CN102208431A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，其包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。本发明在发光层后制备一层阴极修饰层，增加该层提高了阴极界面电子注入能力，使得器件性能得到显著提高；同时，制备过程中，该材料工艺可行性好，进一步提高了器件在工艺制备过程中的良率。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种含有阴极修饰层的有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
早在五十年代，Bernanose.A等人就开始了有机电致发光器件(OLED)的研究。最初研究的材料是蒽单晶片.由于存在单晶片厚度太厚的问题(10-20μm)，所需的驱动电压很高(几百伏)。1982年Vinceet用真空蒸镀法制成了50nm厚的蒽薄膜，在30伏电压下观察到了蓝色荧光，但其外量子效率只有0.03％。早期的有机电致发光徘徊在高电压、低亮度、低效率的水平上。直到1987年美国Eastman Kodak公司的邓青云(C.W.Tang)和Vanslyke报道了结构为：ITO/Diamine/Alq3/Mg:Ag的有机小分子电致发光器件。器件在10伏的工作电压下亮度达1000cd/m2，外量子效率达到1.0％，引起了科学家们的广泛关注。紧接着1990年英国剑桥大学的J.H.Burroughes小组在Nature上首次报道了共轭聚合物PPV也能实现电致发光的消息，他们采用旋涂甩膜的方法成功的制备了结构为ITO/PPV/Ca聚合物有机发光器件，获得了0.05％的外量子效率。从上报道中人们看到了有机电致发光器件应用于显示的可能性。从此揭开了有机小分子及聚合物电致发光研究及产业化的序幕。
OLED器件的高效率、长寿命、高亮度等性能指标是其实现产业化的基础。鉴于一般有机材料中空穴的迁移率要大于电子迁移率，所以电子注入效率的提高对器件性能的改进至关重要。采用低功函数金属(Ca、Mg等)可以有效的降低电子到有机层的注入势垒，增加电子的注入。但此类活泼函数金属的制备及存储比较困难，且影响器件的制备工艺。提高电子注入能力的另一种方法是在阴极和有机层之间加一层无机化合物组成的电子注入层，实践证明LiF/Al是一种电子注入能力优良的阴极结构，被广泛应用于OLED产品中，但卤素原子的存在会对发光产生猝灭，材料表现出较大的毒性，且该材料成膜温度高，形成的电子注入层的薄膜厚度要求苛刻；LiAlO2，Li2CO3作为注入层材料时，寿命短、效率低。人们一直在不断的探索和研究用来制备电子注入层的良好材料和相关方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够有效提高器件电子注入能力，使得器件发光效率得到显著提高的有机电致发光器件及其制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的：
本发明之有机电致发光器件，包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，其特征在于，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。所述化合物为LiH、KH、LiBH4、LiALH4、NaBH4、KBH4、KAlH4、RuBH4、CsBH4。
所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0.01-1nm/s，蒸镀温度为330-500℃，真空度小于1×10-3的条件下分解得到，膜厚为0.1-10nm。
所述蒸镀速率为0.02-0.5nm/s。
所述蒸镀温度为350-450℃。
所述膜厚为0.5-5nm。
所述阴极修饰层还含有另一种金属元素。所述另一种金属元素与第Ⅰ主族元素的参杂摩尔比在10∶1-1∶10之间。所述另一种金属元素为Ag或Al。
所述阴极修饰层还含有具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料，所述电子材料具有如下通式：
Figure BSA00000452113900021
其中，Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃或亚稠杂环芳烃；n选自2至4的整数。所述电子材料与第Ⅰ主族元素的参杂摩尔比在10∶1-1∶10之间。所述电子材料为BpyPA。
一种有机电致发光器件的制备方法，所述有机电致发光器件依次包括基片、阳极、有机功能层、阴极修饰层以及阴极，所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。所述化合物为LiH、KH、LiBH4、LiALH4、NaBH4、KBH4、KAlH4、RuBH4、CsBH4。所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0.01-1nm/s，蒸镀温度为330-500℃，真空度小于1×10-3的条件下分解得到，膜厚为0.1-10nm。
所述蒸镀速率为0.02-0.5nm/s。
所述蒸镀温度为350-450℃。
所述膜厚为0.5-5nm。
述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物与另一种金属元素双源共蒸制备而成。所述化合物中第Ⅰ主族元素与另一种金属元素的摩尔比在10∶1-1∶10之间。所述另一种金属元素为Ag或Al。
所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物与具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料双源共蒸制备而成。所述化合物中第Ⅰ主族元素与所述电子材料的摩尔比在10∶1-1∶10之间。所述电子材料为BpyPA。
本发明技术方案机理分析：本发明技术方案所述的阴极修饰层为含有第Ⅰ主族元素的化合物，在真空蒸镀过程中，化合物发生分解，生成第Ⅰ主族金属单质或其金属氢化物，分解后的金属单质或金属氢化物的存在有效降低了电子的注入势垒。因为高效率的电子注入界面已经形成，电子注入势垒更低，电子注入更为有效，器件中电子与空穴更加平衡，器件的电流效率得以提高。同时，制备过程中，该材料工艺可行性好，进一步提高了器件在工艺制备过程中的良率。
附图说明
图1为本发明有机电致发光器件的结构剖面图；
图2为本发明实施例1-6的不同厚度阴极修饰层OLED器件电流密度-电压关系图；
