CN103378182A - 光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池 - Google Patents
光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103378182A CN103378182A CN2012103010877A CN201210301087A CN103378182A CN 103378182 A CN103378182 A CN 103378182A CN 2012103010877 A CN2012103010877 A CN 2012103010877A CN 201210301087 A CN201210301087 A CN 201210301087A CN 103378182 A CN103378182 A CN 103378182A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- conversion layer
- wave conversion
- solar cell
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池，光波转换层配置于一太阳能电池，该光波转换层以至少一光致发光材料混合一金属材料而形成电极，吸收一太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的一吸收光并上转换为较该吸收光的波长为短且波长介于200~1,200nm之间的一转换光，再由该金属材料将该转换光散射至该太阳能电池中以进行二次吸收。本发明还公开一种具有光波转换层的太阳能电池，运用本发明的具有光波转换层的太阳能电池，可有效地吸收大于600nm波长的吸收光并上转换为较吸收光波长短的转换光，进而让半导体基板进行二次吸收，而增加太阳能电池发电效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池结构，特别涉及一种光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池在全球暖化危机的持续发展下，其重要性日益提高。而太阳能电池中，以硅为基板的太阳能电池，仍为目前成本最具竞争力，且商用的发电效率最高者，因而，其为目前市场中的主流。
然而，以硅为基板的太阳能电池，由于硅可吸收太阳能的波长范围大约在350~1,000nm(纳米)之间，因此，小于350nm的短波紫外光与大于1,000nm的红外光及远红外光，均无法为硅所吸收而造成此部分光的散射。其中，小于350nm的短波段的光，约占太阳光能的9%能量，而大于1,000nm的红外线及远红外线的长波段的光(红外光及远红外光)，则约占太阳光能的47%。这两个部分的能量由于无法为硅所吸收，因而限制了硅基太阳能电池的发电效率，其理论值最高可达40%(串接型)。
请参考图1A、图1B，其为现有的两种太阳能电池架构图，图1A为全射极层的太阳能电池架构的剖视示意图，图1B则为选择性射极的太阳能电池架构剖视示意图。
请参考图1A，其为以均匀射极为设计理念的太阳能电池的剖视分层示意图，其依序为：表面电极40、抗反射层30、均匀掺杂层24、半导体基板10(P型半导体基板)、P+掺杂层50、背面电极层60。
选择性射极的设计理念，请参考图1B，其为以选择性射极为设计理念的太阳能电池的剖视分层示意图，其依序为：表面电极40、抗反射层30、轻掺杂层20、重掺杂层22、半导体基板10(P型半导体基板)、P+掺杂层50、背面电极层60。
由于硅本身的特性，无论是图1A的均匀射极太阳能电池或图1B的选择性射极太阳能电池，或者其他的串接型太阳能电池，皆无法将红外光100及远红外光的长波段的光吸收。此外，较长波长的光(例如，红光)亦有较不易太阳能电池吸收的问题。因此，若能开发一种可于硅基太阳能电池上将红外光、远红外光或较长波长的可见光等进行吸收，则潜在了将太阳光能当中未受运用的47%能量加以运用的可能性，将能有效地提升太阳能电池的发电效率。
发明内容
鉴于以上现有技术无法运用到红外光的长波段的问题，本发明的目的在于提供一种可于硅基太阳能电池上将红外光、远红外光或较长波长的可见光等进行吸收，效地提升太阳能电池的发电效率的具有光波转换层的太阳能电池。
本发明提供一种光波转换层，配置于一太阳能电池，其特征在于，光波转换层以至少一光致发光材料混合一金属材料而形成电极，吸收一太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的一吸收光并上转换为较吸收光的波长为短且波长介于200~1,200nm之间的一转换光，再由金属材料将转换光散射至太阳能电池以进行二次吸收。
本发明还提供一种具有光波转换层的太阳能电池，包括：半导体基板、至少一抗反射层及一光波转换层。其中，半导体基板表面具有至少一掺杂层，半导体基板可吸收太阳光而转换为光电流。抗反射层设置于掺杂层之上。光波转换层吸收一太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的一吸收光并上转换为较吸收光波长为短且介于200~1,200nm之间的一转换光，再将转换光散射至半导体基板以进行二次吸收。
运用本发明的光波转换层与具有光波转换层的太阳能电池，可有效地吸收大于600nm波长的吸收光并上转换为较吸收光波长短的转换光，进而让半导体基板进行二次吸收，而增加太阳能电池发电效率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A、图1B，其为现有技术的太阳能电池的两个具体实施例剖视示意图；及
图2A~图2I，其为本发明的具有光波转换层的太阳能电池的多个具体实施例剖视示意图。
其中，附图标记
10半导体基板
20轻掺杂层
22重掺杂层
24均匀掺杂层
30抗反射层
40表面电极
50P+掺杂层
60背面电极层
