清洁和干燥技术中的这种敏感和其它缺陷，使用机械和化学清洁以选择性去除残留物，同时不损坏半导体器件结构的系统已经研发出来了。该系统在一对相对的邻近头之间线性输送半导体单晶片，邻近头在大约几秒钟的曝光时间内将清洁液传送到所述晶片上。
在具体的实施过程中，由相对邻近头输送的清洁液是高度粘性的非牛顿流体，其以（a）诸如氮气（N2）的气体和（b）包含水和表面活性剂的流体通过机械混合而形成的泡沫形式存在。参见诸如：2006年2月3日提交的，公布专利申请号为2006/0128600，名称为“Cleaning Compound and Method and System for Using theCleaning Compound”（清洁化合物和使用该化合物的方法和系统）的美国专利，2007年6月19日提交的，申请号为11/820,590，名称为“System,Method and Apparatus for Maintaining Separation ofLiquids in a Controlled meniscus”（在受控的弯液面上保持流体分离的系统、方法和设备）的美国专利申请，以及2008年8月4日提交的，申请号为12/185,780，名称为“Generator for Foam to CleanSubstrate”（清洁衬底的泡沫产生器）的美国专利申请。
在泡沫施加（deposition）到半导体晶片上的过程中，如果表面活性剂能逸进所述系统的腔室中，则表面活性剂就变干成固体，并且随后污染由所述系统处理的半导体晶片。因此，在系统将清洁泡沫施加到半导体晶片上的过程中，需要廉价而有效的手段来限制所述清洁泡沫。然而，下文所主张的本发明对于该特定应用之外的其它应用，有广阔的适用性，根据下文的说明书和附图，这一点将变得明显。
发明内容
在示例实施方式中，线性湿法系统包括腔室中的载架和邻近头。所述载架包含销，半导体晶片安放在所述销上，当输送所述晶片通过所述系统时，暴露所述晶片的两个表面。所述邻近头可以放置在所述载架的上面、下面或者两面。在该示例实施方式中，所述邻近头可以包括呈线性排列的三个部分。当所述晶片从邻近头下面运动时，第一部分就从所述晶片的上表面抽吸流体。当所述晶片在所述头下行进时，邻近（contiguous）所述第一部分的第二部分，让清洁泡沫膜（弯液面）流到所述晶片的所述上表面。当所述晶片在所述头下被传输时，邻近所述第二部分的第三部分，让冲洗流体膜（或弯液面）流到所述晶片的所述上表面。在该示例实施方式中，所述第三部分被部分限定（defined）在所述第二部分的周围，并且直到所述第一部分，从而所述第三部分和所述第一部分在所述第二部分形成所述清洁泡沫的限制区（confinement）。
在另一示例实施方式中，线性湿法系统包括腔室中的载架和邻近头。所述载架包含销，半导体晶片安放在所述销上，当输送所述晶片通过所述系统时，暴露所述晶片的表面。所述邻近头可以放置在所述载架的上面和/或下面。在该示例实施方式中，所述邻近头可以包括呈线性排列的两个部分。当所述晶片在邻近头下面运动时，第一部分就从所述晶片的上表面抽吸流体。当所述晶片在所述头下行进时，邻近所述第一部分的第二部分，让清洁泡沫膜（或弯液面）流到所述晶片的所述上表面。在该示例实施方式中，通过包绕所述清洁泡沫的抽吸障碍物阻止所述清洁泡沫逸进所述腔室中。
在另一示例实施方式中，用于线性湿法系统的自动方法包括三道工序。在所述方法的第一道工序中，当用载架在腔室中的邻近头下输送半导体晶片时，所述邻近头的第一部分就从所述晶片的上表面抽吸流体。在所述方法的第二道工序中，当所述晶片在邻近头下行进时，邻近所述第一部分的所述邻近头的第二部分，让清洁泡沫膜（或弯液面）流到所述晶片的所述上表面。在所述方法的第三道工序中，在所述邻近头下传输所述晶片时，邻近所述第二部分的邻近头的第三部分，让冲洗流体膜（或弯液面）流到所述晶片的所述上表面。在该示例实施方式中，所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围，并且直到所述第一部分，从而所述第三部分和所述第一部分在所述第二部分形成所述清洗泡沫的限制区。
下文结合附图并通过示例进行的详细描述阐述了本发明的原理，从而使本发明的优点变得显而易见。
附图说明
图1A为根据示例实施方式，说明用于将流体施加到半导体晶片上的具有一对邻近头部的线性湿法系统的简化示意图。