图3为本发明实施例1-6的不同厚度阴极修饰层OLED器件亮度-电压关系图；
图4为本发明实施例1-6的不同厚度阴极修饰层OLED器件电流效率-电流密度关系图；
图5为本发明对比例2器件结构示意图；
图6为本发明实施例7、8及对比例1、2不同阴极结构的OLED器件电流密度-电压关系图；
图7为本发明实施例7、8及对比例1、2不同阴极结构的OLED器件亮度-电压关系图；
图8为本发明实施例7、8及对比例1、2不同阴极结构的OLED器件电流效率-电流密度关系图；
图9为本发明实施例15、16不同厚度阴极修饰层OLED器件电流密度-电压关系图；
图10为本发明实施例15、16的不同厚度阴极修饰层OLED器件亮度-电压关系图；
图11为本发明实施例15、16的不同厚度阴极修饰层OLED器件电流效率-电流密度关系图。
图中：10-基板，20-阳极层，30-空穴传输层，40-发光层，50-阴极修饰层，60-阴极层
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
参照图1，为本实施例有机电致发光器件的结构剖面图，其中基板10，阳极层20，空穴传输层30，发光层40，阴极修饰层50与阴极层60。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/Alq3(30nm)/KBH4((0.5nm)/Al(150nm)
1)制备有机发光层
将预处理的玻璃基板置于真空腔内，抽真空至1×10-3Pa，蒸镀空穴传输材料NPB，材料薄膜的蒸镀速率为0.1nm/s，膜厚为50nm，形成空穴传输层；在空穴传输层之上依次蒸镀30nm厚的PADN：1.5％C545T做器件的发光层，和30nm厚的Alq3做为电子传输层；
其中玻璃基板由ITO(氧化铟锡)膜和基片组成，ITO膜的方块电阻为10Ω，膜厚为150nm；
2)制备阴极修饰层
在电子传输层上制备0.5nm厚的阴极修饰层，本实施例采用真空条件下蒸镀KBH4，利用KBH4热分解生成钾来制备钾阴极修饰层，其蒸镀速率为0.01nm/s左右，蒸镀温度控制在330-390℃之间，优选350℃左右；
3)制备阴极
在阴极修饰层上制备阴极，在本实施例中阴极由150nm厚的Al薄膜组成，Al层蒸镀速率为1.0nm/s；
4)用玻璃封装片封装。
实施例2
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/Alq3(30nm)/KBH4((1.0nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极修饰层膜厚为1.0nm。
实施例3
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/Alq3(30nm)/KBH4(3.0nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极修饰层膜厚为3.0nm。
实施例4
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/Alq3(30nm)/KBH4(5.0nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极修饰层膜厚为5.0nm。
实施例5
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/Alq3(30nm)/KBH4(10.0nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极修饰层膜厚为10.0nm。
实施例6
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/Alq3(30nm)/KBH4(15.0nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极修饰层膜厚为15.0nm。
结论1：结合实施例1-6的不同器件结构，当阴极金属为Al时，调整阴极修饰层厚度，分别选取0.5nm、1nm、3nm、5.0nm、10.0nm、15.0nm，得到不同的OLED器件性能。这一系列器件的电流密度-电压关系、亮度-电压关系以及电流效率-电流密度关系分别如图2、3、4所示。
从图2中可以看出，蒸镀KBH4厚度在0.5nm到15nm之间，器件均对应较高的电流效率，相同工作电压下，厚度小于5nm时对应较高的电流密度。说明阴极修饰层厚度在0.5-5nm间，均对应较好的电荷注入效果，特别是厚度3.0-5.0nm的厚度范围内。
图3的亮度-电压关系，也表现出与图2电流密度-电压关系相似的规律，即阴极修饰层为3.0-5.0nm厚度的器件，亮度曲线在最低电压的区域。
因此，综上所述，利用KBH4热解制备钾阴极修饰层的较优厚度为3.0-5.0nm。
实施例7
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/KBH4(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极为膜厚150nm的Al。
实施例8
本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/KBH4(0.5nm)/Ag(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极为膜厚150nm的Ag。
对比例1
对比例1之有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本对比例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本实施例中阴极修饰层为膜厚0.5nm的LiF。
对比例2
参照图5，为本对比例有机电致发光器件的结构剖面图，其中基板10，阳极层20，空穴传输层30，发光层40与阴极层60。本对比例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/Ag(150nm)
制备方法如同实施例1，只是本对比例器件未制备阴极修饰层。
结论2：结合实施例7、8及对比例1、2四种不同阴极结构分别为KBH40.5nm/Al、KBH40.5nm/Ag、LiF 0.5nm/Al、Ag的OLED器件，得到不同的OLED器件性能。这一系列器件的电流密度-电压关系、亮度-电压关系以及电流效率-电流密度关系分别如图6、7、8所示。
