CN102214724A - 一种高增益雪崩二极管 - Google Patents
一种高增益雪崩二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102214724A CN102214724A CN 201110159351 CN201110159351A CN102214724A CN 102214724 A CN102214724 A CN 102214724A CN 201110159351 CN201110159351 CN 201110159351 CN 201110159351 A CN201110159351 A CN 201110159351A CN 102214724 A CN102214724 A CN 102214724A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- avalanche
- gain
- photo diode
- avalanche photo
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域,具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在,存在室温下暗电流大的问题,这样直接导致信噪比小,增益低,因此通常需要低温下工作。高增益雪崩二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极,由n型重掺杂层,电荷倍增区,p型重掺杂层组成的雪崩区,吸收区,吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层,其特征在于,雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。该高增益雪崩二极管能够大大降低器件总的暗电流,从而提高器件增益,提高探测频率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域,具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。
背景技术
目前,光子计数器件主要使用基于真空管技术的光电倍增管PMT(Photomultiplier tube)和基于半导体技术的雪崩二极管(Avalanche Photon Diode,APD)。光电倍增管具有增益高,测试面积大,计算速率快,和时间分辨率高等优点,然而,其在可见光范围的量子效率很低,体积大,高压工作(200~600V),易破损,昂贵,严重限制了光电倍增管的应用范围。与光电倍增管相比,雪崩二极管不仅光子探测效率高,特别是在红光和近红外波长范围内,而且体积小,可靠性高,功耗小,易集成,并与CMOS工艺兼容。
作为光子计数器件的雪崩二极管,在盖格(Geiger)工作模式下,使器件的偏置电压V大于雪崩击穿电压VB,当吸收的光子产生光生载流子,并进入到雪崩区,在高的反向电场的作用下,触发雪崩,从而产生一个从nA数量级飞速增加到mA数量级的雪崩电流信号,这个信号就意味着探测到光信号。
然而,现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在,现有的雪崩二极管存在室温下暗电流大的问题,这样直接导致信噪比小,增益低,因此通常需要低温下工作。为了克服这些缺点,我们提出了本发明。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种高增益雪崩二极管结构,具有增益高、暗电流小的特点。
为了实现上述目的,本发明的一种雪崩二极管结构,如图1所示,包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极101,由n型重掺杂层102,电荷倍增区103,p型重掺杂层104组成的雪崩区,吸收区107,吸收区107上设有p型欧姆接触电极105和p型欧姆接触层106,其特征在于,雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。
进一步,雪崩区横向尺寸小于500nm。
当在n型欧姆接触电极101和p型欧姆接触电极105之间加反偏压,即可实现光子探测。
本发明适用于Si、GaAs、GaN、InP、Ge、SiC、SOI、GOI等材料;
本发明的探测波长范围适用于红外、可见光、紫外、太赫兹等波段;
本发明中的雪崩区尺寸小于500nm,有利于减小漏电流,从而提高增益;
本发明中的物理结构属于将吸收区和雪崩区分离的结构,能够形成倒扣漏斗形的电场,有利于载流子吸收;
本发明中p型欧姆接触层106、n型重掺杂层102、p型重掺杂层104可以用离子注入方式形成,也可以用扩散的方式形成;
本发明中p型欧姆接触电极105和n型欧姆接触电极101可以为透明电极,也可以为不透明电极;
本发明的雪崩二极管,可以为正面入射,也可以为背面入射。
该高增益雪崩二极管,由于采用了纳米尺寸的雪崩区结构,在p型欧姆接触层106、n型重掺杂层102、p型重掺杂层104共同作用下,使得在器件内部形成的电场分布的形状像倒扣的漏斗一样,这在现有的雪崩二极管的内部电场中无法获得的,该电场有利于光生载流子直接输运到雪崩区,减小流经表面的机会,因此大大减小表面复合电流。同时,由于雪崩区域尺寸小,漏电流也大大降低,使得暗电流大大降低。因此,该高增益雪崩二极管能够大大降低器件总的暗电流,从而提高器件增益,提高探测频率。
从图3器件制备的实际测试结果可以看出,随着器件尺寸下降,由于暗电流下降,增益不断提高。而雪崩区为10μm的结果,与现有常规的雪崩二极管的增益相当,这个结果说明了该发明器件具有高增益的特点。
附图说明:
图1:根据本发明提出的高增益雪崩二极管的截面结构示意图;
图中:101、n型欧姆接触电极,102、n型重掺杂层,103、电荷倍增区,104、p型重掺杂层,105、p型欧姆接触电极,106、p型欧姆接触层,107、光吸收区;
图2:本发明提出的高增益雪崩二极管的制备方法如下:
图3:增益与雪崩区尺寸的关系图。
具体实施方式:
如图2所示,其制备过程和方法如下:
1、在高阻的硅衬底正面依次注入磷和硼,分别形成n型重掺杂层102和p型重掺杂层104,掺杂浓度分别为1018cm-3和5×1017cm-3。由n型重掺杂层102和p型重掺杂层104之间无注入区形成电荷倍增区103;
2、光刻,ICP刻蚀,定义直径为500nm的纳米雪崩区,形成台面结构;
3、光刻,在纳米雪崩区两侧注入硼,掺杂浓度为1019cm-3,形成p型欧姆接触层106;
4、采用溅射或者蒸发,在n型重掺杂层102和p型欧姆接触层106上面分别淀积厚度为500nm的金属Al,形成n型欧姆接触电极101和p型欧姆接触电极105;
5、合金,切割,得到本发明的高增益雪崩二极管。在光照情况下,在n型欧姆接触电极101和p型欧姆接触电极105加反偏电压获得光信号的探测。
图3是器件制备的实际测试结果,从图3可以看出,随着器件尺寸下降,由于暗电流下降,增益不断提高。而雪崩区为10μm的结果,与现有常规的雪崩二极管的增益相当,这个结果说明了该发明器件具有高增益的特点。
至此已经结合优选实施例对本发明进行了描述。应该理解,本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以进行各种其他的改变、替换和添加。因此,本发明的范围不局限于上述特定实施例,而应由所附权利要求所限定。
Claims (2)
1.一种高增益雪崩二极管,包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极,由n型重掺杂层,电荷倍增区,p型重掺杂层组成的雪崩区,吸收区,吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层,其特征在于,雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。
2.根据权利要求1所述的高增益雪崩二极管,其特征在于,雪崩区横向尺寸小于500nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110159351 CN102214724B (zh) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 一种高增益雪崩二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110159351 CN102214724B (zh) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 一种高增益雪崩二极管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102214724A true CN102214724A (zh) | 2011-10-12 |
CN102214724B CN102214724B (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=44745946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110159351 Expired - Fee Related CN102214724B (zh) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 一种高增益雪崩二极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102214724B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104505422A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-04-08 | 北京工业大学 | 一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管 |