图1B为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的载架和邻近头部的俯视图的简化示意图。
图2为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的所述部分的俯视图的示意图。
图3为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的载架和邻近头的透视图的示意图。
图4为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的一对邻近头的透视图的示意图。
图5为根据示例实施方式，说明AMC（先进机械清洁）头的所述部分的示意图。
图6为根据示例实施方式，说明AMC头的所述部分的剖视图的示意图。
图7为根据示例实施方式，说明通过AMC头施加的清洁流体（如P3）的偏向流的剖视图的示意图。
图8为根据示例实施方式，说明关于AMC头的几个尺寸的示意图。
图9为根据示例实施方式，说明通过AMC头施加的清洁流体（如P3）的流动切变速度的示意图。
图10为根据示例实施方式，说明AMC头的加工面和加工面的背面的示意图。
图11为根据示例实施方式，说明AMC头的剖视图的两个特征的示意图。
图12为根据示例实施方式，说明AMC头的储液器的示意图。
图13为根据示例实施方式，说明AMC头的储液器内的所述流的示意图。
图14为根据示例实施方式，说明起源/终到AMC头的孔的下行供料管的示意图。
图15为根据示例实施方式，说明限制线性湿法系统中的清洁流体（如P3）的方法中的工序的流程图。
图16为根据示例实施方式，显示AMC头的限制区弯液面的示意图。
图17为根据可选的示例实施方式，显示AMC头的真空限制区的示意图。
实施方式
在下文的描述中，阐述了许多的具体细节以便对示例实施方式有全面的理解。然而，显而易见，对于本领域的技术人员，没有这些具体细节中的一些，这些示例实施方式也可以实施。在其它的一些情况下，对于已经公知的实施细节和工艺工序就没有详细描述。
图1A为根据示例实施方式，说明用于将清洁流体施加到半导体晶片上的具有一对邻近头部的线性湿法系统的简化示意图。在图1A中，线性湿法系统100包括顶部邻近头104和底部邻近头103。这些邻近头的每一个形成流体弯液面105，半导体晶片102用带销的载架101线性输送通过所述流体弯液面105，所述半导体晶片安放在所述销上，表面暴露。在示例实施方式中，所述流体是在申请号为12/185,780的美国专利申请中描述的发生器里将气体（例如氮气）和流体（具有表面活性剂例如能够形成微胶粒的脂肪酸的水溶液）机械混合而形成的泡沫。如该申请中所阐述的，术语“P2”指的是存在于输入到所述发生器中的流体中的两相物质，例如，流体水和固体表面活性剂。术语“P3”指的是存在于所述发生器输出的泡沫中的三相物质，例如，流体水和固体表面活性剂和气态氮（N2）。在示例实施方式中，P3是高度粘性的（范围为200-2000cP或厘泊）非牛顿流体。P3的液压特性基本不同于通常的牛顿流体，例如水。P3可以概括成为准塑性物质，随着切变速度的增加所述物质的粘性下降（例如，其为“切变致稀”）。
应注意，流体弯液面105没有限制P3，以防止其逸进容纳载架101和邻近头103和104的所述腔室中，其中，在线性湿法系统中，P3可能干燥并释放固体表面活性剂作为污染物。在示例实施方式中，所述固体表面活性剂可以是硬脂酸，尽管如公布专利申请号2006/0128600的美国专利申请所阐述的可以用其它脂肪酸替代。这些其它的脂肪酸包括月桂酸、棕榈酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、花生四烯酸、二十碳-9-烯酸、芥酸（eurcic）、丁酸、己酸、辛酸、肉豆蔻酸、十七烷酸、山嵛酸、lignoseric酸、肉豆蔻烯酸、棕榈油酸、神经酸（nervanic）、十八碳四烯酸、二十碳五烯酸、顺二十二碳-13-烯酸（brassic）和二十二碳五烯酸，它们或者单独，或者它们自身组合，或者与硬脂酸组合。