80光波转换层
81光致发光材料
100红外光
200可见光
具体实施方式
本发明运用光致发光(photoluminescence)材料将不易为硅所吸收的红外线转换为硅可吸收的可见光的部分，并将至少一种光致发光材料与背面电极材料共同制作于太阳能电池的底部为背面电极，而构成光波转换层的设计，即可将转换过后的可见光散射回半导体基板。于是，半导体基板进行了二次吸收，而提高太阳能电池的发光效率。以下，将举多个实施例来说明本发明。
接着，请参考图2A、图2B，其为本发明的具有光波转换层的太阳能电池的两个具体实施例剖视示意图。其发明概念为，将至少一种光致发光材料81掺杂入金属材料(例如，铝胶)而共同烧结形成于背面电极的制作过程中，而形成光波转换层80。由于背面电极的材料一般采用金属(例如，铝)，其为良好的光散射层，而可于制作于其中的至少一种光致发光材料81将红外光100吸收后上转换为可见光200后直接散射回半导体基板10当中进行二次吸收。在一实施例中，光致发光材料81可将红外光100波长大于750纳米(nm)的部分吸收后，转换为波长400~700纳米(nm)之间的可见光200。在另一实施例中，光致发光材料81可吸收太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的吸收光并上转换为较吸收光的波长为短且波长介于200~1,200nm之间的转换光。将大于600nm的较长波长的吸收光上转换为波长较其为短的转换光，并将其散射回半导体基板10，半导体基板10即可进行二次吸收转换光而转换为光电流。其中，本发明可运用一种光致发光材料81。在另一实施例中，可混和多种光致发光材料81，可将不同波长的较长波长的吸收光分别转换为较短波长的转换光，进而增加半导体基板10对转换光的吸收机率。
请参考图2A，其为本发明的具有光波转换层的太阳能电池的具体实施例剖视示意图，其为均匀射极(单一射极层)的实施例。具有光波转换层的太阳能电池包括：半导体基板10、表面电极40、抗反射层30、掺杂层24、P+掺杂层50、光波转换层80等，其中，光波转换层80是由背面电极的材料(例如，铝)混和至少一种光致发光材料81而形成。
其中，半导体基板10的表面形成有均匀掺杂层24，半导体基板10是可吸收太阳光而转换光电流，并利用表面电极40与光波转换层80输出电压。抗反射层30设置于均匀掺杂层24之上，在图2A中，抗反射层30一般为至少一层，其可减少入射光的反射率并保护半导体基板10。光波转换层80设置于P+掺杂层50下方而背对抗反射层30，其中的光致发光材料81可吸收太阳光的红外光100穿透至光波转换层80的部分而上转换为太阳光的可见光200，而光波转换层80当中的金属材料可将其散射回半导体基板10。
接着，请参考图2B，其为本发明的具有光波转换层的太阳能电池的另一具体实施例剖视示意图，其为选择性射极的实施例。具有光波转换层的太阳能电池包括：半导体基板10、表面电极40、抗反射层30、轻掺杂层20、重掺杂层22、P+掺杂层50、光波转换层80等。其中，光波转换层80是由背面电极的材料(例如，铝)混和至少一种光致发光材料81而形成。半导体基板10的表面形成有轻掺杂层20、重掺杂层22，半导体基板10是可吸收太阳光而转换光电流，并利用表面电极40与光波转换层80输出电压。抗反射层30设置于轻掺杂层20、重掺杂层22之上，在图2B中，抗反射层30可减少入射光的反射率并保护半导体基板10。光波转换层80设置于P+掺杂层50下方而背对抗反射层30，其中的光致发光材料81可吸收太阳光的红外光100穿透至光波转换层80的部分而上转换为太阳光的可见光200，而光波转换层80当中的金属材料可将其散射回半导体基板10。
其中，半导体基板10可为光电转换基板，半导体基板10还可为单晶硅基板、多晶硅基板、非晶硅基板等。于本实施例中，半导体基板10为P型半导体基板；在另一实施例中，可为N型半导体基板。本实施例的半导体基板10具有第一表面(正面)为光入射表面，而第二表面(背面)为背光表面。
掺杂层24是利用半导体基板10的表面掺杂反态杂质所形成。当半导体基板10为P型半导体基板时，则反态掺杂为N型掺杂元素，例如但不限于磷、砷、锑、铋、或其任二者(含)以上的组合。当半导体基板10为N型半导体基板时，则反态掺杂为P型掺杂元素，例如但不限于硼、铝、镓、铟、铊、或其任二者(含)以上的组合。
半导体基板10的第一表面即为掺杂层24的表面，掺杂层24的底面则构成P-N接面(Junction)，此P-N接面两端会形成载子空乏区(depletion region)。载子空乏区提供内建电场，将产生的自由电子送往N极，电洞送往P极。因此产生了电流，此时只要外加电路将两端连接即可利用太阳能电池所产生的电力。
其中，光波转换层80当中的光致发光材料81可选自具有吸收太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的吸收光并上转换为较吸收光的波长为短且波长介于200~1,200nm之间的转换光的光致发光萤光材料、光致发光染料(Dye)或光致发光量子点(QD)。其中，光致发光材料81的粒径可在1纳米(nm)至30微米(um)之间。
例如，在萤光材料的选择上，可选自3价稀土离子，如Tb3+(3价铽)、Ho3+(3价钬)、Er3+(3价铒)或其他可进行上转换的光致发光萤光材料。其中，采用Er3+离子的萤光材料，可吸收红外光并转换为黄、绿光与红光，此黄、绿与红色的可见光是正好落于硅基太阳能电池最佳的效率处(400~700nm)。例如，采用Er3+(3,5,7,10mol%)-doped Y2Ti2O7纳米粉末，在Er3+(5mol%)-doped Y2Ti2O7材料做为光波转换层80的光致发光材料81，亦可使光波转换层80将红外光上转换为黄、绿、红光。
可将太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的吸收光并上转换为较吸收光的波长为短且波长介于200~1,200nm之间的转换光的其他萤光材料、染料、量子点等，是为本领域技术人员所熟知，均可应用于本发明的光波转换层80当中，于此不多加赘述。
