CN102184999A - 基于npn结构的激光光伏电池及其制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为：以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体，其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低，输出电压高，光吸收及转换效率高，可作为高效激光光伏电池广泛应用，且其制备工艺简便，可有效节省器件加工时间和降低成本，满足规模化生产的需求。

Description

基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺

技术领域

本发明涉及一种基于NPN结构的高效激光光伏电池的制作方法，具体涉及一种高效的激光光伏电池，尤其是以在半绝缘GaAs衬底上以GaAs同质PN结为光电转换层的光电池及其制备方法。

背景技术

激光供能系统在户外远程电子系统如智能电网、偏远地区通讯系统、医疗系统、工业传感、航空器油箱监控等需要提供稳定电源或需要避免电火花的环境中电子系统的供电方面具有重要应用。激光供能采用大功率半导体激光器光源，将光能用光纤输送到需要供电的远端恶劣环境中，再用激光电池将光能转化为电能，经过稳压后提供稳定的电源输出。

激光电池是整个激光供能系统的一个核心技术，与一般太阳能电池不同的是，其光源采用适合光纤传输的790-850nm波长的激光，这样使得光的传输损耗很低。对于790-850nm波长的激光敏感的光伏器件采用GaAs光电池将激光能量转换为电能，提供稳定的电源输出。GaAs是III/V族半导体材料，室温下的禁带宽度Eg是1.43eV，(理论计算表明，当Eg在1.2～1.6eV范围时，电池转换效率最高)与太阳光谱匹配，是理想的太阳能电池材料。GaAs太阳能电池具有高的光电转换效率，单结GaAs太阳能电池的转换效率可达28％。GaAs PN结电池可以用于将808nm的激光能量转换为电能，用作激光供能系统中的激光电池(参阅US005342451)。由于要求每个激光电池元件要有几伏的输出电压(如6V)，而GaAs电池的开路电压约为1V，这就需要GaAs电池的设计中每个光电池上需要有几个电池单元串联以获得所需的输出电压。

激光电池光敏面接收的功率密度较高，相当于几百个太阳的照射强度，光电流密度在每平方厘米十几到几十安培的量级。如此大的电流密度下，减小串联电阻非常有助于提高电池的转换效率。早期的激光光伏电池一般采用在半绝缘衬底上生长N型缓冲层，再生长P/N结，P型窗口层和接触层，其后在接触层上制备金属栅状电极，而后再将未分布在金属栅状电极下方的接触层去除，该金属栅状电极设计要得到尽量小的串联电阻，又不能对入射到电池上的光能有太大的遮挡。目前主要采用增加P型窗口层和P性吸收层的厚度或掺杂浓度的方式来减小电池的串联电阻，但这样又会增加材料生长时间，从而大幅提高制造成本。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中的不足，提供一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺，其可有效减小激光光伏电池的串联电阻，增加其转换效率，从而获得高效激光光伏电池。

为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：

一种基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于：所述光伏电池包括依次生长在半绝缘衬底上的N型导电层、P/N结和N型窗口层，所述P/N结与N型导电层之间经隧穿结连接。

具体而言，所述光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。

优选的，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P型势垒层、P/N结、N型窗口层和N型接触层。

优选的，所述P/N结包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P型吸收层和N型吸收层。

所述N型GaAs导电层和隧穿结之间还设有N型势垒层，且所述N型GaAs导电层直接生长于半绝缘GaAs衬底上。

所述光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层、隧穿结N型GaAs(Ga_0.51In_0.49P)层、隧穿结P型(Al)GaAs层、P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层、P型GaAs电池基区、N型GaAs电池发射区、N型GaAs窗口层和N型GaAs接触层。

一种如上所述基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于，该方法为：在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层，形成光伏电池基体，其后在前述光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。

进一步的讲，该方法包括如下步骤：

(1)在半绝缘GaAs衬底上生长N型掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的GaAs导电层；

(2)在上述N型GaAs导电层上依次生长掺杂浓度1×10¹⁹cm^-3以上的GaAs(Ga_0.51In_0.49P)N型层和掺杂浓度1×10¹⁹cm^-3以上的(Al)GaAs的P型层，形成隧穿结，所述N型层和P型层的厚度＞10nm；