图1B为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的载架和邻近头部的俯视图的简化示意图。如该图所示，如上所述的载架101在线性湿法系统内，于顶部邻近头104下沿着一对轨道103输送晶片102。在该示例实施方式中，所述顶部邻近头104包括5个部件头：(a)空调头105，其是可选的，并且可以实施清洁和/或抽吸和/或干燥；(b)AMC（先进机械清洁）头106，其施加和抽吸P3；(c)两个C3（限定化学清洁）头，107a和107b，其施加和抽吸其它的化学清洁流体；以及(d)出口头108，其可以实施清洁和/或抽吸和/或干燥。
图2为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的模块的俯视图的示意图。如图2所示，线性湿法系统100包括三个模块：（1）输入模块110；（2）化学模块111；以及（3）输出模块112。按序，化学模块111包括如上所述的具有5个部件头105、106、107a、107b和108的顶部邻近头104。在示例实施方式中，化学模块111也可能包含底部邻近头103，其未图示。载有半导体晶片102的载架101显示在输出模块112中。图2中显示的还有容纳输入模块110、化学模块111和输出模块112的腔室109。
图3为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的载架和邻近头的透视图的示意图。如图3所示，载架101将半导体晶片102从输入模块110输送至输出模块112。晶片102在邻近头104下通过，邻近头104包括两个头部件：空调头105和AMC头106。上文描述的其它部件头未显示，尽管在示例实施方式中，它们可以包括在邻近头104里。
图4为根据示例实施方式，说明线性湿法系统中的一对邻近头的透视图的示意图。顶部邻近头104和底部邻近头103都显示在该图中。在示例实施方式中，顶部邻近头包括P3发生器113，为便于清洁，其易于拆卸，这在申请号为12/185,780的美国专利申请中有更详细的描述。在示例实施方式中，P3发生器113可以接收通过输入口114的P2（例如水和硬脂酸）和通过输入口115的气体（例如氮或N2），并且在未图示的密封的螺旋状通道内混合它们以生产P3。
图5为根据示例实施方式，说明AMC头的所述部分的示意图。如图5所示，AMC头106包括含前端边缘气体限制区结构的第一部分116(用打点的虚线描绘)，所述限制区通过将P3向上抽吸到头106中，从而阻止P3逸进所述系统的腔室中，这将在下文进行更详细的描述。此外，在示例实施方式中，既然P3作为清洁流体在干燥表面比在湿化表面的处理效果更好，第一部分116能促进P3施加到半导体晶片的表面。如图5所示，当半导体晶片被传输通过线性湿法系统时，第一部分116是该半导体晶片所遇到的AMC头106的初始部分。AMC头106还包括第二部分（用虚线描绘），该第二部分包括两个P3区，117（P3区2）和118（P3区1），在这里，头106将P3施加到所述晶片上，以及从所述晶片抽吸P3（例如使用部分真空）。在示例实施方式中，施加在区117的P3与施加在区118的P3可能有不同的组成，例如，P2与气体（例如氮或N2）的不同相对百分比。应注意，多个P3区容许在线性湿法系统中有某种程度的变化和控制，线性湿法系统倾向于稍微固定。
图5中所示的AMC头106还包括第三部分119（用实线描绘），第三部分119包括用于形成限制区弯液面的结构，弯液面由流动的去离子水（DIW）形成。如图中所示，第三部分119环绕第二部分(例如P3区117和118)一直延伸直至第一部分116，形成一个在第二部分流动的P3的围室（enclosure）。对于这方面，应注意，顶部邻近头104和底部邻近头103都可以产生DIW限制区弯液面和前端边缘气体限制区，在示例实施方式中，在半导体晶片进入前，DIW限制区弯液面和前端边缘气体限制区是匹配的并且是相邻的。第三部分119的更多细节在119abc，一个示意全貌图中有描述。如在该全貌图中所示，第三部分119可以包括将诸如DIW之类的冲洗流体施加到半导体晶片的表面的内部输入通道、内部回流（IR）通道和将冲洗流体从所述表面（例如使用部分真空）抽吸走的外部回流（OR）通道。