CN106847933A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-13 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 单片集成紫外‑红外双色雪崩光电二极管及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004102680A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | University College Cork - National University Of Ireland, Cork | A photodiode |
JP3675223B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2005-07-27 | 日本電気株式会社 | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 |
JP2008251881A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Eudyna Devices Inc | 受光素子およびその製造方法 |
US20090039453A1 (en) * | 2006-01-30 | 2009-02-12 | Nec Corporation | Semiconductor light receiving device |
JP2009252769A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
US7863647B1 (en) * | 2007-03-19 | 2011-01-04 | Northrop Grumman Systems Corporation | SiC avalanche photodiode with improved edge termination |
JP2011055014A (ja) * | 2010-12-16 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子の製造方法 |
CN202142546U (zh) * | 2011-06-14 | 2012-02-08 | 北京工业大学 | 一种高增益雪崩二极管 |
-
2011
- 2011-06-14 CN CN 201110159351 patent/CN102214724B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3675223B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2005-07-27 | 日本電気株式会社 | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 |
WO2004102680A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | University College Cork - National University Of Ireland, Cork | A photodiode |
US20090039453A1 (en) * | 2006-01-30 | 2009-02-12 | Nec Corporation | Semiconductor light receiving device |
US7863647B1 (en) * | 2007-03-19 | 2011-01-04 | Northrop Grumman Systems Corporation | SiC avalanche photodiode with improved edge termination |
JP2008251881A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Eudyna Devices Inc | 受光素子およびその製造方法 |
JP2009252769A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JP2011055014A (ja) * | 2010-12-16 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子の製造方法 |
CN202142546U (zh) * | 2011-06-14 | 2012-02-08 | 北京工业大学 | 一种高增益雪崩二极管 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104505422A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-04-08 | 北京工业大学 | 一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管 |
CN104505422B (zh) * | 2014-10-30 | 2017-04-05 | 北京工业大学 | 一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管 |
CN106847933A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-13 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 单片集成紫外‑红外双色雪崩光电二极管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102214724B (zh) | 2013-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103400872B (zh) | 表面电场增强的pin光电探测器的结构及其制备方法 | |
CN109638092A (zh) | 基于标准cmos工艺的高探测效率低暗计数的spad | |
CN103779437A (zh) | 一种基于标准cmos工艺的单光子级分辨率传感器单元结构 | |
US9087936B2 (en) | Semiconductor photomultiplier device | |
CN106711249A (zh) | 一种基于铟砷锑(InAsSb)材料的双色红外探测器的制备方法 | |
US8729654B2 (en) | Back-side readout semiconductor photomultiplier | |
CN108550592B (zh) | 一种低暗计数率cmos spad光电器件 | |
CN103904152B (zh) | 光电探测器及其制造方法和辐射探测器 | |
CN106784054A (zh) | 一种紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法 | |
CN104979420B (zh) | 一种基于微腔的量子点场效应单光子探测器 | |
CN109728110A (zh) | 垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器 | |
CN107403848A (zh) | 一种背照式级联倍增雪崩光电二极管 | |
CN103378182A (zh) | 光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池 | |
CN105097964B (zh) | 一种有源区高斯掺杂型pπn紫外探测器 | |
CN202142546U (zh) | 一种高增益雪崩二极管 | |
CN106960852B (zh) | 具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法 | |
CN106252456B (zh) | 一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法 | |
CN102214724B (zh) | 一种高增益雪崩二极管 | |
CN102306667B (zh) | 一种波长上转换半导体结构及其光探测方法 | |
CN102593234B (zh) | 一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器 | |
CN116598369B (zh) | 低噪声单光子探测器及其制备方法 | |
CN117239000A (zh) | 一种雪崩光电二极管及其制作方法、单光子探测器 | |
CN104505421B (zh) | 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管 | |
US8084838B2 (en) | Large-area PIN diode with reduced capacitance | |
CN103208555A (zh) | 紫外选择性硅雪崩光电探测芯片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130710 Termination date: 20140614 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |