CN102205950B - 黄铜矿结构cis粉末材料及其液相制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法,该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体,在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS2粉末或CuInSe2粉末)。该黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法反应时间短,所需温度低,操作简便,成本低,适合CIS系粉末的产业化。
Description
技术领域
本发明属于粉末及其制备方法领域,涉及一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法,该黄铜矿结构CIS粉末材料应用于CIS系薄膜太阳能电池吸收层。
背景技术
面对着能源问题和与日俱增的化石燃料燃烧所造成的环境污染问题,太阳能电池的开发已成为解决能源和环境问题的重要途径。随着光伏组件的广泛使用,提高电池光电转换效率、降低成本是目前光伏发电的主要问题。
本说明书中,CIS系材料指CuInS2或CuInSe2,属直接带隙半导体材料,禁带宽度与太阳能光谱匹配优良,具有高的光电转化效率及低材料成本等特点,被公认为是很有前景的太阳能吸收层材料之一。
钱逸泰院士领导的课题小组在Inorganic Chemistry,2000,39:2964-2965文章中公开了一种CIS系粉末的制备方法。钱逸泰院士等以Cu(8.4mmol)、In(8.4mmol)、S/Se(16.8mmol)单质粉末为原料,乙二胺(24mL)为溶剂,在高压釜中保持280℃反应48h,经蒸馏水和乙醇多次清洗、过滤、真空干燥(70℃/6h),得到了CuInS2/CuInSe2纳米棒(Nanorods)。
钱逸泰院士等人所发表的制作方法,需经过高压釜280℃反应48h,才能得到CuInS2/CuInSe2纳米棒。此外,值得注意的是,所需的溶剂为高毒性高挥发性的乙二胺,这对操作的安全性和环境造成很大的威胁。另外,在高压釜中反应,不存在搅拌系统,这无疑降低了其反应的速率,这些缺点使得溶剂热法难以成为CIS系粉末量产化的制备手段。
另外,Zhang等人在Crystal Growth & Design,2008,8:2402-2405文章中公开了一种CuInS2空心纳米球(Hollow Nanospheres)的制备方法。其步骤为:①经搅拌与加热把十六烷基三甲基溴化铵(5mmol,作表面活性剂)溶于乙二醇(40mL),得到混合物M1;②把硫代乙酰胺/乙二醇(5mL)加入到M1并搅拌得到M2;③把M2加热到80℃时加入In(NO3)3/乙二醇(1mL),并保持此温度15min得到混合物M3;④将M3快速转移到装有冷凝器的三口瓶中搅拌并保持1.5h;⑤最后,产物经离心分离、清洗和干燥,得到了粒径为80-100nm的CuInS2空心纳米球。
Zhang等人虽然使用此液相方法制得了纯相CuInS2空心纳米球,但是,其制备的过程较为复杂且十六烷基三甲基溴化铵含有剧毒,这无疑也限制了其大规模化的生产。
通过上述说明可知,开发出快速、简便、低成本的CIS系粉末量产化工艺已经迫在眉睫。本发明正以此为出发点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提出一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法,该黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法反应时间短,所需温度低,操作简便,成本低,适合CIS系粉末的产业化。
本发明的技术解决方案如下:
一种黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法,其特征在于,以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体,在常压下用液相回流法合成CuInS2粉末或CuInSe2粉末。
根据权利要求1所述的黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:该步骤采用步骤a或步骤b:
步骤a:称取物质的量的比1∶1∶2-3的CuCl2·2H2O,InCl3·4H2O和S放入到容器中,加入有机混合溶剂或有机单一溶剂,搅拌,得到均匀的混合物;
步骤b:称取物质的量的比1∶1∶2的CuCl2·2H2O,InCl3·4H2O和Se放入到容器中,加入三乙烯四胺,搅拌,得到均匀的混合物;
步骤2:以惰性气体为保护气,对所述的混合物进行搅拌和冷凝回流,把上述容器置于恒温油浴中保持温度为120-200℃反应,自然冷却至室温;
步骤3:最后收集冷却后的产品,经洗涤、抽滤后,再经干燥得到黑色粉末;
在步骤1中,当采用步骤a时,最终制得的所述黑色粉末为CuInS2粉末,采用步骤b时,最终制得的所述黑色粉末为CuInSe2粉末。
冷凝回流就是在反应容器上安装冷凝回流管,使挥发的气体经逆向的冷却水冷却,使其气态恢复为液态,从而回流到反应容器中。目的:1,有效防止溶剂的挥发,增加溶剂的利用率;2,有效的降低反应容器中的压强。
所述的步骤a中的有机混合溶剂为三乙烯四胺-乙二醇或乙二胺-乙二醇,其中三乙烯四胺与乙二醇的体积比为0.5-1∶1,乙二胺与乙二醇的体积比为0.5-1∶1,有机单一溶剂为三乙烯四胺;溶剂的使用量占该容器总容量的40-90%。
惰性气体是选自下列惰性气体中的至少一种:N2、He或Ar;容器为两口瓶或三口瓶。只要适合安装回流装置和搅拌装置,容器可为其他容器。
恒温油浴中反应时间为0.5-12h。
所述的干燥过程为:在干燥箱中以40-80℃干燥6-10h。
步骤a和步骤b中的搅拌为磁力搅拌或机械搅拌,搅拌时间为5-15min;所述的洗涤为采用无水乙醇和去离子水洗涤。
磁力搅拌就是将液体放入容器中后同时将搅拌子放入液体,当底座产生磁场后带动搅拌子成圆周循环运动。只要能够使反应物均匀分散在溶剂中并使反应快速进行,其他的搅拌方式也行,如机械搅拌。
只要能够使反应物均匀分散在溶剂中并使反应快速进行,其他的搅拌方式也可以,如机械搅拌。
一种黄铜矿结构CIS粉末材料,采用前述的黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法制得。
有益效果:
本发明的优势有以下几个方面:
(1)原料选用较廉价的金属卤化物和有机溶剂,避免了直接使用昂贵的高纯Cu、In单质元素粉末,成本较低;
(2)反应条件温和:反应时间短,温度低,无毒副作用,对环境污染较小。适合CIS系粉末的大规模生产;
(3)所得粉末粒子尺寸小,形貌均匀,且其带隙宽度与太阳能吸收材料最佳带隙宽度相匹配,适合用作涂覆原料或靶材来制备太阳能吸收层薄膜材料。
附图说明
图1是实施例1制得的CuInS2粉末的XRD能谱图(用于说明粉末的晶相);
图2是实施例2制得的CuInS2粉末的XRD能谱图;
图3是实施例2制得的CuInS2粉末的SEM能谱图;
图4是实施例2制得的CuInS2粉末的UV-vis能谱图;
图5是实施例3制得的CuInSe2粉末的XRD能谱图;
图6是实施例4制得的CuInSe2粉末的XRD能谱图。
具体实施方式
以下将结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明:
实施例1
(1)称取5mmol CuCl2·2H2O,5mmol InCl3·4H2O和10-15mmol S放入到三口瓶中,加入30mL三乙烯四胺,磁力搅拌5分钟,得到均匀的混合物;
(2)以氮气为保护气,采用磁力搅拌和冷凝回流,把上述三口瓶置于恒温油浴中保持温度为120-200℃反应0.5-12h,自然冷却至室温;
(3)最后收集冷却后的产品,经无水乙醇和去离子水反复洗涤、抽滤后,在干燥箱内(60℃)干燥6-10h得到黑色粉末。
(4)材料鉴定:经XRD测试,表明了产物为黄铜矿结构CuInS2,见图1。
实施例2
本发明CIS系粉末的制备方法的一个实施例2与实施例1相同,其不同之处在于,在(1)步骤中加入的三乙烯四胺替换为三乙烯四胺-乙二醇(0.5-1∶1,v/v);材料鉴定为:
(a)经XRD测试,表明了产物为黄铜矿结构CuInS2,见图2。
(b)经SEM测试,表明产物为形貌均匀的微米颗粒状CuInS2,粒子尺寸为200-400nm,见图3。
(c)经UV-vis测试,表明产物的禁带宽度为1.52eV,此带隙与太阳光最佳吸收带隙相匹配,说明此材料适合用作太阳能吸收层材料,见图4。
实施例3
本发明CIS系粉末的制备方法的一个实施例3与实施例1相同,其不同之处在于,在(1)步骤中加入的三乙烯四胺替换为乙二胺-乙二醇(0.5-1∶1,v/v);材料鉴定为:经XRD测试,表明了产物为黄铜矿结构CuInS2,见图5。
实施例4
(1)称取5mmol CuCl2·2H2O,5mmol InCl3·4H2O和10mmol Se放入到三口瓶中,加入30mL三乙烯四胺,磁力搅拌5分钟,得到均匀的混合物;
(2)以氮气为保护气,采用磁力搅拌和冷凝回流,把上述三口瓶置于恒温油浴中保持温度为120-200℃反应0.5-12h,自然冷却至室温;
(3)最后收集冷却后的产品,经无水乙醇和去离子水反复洗涤、抽滤后,在干燥箱内(60℃)干燥6-10h得到黑色粉末。