图6为根据示例实施方式，说明AMC头的所述部分的剖视图的示意图。应注意，图6对应于图5中的A-A向剖切面。如图6中所描绘的，第一部分116使用真空将P3向上抽吸到AMC头106里。如上所提及并如该图所描绘的，当传输半导体晶片通过线性湿法系统时，第一部分116是所述半导体晶片所遇到的AMC头106的初始部分。当晶片通过第一部分116后，就进入第二部分的P3区2，在这里，AMC头106让P3从输入通道117a流入回流通道117b。接着，晶片从P3区2出来，进入第二部分的P3区1，在这里，AMC头106让P3从输入通道118a流入回流通道118b。如先前所提及的，在示例实施方式中，区1中P3的组成与区2中的P3组成可能不同。当晶片从P3区1出来后，进入第三部分，在此，AMC头106让DIW从输入通道119b流入OR通道119a和IR通道119c。在示例实施方式中，当晶片从第三部分的弯液面（例如从输入通道流到OR和IR的DIW）出来时可能是湿化的。还应注意，晶片从第三部分出来时，可能进入另一个弯液面或者部分真空状态下，这在化学模块111的先前描述中指明了。
当p3流通过输入通道118a离开AMC头106时，让所述P3流偏向的偏向边120a在图6中也被描绘了，这在下文将进行更详细的描述。应注意，在示例实施方式中，内部回流通道119c还可能回流部分由输入口118a所施加的P3。换言之，内部回流通道119c是“混合内部回流”。
图7为根据示例实施方式，说明通过AMC头施加的清洁流体（如P3）的偏向流的剖视图的示意图。应注意，图7描绘了图6中所圈的区域，例如包含偏向边120a的所述区域。如图7所描绘的，当P3从输入通道118a流入P3弯液面121时，偏向边120a使其偏向，由于有相对的偏向边（如图6中所示的120b），此时就会产生循环流。还是如图7所描绘的，一些P3流向偏向边120a的左边直至AMC头的第三部分的内部回流通道119c。这些P3数量与流入P3弯液面内的循环流并最终进入回流通道118b的P3数量相比则相对少。
应注意，偏向边120a保护半导体晶片免受因直接向下朝向其表面的流动而造成的损害。此外，偏向边120a与其相对的偏向边120b还通过产生循环流而物理地限定P3弯液面121。反过来，这种物理的限定减少了流向“混合内部回流”119c的P3流，该“混合内部回流”119c用于抽吸DIW限制区弯液面中的DIW。
P3流的流速（mm/秒）也被图示在图7中。半导体晶片以大约20mm/秒的速度流向图（见图6）的左边。在示例实施方式中，P3以范围在5-30mm/秒内的速度向下流向输入通道118a，直至P3遇到偏向边120a。在该点上，大部分P3的速度会增加，从而速度范围达到25-45mm/秒。该增加的速度被大部分的向左流到第三部分的内部回流通道119c的P3所维持。大部分流到P3弯液面121的P3的速度范围减少到15-30mm/秒。由于P3被相对的偏向边120b（未图示）偏回到P3弯液面的循环流，P3的速度范围进一步下降到0-15mm/秒。
图8为根据示例实施方式，说明关于AMC头的几个尺寸的示意图。该图图示了位于顶部邻近头104的AMC头和底部邻近头内的AMC头之间的半导体晶片102。如图中所示，所述晶片102和外部回流通道119a（用于DIW限定）处的AMC头之间的缝隙宽约为2.25mm。所述晶片102和DIW输入通道119b（和“混合”内部回流通道119c）处的AMC头之间的缝隙宽大约为0.75mm。换言之，在一种示例实施方式中，第三部分的“处理缝隙”宽是0.75mm。在晶片102与偏向边120a（例如在P3区1中的输入通道118a）处的AMC头之间的缝隙宽约为0.5mm。在晶片102与P3弯液面121（P3区1）上的AMC头之间的缝隙宽约为2mm。换言之，在示例实施方式中，P3弯液面的“处理缝隙”宽是2mm。如该图所描述的，P3可以从底部AMC头的输入通道（未明示）流动，也可以顶部邻近头内的输入通道（未明示）流动。
图9为根据示例实施方式，说明通过AMC头施加的清洁流体（如P3）流的切变速度的示意图。如该图所示，切变速度的测量单位是1/s（1/秒），秒的倒数或反比例数。两邻近P3区（117（P3区2）和118（P3区1））显示了切变速度。应注意，在示例实施方式中，两邻近P3区可能影响彼此的切变速度。如图所示，在示例实施方式中，通过线性湿法系统的半导体晶片在进入P3区118之前先进入P3区117。