参照图6，阴极结构为KBH40.5nm/Ag的器件，电流密度曲线在最低电压的区域，其次是KBH40.5nm/Al阴极的器件，再次是LiF 0.5nm/Al的器件，最后是只有Ag作为阴极的器件。
从图7可以看出，阴极结构为KBH40.5nm/Ag的器件，亮度曲线在最低电压的区域，其最大亮度也最大。其次是KBH40.5nm/Al阴极的器件，再次是LiF0.5nm/Al的器件，最后是只有Ag作为阴极的器件。
从图8可以看出，阴极结构为KBH40.5nm/Ag的器件具有最大的电流效率，其1000A/m2时的电流效率为3.90cd/A，阴极结构为KBH40.5nm/Al的器件，1000A/m2时的电流效率为3.75cd/A，而阴极结构为LiF 0.5nm/Al的器件，1000A/m2时的电流效率为3.20cd/A。阴极结构为KBH40.5nm/Ag、KBH40.5nm/Al的器件效果分别比阴极结构为LiF 0.5nm/Al的器件效果提高了21.9％、17.2％。
实施例9
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/KBH4∶Ag[1∶10](10nm)/Ag(150nm)
KBH4∶Ag[1∶10](10nm)含义为：将KBH4与Ag按掺杂摩尔比1∶10进行双源共蒸，制备厚度为10nm的阴极修饰层。
制备方法如同实施例1，只是在阴极修饰层后制备150nm厚的Ag。
将实施例9与实施例8对比，结果如表1：
表1
  实施例   阴极结构   双面出光效率
 实施例8   KBH4(0.5nm)/Ag(150nm)   3.9cd/A
 实施例9   KBH4∶Ag[1∶10](10nm)/Ag(150nm)   4.0cd/A
结论3：由实施例9与实施例8对比可以看出，KBH4与Ag掺杂器件比非掺杂器件对应更优的器件性能。
实施例10
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/KBH4(0.5nm)/Ag(20nm)
制备方法如同实施例1，只是在阴极修饰层后制备20nm厚的Ag，且为双面发光器件。
实施例11
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/KBH4∶Ag[1∶10](10nm)/Ag(10nm)
制备方法如同实施例1，只是在发光层后采用双源共蒸方式共蒸KBH4与Ag制备10nm厚阴极修饰层，并在阴极修饰层后制备10nm厚的金属银，且为双面发光器件。
对比实施例10、11的效率，如表2。
表2
  实施例   阴极结构   双面出光效率
  实施例10   KBH4(0.5nm)/Ag(20nm)   3.0cd/A
  实施例11   KBH4∶Ag[1∶10)](10nm)/Ag(10nm)   3.2cd/A
结论4：由实施例10、11可以看出，当银厚度减薄后，器件仍然具有较高的效率。采用此种结构器件的优点是，光可以从阴极一面发射。这样就可以实现顶发光或双面发光器件的制备。
实施例12
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/BpyPA(5nm)/BpyPA：10％KBH4(15nm)/Al(150nm)
BpyPA∶10％KBH4(20nm)含义为将BpyPA与KBH4按掺杂摩尔比10∶1进行双源共蒸，制备厚度为20nm的阴极修饰层。
制备方法如同实施例1，只是在发光层后双源共蒸KBH4与BpyPA制备20nm厚的阴极修饰层，BpyPA为具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料，选自如下材料中的一种：
Figure BSA00000452113900091
Figure BSA00000452113900111
Figure BSA00000452113900121
Figure BSA00000452113900131
Figure BSA00000452113900141
Figure BSA00000452113900151
实施例13
本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/BpyPA(5nm)/BpyPA：10％KBH4/(150nm)/Al(150nm)
实施例14
本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/PADN：1.5％C545T(30nm)/BpyPA(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比实施例12～14的效率，如表3。
表3
Figure BSA00000452113900161
可见，采用BpyPA与KBH4双源共蒸制备阴极修饰层的方案，与常规LiF做为阴极修饰层方案相比，可以有效提高器件工作寿命，而且从表3实验数据可见，由BpyPA与KBH4按比例掺杂的阴极修饰层厚度为150nm时，器件的出光效率和寿命都得到了显著的提高。
实施例15
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/LiBH4(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例1，只是在电子传输层后蒸镀LiBH4制备0.5nm厚的阴极修饰层。
实施例16
本实施例有机电致发光器件的结构剖面图同实施例1，如图1所示。本发明实施例中有机电致发光器件的制备结构如下：
玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(70nm)/蒸镀LiBH4(1.0nm)/Al(150nm)
制备方法如同实施例2，只是在电子传输层后制备1.0nm厚的LiBH4。
结论5：结合实施例15、16两种不同器件结构，当阴极金属为Al时，变化LiBH4阴极修饰层厚度(厚度分别为0.5nm、1.0nm)，得到不同的OLED器件性能。这一系列器件的电流密度-电压关系、亮度-电压关系以及电流效率-电流密度关系分别如图9、10、11所示。
从图9中可以看出，当LiBH4厚度小于1.0nm时，随着厚度减小，曲线向高电压方向移动；这说明，1.0nm的LiBH4具有较好的电子注入能力。
图10的亮度-电压关系，也表现出与电流密度-电压关系相似的行为，即1.0nmLiBH4的器件，亮度曲线在最低电压的区域。
从图11的电流效率-电流密度曲线可以看出，1.0nm LiBH4的器件具有最大的电流效率，LiBH4厚度升高或者降低，都将导致器件电流效率下降。