(3)在上述隧穿结上生长掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层；

(4)在上述P型势垒层上依次生长P型GaAs吸收层和N型GaAs吸收层形成PN结；

(5)在上述PN结上生长掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3以上的N型GaAs窗口层；

(6)在上述N型窗口层上生长掺杂浓度在2×10¹⁸cm^-3以上的N型GaAs接触层用作欧姆接触；

(7)按照电池标准工艺，在由前述步骤形成的光伏电池基体上制备隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，获得目标产物。

该方法中于步骤(1)和(2)之间还可包括如下步骤：

先在N型GaAs导电层上生长掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层，而后再在该N型势垒层上生长隧穿结。

步骤(5)中所述N型GaAs窗口层是由Al_xGa_1-xAs(Ga_0.51In_0.49P)组成的，其中x≥0.2。

作为一种可选用的实施方式，该光伏电池中的各层是采用MOCVD方法生长形成的，其中N型掺杂原子为Si、Se、S或Te，P型掺杂原子为Zn、Mg或C。

作为另一种可选用的实施方式，该光伏电池中的各层是采用MBE方法生长形成的，其中N型掺杂原子为Si、Se、S或Te，P型掺杂原子为Be、Mg或C。

前述步骤(7)中是通过依次刻蚀接触层、窗口层、PN结、P型势垒层、隧穿结、N型势垒层和导电层，直到露出半绝缘的GaAs衬底，再通过填胶或氧化硅等电绝缘材料进行隔离，从而在光伏电池基体上形成隔离槽的。

前述步骤(7)中是通过干法或湿法刻蚀工艺依次刻蚀接触层、窗口层、PN结、P型势垒层、隧穿结和N型势垒层，直到露出N型GaAs导电层，从而在光伏电池基体上形成负电极窗口，其后再由该负电极窗口制备负电极。

前述正电极、负电极是通过电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射分别在N型接触层和N型导电层上沉积一层或多层金属并退火形成欧姆接触而制成的。

进一步的，在N型接触层形成前述正电极之后，还将未分布在该金属电极正下方的接触层去除。

前述减反射层通过化学气相淀积技术或镀膜机制备的ZnSe/MgF或TiO₂/SiO₂减反射膜。

前述正、负电极通过金属压焊或蒸镀金属的方式实现该光伏电池中各单元电池的串联。

由于上述技术方案的采用，与现有技术相比，本发明至少具有如下优点：

1.与P型GaAs相比，N型GaAs衬底易于获得低电阻率，本发明中上、下导电层都采用N型GaAs，光伏电池的串联电阻比PN结构电池更低，有利于电池接收更高的光功率密度和电池效率的提高；

2.本发明设计的NPN结构光伏电池具有比PN结构电池更高的转换效率；

3.本发明中，上、下导电层都采用N型GaAs，在电池工艺中一步可以完成上下电极的欧姆接触金属的蒸发或电镀加厚，从而可减少光刻、剥离工序，并减少光刻版的用量，节省工艺加工时间和降低成本；

4.本发明设计的NPN结构光伏电池通过有几个单元串联可产生高达数伏的输出电压。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例中NPN结构的激光光伏电池基体的剖面结构示意图；

图2是本发明一较佳实施例中NPN结构的激光光伏电池中隔离槽的剖面结构示意图；

图3是本发明一较佳实施例中NPN结构的激光光伏电池的剖面结构示意图；

图4是本发明一较佳实施例中NPN结构的激光光伏电池的俯视图；

以上图中，01为半绝缘GaAs衬底，02为N型GaAs导电层，03为N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层，04为隧穿结N型GaAs(Ga_0.51In_0.49P)，05为隧穿结P型(Al)GaAs，06为P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层，07为P型GaAs电池基区，08为N型GaAs电池发射区，09为N型GaAs窗口层，10为N型GaAs接触层，11为隧穿结，12为PN结，13为激光电池基体结构，14为隔离槽，15、16分别为正和负电极，17为减反射膜，18为电极引线。