在P3区117，P3从输入通道117a流出，通过AMC头的底部进入回流通道117b。相似地，在P3区118，P3从输入通道118a流出，通过AMC头的底部进入回流通道118b。如该图所述，在输入通道附近的P3的切变速度的范围是175-275/秒。当P3延伸通过AMC头的底部时，P3的切变速度的范围减少至50-175/秒，直至P3靠近回流通道时，切变速度的范围才增加到125-225/秒。
应注意，在P3区117和118的输入和回流通道的交错位置和尺寸都会在晶片表面产生放射流图案，相对于切变速度，放射流是轻柔的、不定向的。这样的放射流图案在无需优选方向的前提下，以防止对晶片的结构造成损害的方式将P3施加在晶片的表面。
图10为根据示例实施方式，说明AMC头的加工面和加工面的背面的示意图。该图显示了如先前描述的AMC头106的横截面，包括第一部分116，施加P3的输入通道118a和施加DIW的输入通道119b。邻近头106的加工表面122在该图中也描绘了。应注意，加工表面122也就是所述头的表面，其最靠近正由线性湿法系统处理的半导体晶片的表面。为说明之目的，该图还包括复合处理表面124，其由整个处理表面122的中间和两端组成。应注意，处理面122和复合处理面124与图5所示的AMC头106在所有重要的方面都是相似的，例如每个处理表面包括产生前端边缘气体限制区的结构、两个P3区以及产生DIW限制区的结构，DIW限制区（a）绕两个P3区延伸直至所述前端边缘气体限制区，并且（b）产生从输入通道流向外部回流（OR）和内部回流（IR）的DIW弯液面。图10也图示了两个P3区之间的偏向边120b，如先前所提及的，偏向边120b（a）帮助容纳P3区内的P3弯液面，以及（b）防止P3直接流向半导体晶片的表面。
此外，图10说明了AMC头106的处理面122的背面123。为说明起见，该图还包括复合背面125，其由整个背面123的中间和两端组成。复合背面125包括（a）储液器126，其向输入通道118a供料，下文将进一步描述，以及（b）回流通道118b。应注意，如图9所示（相对于切变速度），P3从输入通道118a流向回流通道118b。
图11为根据示例实施方式，说明AMC头的剖视图的两个特征的示意图。该图示出了如先前所描述的AMC头106的横截面，包括第一部分116、施加P3的输入通道117a、施加P3的输入通道118a、抽吸DIW和P3的“混合”内部回流通道119c、施加DIW的输入通道119b以及抽吸DIW的外部回流通道119a。向AMC头106提供P3、DIW和吸力的孔也在该图描绘了。孔126向第一部分116提供吸力（例如，通过真空）。孔127a和127b向P3区1和P3区2分别提供P3。孔129向第三部分的DIW限制区提供DIW。IR孔128和OR孔130从DIW限制区中抽吸DIW。如在别处提及的，IR孔128还吸收一些被施加到P3区1的P3。
图11还描述了处理表面122和背面123之间的熔合线（例如，产生于热熔合）。此外，图11示出了两个特征A和B。特征A包括用于存放P3的储液器，例如图10中的储液器126。特征B包括位于孔（例如孔126，128，129或者130）和其相应的输入或回流通道之间的下行供料管。
图12为根据示例实施方式，说明AMC头的储液器的示意图。该图示出了AMC头106的处理面的背面123的透视图。如该图所示，背面123包含许多储液器（例如储液器126），当P3从孔（例如图11中的127a和127b）向下流到AMC头106的处理面上的P3弯液面时，储液器就储存P3。图10中示出了相似的储液器。
图13为根据示例实施方式，说明AMC头的储液器内的所述流的示意图。如图13所示，在AMC头部的储液器126接收来自传送通道131的P3，并缓冲P3，直至P3通过输入通道118a、132a和132b向下流至P3弯液面。传送通道131与P3孔（如图11中的127a和127b）连接。顺便提及，在图9和10中，输入通道132a和132b某种程度上也是可见的，尽管其与输入通道118a相比相对小。
图13还示出了当P3从传送通道131穿越储液器到达输入通道118a、132a和132b时，P3的速度值（m/秒）。在传送通道131的附近，P3的速度值范围是0.02-0.08。当P3离开传送通道131时，P3的速度值范围增加到0.08-1.2，接着又减少到0.02-0.07。在储液器的中间，P3的速度值范围是0-0.04，当其靠近输入通道（例如118a、132a和132b）时，其速度值范围增加到0.06-0.11。