因此，综上所述，LiBH4/Al阴极结构的较优厚度为1.0nm。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。

Claims (27)

1.一种有机电致发光器件，包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，其特征在于，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述化合物为LiH、KH、LiBH4、LiALH4、NaBH4、KBH4、KAlH4、RuBH4、CsBH4。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0.01-1nm/s，蒸镀温度为330-500℃，真空度小于1×10-3的条件下分解得到，膜厚为0.1-10nm。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蒸镀速率为0.02-0.5nm/s。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蒸镀温度为350-450℃。
7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述膜厚为0.5-5nm。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层还含有另一种金属元素。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述另一种金属元素与第Ⅰ主族元素的参杂摩尔比在10∶1-1∶10之间。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述另一种金属元素为Ag或Al。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层还含有具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料，所述电子材料具有如下通式：
其中，Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃或亚稠杂环芳烃；n选自2至4的整数。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子材料与第Ⅰ主族元素的参杂摩尔比在10∶1-1∶10之间。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层的膜厚度为0.1-200nm。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子材料结构式选自如下材料中的一种：
Figure FSA00000452113800031
Figure FSA00000452113800041
Figure FSA00000452113800051
Figure FSA00000452113800061
Figure FSA00000452113800081
15.一种有机电致发光器件的制备方法，所述有机电致发光器件依次包括基片、阳极、有机功能层、阴极修饰层以及阴极，其特征在于，所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。
16.根据权利要求14所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述化合物为LiH、KH、LiBH4、LiALH4、NaBH4、KBH4、KAlH4、RuBH4、CsBH4。
17.根据权利要求15所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0.01-1nm/s，蒸镀温度为330-500℃，真空度小于1×10-3的条件下分解得到，膜厚为0.1-10nm。
18.根据权利要求16所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述蒸镀速率为0.02-0.5nm/s。
19.根据权利要求16所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述蒸镀温度为350-450℃。
20.根据权利要求16所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述膜厚为0.5-5nm。
21.根据权利要求14所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物与另一种金属元素双源共蒸制备而成。
22.根据权利要求20所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述化合物中第Ⅰ主族元素与另一种金属元素的摩尔比在10∶1-1∶10之间。
23.根据权利要求21所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述另一种金属元素为Ag或Al。
24.根据权利要求14所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物与具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料双源共蒸制备而成。
25.根据权利要求23所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述化合物中第Ⅰ主族元素与所述电子材料的摩尔比在10∶1-1∶10之间。
26.根据权利要求24所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层的膜厚度为0.1-200nm。
27.根据权利要求25所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子材料结构式选自如下材料中的一种：
Figure FSA00000452113800091
Figure FSA00000452113800101
Figure FSA00000452113800121
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Figure FSA00000452113800141
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