具体实施方式

考虑到现有技术中的诸多不足，如何减小串联电阻、增加激光电池的转换效率，并解决相应的生产技术具有重大意义。

为此，本发明提供了基于NPN结构的激光光伏电池，其包括GaAs电池和隧穿结。该光伏电池的特点在于：该光伏电池系GaAs的PN结电池，其上、下导电层都采用N型GaAs，电池结构直接生长在半绝缘GaAs衬底上。

进一步的讲，该光伏电池的结构为：在半绝缘GaAs衬底上按顺序生长N型导电层、N型势垒层(可选择性的生长或不生长)、隧穿结、P型势垒层、P型吸收层、N型吸收层、N型窗口层和N型接触层。

前述N型导电层是在半绝缘GaAs衬底上直接生长的N型GaAs导电层。

前述P型吸收层与N型导电层通过P/N隧穿结连接。

前述基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法包括下列步骤：

(1)在半绝缘GaAs衬底上用外延生长等方法生长N型掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3以上的GaAs导电层；

(2)在N型GaAs导电层上生长掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3以上的N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层，该步骤也可省去；

(3)在上述势垒层上生长N型掺杂浓度在1×10¹⁹cm^-3以上的GaAs(Ga_0.51In_0.49P)层，再生长掺杂浓度在1×10¹⁹cm^-3以上的(Al)GaAs的P型层，形成一个隧穿结，P型和N型区的厚度大于10nm；

(4)在上述隧穿结上生长掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3以上的P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层，并作为GaAs电池的背场层；

(5)在上述势垒层上生长P型GaAs吸收层，并在P型GaAs吸收层上生长N型GaAs吸收层，形成一个PN结；

(6)在N型GaAs吸收层上生长掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3以上的N型GaAs窗口层；

(7)在上述窗口层上生长掺杂浓度在2×10¹⁸cm^-3以上的N型GaAs接触层，用作欧姆接触，至此形成光伏电池基体；

(8)按照电池标准工艺，在光伏电池基体上制备隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，获得目标产物。

前述窗口层可采用Al_xGa_1-xAs(Ga_0.51In_0.49P)来制作，其中Al组分x≥0.2。

该光伏电池的各结构层可采用MOCVD方法生长，其中，N型掺杂原子为Si、Se、S或Te，P型掺杂原子为Zn、Mg或C。

该光伏电池的各结构层亦可采用MBE方法生长，其中N型掺杂原子为Si、Se、S或Te，P型掺杂原子为Be、Mg或C。

前述隔离槽的制备过程为：依次刻蚀接触层、窗口层、PN结、P型势垒层、隧穿结、N型势垒层和导电层，直到露出半绝缘的GaAs衬底，再通过填胶或氧化硅等电绝缘材料进行隔离。

前述负电极的制备过程为：通过干法或湿法刻蚀依次刻蚀接触层、窗口层、PN结、P型势垒层、隧穿结和N型势垒层，直到露出N型GaAs导电层，制成负电极窗口，而后通过电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射在导电层上沉积一层或多层金属并退火形成欧姆接触。

前述正电极的制备过程为：采用电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射在接触层上沉积一层或多层金属并退火形成欧姆接触，而后将除金属电极下面以外的接触层GaAs去除。

前述减反射层通过化学气相淀积技术或镀膜机制备ZnSe/MgF或TiO₂/SiO₂减反射膜。

该光伏电池中，正负电极通过金属压焊或蒸镀金属的方式实现电池中各单元电池的串联。

本发明基于NPN结构的激光光伏电池以半绝缘GaAs作为基底，该电池通过隧穿结将GaAs电池与GaAs导电层连接，实现几个单元电池的串联连接，实现每个电池元件有几伏的输出电压，从而获得了高效的激光电池。尤其是本发明采用N型窗口层取代P型窗口层可获得较低的电池串联电阻，且采用将PN结中N型和P型倒置的设计，可有效提高光电池的量子效率。

以下结合附图及若干较佳实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。

参阅图1-4，该基于NPN结构的激光光伏电池的制作工艺包括下列步骤：

一、应用MOCVD方法生长NPN结构的激光光伏电池

1、采用半绝缘GaAs衬底01，厚度在200至500微米左右，作为衬底同质生长GaAs材料；

2、进入MOCVD或MBE生长室，先生长一层1000nm-5000nm的N型GaAs导电层02，掺杂浓度高达1×10¹⁸-1×10¹⁹cm^-3；

3、在导电层02上生长掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的10-50nm的N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层03，

4、生长N型掺杂浓度大于1×10¹⁹cm^-3的10-50nm的GaAs(Ga_0.51In_0.49P)层04，再生长P型掺杂浓度大于1×10¹⁹cm^-3的约10nm的(Al)GaAs层05，形成一个隧穿结11，使GaAs电池的P型层07和下面的N型GaAs导电层02能够很好连接，P型和N型区的厚度大于10nm；

5、在隧穿结11上生长掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的10-50nm的P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层06，并作为GaAs电池的背场层；

6、生长2500-3500nm的P型的掺杂浓度为5×10¹⁶-1×10¹⁸cm^-3的GaAs吸收层07，作为GaAs太阳能电池的基区，再生长100-600nm的N型掺杂浓度为1×10¹⁷-4×10¹⁸cm^-3的GaAs吸收层08，作为GaAs太阳能电池的发射区；形成一个PN结12；

7、在GaAs吸收层08上生长1000-3000nm的掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的N型的Al_xGa_1-xAs(x≥0.2)或Ga_0.51In_0.49P窗口层09；

8、在窗口层09上生长100-300nm的掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的N型的GaAs接触层10，用来做欧姆接触，至此制得光伏电池基体。

二、应用标准工艺制备NPN结构的激光光伏电池

1、在光伏电池基体上通过干法或湿法刻蚀依次刻蚀接触层10、窗口层09、PN结12、P型势垒层06、隧穿结11、N型势垒层03、导电层02，直至半绝缘GaAs衬底01，再通过填胶或氧化硅电绝缘等材料进行隔离，形成隔离槽14；

2、通过干法或湿法刻蚀依次刻蚀接触层10，窗口层09，PN结12，P型势垒层06，隧穿结11，N型势垒层03，直至N型GaAs导电层02，形成负电极窗口；

3、通过电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射等方式制备AuGe/Ni/Au＝35/10/100nm，Ag＝1μm或Au＝100nm金属材料的正电极15和负电极16形成欧姆接触；

4、通过湿法刻蚀将除金属电极下面以外的接触层10去除。

5、通过化学气相淀积技术或镀膜机制备减反射层18，应用ZnSe/MgF或TiO₂/SiO₂等减反射材料；

6、制备电极引线18，实现电池串联。

本发明的激光电池通过几个电池单元串联以获得所需的输出电压，其中GaAs电池的开路电压约为1V，这样每个电池元件有几个单元串联就有约几伏的输出电压(如6V)。激光电池生长在半绝缘GaAs衬底上以便在随后的电池加工工艺中实现每个单元之间电学隔离，然后将一个电池的正极与另一个电池的负极相连而制作几个单元的串联连接。这样设计的结果是电池的正电极和负电极都从电池的外延面一侧引出，为了减少电极的遮光比、充分吸收照射到电池光敏面上的激光能量，底电极在电池光敏面的外围，和电池底部的导电层相连。

此外，该激光电池中光敏面接收的功率密度较高，相当于几百个太阳的照射强度，光电流密度在每平方厘米十几到几十安培的量级。如此大的电流密度下，减小串联电阻非常有助于提高电池的转换效率。电池中，底部导电层的横向导电电阻是电池串联电阻的主要来源，通过提高该层材料的电导率和加大厚度来减小其电阻，而P型GaAs的电阻率远大于N型GaAs的电阻率(几倍到几十倍)，为了减小电池的串联电阻，电池常采用P/N结构，即电池顶部为P型，底部为N型。然而由于少子电子的扩散长度远大于空穴的扩散长度，P/N结构的电池的效率低于N/P结构。

根据上述设计，本发明的激光光伏电池的串联电阻比PN结构电池更低，有利于电池接收更高的光功率密度和电池效率的提高，具有比PN结构电池更高的转换效率，具有很好的实际应用价值。

以上对本发明一较佳实施例的详细描述，对本案保护范围不应构成任何限制，凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方法，均落在本发明权利保护范围之内。

Claims (18)

1.一种基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于：所述光伏电池包括依次生长在半绝缘衬底上的N型导电层、P/N结和N型窗口层，所述P/N结与N型导电层之间经隧穿结连接。

2.根据权利要求1所述的基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于：所述光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。

3.根据权利要求2所述的基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于：所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P型势垒层、P/N结、N型窗口层和N型接触层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于：所述P/N结包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P型吸收层和N型吸收层。

5.根据权利要求2所述的基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于，所述N型GaAs导电层和隧穿结之间还设有N型势垒层，且所述N型GaAs导电层直接生长于半绝缘GaAs衬底上。

6.根据权利要求1所述的基于NPN结构的激光光伏电池，其特征在于，所述光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层、隧穿结N型GaAs(Ga_0.51In_0.49P)层、隧穿结P型(Al)GaAs层、P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层、P型GaAs电池基区、N型GaAs电池发射区、N型GaAs窗口层和N型GaAs接触层。

7.一种如权利要求1所述基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于，该方法为：在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层，形成光伏电池基体，其后在前述光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。

8.根据权利要求7所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)在半绝缘GaAs衬底上生长N型掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的GaAs导电层；

(2)在上述N型GaAs导电层上依次生长掺杂浓度1×10¹⁹cm^-3以上的GaAs(Ga_0.51In_0.49P)N型层和掺杂浓度1×10¹⁹cm^-3以上的(Al)GaAs的P型层，形成隧穿结，所述N型层和P型层的厚度＞10nm；

(3)在上述隧穿结上生长掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的P型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层；

(4)在上述P型势垒层上依次生长P型GaAs吸收层和N型GaAs吸收层形成P/N结；

(5)在上述P/N结上生长掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3以上的N型GaAs窗口层，；

(6)在上述N型窗口层上生长掺杂浓度在2×10¹⁸cm^-3以上的N型GaAs接触层用作欧姆接触；

(7)按照电池标准工艺，在由前述步骤形成的光伏电池基体上制备隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，获得目标产物。

9.根据权利要求8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于，该方法中于步骤(1)和(2)之间还包括如下步骤：

先在N型GaAs导电层上生长掺杂浓度1×10¹⁸cm^-3以上的N型AlGaAs((Al)GaInP)势垒层，而后再在该N型势垒层上生长隧穿结。

10.根据权利要求8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：步骤(5)中所述N型GaAs窗口层是由Al_xGa_1-xAs(Ga_0.51In_0.49P)组成的，其中x≥0.2。

11.根据权利要求7或8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：该光伏电池中的各层是采用MOCVD方法生长形成的，其中N型掺杂原子为Si、Se、S或Te，P型掺杂原子为Zn、Mg或C。

12.根据权利要求7或8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：该光伏电池中的各层是采用MBE方法生长形成的，其中N型掺杂原子为Si、Se、S或Te，P型掺杂原子为Be、Mg或C。

13.根据权利要求8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：步骤(7)中是采用依次刻蚀N型接触层、N型窗口层，P/N结，P型势垒层、隧穿结、N型势垒层和N型导电层直至露出半绝缘GaAs衬底的方式于光伏电池基体中形成槽状结构，而后在该槽状结构中填充绝缘材料而形成隔离槽的。

14.根据权利要求8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：步骤(7)中是采用电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射工艺分别在N型接触层和N型导电层上沉积一层以上金属并退火形成欧姆接触而制成正电极和负电极的。

15.根据权利要求14所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：步骤(7)中是采用依次刻蚀N型接触层、N型窗口层，P/N结，P型势垒层、隧穿结和N型势垒层，直至露出N型导电层形成负电极窗口的方式，而后再经负电极窗口于N型导电层制备负电极的。

16.根据权利要求14所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：步骤(7)中在N型接触层上制成正电极后，还应去除未分布在正电极正下方区域内的其余N型接触层。

17.根据权利要求8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：所述减反射层是形成于N型窗口层上的ZnSe/MgF或TiO₂/SiO₂减反射膜。

18.根据权利要求8所述的基于NPN结构的激光光伏电池的制备方法，其特征在于：所述正、负电极通过金属压焊或蒸镀金属的方式实现电池中各单元电池的串联，形成一个光伏电池整体。

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