图14为根据示例实施方式，说明起源/终到AMC头的孔的下行供料管的示意图。如该图所示，AMC头106中的孔130（例如OR回流孔）通过回流通道119a从弯液面抽吸流体（例如DIW限制区中的DIW）。如该图所表明的，从回流通道119a至引入孔130的下行供料管的尺寸、数量和位置经过选择，从而促进回流的均匀性，例如，靠AMC头的末端（如该图的右边）的下行供料管是相对较大的，其相对远离孔130（例如该图的左边）中的真空源。应注意，可以对传送孔的下行供料管的尺寸、数量和位置进行类似选择，而不对回流孔进行选择。还应注意，图14中的下行供料管在图11中被描绘成特征B。
图15为根据示例实施方式，说明限定线性湿法系统中的清洁流体（如P3）的方法中的工序的流程图。在该方法的第一道工序1501中，当用载架在AMC头的第一部分下面输送衬底时，线性湿法系统抽吸保留在衬底（例如半导体晶片）上表面的任何流体。如先前所阐述的，在示例实施方式中，可以用前端边缘气体限制区结构实施该工序。在该方法的下一道工序1502中，当所述衬底在所述AMC头的第二部分下行进时，所述线性湿法系统让清洁泡沫膜（或弯液面）流到所述衬底的所述上表面。如先前所提及的，在示例实施方式中，该清洁泡沫可以是P3，假如让其逸进线性湿法系统的腔室中，其将干燥成污染物。此外，在示例实施方式中，该工序可以在P3区进行。接着，在工序1503中，当所述衬底在所述AMC头的第三部分下行进时，线性湿法系统让冲洗流体膜流到所述衬底的所述上表面，所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围，并且直到所述第一部分，从而所述第三部分和所述第一部分在所述第二部分形成所述清洁泡沫的限制区。如先前所提及的，在示例实施方式中，该工序可以通过DIW限制区进行。另外，如先前所提及的，该设计的目的是防止清洁泡沫逸进线性湿法系统的腔室中。
图16为根据示例实施方式，显示AMC头的限制区弯液面的示意图。应注意，该图与图5所示的AMC头的示意图相似。如该图所示，第一部分116就是当半导体晶片被传输通过线性湿法系统时，该晶片所遇到的AMC头106的第一部分。在示例实施方式中，第一部分116抽吸晶片表面的任何流体，并且邻接流到在邻近P3区117的晶片表面上的P3弯液面。图16中的AMC头106包括第二P3区118，第二P3区118也施加和抽吸晶片表面的P3。晶片从第二P3区118输出时，其进入DIW限制区119，在此，AMC头106用DIW弯液面冲洗晶片，DIW弯液面绕两个P3区延伸直至第一部分116。
图17为根据可选的示例实施方式，显示AMC头的真空限制区的示意图。如该图所示，第一部分116就是当半导体晶片被传输通过线性湿法系统时，该晶片所遇到的AMC头106的初始部分。在示例实施方式中，第一部分116抽吸晶片表面的任何流体，并且邻接流到在邻近P3区117中的晶片表面上的P3弯液面。图16中的AMC头106包括第二P3区118，第二P3区118也施加和抽吸晶片表面的P3。晶片从第二P3区118输出时，其进入内部回流（IR）真空限制区135结构，该真空限制区135结构绕两个P3区延伸直至第一部分116。应注意，在该可选实施方式中，AMC头106没有形成DIW弯液面，或者相反用DIW清洁晶片的表面。
尽管基于清晰理解之目的，前述的示例实施方式进行了一些详细的描述，应注意在所附权利要求的范围内，某些改变或者修改可以实施。例如，在可选的示例实施方式中，AMC头可以限定不同于诸如P3这样的高粘性的非牛顿泡沫的流体。因此，示例实施方式将被认为是说明性的而非限制性的，并且本发明不限于本文件所给的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等同情形下进行修改。

Claims (19)

1.一种处理衬底的设备，包括：
将所述衬底输送通过腔室的衬底载架，其中所述载架包括安放所述衬底的销，从而让所述衬底的表面暴露；以及
头，该头进一步包括呈线性排列的
第一部分，所述第一部分是所述衬底通过所述腔室时遭遇的该头的起始部分，且当所述衬底在所述头下移动时，所述第一部分从所述衬底的上表面抽吸流体，
第二部分，其邻近所述第一部分，所述第二部分被设置成当所述衬底在所述头下行进时，让清洁泡沫膜流到所述衬底的所述上表面，以及
第三部分，其邻近所述第二部分，所述第三部分被设置成当所述衬底在所述头下被传输时，让冲洗流体膜流到所述衬底的所述上表面，其中，所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围且直到所述第一部分，并且其中所述第三部分和所述第一部分相对于所述腔室形成所述清洁泡沫的限制区。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二部分包括一个或一个以上用于输送所述清洁泡沫膜的输入通道以及一个或者一个以上用于去除所述清洁泡沫膜的输出通道。
3.如权利要求2所述的设备，其中所述输入和输出通道设置成让所述清洁泡沫膜呈放射状流过所述衬底的所述上表面。
4.如权利要求2所述的设备，其中在所述第二部分的所述输入通道中的每一个输入通道包括在该每一个输入通道的口之上凸出的边。
5.如权利要求2所述的设备，其中一组所述输入通道位于三角储液器的一边的底部，所述储液器由位于所述储液器的其它两边的交叉部分之上的主要通道供料。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述泡沫包括流体、气体和表面活性剂。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述衬底为半导体晶片。
8.如权利要求2所述的设备，还包括附加部分，其邻近包括在所述头里的所述第二部分，所述附加部分被设置成当所述衬底在所述头下行进时，让清洁泡沫膜流到所述衬底的所述上表面，其中该清洁泡沫有不同于由所述第二部分传输的所述清洁泡沫的组成。
9.如权利要求8所述的设备，其中所述第二部分和所述附加部分的输入和输出通道均被设置成让所述清洁泡沫膜呈连续放射状流过所述衬底的所述上表面。
10.如权利要求1所述的设备，其中所述部分中的至少一个部分包括多个下行供料管，所述下行供料管的大小、数量和位置被设置成相对于该一个部分的孔提供均匀的流。
11.一种处理衬底的方法，包括：
当用载架在腔室里的头下传输衬底时，从所述衬底的上表面抽吸流体，其中所述载架包括安放所述衬底的销，从而让所述衬底的表面暴露，并且其中该抽吸工序由所述头的第一部分实施；
当所述衬底在所述头下行进时，让清洁泡沫膜流到所述衬底的所述上表面，其中该清洁工序由邻近所述头中的所述第一部分的第二部分实施；和
当所述衬底在所述头下被传输时，让冲洗流体膜流到所述衬底的所述上表面，其中该冲洗工序由邻近所述头中的所述第二部分的第三部分实施，并且所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围且直到所述第一部分，并且其中所述第三部分和所述第一部分相对于所述腔室形成所述清洁泡沫的限制区。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二部分包括一个或一个以上用于传送所述清洁泡沫膜的输入通道以及一个或者一个以上用于去除所述清洁泡沫膜的输出通道。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述输入和输出通道设置成让所述清洁泡沫膜呈放射状流过所述衬底的所述上表面。
14.如权利要求12所述的方法，其中在所述第二部分的所述输入通道中的每一个输入通道包括在该每一个输入通道的口之上凸出的边。
15.如权利要求12所述的方法，其中一组所述输入通道位于三角储液器的一边的底部，所述储液器由位于所述储液器的其它两边的交叉部分之上的主要通道供料。
16.如权利要求11所述的方法，其中所述泡沫包括流体、气体和表面活性剂。
17.如权利要求11所述的方法，其中所述衬底为半导体晶片。
18.如权利要求12所述的方法，进一步包括，当所述衬底在所述头下行进时，让清洁泡沫膜流到所述衬底的所述上表面的工序，其中该清洁工序由包含在所述头内的、邻近所述第二部分的附加部分实施，并且其中该清洁泡沫有不同于由所述第二部分传输的所述清洁泡沫的组成。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述第二部分和所述附加部分的输入和输出通道均被设置成让所述清洁膜呈连续放射状流过所述衬底的所述上表面。
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