在结构上，光致发光材料81配置于光波转换层80内的方式有多种不同的实施例，其中，图2A、2B图为光波转换层80以光致发光材料81随机分布于光波转换层80的实施例，其分别为运用于单层射极层的太阳能电池与选择性射极层的太阳能电池。
除了随机分布的配置结构外，其他光致发光材料81于光波转换层80的配置结构的实施例，请参考图2C~图2I，分别为：光致发光材料81均匀分布于光波转换层80(图2C的实施例)；光致发光材料81分布于光波转换层80的上表面(图2D的实施例)；光致发光材料81分布于光波转换层80的下表面(图2E的实施例)；光致发光材料81分布于光波转换层80中间(图2F的实施例)；光致发光材料81同时分布于光波转换层80的上表面与下表面(图2G的实施例)；光致发光材料81分布于光波转换层80的上表面至中间处且浓度由高至低(图2H的实施例)；光致发光材料81分布于光波转换层80的下表面至中间处且浓度由高至低(图2I的实施例)。不同的配置方式，皆可达到将红外光上转换为较短波长的可见光，再利用光波转换层80本身的金属材料散射至半导体基板当中进行吸收，进而转换为光电流，进行太阳光的”二次吸收”。
此外，图2C~2I图中的实施例，是以如图2B的单层射极层的太阳能电池为例所绘制，其光波转换层80的光致发光材料81的配置，同样可运用于如图2A的选择性射极的太阳能电池。同样地，以上的光波转换层80的设计，亦可运用于具有背面电极的串接型太阳能电池。
不同的配置方式的制作，皆可通过现有的工艺技术制作出来，其为本领域技术人员可执行，于此不多加赘述。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种光波转换层，配置于一太阳能电池，其特征在于，
该光波转换层以至少一光致发光材料混合一金属材料而形成电极，吸收一太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的一吸收光并上转换为较该吸收光的波长为短且波长介于200~1,200nm之间的一转换光，再由该金属材料将该转换光散射至该太阳能电池中以进行二次吸收。
2.根据权利要求1所述的光波转换层，其特征在于，该光致发光材料是选自：一萤光材料、一染料、一量子点及其组合。
3.根据权利要求1所述的光波转换层，其特征在于，该光致发光材料的粒径在1纳米(nm)至30微米(um)之间。
4.一种具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，包括：
一半导体基板，其表面具有至少一掺杂层，该半导体基板可吸收一太阳光而转换为一光电流；
至少一抗反射层，设置于该掺杂层之上；及
一光波转换层，设置于该半导体基板下方而背对该至少一抗反射层，该光波转换层吸收该太阳光中波长介于600nm~2,000nm之间的一吸收光并上转换为较该吸收光波长为短且介于200~1,200nm之间的一转换光，再将该转换光散射至该半导体基板以进行二次吸收。
5.根据权利要求4所述的具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，该红外光的波长是为大于750纳米，且该可见光的波长是为400~700纳米之间。
6.根据权利要求4所述的具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，该光波转换层是为一背面电极的材料混和至少一光致发光材料而形成。
7.根据权利要求6所述的具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，该至少一光致发光材料是为一萤光材料、一染料、一量子点材料或其组合。
8.根据权利要求6所述的具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，该光致发光材料的粒径在1纳米至30微米之间。
9.根据权利要求6所述的具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，该至少一光致发光材料于该光波转换层的配置方式是选自：均匀分布于该光波转换层、随机分布于该光波转换层、分布于该光波转换层的上表面、分布于该光波转换层的下表面、分布于该光波转换层中间、同时分布于该光波转换层的上表面与下表面、分布于该光波转换层的上表面至中间处且浓度由高至低、分布于该光波转换层的下表面至中间处且浓度由高至低。
10.根据权利要求6所述的具有光波转换层的太阳能电池，其特征在于，该背面电极的材料为铝。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101207765 | 2012-04-25 | ||
| TW101207765 | 2012-04-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103378182A true CN103378182A (zh) | 2013-10-30 |
Family
ID=49463034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012103010877A Pending CN103378182A (zh) | 2012-04-25 | 2012-08-22 | 光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103378182A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104516149A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