材料鉴定:粉末经X-射线衍射(XRD)测试,表明了产物为黄铜矿结构CuInSe2,见图6。
Claims (4)
1.一种黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法,其特征在于,以有机混合溶剂为载体,在常压下用液相回流法合成CuInS2粉末;
包括以下步骤:
步骤1:称取物质的量的比1:1:2-3的CuCl2·2H2O, InCl3·4H2O和S放入到容器中,加入有机混合溶剂,搅拌,得到均匀的混合物;
步骤2:以惰性气体为保护气,对所述的混合物进行搅拌和冷凝回流,把上述容器置于恒温油浴中保持温度为120-200 ℃反应,自然冷却至室温;
步骤3:最后收集冷却后的产品,经洗涤、抽滤后,再经干燥得到黑色粉末;
最终制得的所述黑色粉末为CuInS2粉末;
所述的步骤1中的有机混合溶剂为乙二胺-乙二醇,乙二胺与乙二醇的体积比为0.5-1:1;溶剂的使用量占该容器总容量的40-90%;
恒温油浴中反应时间为0.5h。
2.根据权利要求1所述的黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法,其特征在于,惰性气体是选自下列惰性气体中的至少一种:N2、He 或Ar;容器为两口瓶或三口瓶。
3.根据权利要求1所述的黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法,其特征在于,所述的干燥过程为:在干燥箱中以40-80℃干燥6-10 h。
4.根据权利要求1-3任一项所述的黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法,其特征在于,步骤1中的搅拌为磁力搅拌或机械搅拌,搅拌时间为5-15 min;所述的洗涤为采用无水乙醇和去离子水洗涤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110094854 CN102205950B (zh) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 黄铜矿结构cis粉末材料及其液相制备方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102205950A CN102205950A (zh) | 2011-10-05 |
CN102205950B true CN102205950B (zh) | 2013-03-20 |
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---|---|---|---|
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CN (1) | CN102205950B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107298459A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-10-27 | 安徽工程大学 | 一种黄铜矿结构3D‑CuInS2及其制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103588180A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-19 | 天津大学 | 三乙烯四胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法 |
CN105692567A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-06-22 | 中南大学 | 黄锡矿结构Cu2FeSnSe4粉末材料及其液相制备方法 |
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---|---|---|---|---|
CN101519307A (zh) * | 2008-02-27 | 2009-09-02 | 威奈联合科技股份有限公司 | Cis系粉末的制作方法及其靶材的制作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101519307A (zh) * | 2008-02-27 | 2009-09-02 | 威奈联合科技股份有限公司 | Cis系粉末的制作方法及其靶材的制作方法 |
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