| CN106410031A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-02-15 | 上海大学 | 入射光强度可调的有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN106757018A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 南京工业大学 | 一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 |
| EP3465771A4 (en) * | 2016-06-03 | 2019-10-23 | The Government Of The United States Of America As The Secretary of The Navy | ULTRADÜNNE, FLEXIBLE AND RADIATION TOLERANT DARK PHOTOVOLTAICS |
| CN111477750A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-07-31 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 含荧光材料的背电极和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN112514083A (zh) * | 2018-07-23 | 2021-03-16 | 三星电子株式会社 | 包括多种类型太阳能电池的电子设备 |
| CN113161431A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-07-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 |
| CN116156906A (zh) * | 2023-04-21 | 2023-05-23 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 光转换层、太阳能电池和用电装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010123735A1 (en) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Nanosys, Inc. | Nanoparticle plasmon scattering layer for photovoltaic cells |
| JP2011003663A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜光電変換装置 |
| CN201708174U (zh) * | 2010-05-26 | 2011-01-12 | 信义超白光伏玻璃(东莞)有限公司 | 太阳能电池的上转换发光结构 |
| CN102364691A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-02-29 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及制备方法 |
-
2012
- 2012-08-22 CN CN2012103010877A patent/CN103378182A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010123735A1 (en) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Nanosys, Inc. | Nanoparticle plasmon scattering layer for photovoltaic cells |
| JP2011003663A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜光電変換装置 |
| CN201708174U (zh) * | 2010-05-26 | 2011-01-12 | 信义超白光伏玻璃(东莞)有限公司 | 太阳能电池的上转换发光结构 |
| CN102364691A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-02-29 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及制备方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104516149A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
| CN104516149B (zh) * | 2015-01-16 | 2018-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
| US9995964B2 (en) | 2015-01-16 | 2018-06-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and display device |
| CN106410031A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-02-15 | 上海大学 | 入射光强度可调的有机太阳能电池及其制备方法 |
| EP3465771A4 (en) * | 2016-06-03 | 2019-10-23 | The Government Of The United States Of America As The Secretary of The Navy | ULTRADÜNNE, FLEXIBLE AND RADIATION TOLERANT DARK PHOTOVOLTAICS |
| CN106757018A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 南京工业大学 | 一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 |
| CN112514083A (zh) * | 2018-07-23 | 2021-03-16 | 三星电子株式会社 | 包括多种类型太阳能电池的电子设备 |
| CN111477750A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-07-31 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 含荧光材料的背电极和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN113161431A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-07-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 |
| CN116156906A (zh) * | 2023-04-21 | 2023-05-23 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 光转换层、太阳能电池和用电装置 |
| CN116156906B (zh) * | 2023-04-21 | 2024-03-15 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 光转换层、太阳能电池和用电装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103378182A (zh) | 光波转换层及具有光波转换层的太阳能电池 | |
| US9306090B2 (en) | Composite particle, composite particle dispersion, and photovoltaic device, | |
| TWI390748B (zh) | Light energy of the battery efficiency film | |
| WO2007133344A2 (en) | Wavelength-converting phosphors for enhancing the efficiency of a photovoltaic device | |
| CN110246908A (zh) | 一种光谱下转换减反膜、制作方法及叠层太阳能电池 | |
| US20120167983A1 (en) | Composite light converter for polycrystalline silicon solar cell and silicon solar cell using the converter | |
| Ivaturi et al. | Upconversion and downconversion processes for photovoltaics | |
| CN103474127B (zh) | 一种具有上转换特性的晶硅电池背面铝浆 | |
| Richards et al. | A low escape-cone-loss luminescent solar concentrator | |
| CN102828242B (zh) | 含有下转换发光量子点的晶体硅及其制备方法 | |
| CN102074608B (zh) | 用于太阳能电池及其增效转换层 | |
| CN101866964A (zh) | 一种具有改善短波响应功能的薄膜太阳能电池 | |
| TWI504006B (zh) | 具摻雜碳化矽層之結晶矽太陽能電池及其製造方法 | |
| CN210607278U (zh) | 一种光谱下转换减反膜及叠层太阳能电池 | |
| CN202142546U (zh) | 一种高增益雪崩二极管 | |
| KR101252815B1 (ko) | 태양전지용 하향변환 산화물 형광체 조성물 및 이를 이용한 고효율 태양전지의 제조방법 | |
| Pan et al. | Industrial bifacial silicon solar cells with up-converter and PbS quantum dots | |
| TW201347212A (zh) | 光波轉換層及具有光波轉換層之太陽能電池 | |
| US20120037226A1 (en) | Semiconductor substrate | |
| CN102280501A (zh) | 一种硅基埋栅薄膜太阳能电池 | |
| CN102184998A (zh) | 一种新型晶体硅太阳能电池结构 | |
| US20180212084A1 (en) | Porous silicon nanowire photovoltaic cell | |
| US10510915B2 (en) | Porous silicon nanowire photovoltaic cell | |
| Nonat et al. | Photon Converters for Photovoltaics | |
| KR101133252B1 (ko) | 고효율 및 고내구성을 갖는 태양전지용 반사방지막, 이를 포함하는 태양전지 및 그 제조하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20131030 |